电子技术基础 寒假作业(含答案)
1610电子技术基础 寒假作业
负反馈放大电路与基本运算电路
一、单选题
1. 需要一个阻抗变换电路，要求输入电阻大，输出电阻小，应选用（ A ）负反馈。 A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联
2. 为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ C ）负反馈。
A. 直流
B. 交流电流
C. 交流串联
D. 交流并联 3. 理想集成运放具有以下特点：（ B ）。
A. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞
B. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =0
C. 开环差模增益A u d =0，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞
D. 开环差模增益A ud =0，差模输入电阻R id =∞，输出电阻R o =0 4. 引入（ C ）反馈，可稳定电路的增益。
A. 电压
B. 电流
C. 负
D. 正
5. 为了减小放大电路的输出电阻，应引入（ C ）负反馈。
A. 直流
B. 交流电流
C. 交流电压
D. 交流并联
6. 深度负反馈的条件是指（ B ）。
A. 1+AF<<1
B. 1+AF>>1
C. 1+AF<<0
D. 1+AF>>0
7. 对于放大电路，所谓开环是指（ B ） 。
A. 无信号源
B. 无反馈通路
C. 无电源
D. 无负载
8. 为了稳定静态工作点，应引入（ A ）负反馈。
A. 直流
B. 交流
C. 串联
D. 并联
9. 为了稳定放大倍数，应引入 （ B ）负反馈。
A. 直流
B. 交流
C. 串联
D. 并联
10. 集成运放存在失调电压和失调电流，所以在小信号高精度直流放大电路中必须进行（ D ）。 A. 虚地 B. 虚短 C. 虚断 D. 调零
11. （ D ）运算电路可实现函数Y ＝aX 1＋bX 2＋c X 3，a 、b 和c 均小于零。
A. 同相比例
B. 反向比例
C. 同相求和
D. 反向求和 12. 要求输入电阻大，输出电压稳定，应选用（ A ）负反馈。 A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联 二、填空题
1.电压负反馈能稳定输出 ，电流负反馈能稳定输出 。电压；电流
2.将 信号的一部分或全部通过某种电路 端的过程称为反馈。输出；回送到输入
3.为提高放大电路的输入电阻，应引入交流 反馈，为提高放大电路的输出电阻，应引入交流 反馈。串联；电流
4.负反馈对输入电阻的影响取决于 输入端的反馈类型，串联负反馈能够 提高 输入电阻，并联负反馈能够降低输入电阻。
5.负反馈对输出电阻的影响取决于 端的反馈类型，电压负反馈能够 输出电阻，电流负反馈能够 输出电阻。
6.负反馈虽然使放大器的增益下降，但能 增益的稳定性， 通频带， 非线性失真， 放大器的输入、输出电阻。
7. 负反馈放大电路中，若反馈信号取样于输出电压，则引入的是 反馈，若反馈信号取样于输出电流，则引入的是 反馈；若反馈信号与输入信号以电压方式进行比较，则引入的是 反馈，若反馈信号与输入信号以电流方式进行比较，则引入的是 反馈。
8. 根据反馈信号在输出端的取样方式不同，可分为 反馈 和 反馈 ，根据反馈信号和输入信号在输入端的比较方式不同，可分为 反馈 和 反馈 。
9、从反馈的角度来看，反相比例运算放大器是 负反馈放大器，同相比例运算放大器是_________负反馈放大器。
5. 输出，降低，增大
6. 提高，展宽，减少，改变
7.电压，电流，串联，并联
8.电压，电流，串联，并联
9.电压并联。电压串联
三、计算分析题
1.图示电路中运放为理想器件，试求输出电压U O 的值，并估算平衡电阻R P 的阻值。
¥+-+
2V
R 12k Ω
1k Ω
2k Ω
R 2R 3R P
R F 5k Ω
U O +－
2.下图所示电路中，所有运放为理想器件，试求各电路输出电压的大小。
（e ） （f ）
3、设运放的开环电压倍数足够大，输出端接量程为5V 的电压表，电流为500μA ，用它制成一个测电阻的表。测量电阻的电路原理图如图2所示，其中R1=100k Ω，若输出电压表指针分别指示以下电压数值时，求被测电阻分别为多少？ （1）5V ；
（2）1V ；
（3）0.5V 。
图1
3.解：根据反相比例运算放大器的关系得到Vo =
−
Rx R
×10
（1）5=−Rx 100×10，得到Rx =50KΩ （2）1=−
Rx 100
×10，得到Rx =10KΩ （3）0.5=−
Rx 100
×10，得到Rx =5KΩ
4、电路如下图3所示，求下列情况下，U O 和U i 的关系式。 （1）S 1和S 3闭合，S 2断开时；（2）S 1和S 2闭合，S 3断开时。
4.解：（1）相当于一个反相比例运算放大器，Uo =−Ui （2）根据叠加原理， Uo =−Ui +(1+1)Ui =Ui
图3
U 1=0.5V U 2U I =-2V U I
(a)
O
(b)
(c)
O
-
(d)
R 1O
R f s2100k Ω
10mV -20mV
O
10mV
20mV
R 7(a)(b)
直流稳压电源
一、单选题 1-2 AB 1-5 ADBDC 6-11 DCADBD 1. 已知变压器二次电压为t U u ωsin 222
=V ，负载电阻为R L
，则半波整流电路流过二极管的平均电流为（ ）。
A. L R U 245
.0 B.
L
R U 2
9.0
C.
L
R U 22
D. L R U 222
2. 已知变压器二次电压为t U u ωsin 222=V ，负载电阻为R L
，则桥式整流电路中二极管承受的反向峰值电压为
（ ）。
A.
2U B. 22U C. 29.0U D.
222U
1.在直流稳压电源电路，整流的目是（ ）。
A ．将交流电变为脉动直流电
B ．将高频变为低频
C ．将正弦波变为方波
D ．将交、直流混合量中的交流成分滤除掉
2.在直流稳压电路中，采取稳压电路的目的是（ ）。
A ．消除整流输出的交流分量
B ．减少交流分量，同时将交流电变成直流电
C ．把交流电变为直流电
D ．使输出直流电压尽可能稳定
3.在直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）。
A ．将交流变为直流
B ．将交直流混合量中的交流成分滤掉
C ．将高频变为低频
D ．将高压变为低压
4.串联型稳压电流放大环节放大的对象是（ ）。
A ．基准电压
B ．输出电压
C ．取样电压
D ．取样电压与基准电压之差
5.要想获得-8V 的稳压电源，集成稳压器的型号应选用（ ）。
A ．CW7808
B ．CW7909
C ．CW7908
D ．CW7808
6.三端集成稳压器W79L18的输出电压·电流等级为（ ）。
A. 18V/500mA
B. 18V/100mA
C. -18V/500mA
D. -18V/100mA
7.采用上辅助电源的作用是（ ）。
A ．增大输出电压
B ．增大输出电压的调节范围
C ．提高稳压性能
D ．作用稳压电路的基准电压环节
8.串联型稳压电路中调整电路和比较放大电路（ ），可提高稳压器的性能。
A ．比较放大电路使用差分放大器，调整管使用复合管。
B ．调整管使用复合管，比较放大器可采用任何耦合方式。
C ．调整管使用差分放大器。
D ．调整元件使用集成运算放大器。
9.带有比较放大环节的可调式稳压电路，调节R P 触头的位置可改变输出电压的数值。下面说法正确的是（ ）。
A ．R P 触头移到最上端，输出电压最大
B ．R P 触头移到最下端，输出电压最小
C ．R P 触头移到最下端，调整管的管压降最小
D ．R P 触头移到最下端，调整管的管压降最大
10.要得到-24V~-5V 和+9V~+24V 的可调电压输出，应采用的三端稳压器分别为（ ）。 A. CW117；CW217 B. CW117；CW137 C. CW137；CW117 D. CW137；CW237
11.要同时得到-12V 和+9V 的固定电压输出，应采用的三端稳压器分别为（ ）。 A. CW7812；CW7909 B. CW7812；CW7809 C. CW7912；CW7909 D. CW7912；CW7809 三、填空题
1. 串联型稳压电路由 、 、 和 等部分组成. 取样电路、基准电压、比较放大，调整管
2. 单相 电路用来将交流电压变换为单相脉动的直流电压。整流
3. 直流电源中的稳压电路作用是当 波动、 变化或 变化时，维持输出直流电压的稳定。3.电源电压、温度、负载
4. 串联型稳压电路中比较放大电路的作用是将 电压与 电压的差值进行 。取样、基准、放大
5. 功率较小的直流电源多数是将交流电经过 、 、 和 后获得。5.降压、整流、滤波、稳压
6. CW7805的输出电压为 ，额定输出电流为 ；CW79M24的输出电压为 ，额定输出电流为 。6.+5V ，1.5A ；-24V ，0.5A
7. 直流电源中的滤波电路用来滤除整流后单相脉动电压中的 成分，使之成为平滑的 。7.交流、直流电压
三、计算分析题
1、基本串联型直流稳压电源的电路，如图1示。已知电路设计合理，基准电压V Z ＝ 6V ，三极管饱和时VCES ＝2V ，试求： （1）稳压电路输出电压的调节范围； （2）当滑动变阻器滑到中间位置时候，变压器次级绕组电压的有效值V 2。
图1
1.解：（1）Vomax =
R1+R2+Rp
R2
×Vz =100+300+100
100
×6V =30V
Vomin =
R1+R2+Rp R2+Rp ×Vz =100+300+100
300+100
×6V =7.5V
（2） Vo =R1+R2+Rp R2+Rp/2
×Vz =
100+300+100100+300/2
×6V =12V
2.基本串联型稳压电路如图2示，已知稳压二极管的V Z =5.3V ，V1、V2均为硅管
（1）三极管V1在该稳压电路中又叫什么管？
（2）若电位器Rp 滑到中间位置时，试求静态时A 、B 、C 、D 各点的点位值； （3）求该电路输出电压的最大值Vomax 和最小值Vomin.
图2
2.解：（1）调整管
（2）Vc =R1+Rp+R2
R2+
Rp 2
(VB +Vz )=
200+100+200
200+50
×6V =
12V
V B =6V ，Vz=5.3V ，V D =12.7V
(3) Vomax =R1+Rp+R2
R2
(VB +Vz )=
200+100+200
200
×6V =
15V Vomin =
R1+Rp +R2
R2+Rp
(VB +Vz )
=200+100+200200+100
×6V =10V
数字电路
一、 填空题
1. 数字电路主要研究的是电路输出信号与输入信号之间的 逻辑 关系,故数字电路又称为 逻辑 电路。
2. BCD 码是用 四 位二进制代码来表示 一 位十进制数的编码方法。
3、二进制是以 为基数的计数体制，十进制是以 为基数的计数体制。2, 10
4、三种基本逻辑运算是 运算、 运算、 运算。 与，或，非
5、（20）10= （ ）2 ；（1110101000）2= （ ）16 10100、3A8
6、 逻辑代数中，最基本的逻辑关系有三种，即 与逻辑，或逻辑和非逻辑。 7.（9）10=（ ）2，（1011）2=（ ）10。1001、11 8. 三种基本逻辑门是 与门 、 或门 和 非门 。与门、或门、非门
9. 具有“有1出1，全0为0”逻辑功能的逻辑门是 ，它的逻辑符号是 。或门， 10. 三态门的三种状态是 、 和 状态。 1态，0态，高阻态
二、选择题 1-5 BDCCA 6-10 CCDDC 11-14 AABC
1、二进制整数最低位的权是（ ）A 、 0 B 、 1 C 、 2 D 、 4
2、16进制的基本数码错误的是（ ）A 、 7 B 、 E C 、 0 D 、 H
3、与非门的逻辑功能是（ ）
A 、有0出0，全1出1
B 、有1出0，全1出1
C 、有0出1，全1出0
D 、有1出1，全1出0
4、能很好地克服零点漂移的电路是（ ）。A.功放电路 B.固定式偏置电路 C. 差放电路
5、如下表所示输入信号与输出信号的逻辑表达式为（ ）。
A.Y=A ⊙B
B. Y =A ⊕B
C. Y=AB
6、串联型反馈式稳压电路由采样单元，基准单元，放大单元和（ ）单元四部分构成。A. 调整 B.滤波 C. 稳压 7. 最常用的脉冲信号是（ ）。A ．正弦波 B. 锯齿波 C. 矩形波 D. 尖顶波 8. 下列码制中属于BCD 码的是（ ）。
A ．8421码 B. 5421码 C. 余3码 D. A 、
B 、
C 三种都是 9. 二进制数1+1之和等于（ ）。 A ．2 B. 10 C. 11 D. 1 10. 或非门的逻辑表达式为（C ）。
A ．Y =A +
B B. Y =B A • C. Y =B A + D. Y =B A +
11. 要使与门输出恒为0，可将与门的一个输入端始终接（ ）。 A ．0 B. 1 C. 0、1都可以 D. 输入端并联 12. 二输入端CMOS 与非门的输入为A 、B ，输出为Y ，要使Y =A ，则B 端应该（ ）。
A ．接电源 B. 接地 C. 悬空
13. 二输入端TTL 或非门的输入为A 、B ，输出为Y ，要使Y =A ，则B 端应该（ ）。
A ．接电源 B. 接地 C. 悬空
14. 如图所示，异或门的逻辑符号是（ ）
A ．
B ．
C ．
D ． 三、计算分析题
1. 将下列十进制数转换为二进制数。
（1）(157)D = （10011101）2 （2） (36) D =（100100）2 （3） (76) D =（1001100）2 （4） (11) D =（1011）2 2. 将下列二进制数转换为十进制数。
（1） (1101)B =（13）10 （2） (1011) B =（11）10 （3） (100110) B =（ 38）10 （4） (1011101) B =（93）10 3. 将下列二进制数分别转换为八进制数和十六进制数。
（1）(1001011)B =（113）8=（4B ）16 （2）(1110010) B =（162）8=（72）16 （3）(1100011) B =（143）8=（63）16 （4）(11110001) B =（361）8=（F1）16 4. 分别写出下列十进制数码的8421BCD 码，5421BCD 码和余3BCD 码。
（1） （ 8 ）10=（1000）8421=（1011）5421=（1011）余3BCD （2）（ 5 ）10=（0101）8421=（1000）5421=（1000）余3BCD （3） （ 3 ）10=（0011）8421=（0011）5421=（0110）余3BCD （4）（7）10=（1010）8421=（1101）5421=（1101）余3BCD 5.图9-9所示电路为三个CMOS 门电路及其输入信号波形，试分别画出相应的输出波形。
6、完成表格（6分）
7.写出图9-10
7.（a ）Y =AB +A +B （b ）Y =AB ∙AB ∙C
1. 1、功率放大器的两种主要形式是 OTL 、OCL 。
2. 2. 某一功率放大电路如图2所示，当V i 为正半周时，则（ A ）
A. T 1导通，T 2截止
B. T 1截止，T 2导通
C. T 1导通，T 2导通
D. T 1截止，T 2截止 3. 在图2中，二极管D1、D2的作用是克服（ D ）。
A ．饱和失真 B. 截止失真 C. 零点漂移 D. 交越失真 4、功率放大电路易出现的失真现象是（ C ）。
A 、饱和失真
B 、截止失真
C 、交越失真
D 、零点漂移 5、乙类双电源互补对称功放电路的效率可达（ B ）。
A 、25%
B 、78.5%
C 、50%
D 、90% 6、右图电路中，复合管的类型（ B ）。
A 、等效为PNP 管
B 等效为NPN 管
C 、不能构成复合管
D 、不确定 7、两只β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大倍数约为（ C ）。
A 、 β B、2β C、 β2
D 、无法确定 8、功率放大器如图3所示，问：
(1) 该电路是何种类型的功率放大器？ (2) 电容C2的作用的是什么？
(3) 若V CC =20V ，管子饱和压降V CES =2V ，R L =8ῼ，求最大不失真输出功率P OM 。
9．（1）OCL ； （2）调R2，调大R2； （3）Pom =(Vcc−Vces )2
2RL
，得到
VCC 22×8
=9，得到Vcc =12V 。
图 3
9．某功放电路如下图所示。已知输入电压V i 为正弦波，T 1，T 2的特性对称。
（1）说明此电路是何种类型功放电路？
（2）动态时，若出现交越失真，应调整哪个元件，如何调整？
（3）设三极管饱和压降约为0V 。若希望在负载电阻R L = 8Ω的喇叭上得到9W 的信号功率输出，则电源电压V CC 值至少应取多少？
9．（1）OCL ；（2）调R2，调大R2；（3）Pom =(Vcc−Vces )2
2RL
，得到
VCC 22×8
=9，得到Vcc =12V 。
图2
电子技术基础试题及答案套
电子技术基础试题(八) 一、填空题(每题3分，共30分) 1、PN结具有单向导电特性性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_增大_。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L 和信号源的内阻r s 相等时，负载获得的功率最大，这种现象称 为阻抗匹配。 5、运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放，乙类功放和甲乙类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流I BQ ，以减少交越失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和_调整元件_四个部分组成。 9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、_逻辑加和_逻辑非_。 10、主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。 二、选择题(每题3分，共30分) 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于： ( C )。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：( A )。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE 上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( B )。 A.3A V B.A3 V C.A V 3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：( A )。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：( C )。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低 6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( B )。 A.8V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：( A )。 A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流 B.在开启时提供很大的反向基极电流 C.隔开直流电压 8．逻辑函数式E F+E F+EF，化简后答案是：( C )。 A.EF B.F E+E F C.E+F
11寒假作业
高二年级计算机专业电子技术寒假作业 第一章晶体二极管和二极管整流电路 一、填空： 1．半导体中的多数载流子是由产生的；少数载流子是由产生的。 2．PN结加正向电压，其空间电荷区（耗尽层）将，电阻值将。 PN结加反向电压，其空间电荷区（耗尽层）将，电阻值将。 3．正偏二极管的动态电阻随流过二极管的正向电流的增加而。 4．如下图所示电路中，二极管为硅管时I= 毫安；若二极管为锗管时，I= 毫安。 5．理想二极管电路如图所示，V1处于工作状态，V2处于工作状态，输出电压V AB为伏。 二、判断题：（2′×10=20′） 1．二极管一经击穿便将失效，因为击穿是不可逆的。（） 2．二极管导通后。其电流大小与二极管的型号无关。（） 3．滤波是利用电容两端电压不能突变或电感电流不能突变的特性实现的。（）4．整流电路中整流二极管所承受的最大反向电压V RM的值与是否加入滤波电容无关。（） 5．P型半导体的多数载流子为空穴，所以P型半导体带正电。（） 三、综合计算题： 1．如图所示，已知R1=30KΩ，R2=60KΩ，E1=120V ，E2=60V，E3=20V，求流过二极管的电流I，设二极管正向电阻视为零。
2．单相桥式可控整流电流电路如图所示 （1）画出开关S未合上时的输出电压v o的波形； （2）画出开关S合上时的输出电压v o的波形； （3）比较开关S合上前后的输出波形可得出什么结论？ V2R L
第二章练习二 一、下图所示是在电路中测出的各三极管的三个电极对地电位。试判断各三极 管处于何种工作状态(设图中PNP型管均为锗管，NPN型管均为硅管)？ 1 2． 3 4． 8 5．6．7．8． 二、已知放大状态下的各管脚之间的电压，试判断管子的类型、材料及各管脚名称。 1、23、 1．类型2．类型3．类型 材料材料材料 ○1○1○2○2○3○3○1○1○2○2○3○3○1○1○2○2○3○3 三、已知各电极之间的电压，判断管子的工作状态。 1、硅管NPN型○1○1V BC=-6V，V CE=5.7V； ○2○2V BC=-2V, V CE=2.7V； 3V 4.6V 7V - -3.7V
电子技术基础 寒假作业(含答案)
1610电子技术基础 寒假作业 负反馈放大电路与基本运算电路 一、单选题 1. 需要一个阻抗变换电路，要求输入电阻大，输出电阻小，应选用（ A ）负反馈。 A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联 2. 为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ C ）负反馈。 A. 直流 B. 交流电流 C. 交流串联 D. 交流并联 3. 理想集成运放具有以下特点：（ B ）。 A. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞ B. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =0 C. 开环差模增益A u d =0，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞ D. 开环差模增益A ud =0，差模输入电阻R id =∞，输出电阻R o =0 4. 引入（ C ）反馈，可稳定电路的增益。 A. 电压 B. 电流 C. 负 D. 正 5. 为了减小放大电路的输出电阻，应引入（ C ）负反馈。 A. 直流 B. 交流电流 C. 交流电压 D. 交流并联 6. 深度负反馈的条件是指（ B ）。 A. 1+AF<<1 B. 1+AF>>1 C. 1+AF<<0 D. 1+AF>>0 7. 对于放大电路，所谓开环是指（ B ） 。 A. 无信号源 B. 无反馈通路 C. 无电源 D. 无负载 8. 为了稳定静态工作点，应引入（ A ）负反馈。 A. 直流 B. 交流 C. 串联 D. 并联 9. 为了稳定放大倍数，应引入 （ B ）负反馈。 A. 直流 B. 交流 C. 串联 D. 并联 10. 集成运放存在失调电压和失调电流，所以在小信号高精度直流放大电路中必须进行（ D ）。 A. 虚地 B. 虚短 C. 虚断 D. 调零 11. （ D ）运算电路可实现函数Y ＝aX 1＋bX 2＋c X 3，a 、b 和c 均小于零。 A. 同相比例 B. 反向比例 C. 同相求和 D. 反向求和 12. 要求输入电阻大，输出电压稳定，应选用（ A ）负反馈。 A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联 二、填空题 1.电压负反馈能稳定输出 ，电流负反馈能稳定输出 。电压；电流 2.将 信号的一部分或全部通过某种电路 端的过程称为反馈。输出；回送到输入 3.为提高放大电路的输入电阻，应引入交流 反馈，为提高放大电路的输出电阻，应引入交流 反馈。串联；电流 4.负反馈对输入电阻的影响取决于 输入端的反馈类型，串联负反馈能够 提高 输入电阻，并联负反馈能够降低输入电阻。 5.负反馈对输出电阻的影响取决于 端的反馈类型，电压负反馈能够 输出电阻，电流负反馈能够 输出电阻。 6.负反馈虽然使放大器的增益下降，但能 增益的稳定性， 通频带， 非线性失真， 放大器的输入、输出电阻。 7. 负反馈放大电路中，若反馈信号取样于输出电压，则引入的是 反馈，若反馈信号取样于输出电流，则引入的是 反馈；若反馈信号与输入信号以电压方式进行比较，则引入的是 反馈，若反馈信号与输入信号以电流方式进行比较，则引入的是 反馈。 8. 根据反馈信号在输出端的取样方式不同，可分为 反馈 和 反馈 ，根据反馈信号和输入信号在输入端的比较方式不同，可分为 反馈 和 反馈 。 9、从反馈的角度来看，反相比例运算放大器是 负反馈放大器，同相比例运算放大器是_________负反馈放大器。 5. 输出，降低，增大 6. 提高，展宽，减少，改变 7.电压，电流，串联，并联 8.电压，电流，串联，并联 9.电压并联。电压串联 三、计算分析题 1.图示电路中运放为理想器件，试求输出电压U O 的值，并估算平衡电阻R P 的阻值。 ¥+-+ 2V R 12k Ω 1k Ω 2k Ω R 2R 3R P R F 5k Ω U O +－
《电子技术基础》(晶体管+集成运放)试题集+答案
《电子技术基础》（晶体管+集成运放）试题集+答案一．填空题：（22题） 1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位高。 2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。 3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。 4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。 5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。 6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。 7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。 8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 0+ 9.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。 10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。 11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。 12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。 13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。 14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。 15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。 16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。 17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。 18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。 19.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端电位差=0。 20.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端的电流=0。
21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。 22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。 二．是非题：（正确=“+”，错误=“—”）（共26题） 1.（+）发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。 2.（—）三极是电压放大器件。 3.（+）3DA1型三极管是硅管高频大功率晶体管。 4.（—）变压器也能把电压升高，所以变压器也是放大器。 5.（+ ）放大器工作时，电路同时存在直流和交流分量。 6.（—）对放大器来说一般希望输入电阻小、输出电阻大。 7.（+ ）固定偏置放大器的缺点是静态工作点不稳定。 8.（—）实际放大电路常采用分压式偏置，是因为U i大。 9.（+ ）多级放大电路总的增益等于各级增益之和。 10.（—）负反馈可以使电路的放大倍数提高。 11.（+ ）负反馈能改善放大电路的性能。 12.（—）射极输出器输入电阻小，输出电阻也小。 13.（+ ）振荡器中依靠非线性元件可以实现稳幅振荡。 14.（—）负反馈也可以减小信号本身的固有失真。 15.（+ ）振荡器的实质是把直流电能转变为交流电能。 16.（—）乙类功率放大器静态时，功率消耗最大。 17.（+ ）甲乙类功放如要消除交越失真，三极管要有偏流。 18.（—）阻容耦合放大电路不存在零漂问题。 19.（+ ）差动放大电路只放大差模信号，不放大共模信号。
(完整版)电子技术基础(含答案)
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有 习题 【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。 一、单选题 1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2.二极管的主要特性是（）。 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在N型半导体中（）。 A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。 A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在（）。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。 A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿
模拟电子技术基础-作业答案1
模拟电子技术课程作业 第1章 半导体器件 1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。 (a)变宽 (b)变窄 (c)不变 2半导体二极管的主要特点sdf 是具有( b )。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。 (a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4电路如图1所示，设D 1，D 2均为理想元件，已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示，试画出电压u O 的波形。 20V 100V 0 u I u i V /ωt D 2 D 1 40k Ω 40k Ω150 u O + - 图1 + - 图2 +- +- 答案
u i V /ωt 150ωt 100 60 u i V /0 10060 5电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。 u I2 R L u O t 1 t 2 t t 2 D 1 D 2 图1 图2 u I1+ - u I1/ V -22 -2 u I2/ V 答案 t 1 t 2 t u O /V -2 t 1:D 1导通，D 2截止 t 2:D 2导通，D 1截止
第2章 基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。 + + + + + ++ + U CC u o U CC U CC U CC () a () b (c) (d) + -+ - + -+ - +- + -+ - + -u i u i u o u o u i u o u i ++++ 2图示电路，已知晶体管β=60，U BE .V =07 ，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。 (a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω ++C 2 C 1 R B R C u o u i + - + -+12V 3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。 (a)增加 (b)减少 (c)基本不变 4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T 的β=40，U BE .V =07，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B ，U C ，U E ）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。
电子技术基础试题及答案
电子技术基础试卷 一、填空题（ 20 分） 1、电路和电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有特性。 3、放大电路的分析方法有和小信号模型分析法。 4、BJT 的主要参数是。 5、带宽和是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路称为 电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为和两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈，只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否 存在反馈网络，即。 10 、负反馈放大电路有四种类型：、、以及 放大电路。
11、放大电路的实质都是电路。 12、放大电路可分为四种类型：、、和。 二、判断题（ 1—5 题每题 2 分，6—15 题每题 1 分，共 20 分） 1、图示中R2 引人电压并联负反 图题 1 2、图示中R e1 电流串联正反馈
图题 2 3、图示电路不能振荡 图题 3 4、图示电路不能振荡
图题 4 5、图示电路中 T 1为共基极组态， T 2 为共集电极组态 图题 5 6、PN 结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT 有 NPN 和 PNP 两种类型。
9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS 器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小，说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输 入量进行比较，从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题（ 1 题 12 分，2 题 13 分，3 题 15 分，共 40 分） 1、设计一反相加法器，使其输出电压V0=-7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4），允许使用的最大电阻为 280k Ω，求各支路电阻。 2、某反馈放大电路的方框图如图所示，试推导其闭环增益x o/x i的表达式。
电子技术基础习题带答案
【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式 5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法 ４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对 ６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热
(完整版)电子技术基础习题答案(于宝明)
第一章习题 1。1 如需将PN结二极管处于正向偏置，应如何确定外接电压的极性? 答:如需将PN结二极管处于正向偏置，外接电压的极性应该是P区端接高电位,N区端接低电位。 1。2 PN结二极管的单向导电性是在什么外部条件下才能显示出来？ 答：在外部施加了正、反相电压且出现正相导通、反相截止时才能显示出来。 1。3 PN结两端存在内建电位差，若将PN结短路，问有无电流流过？ 答:二极管短路时没有电流。原因是ＰＮ结两端虽有电位差,但是在半导体和金属电极接触处，也有”接触电位差”,后者抵消了ＰＮ结两端的电位差。金属一半导体结和ＰＮ结不同：(１）没有单向导电性,(２）接触电位差和外加电压的极性及幅值无关。这种接触叫做"欧姆接触"。从另一种角度分析，如果有电流，金属导线就会发热，二极管就要冷却。作为一个热平衡的整体,要产生这种现象是不可能的.所以,二极管短路时Ｉ＝０。 1。4 比较硅、锗两种二极管的性能。在工程实践中，为什么硅二极管应用得较普遍？ 答：锗有32 、硅有14 个电子，最外围都有四个价电子。电子数量、层数越多，受热激发的后价电子脱离共价健束缚的可能性就越大，所以,硅半导体更稳定。 1.5 当输入直流电压波动或外接负载电阻变动时，稳压管稳压电路的输出电压能否保持稳定?若能稳定,这种稳定是否是绝对的? 答：当输入直流电压波动或外接负载电阻变动时,稳压管稳压电路的输出电压能保持基本稳定，但是由于其反相击穿特性曲线并非完全垂直下降，所以这种稳定不是绝对的。 1.6 光电子器件为什么在电子技术中得到越来越广泛的应用？试列举一二例。 答：因为可以利用可见或不可见光进行信号指示、遥控、遥测。减少了导线的连接和一些干扰，带来了方便，比如电视机等家电的遥控器、指示灯等都是应用实例. 1。7 如何用万用表的“Ω”挡来辨别一只二极管的阳、阴两极？（提示：模拟型万用表的黑笔接表内直流电源的正端，而红笔接负端） 答：如果二极管的内阻较小，模拟型万用表的黑笔接的是P端，而红笔接的是N端。否则,如果二极管的内阻较大,则模拟型万用表的黑笔接的是N端，而红笔接的是P端。 1.8 在用万用表R×10， R×100, R×1k 三个欧姆档测量某二极管的正向电阻时，共测得三个数值:4k、85Ω、680Ω。试判断它们各是哪一档测出的。 答:用万用表测出的二极管电阻值是它的直流电阻。由于二极管是非线性元件,它的电压和电流不成正比，所以通过管子的电流也不同,测出的直流电阻也不同。当用低阻档测量时，由于万用表的内阻小，通过二极管 的电流大，管子工作在较高工作点处, 所以直流电阻（V D1/I D1）小。当用高阻档测量时,万用表内阻大，通过二极管的电流小,管子工作在较低工作点处，所以直流电阻(V D2/I D2）大。因此,4k对应于R×1k;85Ω对应于R×10;680Ω对应于R×100。 1.9 有A、B两个小功率二极管，它们的反向饱和电流分别为0.5A和0。01A；在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA。你认为哪一个管子的综合性能较好？ 答:因为二极管正、反相电阻差越大越好，而20/0。0005＝40000；8/0。00001=800000；后者反差大于前者。所以8mA管子的综合性能较好。 1.10 为什么说在使用二极管时,应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压？
电子技术寒假作业
一、填空题： 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、 和三类。 2、PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN 结反偏时，P区接电源的极，N区接电源的极。 3、PN结具有特性，即加正向电压时PN结， 加反向电压时PN结。 4、硅二极管导通时的正向管压降约 V，锗二极管导通时的管压降约 V。 5、有一锗二极管正、反向电阻均接近于零，表明该二极管已； 有一硅管正、反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已。 6、三极管有三个电极，即极、极和极， 分别用符号、和或、和表示。 7、半导体三极管有型和型，前者的图形符号 是，后者的图形符号是。 8、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区； 发射结，集电结或时，工作在饱和区； 发射结或 、集电结时，工作在截止区。 9、放大电路设置静态工作点的目的是。 10、放大器中晶体三极管的静态工作点是指、 和。 11、在共射极放大电路中，输出电压u o 和输入电压u i 相位。 12、放大电路中，静态工作点设置得太高，会使i C 的半周期和u ce 的 半周期失真，称为失真；静态工作点设置的太低，会使i C 的 半周期和u ce 的半周期失真，称为失真。基本放大电路中，通常通过调整来消除失真。 13、多级放大电路常用的级间耦合方式有、、和 。 14、多级放大器电路中每级放大电路的电压放大倍数分别为A u1、A u2 、……、 A un ，则总的电压放大倍数为A u = 。 15.多级放大电路常用的级间耦合方式有_____________、_____________、_____________和_____________。 16.反馈放大器是由____________电路和____________电路组成。
电子技术基础知识练习题与答案
电子技术基础知识练习题与答案 电子技术基础知识练习题与答案 电子技术是根据电子学的原理，运用电子元器件设计和制造某种特定功能的电路以解决实际问题的科学，包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。下面跟着小编来看看电子技术基础知识练习题与答案吧！希望对你有所帮助。 一、基础知识。 1.按照调制方式分类，光调制可以分为：强度调制、相位调制、波长调制、频率调制、偏振调制。 2.半导体激光器发光是由能带之间的电子空穴对复合产生的。 3.激励过程是使半导体中的载流子过程从平衡态激发到非平衡态。 4.固体激光器是以固体为工作物质的激光器，也就是以掺杂的离子型绝缘晶体和玻璃为工作物质。 5.光纤传感器中常用的光电探测器：光电二极管、光电倍增管、光敏电阻。 6.红外探测器的响应波长范围参数指探测器电压响应率与入射的红外波长之间的关系。 7.光子探测原理是指利用半导体在入射光的照射下产生光子效应。 8.利用温差电势制成的红外探测器称为热电偶。 9.红外辐射在大气中传播时由于大气中水分子、蒸汽等吸收和散射使辐射在传播过程中衰减。 10.当红外辐射照在热敏电阻上时，使温度上升，内部粒子无规则运动加剧，自由电子数随温度而上升，所以电阻会减小。 11.辐射出射度：辐射体单位面积向半空间发出的辐射通量。 12.光电磁是利用光生伏特效应将光能变成电能。 13.任何物质只要温度高于0K就会向外辐射能量。 14.红外无损检测是通过测量热流或热量来检测。 15.内光电探测器可分为光电导、光伏特、光电磁三种探测器。 16.红外探测器的性能参数：电压响应率、噪声等效功率、时间常
数。 17.光束扫描根据其应用的目的可分为模拟扫描和数字扫描。模拟扫描用于显示，数字扫描用于光存储。 18.固体摄像器件主要有：CCD、CMOS、CID。 19.声光相互作用分为：拉曼—纳斯衍射和布喇格衍射。 20.磁光效应：外加磁场作用引起材料光学各向异性的现象。 https://www.360docs.net/doc/b519118100.html,D的基本功能：电荷存储、电荷转移。按结构分为线阵CCD和面阵CCD。 22.液晶分为溶致液晶和热致液晶两大类。 23.光辐射照射在半导体表面，材料中电子和空穴由原来的不导电状态转化为导电状态，这种现象称为光电导。 24.光束调制按其调制的性质可分为调幅、调频、调相及强度调制等。 25.实现脉冲编码调制，必须进行的三个过程：抽样、量化和编码。 26.光电二极管是指以光导模式工作的结型光伏型探测器。常见的光电二极管有硅光电二极管、雪崩光电二极管（APD）、PIN光电二极管、肖特基势垒光电二极管。 27.光热探测器由热敏元件、热链回路和大容量的散热器组成。常见光热探测器有热敏电阻、热释电探测器、热点偶。 https://www.360docs.net/doc/b519118100.html,D基本工作过程包括信号电荷的产生、存储、传输和检测。 29.等离子是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体态物质，它是出去固态、液态、气态以外的第四态。 30.TN—LCD指扭曲向列型液晶显示。 STN—LCD指超扭曲向列型液晶显示。 二、问答题。 1、一个完整的无限连续的电磁波谱有哪几部分组成？ 答：宇宙射线、γ射线、X射线、紫外光、可见光、红外光、毫米波、无线电波、声频电磁波。其中紫外线包括：极远紫外、远紫外、近紫外。（10nm-390nm）可见光：紫蓝绿黄橙红。（390nm-
电工电子技术基础试题及参考答案
电工电子技术基础试题及参考答案 试题 一、填空题（本题共20个小题，每小题2分，共40分） 1．电路主要由四部分组成，它们是用电器、_______ 、导线、开关。 2．金属导体中电子的运动方向与电流的方向_______ 。 3．两根平行直导线中通以相反方向电流时，它们互相_______ 。 4．图示通电直导线在磁场中的运动方向_______ 。 5．正弦交流电的三要素是振幅、频率和_______ 。 6．电感线圈储存的磁场能量与线圈的电感量成______ 。 7．纯电感电路中，通以正弦交流电，电流比电压______ 。 8．纯电容电路中，通以正弦交流电，电流比电压______ 。 9．在电阻、电感、电容串联的电路中，发生串联谐振的条件是感抗与容抗大小__ 。 10．为提高功率因数，应该在感性负载的两端_______ 适当的电容。 11 ．三相对称负载作星形联结时，中性线电流为_______ 。 12.三相电源的线电压为380V,三相负载的每相负载额定电压为220V,应该进行形联结。 13．变压器工作时，一次、二次线圈中的电流与线圈的匝数成_______ 比。 14．三相异步电动机三根相线中任意两根对调，则旋转方向与原来_______ 。 15．稳压二极管的工作范围位于伏安特性的________ 区。 16．场效晶体管是________ 控制器件。 17.LC并联回路的谐振频率f0为。 18．功率放大器在甲乙类工作状态，可以克服_______ 失真。 19.微分电路的条件是电路的确良=RC输入脉冲宽度t p。 20.触发器具有存放和记忆信息的功能，可作为二进制______ 单元使用。 二、简答题（本大题共5个小题，共24分） 21.在P型和N型半导体中各以什么为多数载流子和少数载流子？ 22.在使用CMOS门电路时，能否将输入端悬空？为什么？
《电子技术基础》寒假作业
一年级学生《电子技术基础》寒假作业 一、填空： 1. ___________________________ 半导体是导电能力介于和之间的物质。 2. ______________________ 利用半导体的特性，制成杂质半导体；利用半导体的— _____ 特性,制成光敏电阻，利用半导体的_________ 特性，制成热敏电阻。 3. _______________________ PN结加正向电压时____ ，加反向电压时，这种特性称为 PN结的__________ 特性。 4. _______________________________ PN结正向偏置时P区的电位N区的电位。 5. ________________________________ 二极管正向导通的最小电压称为电压，使二极管反向电流急剧 增大所对应的电压称为_______ 电压. 6. ____________________________ 二极管最主要的特性是，使用时应考虑的两个主要参数是 7 .在常温下，硅二极管的死区电压约________ V，导通后在较大电流下的 正向压降约_______ V。 8 .在常温下，错二极管的死区电压约为________ V，导通后在较大电流的 正向压降约为_______ V。 9. ______ 半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的_________ 性能越好。 10 .稳压管工作在伏安特性的_________ 区，在该区内的反向电流有较大 变化，但它两端的电压_________ 。 14. 整流电路的作用是___________________________________________ ，核 心元器件是_______ 。 15. 滤波电路的作用是________ ___ __________ = ________ ____ ，滤波 电路包含有_______ 元件。 16. 单相半波整流，单相桥式整流相比，脉动比较大的是_____ —___ , 整流效果好的是___________ 。
电子技术基础习题答案
三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（C）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。 A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。 A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。 9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流I CM； B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO； C、集电极最大允许耗散功率P CM； D、管子的电流放大倍数 。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。 A、直流成分； B、交流成分； C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。 A、直流信号； B、交流信号； C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。 A、截止失真； B、饱和失真； C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件是（B）。 A、电阻R B； B、电阻R E； C、电阻R C。 5、功放首先考虑的问题是（A）。
电子技术基础-检测题习题解析(附带答案详解)
电子线路综合复习题 一、填空题： 半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。 应在特性曲线的反向击穿区。 二、判断正误：（每题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 3、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大水平。（错） 4、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错） 三、选择题：（每题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（C）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、稳压二极管的正常工作状态是（C）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 3、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 4、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝ 4.4V，说明此三极管处在（A）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 5、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。 A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。
电子技术基础(上习题)(附答案)
电子技术基础 一、 填空 第一章 直流电路分析基础 １．电路一般由 电源 、 负载 和 中间环 三部分组成。 ２.电源是将 其他形式的能转换成电能 的装置。 3.负载是将 电能转换为其他形式的能 的设备。 4．电路的作用包括 能源转换 和 信号处理 两个方面。 ５.交流电是指 大小和方向随时间变换而变化 的电压或电流。 6．数字信号是指 大小和方向不随时间变化而变化 的电压或电流信号。 7．模拟信号是指 大小和方向随时间连续变化 的电压或电流信号。 ８.电路中的元件分为有源元件和无源元件，其中无源元件包括 电阻 、电感 和 电容 三种。 9.在电路中起激励作用的是独立电源，包括理想独立电流源 和 非理想电压源 。 10.电路中有两种电源，其中起激励作用的是独立电源，不起激励作用的是 受控 电源。 11. 一般来说,电流分为 直流 、 交流 和 随机电流 三种类型。 1２.求出的功率如果大于０，表示该元件吸收功率 ；如果功率小于0,表示该元件 发出功率 。 13.一般来说,电压分为 直流电压 、 交流电压 和 随机电压 三种类型。 14.对于一个二端元件,在关联参考方向的时，该元件功率的计算公式习惯表示为 P=UI ;与此相反,在非关联参考方向的时，其功率计算公式习惯表示为 P= －UI 。 15．根据是否提供激励，电源分为 独立 和 受控 两种。 第二章 一阶过渡电路 1.一阶过渡电路的全响应分析通常用三要素法,三要素分别指 初始值f (0) 、 稳态值f (∞) 和 时间常数τ 。 2.ＲＣ过渡电路中的时间常数的表达式为 τ=RC ；RL 过渡电路中的时间常数的表达式为τ=l R 。 3.根据是否有信号输入，一阶过渡电路分为 零输入 响应和 零状态 响应。 ４.一阶电路的全响应既可以用零输入响应和零状态响应表示，也可用 多个暂态 和 多个稳态 表示。 第三章 正弦交流电 1.正弦交流电源的三要素是指 振幅 、 频率 和 出相位 。 2．已知某交流正弦电流的瞬时表达式为 ()3143i t t π⎛⎫ =+ ⎪⎝ ⎭ ，则该正弦交流电流的最大值为 5√2 Ａ,频率为 5０Hz ，初相位为 π 3 。 3.在交流电路的功率计算中，Q 表示 无功功率 ,单位是 var(乏) ；它与S 和Ｐ的关系可以表示为Q= Ｓ=√S 2−P 2。 ４．已知某交流正弦电压的瞬时表达式为 ()3142u t t π⎛⎫ =+ ⎪⎝ ⎭ ,则该电压的有效值为 10 ，频率为 50Hz ，初相位为 π 2 。
电子技术基础(上习题)(附答案)
电子技术根底 一、 填空 第一章 直流电路分析根底 1.电路一般由 电源 、 负载 和 中间环 三局部组成。 2.电源是将 其他形式的能转换成电能 的装置。 3.负载是将 电能转换为其他形式的能 的设备。 4.电路的作用包括 能源转换 和 信号处理 两个方面。 5.交流电是指 大小和方向随时间变换而变化 的电压或电流。 6.数字信号是指 大小和方向不随时间变化而变化 的电压或电流信号。 7.模拟信号是指 大小和方向随时间连续变化 的电压或电流信号。 8.电路中的元件分为有源元件和无源元件，其中无源元件包括 电阻 、电感 和 电容 三种。 9.在电路中起鼓励作用的是独立电源，包括理想独立电流源 和 非理想电压源 。 10.电路中有两种电源，其中起鼓励作用的是独立电源，不起鼓励作用的是 受控 电源。 11. 一般来说，电流分为 直流 、 交流 和 随机电流 三种类型。 12.求出的功率如果大于0，表示该元件吸收功率 ；如果功率小于0，表示该元件 发出功率 。 13.一般来说，电压分为 直流电压 、 交流电压 和 随机电压 三种类型。 14.对于一个二端元件，在关联参考方向的时，该元件功率的计算公式习惯表示为 P=UI ；与此相反，在非关联参考方向的时，其功率计算公式习惯表示为 P= -UI 。 15.根据是否提供鼓励，电源分为 独立 和 受控 两种。 第二章 一阶过渡电路 1.一阶过渡电路的全响应分析通常用三要素法，三要素分别指 初始值f (0) 、 稳态值f (∞) 和 时间常数τ 。 2.RC 过渡电路中的时间常数的表达式为 τ=RC ；RL 过渡电路中的时间常数的表达式为τ=l R 。 3.根据是否有信号输入，一阶过渡电路分为 零输入 响应和 零状态 响应。 4.一阶电路的全响应既可以用零输入响应和零状态响应表示，也可用 多个暂态 和 多个稳态 表示。 第三章 正弦交流电 1.正弦交流电源的三要素是指 振幅 、 频率 和 出相位 。 2.某交流正弦电流的瞬时表达式为 ()3143i t t π⎛⎫ =+ ⎪⎝ ⎭ ，那么该正弦交流电流的最大值为 5√2 A ，频率为 50Hz ，初相位为 π 3 。 3.在交流电路的功率计算中，Q 表示 无功功率 ，单位是 var(乏) ；它与S 和P 的关系可以表示为Q= S=√S 2−P 2。 4.某交流正弦电压的瞬时表达式为 ()3142u t t π⎛⎫ =+ ⎪⎝ ⎭ ，那么该电压的有效值为 10 ，频率为 50Hz ，
(中职)电子技术基础与技能习题集题库及答案
《电子技术》习题库及答案 1、PN结内部（） A存在内电场，能帮助少数载流子漂移B存在内电场，能帮助多数载流子扩散C不存在内电场D存在内磁场，起到单向导电的作用 2、PN结又可以称为（） A隔离层B耗尽层C电容层D绝缘层 3、PN结又可以称为（） A空间电荷区B隔离层C电容层D绝缘层 4、PN结的厚度（） A随着正向电压的增大而变薄B随着正向电压的增大而变厚 C厚度与电压的大小无关D厚度与温度的大小无关 5、晶体二极管内部的PN结有（） A1个B2个C3个D4个 6、晶体三极管内部的PN结有（） A1个B2个C3个D4个 7、PN结的漏电是由（）产生的。 A电子B空穴C少数载流子D多数载流子 8、PN结的正向电流是由（）产生的。 A电子B空穴C少数载流子D多数载流子 9、PN结的漏电（）而急剧增大 A随着电压的升高B随着电压的降低 C随着温度的升高D随着温度的降低 10、晶体二极管正向偏置是指（） A阳极接高电位、阴极接低电位B阴极接高电位、阳极接低电位 C二极管没有阴极、阳极之分D二极管的极性可以任意接 11、晶体二极管的最大反向工作电压是（） A等于击穿电压B漏电达到10mA时的电压 C漏电达到1mA时的电压D取击穿电压的一半 12、用万用表测量晶体二极管的反向电阻，应该是（） A用R×1档，黑表棒接阴极，红表棒接阳极
B用R×10k档，黑表棒接阴极，红表棒接阳极 C用R×1k档，红表棒接阴极，黑表棒接阳极 D用R×1k档，黑表棒接阴极，红表棒接阳极" 13、用万用表测量晶体二极管的正向电阻，应该是（） A用R×1档，黑表棒接阴极，红表棒接阳极 B用R×10k档，红表棒接阴极，黑表棒接阳极 C用R×1k档，红表棒接阴极，黑表棒接阳极 D用R×1k档，黑表棒接阴极，红表棒接阳极" 14、下列晶体管的型号中，（）是稳压管 A2AP1B2CW54C2CK84D2CZ50 15、晶体管型号2CZ50表示（） A50A的硅整流二极管B硅稳压管 C50A的锗整流二极管D普通硅三极管" 16、硅稳压管加正向电压（） A立即导通B超过0.3V导通 C超过死区电压导通D超过稳定电压导通" 17、稳压管正常工作时应该（） A串限流电阻，加上大于稳定电压的反向电压 B不串限流电阻，加上大于稳定电压的反向电压 C串限流电阻，加上小于稳定电压的反向电压 D不串限流电阻，加上小于稳定电压的反向电压" 18、关于稳压管的动态电阻，以下哪一个说法是正确的（） A动态电阻就是限流电阻B动态电阻就是稳压管上的电压与电流之比 C动态电阻越小越好D动态电阻稳定电压与最大稳定电流之比" 19、发光二极管发出的颜色取决于（） A制作塑料外壳的材料B制作二极管的材料 C电压的高低D电流的大小 20、要使光敏二极管有较大的输出，应该（） A不加电压，只要有较强的光照B工作在反向击穿状态，不需要光照C加上正向电压，有较强的光照D加上反向电压，有较强的光照"