第4章系统的瞬态响应与误差分析.

第4章系统的瞬态响应与误差分析.
第4章系统的瞬态响应与误差分析.

第四章系统的瞬态响应与误差分析本章主要内容

—、典型输入信号

二、一阶系统的时间响应

三、二阶系统的时间响应探四、高

阶系统的时间响应

五、误差分析和计算六、稳定性分析

教学目的:

1 ?掌握一阶.二阶系统在典型输入信号作用下的时域响应和时域性能指标。

2.了解高阶系统时域响应的特点.

3.掌握系统误差的概念和计算稳态误差的方法.

4?掌握系统稳定的概念和分析、判别系统稳定的方法。

点:二阶系统的时域响应及其性能指标。难点,二阶系统时域响应的数学表达式。

时间响应

任一系统的时间响应都是出瞬态响应或稳态响应两部分组成。

瞬态响应:系统受到外加作用力激励后, 从初始状态到最终状态的响丿应过程。

稳态响应:时间趋于无穷夬时,系统的输出状态。

瞬态响应反映了系统动态性能,而稳态响应偏离系统希望值的程度可川来衡量系统的粹确程度。

?时域分析的目的

在时I'可域,研究在一定的输入信号作用下,系统输出随时间变化的情况,以分析和研究系统的控制性能。

?优点;直观、简便

§4.1典型输入信号

在时间域进行分析时,为了比较不同系统的控制性能,需要规定一些具有典型意义的输入信号建立分析比较的基础-这些信号称为控制系统的典型输入信号.

r典型输入信号

二、对典型输入信号的要求

□能够反映系统工作在最不利的情形; □形式简单,便于解析分析;□实际中可以实现或近似实现.

>常用的典型输入信号的数学表达

名称时域衣达式復数域农达式

单位阶跃信号1(0,z>01

5

单位速度(斜坡)信号Z, 公01

2

单位加速度信号*2,心U

1

$3

单位脉冲信号z=01

正弦信号Asineaf

s? +a>2

三、典型输入信号的选择原则 脉冲信号:模拟系统突遭脉动电压.机械碰撞、敲打冲击等; 阶跃信号:实际系统的输入具有突变性质,例:模拟电源突然 接通、负荷突然变化.指令突然转换等; 速度信号:实际系统的输入随时间逐渐变化(匀速变化)?

保证典型输入信号与实际输入信号有着良好的对应关系, 且代表最恶劣的输入情况,因此,当系统的设计基于典型信 号来进行时,那么在实际输入的情况下,系统响应特性一般 是能够满足要求的.

注意:对于同一系统,无论采用哪种输入信号,由时域 分析法所表示的系统本身的性能不会改变.

§4.2 —阶系统的时间响应

典型形式:G ($) =卩'+,极点(特征根)「1/卩

Xj($)=—

S

x^(z) = l —e T 9 z > 0

一阶系统:

凡是能够用一阶微分方程描述的系统。

X,(s)

G(g)

一、一阶系统的单位阶跃响应

xa=G ($)xa=:^

IS + I s s

心(F )=l-—

F>()

斗率=1〃

17 2T 3T 41' 57 6T

> 一阶系统单位阶跃响应的特点 □响应分为两部分 瞬态响应=严

表示系统输出量从初态到终态的变化过程(动态/过渡过程) 稳态响应!

表示t*时,系统的输出状态. 亡(0 =兀(0-兀“(0 =卍~" □心(0) = 0, XJoo) = 1

畑=0

无稳态误差;随时间的推移,x…(t)指数增大,且无振荡.

□ xJT) = 1-e-^ =0-632,即经过时间T,系统响应达到其 稳态输出值的63.2%,从而可以通过实验测量惯性环节的时 间常数T;

&8.66

&

66

Z.86

S.9X

0.632

心⑴=1 — 0 T , t > 0

20

口 办O (F ) dt

□时间常数7'反映了系统响应的快慢.通常工程中当响应曲线 达到并保持在稳态值的95% ~ 98%时,认为系统响应过程基本 结東.从而惯性环节的过渡过程时间为37-47.

□将一阶系统的单位阶跃响应式改写为:

E 亍=17o (f)

-亍Fin[l

即ln[1-Xo(t)]与时间I 成线性关系.

该性质可用于判别系统是否为 惯性环节,以及测量惯性环节的时 间常数.

G (s )= -- > X (r ) = t

X j ($ )

= ? 2

s

X…(5)= G (5)X,(5) \ \ \ T T

= --------- ? ---- = ----- - — + ---- 75 + 1 $2 $2 S $ +

二、一阶系统的单位速度响应

20

霍尔效应实验报告98010

霍尔效应与应用设计 摘要:随着半导体物理学的迅速发展,霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。本文主要通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。 关键词:霍尔系数,电导率,载流子浓度。 一.引言 【实验背景】 置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,称为霍尔效应。 如今,霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且随着电子技术的发展,利用该效应制成的霍尔器件,由于结构简单、频率响应宽(高达10GHz )、寿命长、可靠性高等优点,已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。 【实验目的】 1. 通过实验掌握霍尔效应基本原理,了解霍尔元件的基本结构; 2. 学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、迁移率等参数的实验方法和技术; 3. 学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 4. 学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。 二、实验内容与数据处理 【实验原理】 一、霍尔效应原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。如图1所示。当载流子所受的横电场力与洛仑兹力相等时,样品两侧电荷的积累就达到平衡,故有 B e eE H v = 其中E H 称为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽度为b , ? a

厚度为d ,载流子浓度为n ,则 bd ne t lbde n t q I S v =??=??= d B I R d B I ne b E V S H S H H =?= ?=1 比例系数R H =1/ne 称为霍尔系数。 1. 由R H 的符号(或霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。 2. 由R H 求载流子浓度n ,即 e R n H ?= 1 (4) 3. 结合电导率的测量,求载流子的迁移率μ。 电导率σ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系 μσne = (5) 即σμ?=H R ,测出σ值即可求μ。 电导率σ可以通过在零磁场下,测量B 、C 电极间的电位差为V BC ,由下式求得σ。 S L V I BC BC s ?= σ(6) 二、实验中的副效应及其消除方法: 在产生霍尔效应的同时,因伴随着多种副效应,以致实验测得的霍尔电极A 、A′之间的电压为V H 与各副效应电压的叠加值,因此必须设法消除。 (1)不等势电压降V 0 如图2所示,由于测量霍尔电压的A 、A′两电极不可能绝对对称地焊在霍尔片的两侧,位置不在一个理想的等势面上,Vo 可以通过改变Is 的方向予以消除。 (2)爱廷豪森效应—热电效应引起的附加电压V E 构成电流的载流子速度不同,又因速度大的载流子的能量大,所以速度大的粒子聚集的一侧温度高于另一侧。电极和半导体之间形成温差电偶,这一温差产生温差电动势V E ,如果采用交流电,则由于交流变化快使得爱延好森效应来不及建立,可以减小测量误差。 (3)能斯托效应—热磁效应直接引起的附加电压V N

误差理论与大数据处理作业

第一章绪论 1-1、研究误差的意义就是什么?简述误差理论的主要内容。 答: 研究误差的意义为: (1)正确认识误差的性质,分析误差产生的原因,以消除或减小误差; (2)正确处理测量与实验数据,合理计算所得结果,以便在一定条件下得到更接近于真值的数 据; (3)正确组织实验过程,合理设计仪器或选用仪器与测量方法,以便在最经济条件下,得到理想 的结果。 误差理论的主要内容:误差定义、误差来源及误差分类等。 1-2、试述测量误差的定义及分类,不同种类误差的特点就是什么? 答:测量误差就就是测的值与被测量的真值之间的差;按照误差的特点与性质,可分为系统误差、随机误差、粗大误差。 系统误差的特点就是在所处测量条件下,误差的绝对值与符号保持恒定,或遵循一定的规律变化(大小与符号都按一定规律变化); 随机误差的特点就是在所处测量条件下,误差的绝对值与符号以不可预定方式变化; 粗大误差的特点就是可取性。 1-3、试述误差的绝对值与绝对误差有何异同,并举例说明。 答:(1)误差的绝对值都就是正数,只就是说实际尺寸与标准尺寸差别的大小数量,不反映就是“大了”还就是“小了”,只就是差别量; 绝对误差即可能就是正值也可能就是负值,指的就是实际尺寸与标准尺寸的差值。+多少表明大了多少,-多少表示小了多少。 (2)就测量而言,前者就是指系统的误差未定但标准值确定的,后者就是指系统本身标准值未定。1-6.在万能测长仪上,测量某一被测件的长度为50mm,已知其最大绝对误差为 1μm,试问该被测件的真实长度为多少? 已知:L=50,△L=1μm=0.001mm, 解: 绝对误差=测得值-真值,即: △L=L-L =L-△L=50-0.001=49、999(mm) 测件的真实长度L 1-7、用二等标准活塞压力计测量某压力得100、2Pa,该压力用更准确的办法测得为100、5Pa,问二等标准活塞压力计测量值的误差为多少? 解:在实际检定中,常把高一等级精度的仪器所测得的量值当作实际值。 故二等标准活塞压力计测量值的误差=测得值-实际值, 即: 100.2-100、5=-0、3( Pa)

磁场的测定(霍尔效应法)汇总

霍尔效应及其应用实验 (FB510A型霍尔效应组合实验仪)(亥姆霍兹线圈、螺线管线圈) 实 验 讲 义 长春禹衡时代光电科技有限公司

实验一 霍尔效应及其应用 置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应。如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产要求自动检测和控制的今天,作为敏感元件之一的霍尔器件,将有更广泛的应用前景。掌握这一富有实用性的实验,对日后的工作将有益处。 【实验目的】 1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。 2.学习用“对称测量法”消除副效应的影响,测量试样的S H I ~V 和M H I ~V 曲线。 3.确定试样的导电类型。 【实验原理】 1.霍尔效应: 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场H E 。如图1所示的半导体试样,若在X 方向通以电流S I ,在Z 方向加磁场B ,则在Y 方向即试样A A '- 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图1(a )所示的N 型试样,霍尔电场逆Y 方向,(b )的P 型试样则沿Y 方向。即有 ) (P 0)Y (E )(N 0)Y (E H H 型型?>?< 显然,霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受的横向电场力H E e ?

误差理论与数据处理答案

《误差理论与数据处理》 第一章绪论 1-1.研究误差的意义是什么?简述误差理论的主要内容。 答:研究误差的意义为: (1)正确认识误差的性质,分析误差产生的原因,以消除或减小误差; (2)正确处理测量和实验数据,合理计算所得结果,以便在一定条件下得到更接近于 真值的数据; (3)正确组织实验过程,合理设计仪器或选用仪器和测量方法,以便在最经济条件下, 得到理想的结果。 误差理论的主要内容:误差定义、误差来源及误差分类等。 1-2.试述测量误差的定义及分类,不同种类误差的特点是什么? 答:测量误差就是测的值与被测量的真值之间的差;按照误差的特点和性质,可分为系统误差、随机误差、粗大误差。 系统误差的特点是在所处测量条件下,误差的绝对值和符号保持恒定,或遵循一定的规律变化(大小和符号都按一定规律变化); 随机误差的特点是在所处测量条件下,误差的绝对值和符号以不可预定方式变化;

粗大误差的特点是可取性。 1-3.试述误差的绝对值和绝对误差有何异同,并举例说明。 答:(1)误差的绝对值都是正数,只是说实际尺寸和标准尺寸差别的大小数量,不反映是“大了”还是“小了”,只是差别量; 绝对误差即可能是正值也可能是负值,指的是实际尺寸和标准尺寸的差值。+多少表明大了多少,-多少表示小了多少。 (2)就测量而言,前者是指系统的误差未定但标准值确定的,后者是指系统本身标准值未定 1-5 测得某三角块的三个角度之和为180o 00’02”,试求测量的绝对误差和相对误差 解: 绝对误差等于: 相对误差等于: 1-6.在万能测长仪上,测量某一被测件的长度为 50mm ,已知其最大绝对误差为 1μm ,试问该被测件的真实长度为多少? 解: 绝对误差=测得值-真值,即: △L =L -L 0 已知:L =50,△L =1μm =0.001mm , 测件的真实长度L0=L -△L =50-0.001=49.999(mm ) 1-7.用二等标准活塞压力计测量某压力得 100.2Pa ,该压力用更准确的办法测得为100.5Pa ,问二等标准活塞压力计测量值的误差为多少? 21802000180''=-'''o o %000031.010*********.00 648002066018021802≈=''''''??''=''=o

分析化学中的误差及其数据处理

分析化学中的误差 定量分析的目的是准确测定试样中组分的含量,因此分析结果必须具有一定的准确度。在定量分析中,由于受分析方法、测量仪器、所用试剂和分析工作者主观条件等多种因素的限制,使得分析结果与真实值不完全一致。即使采用最可靠的分析方法,使用最精密的仪器,由技术很熟练的分析人员进行测定,也不可能得到绝对准确的结果。同一个人在相同条件下对同一种试样进行多次测定,所得结果也不会完全相同。这表明,在分析过程中,误差是客观存在,不可避免的。因此,我们应该了解分析过程中误差产生的原因及其出现的规律,以便采取相应的措施减小误差,以提高分析结果的准确度。 2.6.1 误差与准确度 分析结果的准确度(accuracy )是指分析结果与真实值的接近程度,分析结果与真实值之间差别越小,则分析结果的准确度越高。准确度的大小用误差(error )来衡量,误差是指测定结果与真值(true value )之间的差值。误差又可分为绝对误差(absolute error )和相对误差(relative error )。绝对误差(E )表示测定值(x )与真实值(x T )之差,即 E =x - x T (2-13) 相对误差(E r )表示误差在真实值中所占的百分率,即 %100T r ?= x E E (2-14) 例如,分析天平称量两物体的质量分别为 g 和 g ,假设两物体的真实值各为 g 和 g ,则两者的绝对误差分别为: E 1= g E 2= g 两者的相对误差分别为: E r1=%1006381 .10001.0?-= % E r2=%1001638 .00001.0?-= % 由此可见,绝对误差相等,相对误差并不一定相等。在上例中,同样的绝对误差,称量物体越重,其相对误差越小。因此,用相对误差来表示测定结果的准确度更为确切。 绝对误差和相对误差都有正负值。正值表示分析结果偏高,负值表示分析结果偏低。 定量分析误差产生的原因 误差按其性质可以分为系统误差(systematic error )和随机误差(random error )两

误差理论与数据处理第7版费业泰习题答案

《误差理论与数据处理》(第七版) 习题及参考答案

第一章 绪论 1-5 测得某三角块的三个角度之和为180o 00’02”,试求测量的绝对误差和相对误差 解: 绝对误差等于: 相对误差等于: 1-8在测量某一长度时,读数值为2.31m ,其最大绝对误差为20m μ,试求其最大相对误差。 % 108.66 % 1002.31 1020 100% max max 4-6 -?=??=?= 测得值 绝对误差相对误差 1-10检定2.5级(即引用误差为2.5%)的全量程为100V 的电压表,发现50V 刻度点的示值误差2V 为最大误差,问该电压表是否合格? %5.22%100%100 2 100% <=?= ?= 测量范围上限 某量程最大示值误差 最大引用误差 该电压表合格 1-12用两种方法分别测量L1=50mm ,L2=80mm 。测得值各为50.004mm ,80.006mm 。试评定两种方法测量精度的高低。 相对误差 L 1:50mm 0.008%100%5050 004.501=?-= I L 2:80mm 0.0075%100%80 80 006.802=?-= I 21I I > 所以L 2=80mm 方法测量精度高。 1-13 多级弹导火箭的射程为10000km 时,其射击偏离预定点不超过0.lkm ,优秀射手能在距离50m 远处准确地射中直径为2cm 的靶心,试评述哪一个射 21802000180''=-'''o o %000031.010*********.00648002066018021802≈=' '' '''??''=''=o

大学物理实验报告霍尔效应

大学物理实验报告霍尔效应 一、实验名称:霍尔效应原理及其应用二、实验目的:1、了解霍尔效应产生原理;2、测量霍尔元件的、曲线,了解霍尔电压与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流间的关系;3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法,测量长直螺旋管轴向磁感应强度及分布;4、学习用对称交换测量法(异号法)消除负效应产生的系统误差。 三、仪器用具:YX-04 型霍尔效应实验仪(仪器资产编号)四、实验原理:1、霍尔效应现象及物理解释霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。对于图1 所示。半导体样品,若在x 方向通以电流,在z 方向加磁场,则在y 方向即样品A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场,电场的指向取决于样品的导电类型。显然,当载流子所受的横向电场力时电荷不断聚积,电场不断加强,直到样品两侧电荷的积累就达到平衡,即样品A、A′间形成了稳定的电势差(霍尔电压)。设为霍尔电场,是载流子在电流方向上的平均漂移速度;样品的宽度为,厚度为,载流子浓度为,则有:(1-1) 因为,,又根据,则(1-2)其中称为霍尔系数,是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出、以及知道和,可按下式计算:(1-3)(1-4)为霍尔元件灵敏度。 根据RH 可进一步确定以下参数。(1)由的符号(霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。判别的方法是按图1 所示的和的方向(即测量中的+,+),若测得的 <0(即A′的电位低于A 的电位),则样品属N 型,反之为P 型。(2)由求载流子浓度,即。应该指出,这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。严格一点,考虑载流子的速度统计分布,需引入的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。(3)结合电导率的测量,求载流子的迁移率。电导率与载流子浓度以及迁移率之间有如下关系:(1-5)2、霍尔效应中的副效应及其消除方法上述推导是从理想情况出发的,实际情况要复杂得多。产生上述霍尔效应的同时还伴随产生四种副效应,使的测量产生系统误差,如图 2 所示。 (1)厄廷好森效应引起的电势差。由于电子实际上并非以同一速度v 沿y 轴负向运动,速度大的电子回转半径大,能较快地到达接点3 的侧面,从而导致3 侧面较4 侧面集中较多能量高的电子,结果3、4 侧面出现温差,产生温差电动势。 可以证明。的正负与和的方向有关。(2)能斯特效应引起的电势差。焊点1、2 间接触电阻可能不同,通电发热程度不同,故1、2 两点间温度可能不同,于是引起热扩散电流。与霍尔效应类似,该热扩散电流也会在 3、4 点间形成电势差。 若只考虑接触电阻的差异,则的方向仅与磁场的方向有关。(3)里纪-勒杜克效应产生的电势差。上述热扩散电流的载流子由于速度不同,根据厄廷好森效应同样的理由,又会在3、4 点间形成温差电动势。的正负仅与的方向有关,而与的方向无关。(4)不等电势效应引起的电势差。由于制造上的困难及材料的不均匀性,3、4 两点实际上不可能在同一等势面上,只要有电流沿x 方向流过,即使没有磁场,3、4 两点间也会出现电势差。的正负只与电流的方向有关,而与的方向无关。综上所述,在确定的磁场和电流下,实际测出的电压是霍尔

误差理论与数据处理试题范文

误差分析与数据处理 一.填空题 1. ______(3S或莱以特)准则是最常用也是最简单的判别粗大误差的准则。 2. 随机误差的合成可按标准差和______(极限误差)两种方式进行。 3. 在相同测量条件下,对同一被测量进行连续多次测量所得结果之间的一致性称为 ______(重复)性。 4. 在改变了的测量条件下,同一被测量的测量结果之间的一致性称为______(重现)性。 5. 测量准确度是指测量结果与被测量______(真值)之间的一致程度。 6. 根据测量条件是否发生变化分类,可分为等权测量和______(不等权)测量。 7. 根据被测量对象在测量过程中所处的状态分分类,可分为静态测量和_____(动态) 测量。 8. 根据对测量结果的要求分类,可分为工程测量和_____(精密)测量。 9. 真值可分为理论真值和____(约定)真值。 10. 反正弦分布的特点是该随机误差与某一角度成_____(正弦)关系。 11. 在相同条件下,对同一物理量进行多次测量时,误差的大小和正负总保持不变,或按一定的规律变化,或是有规律地重复。这种误差称为______(系统误差)。 12. 在相同条件下,对某一物理量进行多次测量时,每次测量的结果有差异,其差异的大小和符号以不可预定的方式变化着。这种误差称为______(偶然误差或随机误差)。 13. 系统误差主要来自仪器误差、________(方法误差)、人员误差三方面。 14. 仪器误差主要包括_________(示值误差)、零值误差、仪器机构和附件误差。 15. 方法误差是由于实验理论、实验方法或_________(实验条件)不合要求而引起的误差。 16. 精密度高是指在多次测量中,数据的离散性小,_________(随机)误差小。 17. 准确度高是指多次测量中,数据的平均值偏离真值的程度小,_________(系统)误差小。 18. 精确度高是指在多次测量中,数据比较集中,且逼近真值,即测量结果中的 _________(系统)误差和_________(随机)误差都比较小。 19. 用代数方法与未修正测量结果相加,以补偿其系统误差的值称为_____(修正值)。 20. 标准偏差的大小表征了随机误差的_____(分散)程度。 21. 偏态系数描述了测量总体及其误差分布的_____(非对称)程度。 22. 协方差表示了两变量间的_____(相关)程度。 23. 超出在规定条件下预期的误差称为_____(粗大)误差。 24. +=_____() 25. ++=_____() 26. () 28. pH=的有效数字是____(2)位。 29. 保留三位有效数字,结果为____。 30. 为补偿系统误差而与未修正测量结果相乘的数字因子称为______(修正因子)。 一、检定一只5mA、级电流表的误差。按规定,要求所使用的标准仪器产生的误差不大于受检仪器允许误差的1/3。现有下列3 只标准电流表,问选用哪一只最为合适,为什么? (本题10 分) (1)15mA级(2)10mA级(3)15mA级

霍尔效应实验报告

南昌大学物理实验报告 课程名称:普通物理实验(2) 实验名称:霍尔效应 学院:专业班级: 学生姓名:学号: 实验地点:座位号: 实验时间:

一、 实验目的: 1、了解霍尔效应法测磁感应强度S I 的原理和方法; 2、学会用霍尔元件测量通电螺线管轴向磁场分布的基本方法; 二、 实验仪器: 霍尔元件测螺线管轴向磁场装置、多量程电流表2只、电势差计、滑动变阻 器、双路直流稳压电源、双刀双掷开关、连接导线15根。 三、 实验原理: 1、霍尔效应 霍尔效应本质上是运动的带电粒子在磁场中受洛仑磁力作用而引起的偏转。 当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横加电场,即霍尔电场H E . 如果H E <0,则说明载流子为电子,则为n 型试样;如果H E >0,则说明载流子为空穴,即为p 型试样。 显然霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受的横向电场

力e H E 与洛仑磁力B v e 相等,样品两侧电荷的积累就达到动态平衡,故有: e H E =-B v e 其中E H 为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均速度。若试样的宽度为b ,厚度为d ,载流子浓度为n ,则 bd v ne I = 由上面两式可得: d B I R d B I ne b E V S H S H H == =1 (3) 即霍尔电压H V (上下两端之间的电压)与B I S 乘积成正比与试样厚度d 成反比。比列系数ne R H 1 = 称为霍尔系数,它是反应材料霍尔效应强弱的重要参量。只要测出H V 以及知道S I 、B 和d 可按下式计算H R : 410?= B I d V R S H H 2、霍尔系数H R 与其他参量间的关系 根据H R 可进一步确定以下参量: (1)由H R 的符号(或霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。判别方法是电压为负,H R 为负,样品属于n 型;反之则为p 型。 (2)由H R 求载流子浓度n.即e R n H 1 = 这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。 (3)结合电导率的测量,求载流子的迁移率μ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系 μσne = 即μ=σH R ,测出σ值即可求μ。 3、霍尔效应与材料性能的关系

第四章系统的瞬态响应及误差分析 - 教学目的.

【教学目的】 ※熟悉系统时间响应、性能指标的概念及求法 ※了解稳态误差的相关知识 【教学重点】 ※时间响应的基本概念 ※二阶系统的阶跃响应及欠阻尼状态下的性能指标及参数的求取 ※误差及稳态误差的概念 ※位置误差、速度误差和加速度误差的计算 【教学难点】 ※二阶系统的时间响应 ※干扰作用下的系统误差的计算 【教学方法及手段】 采用板书讲授的方式,将二阶系统在不同阻尼下的时间响应进行对比讲解,并将各种阻尼状态下的极点分布进行比较,画在一个复平面上,通过绘制响应曲线来表明各性能指标在图上的位置,帮助学生对概念的理解。 【学时分配】 8课时 【教学内容】 对于一个实际的系统,在建立数学模型之后,就可以采用不同的方法来分析和研究系统的动态性能。本章的时域分析就是其中一种重要的方法。 时域分析法是直接求解系统的微分方程,即利用拉氏变换和拉氏反变换求解,然后根据响应的表达式及其描述曲线来分析系统的性能。这种方法结果直观,应用范围广。 本章主要介绍系统的时间响应及其组成,并对一阶、二阶系统的典型时间响应进行分析,最后介绍系统的误差与稳态误差的概念。

3-1 时间响应 时间响应的概念 系统在外加作用激励下,其输出量随时间变化的函数关系,称之为系统的时间响应。通过对时间响应的分析可揭示系统本身的动态特性。 任一系统的时间响应都是由瞬态响应和稳态响应两个部分组成。 瞬态响应:系统受到外加作用激励后,从初始状态到最终状态的响应过程。 稳态响应:时间趋于无穷大时,系统的输出状态。 瞬态响应反映了系统动态性能。 稳态响应偏离系统希望值的程度可用来衡量系统的精确程度。 3-2 一阶系统的时间响应 1、一阶系统的数学模型 用一阶微分方程描述的控制系统称为一阶系统。 a 图示的RC 电路,其微分方程为 i(t)+ r(t) + (a ) 电路图 R C )(t r U dt du RC c c =+ )()()(t r t C t C T =+? 其中C(t)为电路输出电压,r(t)为电路输入电压,T=RC 为时间常数。 (b )方块图

用霍尔效应测量螺线管磁场实验报告(空)解读

华 南 师 范 大 学 学院 普通物理 实验报告 年级 专业 实验日期 2011 年 月 姓名 教师评定 实验题目 用霍尔效应测量螺线管磁场 用霍尔传感器测量通电螺线管内励磁电流与输出霍尔电压之间关系,证明霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比;用通电长直通电螺线管轴线上磁感应强度的理论计算值作为标准值来校准或测定霍尔传感器的灵敏度,熟悉霍尔传感器的特性和应用;用该霍尔传感器测量通电螺线管内的磁感应强度与螺线管轴线位置刻度之间的关系,作磁感应强度与位置刻线的关系图,学会用霍尔元件测量磁感应强度的方法。 一、实验目的 1.了解霍尔效应现象,掌握其测量磁场的原理。 2.学会用霍尔效应测量长直通电螺线管轴向磁场分布的方法。 二、实验原理 图1所示的是长直螺线管的磁力线分布,有图可知,其内腔中部磁力线是平行于轴线的直线系,渐近两端口时,这些直线变为从两端口离散的曲线,说明其内部的磁场在很大一个范围内是近似均匀的,仅在靠近两端口处磁感应强度才显著下降,呈现明显的不均匀性。根据电磁学毕奥-萨伐尔)Savat Biot (-定律,通电长直螺线管线上中心点的磁感应强度为: 2 2 M D L I N B +??μ= 中心 (1) 理论计算可得,长直螺线管轴线上两个端面上的磁感应强度为内腔中部磁感应强度的1/2: 22M D L I N 21B 21B +??μ? ==中心端面 (2) 式中,μ为磁介质的磁导率,真空中的磁导率μ0=4π×10-7(T·m/A),N 为螺线管的总匝数,I M 为螺线管的励磁电流,L 为螺线管的长度,D 为螺线管的平均直径。 附加电势差的消除 应该说明,在产生霍尔效应的同时,因伴随着多种副效应(见附录),以致实验测得的电压并不等于真实的V H 值,而是包含着各种副效应引起的附加电压,因此必须设法消除。根据副效应产生的机理可知,采用电流和磁场换向的对称测量法,基本上能够把副效应的影响从测量的结果中消除,具体的做法是Is 和B (即l M )的大小不变,并在设定电流和磁场的正、反方向后,依次测量由下列四组不同方向的Is 和B 组合的A 、A′两点之间的电压V 1、 V 2、

分析化学中的误差及其数据处理

2.6 分析化学中的误差 定量分析的目的是准确测定试样中组分的含量,因此分析结果必须具有一定的准确度。在定量分析中,由于受分析方法、测量仪器、所用试剂和分析工作者主观条件等多种因素的限制,使得分析结果与真实值不完全一致。即使采用最可靠的分析方法,使用最精密的仪器,由技术很熟练的分析人员进行测定,也不可能得到绝对准确的结果。同一个人在相同条件下对同一种试样进行多次测定,所得结果也不会完全相同。这表明,在分析过程中,误差是客观存在,不可避免的。因此,我们应该了解分析过程中误差产生的原因及其出现的规律,以便采取相应的措施减小误差,以提高分析结果的准确度。 2.6.1 误差与准确度 分析结果的准确度(accuracy )是指分析结果与真实值的接近程度,分析结果与真实值之间差别越小,则分析结果的准确度越高。准确度的大小用误差(error )来衡量,误差是指测定结果与真值(true value )之间的差值。误差又可分为绝对误差(absolute error )和相对误差(relative error )。绝对误差(E )表示测定值(x )与真实值(x T )之差,即 E =x - x T (2-13) 相对误差(E r )表示误差在真实值中所占的百分率,即 %100T r ?= x E E (2-14) 例如,分析天平称量两物体的质量分别为1.6380 g 和0.1637 g ,假设两物体的真实值各为1.6381 g 和0.1638 g ,则两者的绝对误差分别为: E 1=1.6380-1.638= -0.0001 g E 2=0.1637-0.1638= -0.0001 g 两者的相对误差分别为: E r1=%1006381.10001.0?-= -0.006% E r2= %1001638 .00001.0?-= -0.06% 由此可见,绝对误差相等,相对误差并不一定相等。在上例中,同样的绝对误差,称量物体越重,其相对误差越小。因此,用相对误差来表示测定结果的准确度更为确切。 绝对误差和相对误差都有正负值。正值表示分析结果偏高,负值表示分析结果偏低。 2.6.2 定量分析误差产生的原因 误差按其性质可以分为系统误差(systematic error )和随机误差(random error )两大类。也有人将操作过失造成的结果与真值间的差异叫做“过失误差”。其实,过失是错误,是实验

三阶系统的瞬态响应及稳定性分析

实验四 三阶系统的瞬态响应及稳定性分析 一、实验目的 (1)熟悉三阶系统的模拟电路图。 (2)由实验证明开环增益K 对三阶系统的动态性能及稳定性的影响。 (3)研究时间常数T 对三阶系统稳定性的影响。 二、实验所需挂件及附件 图8-16 三阶系统原理框图 图8-17 三阶系统模拟电路 图8-16为三阶系统的方框图,它的模拟电路如图8-17所示,对应的闭环传递函数为: 该系统的特征方程为: T 1T 2T 3S3+T 3(T 1+T 2)S2+T 3S+K=0 其中K=R 2/R 1,T 1=R 3C 1,T 2=R 4C 2,T 3=R 5C 3。 若令T 1=0.2S ,T 2=0.1S ,T 3=0.5S ,则上式改写为 用劳斯稳定判据,求得该系统的临界稳定增益K=7.5。这表示K>7.5时,系统为不稳定;K<7.5时,系统才能稳定运行;K=7.5时,系统作等幅振荡。 除了开环增益K 对系统的动态性能和稳定性有影响外,系统中任何一个时间常数的变化对系统的稳定性都有影响,对此说明如下: 令系统的剪切频率为 ω c ,则在该频率时的开环频率特性的相位为: ?(ωc )= - 90? - tg -1T 1ωc – tg -1T 2ωc 相位裕量γ=180?+?(ωc )=90?- tg -1T 1ωc- tg -1T 2ωc K )S T )(S T (S T K )S (U )S (U i o +1+1+=2130=100+50S +15S +S 2 3Κ

由上式可见,时间常数T 1和T 2的增大都会使γ减小。 四、思考题 (1)为使系统能稳定地工作,开环增益应适当取小还是取大? (2)系统中的小惯性环节和大惯性环节哪个对系统稳定性的影响大,为什么? (3)试解释在三阶系统的实验中,输出为什么会出现削顶的等幅振荡? (4)为什么图8-13和图8-16所示的二阶系统与三阶系统对阶跃输入信号的稳态误差都为零? (5)为什么在二阶系统和三阶系统的模拟电路中所用的运算放大器都为奇数? 五、实验方法 图8-16所示的三阶系统开环传递函数为: (1)按K=10,T 1=0.2S, T 2=0.05S, T 3=0.5S 的要求,调整图8-17中的相应参数。 (2)用慢扫描示波器观察并记录三阶系统单位阶跃响应曲线。 (3)令T 1=0.2S , T 2=0.1S , T 3=0.5S ,用示波器观察并记录K 分别为5、7.5和10三种 情况下的单位阶跃响应曲线。 (4)令K=10,T 1=0.2S ,T 3=0.5S ,用示波器观察并记录T 2分别为0.1S 和0.5S 时的单位 阶跃响应曲线。 六实验报告 (1)作出K=5、7.5和10三种情况下的单位阶跃响应波形图,据此分析K 的变化对系统动态性能和稳定性的影响。 (2)作出K=10,T1=0.2S ,T3=0.5S ,T 2分别为0.1S 和0.5S 时的单位阶跃响应波形图, 并分析时间常数T 2的变化对系统稳定性的影响。 (3)写出本实验的心得与体会。 ) 1)(1()(213++=S T S T S T K S G

霍尔效应及其应用实验报告

霍尔效应及其应用实验报告 一、实验名称: 霍尔效应原理及其应用 二、实验目的: 1、了解霍尔效应产生原理; 2、测量霍尔元件的 H s V I -、H m V I -曲线,了解霍尔电压H V 与霍尔元件工作电流s I 、直螺线管的励磁电流m I 间的关系; 3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法,测量长直螺旋管轴向磁感应强度B 及分布; 4、学习用对称交换测量法(异号法)消除负效应产生的系统误差。 三、仪器用具:YX-04型霍尔效应实验仪(仪器资产编号) 四、实验原理: 1、霍尔效应现象及物理解释 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力B f 作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。对于图1所示。 半导体样品,若在x方向通以电流s I ,在z方向加磁场B ,则在y方向即样品A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场H E ,电场的指向取决于样品的导电类型。显然,

当载流子所受的横向电场力E B f f <时电荷不断聚积,电场不断加强,直到E B f f =样品两侧电 荷的积累就达到平衡,即样品A、A′间形成了稳定的电势差(霍尔电压) H V 。 设H E 为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度;样品的宽度为b ,厚度为d ,载流子浓度为n ,则有: s I nevbd = (1-1) 因为E H f eE =,B f evB =,又根据E B f f =,则 1s s H H H I B I B V E b R ne d d =?=?= (1-2) 其中1/()H R ne =称为霍尔系数,是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出H V 、B 以及知道s I 和d ,可按下式计算 3(/)H R m c : H H s V d R I B = (1-3) B I U K S H H /= (1—4) H K 为霍尔元件灵敏度。根据RH 可进一步确定以下参数。 (1)由H V 的符号(霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。判别的方法是按图1所示的s I 和B 的方向(即测量中的+s I ,+B ),若测得的H V <0(即A′的电位低于A的电位),则样品属N型,反之为P型。 (2)由H V 求载流子浓度n ,即1/()H n K ed =。应该指出,这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。严格一点,考虑载流子的速度统计分布,需引入3/8π的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。

误差理论与数据处理答案

《误差理论与数据处理》 第一章 绪论 1-1.研究误差的意义是什么?简述误差理论的主要内容。 答: 研究误差的意义为: (1)正确认识误差的性质,分析误差产生的原因,以消除或减小误差; (2)正确处理测量和实验数据,合理计算所得结果,以便在一定条件下得到更接近于真值的数据; (3)正确组织实验过程,合理设计仪器或选用仪器和测量方法,以便在最经济条件下,得到理想的结果。 误差理论的主要内容:误差定义、误差来源及误差分类等。 1-2.试述测量误差的定义及分类,不同种类误差的特点是什么? 答:测量误差就是测的值与被测量的真值之间的差;按照误差的特点和性质,可分为系统误差、随机误差、粗大误差。 系统误差的特点是在所处测量条件下,误差的绝对值和符号保持恒定,或遵循一定的规律变化(大小和符号都按一定规律变化); 随机误差的特点是在所处测量条件下,误差的绝对值和符号以不可预定方式变化; 粗大误差的特点是可取性。 1-3.试述误差的绝对值和绝对误差有何异同,并举例说明。 答:(1)误差的绝对值都是正数,只是说实际尺寸和标准尺寸差别的大小数量,不反映是“大了”还是“小了”,只是差别量; 绝对误差即可能是正值也可能是负值,指的是实际尺寸和标准尺寸的差值。+多少表明大了多少,-多少表示小了多少。 (2)就测量而言,前者是指系统的误差未定但标准值确定的,后者是指系统本身标准值未定 1-5 测得某三角块的三个角度之和为180o 00’02”,试求测量的绝对误差和相对误差 解: 绝对误差等于: 相对误差等于: 1-6.在万能测长仪上,测量某一被测件的长度为 50mm ,已知其最大绝对误差为 1μm ,试 问该被测件的真实长度为多少? 解: 绝对误差=测得值-真值,即: △L =L -L 0 已知:L =50,△L =1μm =0.001mm , 测件的真实长度L0=L -△L =50-0.001=49.999(mm ) 1-7.用二等标准活塞压力计测量某压力得 100.2Pa ,该压力用更准确的办法测得为100.5Pa ,问二等标准活塞压力计测量值的误差为多少? 解:在实际检定中,常把高一等级精度的仪器所测得的量值当作实际值。 故二等标准活塞压力计测量值的误差=测得值-实际值, 即: 100.2-100.5=-0.3( Pa ) 1-8在测量某一长度时,读数值为2.31m ,其最大绝对误差为20m μ,试求其最大相对误差。 21802000180''=-'''o o %000031.010*********.00648002066018021802≈=' '' '''??''=''=o

霍尔效应实验报告.doc

实验报告 姓名:学号:系别:座号: 实验题目 :通过霍尔效应测量磁场 实验目的 :通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的 导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数实验内容 : 已知参数: b=4.0mm, d=0.5mm,l B 'C =3.0mm. 设 B KI M,其中K=6200GS/A; 1. 保持I M =0.450A 不变,测绘V H I S曲线 测量当 I M正(反)向时,I S正向和反向时 V H的值,如下表 调节控制电流I S/mA I S B 正向V H/mV 正 B 反向V H/mV 向 I S B 反向V H/mV 反 B 反向V H/mV 向 绝对值平均值 V H/mV 做出 V H I S曲线如下

v V m / b V 16 Linear fit of date v 14 12 10 8 6 4 2 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 Linear Regression for Data1_V: Y=A+B*X Parameter Value Error ----------------------------- -------------- A B Is/mA 由 origin 得 V H 3.564( ) I S 由 R V H d 108 (cm 3 / C ) 和 B KI M 得 H I S B V H d 10 8 3.564 0.05 10 8 6.39 10 3 3 / C ) R H I S KI M 6200 0.450 (cm 2. 保持 I S 不变,测绘 V H I M 曲线 = 测量当 I S 正( 反) 向时, I M 正向和反向时 V H 的值 , 如下表 调节励磁电流 I M /A I S B 正向 V H /mV 正 B 反向 V H /mV I S B 反向 V H /mV 反 B 反向 V H /mV 绝对值平均值 V H /mV 做出 V H I M 曲线如下

霍尔效应实验报告[共8篇]

篇一:霍尔效应实验报告 大学 本(专)科实验报告 课程名称:姓名:学院: 系: 专业:年级:学号: 指导教师:成绩:年月日 (实验报告目录) 实验名称 一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器 四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议 霍尔效应实验 一.实验目的和要求: 1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数. 2、测绘霍尔元件的vh?is,vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制(工作)电流is、励磁电流im之间的关系。 3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。 4、判断霍尔元件载流子的类型,并计算其浓度和迁移率。 5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 二.实验原理: 1、霍尔效应 霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应,从本质上讲,霍尔 效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴) 被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的 聚积,从而形成附加的横向电场。 如右图(1)所示,磁场b位于z的正向,与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流 is(称为控制电流或工作电流),假设载流子为电子(n型 半导体材料),它沿着与电流is相反的x负向运动。 由于洛伦兹力fl的作用,电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转,并 使b侧形成电子积累,而相对的a侧形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两种 积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。随着电荷积累量的增加,fe增大,当两力大 小相等(方向相反)时,fl=-fe,则电子积累便达到动态平衡。这时在a、b两端面之间建立 的电场称为霍尔电场eh,相应的电势差称为霍尔电压vh。 设电子按均一速度向图示的x负方向运动,在磁场b作用下,所受洛伦兹力为 fl=-eb 式中e为电子电量,为电子漂移平均速度,b为磁感应强度。 同时,电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度,vh为 霍尔电压,l为霍尔元件宽度 当达到动态平衡时,fl??fe ?vh/l (1) 设霍尔元件宽度为l,厚度为d,载流子浓度为n,则霍尔元件的控制(工作)电流为 is?ne (2)由(1),(2)两式可得 vh?ehl? ib1isb ?rhs (3) nedd

误差及数据处理基础理论知识综述

误差及数据处理基础理论知识综述 2009-12-1 13:45:43 误差及数据处理基础理论知识综述 前言 由于各行各业有各自的误差理论及数据处理理论,但基础理论都是一致的,大同小异。现就在检验(测量)领域的误差理论及数据处理基础知识进行理论文字上的综述,尝试作一次理论上的探讨,与各位同仁共同学习和提高,如有不妥及错误之处请各位批评指正。 一、误差基础知识 在各种测量领域,我们经常使用一些术语,例如测量误差、测量准确度和测量不确定度等来表示测量结果质量的好坏。现我们从上述三个术语的定义出发,给出这些术语的基本概念,并指出它们之间的差别,以利于正确使用这些术语。 (一)测量结果 测量结果的定义是“由测量所得到的赋予被测量的值”,因此测量结果是通过测量得到的被测量的最佳估计值。由于任何测量都存在缺陷,因而通常测量结果并不等于真值。完整表述测量结果时,必须给出其测量不确定度,必要时还应说明测量所处条件,或影响量的取值范围。以便使用者可以正确地利用该测量结果。 测量结果可能是单次测量的结果,也可能是由多次测量所得。对于前者,测得值就是测量结果;若为多次测量所得,则测得值的算术平均值才是测量结果。因此在给出测量结果时,通常说明它是示值、未修正测量结果或已修正测量结果,同时还应表明它是否为几个值的平均。 测得值,有时也称为观测值,是指从一次观测中由测量仪器或量具的显示装置中所得到的单一值。一般地说,它并不是测量结果。测量结果是指对测得值经过恰当的处理(如按一定的规则确定并剔除测得值中的离群值)、修正(指必须加上由各种原因引起的必要的修正值或乘以必要的修正因子)或经过必要的计算而得到的最后提供给用户的量值。因此测得值或观测值是测量中得到的原始数据,是测量过程的一个中间环节。对于间接测量而言,测得值或观测值往往具有和被测量不同的量纲。而测量结果则是整个测量的最

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