半导体集成电路部分习题答案(朱正涌)
第1章 集成电路的基本制造工艺
1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。
第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习 思 考 题
2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r ，其图形如图题2.2 所示。
提示：先求截锥体的高度
up BL epi mc jc epi T x x T T -----=-
然后利用公式： b
a a
b WL
T
r c -?=
/ln 1ρ ，
2
12?
?
=--BL
C E BL S C W L R r
b
a a
b WL
T r c -?
=
/ln 3ρ
321C C C CS r r r r ++= 注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。
2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大?
答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。
2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下 ，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下： 答： 解题思路
?由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ； ?由设计条件画图
①先画发射区引线孔；
②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔； ③由A D 先画出基区扩散孔的三边； ④由B E D -画出基区引线孔； ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边；
⑥由A D 先画出外延岛的三边； ⑦由C B D -画出集电极接触孔； ⑧由A D 画出外延岛的另一边； ⑨由I d 画出隔离槽的四周；
⑩验证所画晶体管的CS r 是否满足V V OL 4.0≤的条件，若不满足，则要对所作 的图进行修正，直至满足V V OL 4.0≤的条件。（CS C OL r I V V 00ES += 及己知
V V C 05.00
ES =）
第3章 集成电路中的无源元件
复 习 思 考 题
3.3 设计一个4k Ω的基区扩散电阻及其版图。 试求： (1) 可取的电阻最小线宽min R W =?你取多少?
答：12μm
(2) 粗估一下电阻长度，根据隔离框面积该电阻至少要几个弯头?
答：一个弯头
第4章 晶体管 晶体管逻辑(TTL)电路 复 习 思 考 题
4.4 某个TTL 与非门的输出低电平测试结果为 OL V =1V 。试问这个器件合格吗?上 机使用时有什么问题? 答：不合格。
4.5 试分析图题4.5所示STTL 电路在导通态和截止态时各节点的电压和电流，假定各管的 β=20, BEF V 和一般NPN 管相同， BCF V =0.55V , CES V =0.4～0.5V , 1CES V =0.1～0.2V 。 答：（1）导通态（输出为低电平）
V V B 1.21= ， V V B 55.12= ，V V B 2.13= ，V V B 5.04= ，V V B 8.05= ，
mA I I B R 1.211== ，mA I I C R 9.422== ，mA I I I R E R 25.0534≈≈≈ mA I B 012.03= ，04≈B I ，mA I B 4.35= ，mA I I RB B 2.066== mA I E 72= ，mA I I RC C 2.366== ，mA I CCL 2.7= （2）截止态（输出为高电平）
V V B 1.11= ，V V B 5.02= ，V V B 95.41= ，V V B 2.44=
mA I I B R 79.211== ，mA I R 1.24= ，0652≈==B B B I I I ，4B I 与0I 有关 4421B R R R C C H I I I I I +++=
4.7 要求图题4.7所示电路在低电平输出时带动20个同类门，试计算输出管 5Q 的集电极串联电阻的最大值 5CS r ,max 是多少?
答：24Ω
4.8 试分析图题4.8所示两种电路在逻辑功能上的差别及产生差别的原因，并写出F ，F ′的逻辑表达式。
答：BC A F += , '
'
'
'
C B A F =
4.9 写出图题4.9所示电路的输入与输出的逻辑关系。
答：DE ABC ?
4.11 写出图题4.11所示电路的Q 与A ，B 的逻辑关系，并说明为什么输出级一定要用有源泄放电路。
答：B A Q ⊕=
第5章 发射极耦合逻辑(ECL)电路 不做习题
第6章 集成注入逻辑( L I 2)电路 不做习题
第7章 MOS 反相器 复 习 思 考 题
7.1已知一自举反相器如图题7.1所示，其负载管的W/L=2，设其他参数为 T V =0.7V
, DD V =5V , 25/101V A k -?=，忽略衬底偏置效应。 (1) 当 DD IH V V =时，欲使OL V =0.3V ，驱动管应取何尺寸?
答：??
? ??=9L W
7.2 有一E/D NMOS 反相器，若 TE V =2V , TD V =-2V , R β=25, DD V =5V 。 (1) 求此反相器的逻辑电平是多少?
答：≈
OL V )
(22
TE DD R TD
V V V -β
第8章 MOS 基本逻辑单元 复 习 思 考 题
8.2 图题 8.2为一E/D NMOS 电路。 (1) 试问此电路可实现何种逻辑运算?
答：B A ⊕
(2) 设 V V DD 5=, V V TD 3-=, V V TE 1=， 输入高电平为 DD IH V V =，输入低电平为 V V IL 0=。
求各种输入情况下电路的直流工作状态、各结点电位、各支路电流及直流功耗。 答：?设端V V V IL B 0==，而A 端又分两种情况：
①输入高电平V V V DD A 5==
V V M 063.0= mA I I M M 03.021== V V N 063.0= 0543===M M M I I I V V Y 5= 098==M M I I mA I I M M 03.076== mW P D 3.0=
②输入低电平V V V IL A 0==
V V M 5= mA I I M M 03.021==
V V N 127.0= 098421=====M M M M M I I I I I V V Y 21.0= mA I I I M M M 03.0653=== mA I M 06.07= mW P D 3.0=
?设端V V V IH B 5==，而A 端又分两种情况：
①输入高电平V V V DD A 5==
V V M 127.0= mA I I I M M M 03.0431=== V V N 5= mA I M 06.02= V V Y 21.0= 0765===M M M I I I mA I I M M 03.098== mW P D 45.0=
②输入低电平V V V IL A 0==
V V M 5= 04321====M M M M I I I I V V N 5= 0765===M M M I I I
V V Y 5= mA I I M M 03.098== mW P D 15.0=
8.3 二输入的E/D NMOS 或非门的电路参数为：TD V =-3V ，TE V =1V ，
2
''/25V A k k E D μ==，5=RA β，8=RB β，V V DD 5=，试计算最坏情况的OL V 值和最好情况的OL V 值。
答：()()()2
2max 1
TD RA
TE
OH TE DD OL V V V V V V --
--
-=β
()()()2
2
m i n 1
TD RB
RA TE
OH
TE DD OL V V V V V V -+-
--
-=ββ
8.4 说明图题8.4的电路均为三态输出门，用传输门逻辑推导电路的逻辑表达式。 答：（a ） U CE A CE ?+? （b ）U CE A CE ?+? （c ）U CE A CE ?+?
第9章 MOS 逻辑功能部件
复 习 思 考 题
9.1 试画出传输门结构的一位八选一多路开关的电路图，写出逻辑表达式和真值表。 答：逻辑表达式
+???=0210D K K K Y +???1210D K K K +???2210D K K K +???3210D K K K +???4210D K K K +???5210D K K K +???6210D K K K 7210D K K K ???
9.4 如果图题9.4(a)反相器是有比的，试画出此电路各节点工作波形，分析其功能；如果图题9.4(b)中M\-1和M\-2为无比的，分析此电路能否工作?为什么?
答：提示：9.4(a) 画电路各节点工作波形时，注意输出波形的低电平是由两次形成的。 此电路实施反相器功能。
题9.4(b)中1M 和2M 若为无比，无法反相器功能。
9.5 分析图题9.5所示的两相动态电路的逻辑功能，并说明各级电路分别是有比的还是无 比的。假如图中i K K K ==21 ，032===i ααα；1α从010→→，21φφ=，试画出图中,A,B,C,D 和0V 各点的波形图
答：该电路为具有保持功能的多路选通开关。
该电路中除最后一级为无比电路外，余下均为有比电路。 注意：有的波形的低电平由两次形成 。
第10章 存 储 器 复 习 思 考 题 本章无答案
第11章 接 口 电 路 不做习题
第12章 模拟集成电路中的基本单元电路
复 习 思 考 题
12.1 试求图题12.1所示达林顿管放大器的电压增益 答：1174-≈v A
若忽略01r ，则1548-≈v A
提示：R 、2Q 、D 组成小电流恒流源。
12.3 试在图题12.3(a),(b),(c),(d)电路中，分别标出E/E ，E/D NMOS 单管放大器，CMOS 有 源负载放大器和CMOS 互补放大器中2M 的栅极及1B ，2B 电位，并指出各电路结构上的特
点。
答：(a)SS B B V V V ==21 ， DD G V V =或DD G V V ≥
(b) SS B B V V V ==21, 0V V G =
(c) SS B V V =1 DD B V V =2 , SS G V V = (d) SS B V V =1 DD B V V =2
12.8 图题12.8所示是μA741中的偏置电路，其中5R =39k Ω，4R =5k Ω, DD V =15V ， EE V =-15V 。试求r I 和10C I 的值。
答：r I =0.73mA 10C I ≈19A μ
12.12 图题12.12是一个IC 产品中的偏置电路部分。 求： 偏置电流01I 及02I 的值。 答：先求1I 和2I ()21
111TP GS V
V k I -= 2
31
2N N L W L W I I ??? ????? ??=
2
32
01p p L W L W I I ??? ?????
??=
2
41
02N N L W L W I I ??? ????? ??=
12.15 有一两管能隙基准源电路如图题12.15所示。已知42C C I I =，室温下BE V =0.65V ，
有效发射面积比为21/E E A A =10。
(1) 试简单推导0V 的公式； (2) 求出0T =400K 时的0V 值。
答：(1)1
21
222120ln 22j j R V R V R I V V t BE E BE +=+≈
(2)mV V 12480≈
第13章 集成运算放大器
13.2 对于图题13.2所示差分对，设0β=100,BEF V =0.7V ，试求其ID R 和vd A 。 答：Ω=k R ID 6.30 3≈vd A 9.5
13.4 图题13.4为一个级联射耦对放大器，设021==i i V V 时，00=V ,
50=β,V V BEF 7.0=。求：
(1) 41~C C I I , 41~CE CE V V 及 X I ；
(2) id vd V V A /0=和ID R (若 05=R , 0=X I )。 答：(1) A I I C C μ5021== A I I C C μ50043== (2) 143-=vd A Ω=k R ID 52
13.5 已知射耦对差分放大器电路如图题13.5所示，晶体管的4
102-?=NPN η，
4
10
5-?=PNP η，试求当id V =130mV 时的0V 值。
答：V V 6.00=
13.8 已知图题13.8中MOS 差分对的0I =2mA,2/025.0V mA k =，负载D R =10k Ω，试求
跨导m g 和差模电压增vd A 。 答：02kI g m =
D m vd R g A -=
13.11 试指出图题13.11中哪些元件是起过流保护作用的，并说明其保护原理。 答： ?二极管保护电路的保护元件为3D 、4D 及E R ?晶体管保护电路的保护元件为3Q 、4Q 及E R
13.16 CMOS 运放如图题13.16所示，其中各有关参数为：()s V cm N ?=/4002
μ ,
()s V cm P ?=/2002μ，λ=0.01,OX C =2.3×2
8/10cm F -,TP V =-1V
, TN V =1V 。试求各支路电流和电路的总电压放大倍数。
提示：此题与本书中P325图13.36类似, 关键在于决定偏置电流0I
第14章 MOS 开关电容电路 复 习 思 考 题
14.2 图题14.2是由两个电容构成的一种开关电容等效电路 φ和 φ为两个同频、反相的驱动脉冲信号。
(1) 分析电路工作原理；
(2) 写出电路的等效电阻 eff R 的表达式。 答：()
211C C f R c eff +=
14.3 图题14.3为一个由开关S 和电容 C 组成的开关电容电路。试画出用单个MOS 模拟
开关管来代替S 的等效开关电容电路；若驱动MOS 管的脉冲频率为 c f =50kHz ，电
容 C =10pF ，试求开关电容电路的等效电阻eff R 。 答：C
f R c eff 1=
14.4 图题14.4是一个MOS 开关电容等效电路，φ和φ为两个同频反相的驱动脉冲信号。 (1) 分析电路工作原理；
(2) 写出电路等效电阻eff R 的表达式。 答：()
211C C f R c eff +=
第15章 集成稳压器 复 习 思 考 题
15.1 图题15.1为某电路的过热保护电路，2Q 为过热保护管，3Q ，4Q 为被保护管，试 以芯片为175℃时，保护电路的状态来说明该电路的过热保护作用。 答：当25℃时，2Q 截止，过热保护电路不起作用。
当 175℃时，此时B V ＞E2B V ，2Q 导通，过热保护电路起作用。
第16章 D/A ，A/D 变换器 复 习 思 考 题 本章无答案
第17章 集成电路设计概述 本章无答案
第18章集成电路的正向设计
本章无答案
第19章集成电路的芯片解剖
复习思考题
19.1如图题19.1所示的实际版图，要求：
(1) 把版图恢复成具体电路图，并说明这是什么电路，完成什么逻辑功能； 答：是双极五输入与非门电路。
第20章集成电路设计方法
本章无答案
第21章集成电路的可靠性设计和可测性设计简介
本章无答案
第22章集成电路的计算机辅助设计简介
本章无答案
反比例函数及典型例题
反比例函数知识点及典型例题 反比例函数这一章是初中数学的一个重点，也是初中数学的一个核心知识点。由反比例函数的图像和性质衍生出了好多数学问题，这对“数形结合”思想还有点欠缺的中学生来说无疑是一个难点。 一、反比例函数知识要点点拨 1、反比例函数的图象和性质： 反比例函数 (0)k y k x = ≠ k 的符号 0k > 0k < 图象 性质 ①x 的取值范围是0x ≠， y 的取值范围是0y ≠． ②当0k >时，函数图象的两个分支分别在第一、第三象限．在每 个象限内，y 随x 的增大而减小． ①x 的取值范围是0x ≠， y 的取值范围是0y ≠． ②当0k <时，函数图象的两个分支分别在第二、第四象 限．在每个象限内，y 随x 的增大而增大． 反比例函数的图象既是轴对称图形，又是中心对称图形，它有两条对称轴，对称中心是坐标原点． 2、反比例函数与正比例函数(0)y kx k =≠的异同点： 函数 正比例函数 反比例函数 x y O x y O
解析式 (0)y kx k =≠ (0)k y k x = ≠ 图象 直线，经过原点 双曲线，与坐标轴没有交点 自变量取值范围 全体实数 0x ≠的一切实数 图象的位置 当0k >时，在一、三象限； 当0k <时，在二、四象限． 当0k >时，在一、三象限； 当0k <时，在二、四象限． 性质 当0k >时，y 随x 的增大而增大； 当0k <时，y 随x 的增大而减小． 当0k >时，y 随x 的增大而 减小； 当0k <时，y 随x 的增大而增大． 二,、典型例题 例 1 下面函数中，哪些是反比例函数？ （1）3 x y -=；（2）x y 8-=；（3）54-=x y ；（4）15-=x y ；（5）.8 1=xy 解：其中反比例函数有（2），（4），（5）． 说明：判断函数是反比例函数，依据反比例函数定义，x k y =)0(≠k ， 它也可变形为1-=kx y 及k xy =的形式，（4），（5）就是这两种形式． 例 2在以下各小题后面的括号里填写正确的记号．若这个小题成正比例关系，填 (正)；若成反比例关系，填(反)；若既不成正比例关系又不成反比例关系，填(非)． (1)周长为定值的长方形的长与宽的关系 （ ）； (2)面积为定值时长方形的长与宽的关系 （ ）； (3)圆面积与半径的关系 （ ）； (4)圆面积与半径平方的关系 （ ）； (5)三角形底边一定时，面积与高的关系 （ ）； (6)三角形面积一定时，底边与高的关系 （ ）；
LTE复习题库带解析(第一部分)
带解析（第一部分） 一、单选题（ 1、在LTE系统协议中，eNB侧MAC层对下行数据进行处理是（B） A、编码； B、复用； C、压缩和加密、 D、调制 2、在E-UTRAN系统中，每个小区在5MHz带宽下最少支持的用户数是： C A、250； B、300； C、200； D、400 注：根据3GPP的要求，5MHz带宽的一个LTE小区必须能支持200个激活状态的用户，如果带宽增加，则至少能支持400个处于激活状态的用户 3、根据协议对LTE系统需求支持的定义，从空闲态到激活态的时延 和零负载（单用户、单数据流）、小IP分组条件下单向时延分别小于多少： B A、50ms和10ms； B、100ms和5ms； C、200ms和5ms； D、100ms和50ms 注：CP控制面要求100ms以内，用户面要求5ms以内。 "3.答案(A) LTE中信道编码的作用是什么（） A. 纠错 B. 检错 C. 纠错和检错 D. 加扰"
注：纠错是为自动识别所出现的差错而安排的冗余码 "5.答案(B) LTE下行方向，若同时给同一用户分配了多个RB，则下列哪种说法正确（） A. 多个RB在频率上必须是连续的 B. 多个RB在频率上可以是不连续的 C. 多个RB在频率上必须是不连续的 D. 以上说法都不对" 注：见（LTE-技术原理介绍）PPT材料-p4 "7.答案(A ) 下述哪个选项是LTE系统cat3 UE在20M带宽内，上下行2：2，特殊子帧10：2：2条件下的上行峰值速率（） A. 20Mbit/s B. 50Mbit/s C. 100Mbit/s D. 200Mbit/s" "8.答案(C) 下述哪个选项是LTE系统cat3 UE在20M带宽内，上下行2：2，特殊子帧10：2：2条件下的下行峰值速率（） A. 25Mbit/s B. 50Mbit/s C. 60Mbit/s D. 200Mbit/s" 注释： 1、下行采用64QAM，上行16QAM，也就是说下行一个OFDM符号承载6bit数据，上行一个OFDM符号4bit；
半导体集成电路制造工艺
半导体集成电路制造工艺 一、集成电路的定义：集成电路是指半导体集成电路，即以半导体晶片材料为主，经热氧化工艺：干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化加工制造，将无源元件、有源元件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上，执行十八、根据器件要求确定氧化方法：1、高质量氧化：干氧氧化或分压氧化；2、厚某种电子功能的微型化电路。微型化电路有集成电路、厚膜电路、薄膜电路和混合层的局部氧化或场氧化：干氧（10min）+湿氧+干氧(10min)或高压氧化；3、低表面态电路等多种形式。氧化：掺氯氧化；湿氧氧化加掺氯气氛退火或分压氧化（H2O或O2+N2 或Ar 或He 等）。二、集成电路的分类：十九、热氧化过程中硅中杂质的再分布1、硅中掺磷(1)温度一定时，水汽氧化（湿氧按电路功能分类：分为以门电路为基础的数字逻辑电路和以放大器为基础的线性电氧化）导致杂质再分布程度较大，其NS/NB 大于干氧氧化；(2)同一氧化气氛下，氧化路，还有微波集成电路和光集成电路等。温度越高，磷向硅内扩散的速度越快，表面堆积现象减小，NS/NB 趋于1。2、硅中按构成集成电路基础的晶体管分类：分为双极型集成电路和MOS型集成电路两大类。掺硼(1)温度一定时，水汽氧化（湿氧氧化）导致杂质再分布程度增大，NS/NB 小前者以双极型平面晶体管为主要器件；后者以MOS场效应晶体管为基础。于干氧氧化；(2)同一氧化气氛下，氧化温度越高，硼向硅表面扩散速度加快，补三、衡量集成电路的发展
DRAM( 3*107（集成度）, 135mm2（外型尺寸）, 0.5 μm偿了表明杂质的损耗，NS/NB 趋于1。看看运动方向（特征尺寸）, 200mm （英寸）) ，二十二、热氧化过程四、摩尔定律：IC集成度每1.5 年翻一番五、集成电路的发展展望目标：集成度↑、可靠性↑、 速度↑、功耗↓、成本↓。努力方向：线宽↓、晶片直径↑、设计技术↑六、硅微电子技术发展的几个趋势：1、单片 系统集成（SoC）System on a chip Application Specific Integrated Circuit 特定用途集成电路2、整硅片集成（WSI）3、半定制电路的 设计方法4、微电子机械系统（MEMS）5、真空微电子技术七、集成电路制造中的基本工艺技术横向加工：图形的产生与转移（又称为光刻，包括曝光、显影、刻蚀等）。纵向加工：薄膜制备（蒸发、溅射、氧化、CVD 等），掺杂（热扩散、离子注入、中子嬗变等）八、补充简要说明工艺1-1 1、氧化剂扩散穿过滞留层达到SiO2 表面，其流密度为F1 。2、氧化剂扩散穿过SiO2层达到SiO2-Si界面，流密度为F2 。3、氧化剂在Si 表面与Si 反应生成SiO2 ，流密度为F3。4、反应的副产物离开界面。二十三、CVD的薄膜及技术分类化学 气相淀积（Chemical Vapor Deposition）是指单独地或综合的利用热能、辉光放电等离子体、紫外光照射、激光照射或其它形式的能源，使气态物质在固体的热表面上发生化学反应并在该表面上淀积，形成稳定的固态物质的工艺过程二十四、CVD薄膜分类：半导体集成 电路制造中所用的薄膜材料，包括介质膜、半导体膜、导体膜以及
反比例函数知识点归纳和典型例题
反比例函数知识点归纳和典型例题 知识点归纳 （一）反比例函数的概念 1．（）可以写成（）的形式，注意自变量x的指数为，在解决有关自变量指数问题时应特别注意系数这一限制条件； 2．（）也可以写成xy=k的形式，用它可以迅速地求出反比例函数解析式中的k，从而得到反比例函数的解析式； 3．反比例函数的自变量，故函数图象与x轴、y轴无交点． （二）反比例函数的图象 在用描点法画反比例函数的图象时，应注意自变量x的取值不能为0，且x应对称取点（关于原点对称）． （三）反比例函数及其图象的性质 1．函数解析式：（） 2．自变量的取值范围： 3．图象： （1）图象的形状：双曲线． 越大，图象的弯曲度越小，曲线越平直． 越小，图象的弯曲度越大． （2）图象的位置和性质： 与坐标轴没有交点，称两条坐标轴是双曲线的渐近线． 当时，图象的两支分别位于一、三象限； 在每个象限内，y随x的增大而减小； 当时，图象的两支分别位于二、四象限； 在每个象限内，y随x的增大而增大． （3）对称性：图象关于原点对称，即若（a，b）在双曲线的一支上， 则（，）在双曲线的另一支上．
图象关于直线对称，即若（a，b）在双曲线的一支上， 则（，）和（，）在双曲线的另一支上．4．k的几何意义 如图1，设点P（a，b）是双曲线上任意一点，作PA⊥x轴于A点，PB⊥y轴于B点，则矩形PBOA的面积是（三角形PAO和三角形PBO的面积都是）． 如图2，由双曲线的对称性可知，P关于原点的对称 点Q也在双曲线上，作QC⊥PA的延长线于C，则有三 角形PQC的面积为． 图1 图2 5．说明： （1）双曲线的两个分支是断开的，研究反比例函数的增减性时，要将两个分支分别讨论，不能一概而论． （2）直线 与双曲线的关系： 当 时，两图象没有交点； 当 时，两图象必有两个交点，且这两个交点关于原点成中心对称．
填空题-国网题库第一部分
第一部分 1．在电力系统中，采用快速保护，自动重合闸装置，自动按频率减负荷装置等都是保证 ( )的重要措施。 2．继电保护有选择地切除故障，是为了( )。 3．频率为50Hz 的二个正弦交流电源，相位差是π/2弧度，其时间差为( )ms。 4．当流过某负载的电流i=sin(34t+12π ) A 时，其端电压为u=31sinI 34(34t-12π ) V，那么这个负载一定是( )负载。 5．已知在某线圈上施加直流电压100V 时，消耗的功率为500W；若施加交流电压150V 时，消耗的有功功率为720W。则该线圈的电阻为( )Ω，电抗为( )Ω。 6．当线圈中电流增加时，自感电动势的方向与电流的方向( )；线圈中电流减少时，自感电动势的方向与电流方向( )。总之，自感电动势的方向总是( )线圈中电流的变化。 7．在不对称三相四线制正弦交流电路中，中线是( )电流的( )分量的通路。在三相三线制电路中，如果线电压不对称，是由于有了( )分量的缘故。 8．一个10V 的恒压源的两端接一个5Ω的电阻，输出电压为( )V，电阻消耗的功率为( )W。 9．由煤炭转化为电的过程中，应用三种动力装置：( )、( )、( )，能量的转换过程是由热能转化为机械能，最后由机械能转化为电能。 10．X0／x1( )，且（）≤1 的系统属于大接地电流系统；凡是X0／x1( )；且（） >1 的系统属于小接地电流系统。 11．我国电力系统中性点接地方式有：中性点直接接地方式、( )、中性点不接地方式三种。 12．( )是指电力系统受到小干扰后，不发生非周期性的失步，自动恢复到原始运行状态的能力。 13．所谓电力系统的静稳特性，是指电力系统在( )之后，自动恢复到原始运行状态的能力。它与系统发生永久性故障时，继电保护装置切除故障的快慢( )关系。 14．我国110kV 及以上电压等级系统，其中性点接地方式采用( )。 15．在35kV 小接地电流系统中，可采用经消弧线圈接地方式，在发生单相接地故障时用消弧线圈的感性电流来补偿系统的容性电流，补偿方式有( )、( )和( )三种方式，一般应采用( )方式。 16．中性点装设消弧线圈的目的是利用消弧线圈的( )电流补偿接地故障时的( )电流，使接地故障电流减少。
《半导体集成电路》考试题目及参考答案
第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？ 第1章集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？ 5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ 6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。 8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。 第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。 2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？ 4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响? 5. 消除“Latch-up”效应的方法？ 6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？ 7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？ 第3章集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？ 2.集成电路中常用的电容有哪些。 3. 为什么基区薄层电阻需要修正。 4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。 5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。 第4章TTL电路 1.名词解释
反比例函数知识点及典型例题解析
反比例函数 知识点及考点： （一）反比例函数的概念： 知识要点： 1、一般地，形如 y = x k ( k 是常数, k = 0 ) 的函数叫做反比例函数。 注意：（1）常数 k 称为比例系数，k 是非零常数； （2）解析式有三种常见的表达形式： （A ）y = x k （k ≠ 0） ， （B ）xy = k （k ≠ 0） （C ）y=kx -1 （k ≠0） 例题讲解：有关反比例函数的解析式 （1）下列函数，① 1)2(=+y x ②. 11 += x y ③21x y = ④.x y 21-=⑤2x y =-⑥13y x = ；其中是y 关于 x 的反比例函数的有：_________________。 （2）函数2 2 )2(--=a x a y 是反比例函数，则a 的值是（ ） A ．－1 B ．－2 C ．2 D ．2或－2 （3）若函数1 1-= m x y (m 是常数)是反比例函数，则m ＝________，解析式为________． （4）如果y 是m 的反比例函数，m 是x 的反比例函数，那么y 是x 的（ ） A ．反比例函数 B ．正比例函数 C ．一次函数 D ．反比例或正比例函数 练习：（1）如果y 是m 的正比例函数，m 是x 的反比例函数，那么y 是x 的（ ） （2）如果y 是m 的正比例函数，m 是x 的正比例函数，那么y 是x 的（ ） （5）反比例函数(0k y k x = ≠） 的图象经过（—2，5， n ）， 求1）n 的值； 2）判断点B （24，）是否在这个函数图象上，并说明理由 （6）已知y 与2x －3成反比例，且4 1 =x 时，y ＝－2，求y 与x 的函数关系式．
《高级英语》试题册模拟试卷第一部分译文及答案讲解
单元综合测试一 （L10）（上）P142 Some men drew the first slip which touched their fingers; others seemed to suspect that fate was trying to force on them a particular slip and when they bad drawn one a little way from the shoe would let it drop again and choose another. Time passed with incredible slowness, and the man called Voisin sat against the wall with the unlighted cigarette in his mouth paying them no attention at all. 有些人抽自己手指头碰到的第一个纸了。另一些人似乎怀疑是命运在试图强迫他们抽某一特定的纸条，因此当他们刚把一个纸条从鞋里抽出一点，又扔回去，再选另一张。时间过得令人难以置信地缓慢。叫瓦赞的那个人背靠着墙坐着，嘴上叼着未点燃的烟，丝毫没注意他人。 （L11）（上）P159 I imagined the picture on the wall without difficulty, and gave it a few deft touches, but this set me thinking of pictures in general, and then I remembered an art exhibition I had attended with my friend T. and what he said, and what I said, and I wondered how T. was faring these days, and whether his son was still at school. And so it went on, until I found myself meditating on cheese, or spiritualism, or the Rocky Mountains—but no sleep! 我想象挂在墙上的画倒是没有问题，然后我熟练地去扶正它。这会使我想到通常见到的画，然后我想起一个艺术展，那是和我的朋友T一起去的。我记得他说过什么话，然后我又说了什么话，然后我开始想T这一段时间会怎么样了，他的儿子是否还在念书。就这样继续下去，直到我不知不觉地想到奶酪或是唯灵论，或者落基山脉——就是睡不着！ （L6）（上）P76 When she saw that I didn’t like her reference to “people like you”, she stopped for a moment and then put he r hand on my arm. “Listen,” she said, “Magpie is happy new, finally. He is in good spirits, handsome and free and strong. He sits at the drum and sings with his brothers: he’s okay now. When he was saying all those things against the government and against the council, he became more and more ugly and embittered and I used to be afraid for him. But I’m not now. Please, why don’t you just leave it alone now?” 当她发现我不喜欢她提到“像你这样的人”时，她停了一下，然后把手放到我的胳膊上，说：“听我说，现在喜鹊终于高兴起来了。他情绪很好，很英俊、很自由、也很健壮。他和兄弟们一起坐在皮鼓前唱歌，他现在很正常。他总是说那些反对政府．反对印第安人事务委员会的话，说那些话时他就变得越来越可怕，越来越恼怒。我过去常因此而为他担忧，可是我现在不那样了。哦，我们还是顺其自然吧。” （L9）（上）P 124 The viewer is on a perpetual guided tour: 30 t the museum, 30 at the cathedral, 30 for a drink, then back on the bus to the next attraction—-except on television., typically, the spans allotted arc on the order of minutes or seconds, and the chosen delights are more often car crashes and people killing one another. In short, a lot of television usurps one of the most precious of all human gifts, the ability to focus your attention yourself, rather than just passively surrender it. 观众被领着进行无限期的游览：30分钟看博物馆，30分钟看大教堂，30分钟喝饮料，然后又回到车上，到下一个参观点。但是电视的时间是按分秒来计算的，而且所选的欣赏内
半导体集成电路课程教案
半导体集成电路课程教案 西安理工大学教案(首页) 学院(部):自动化学院系(所):电子工程系 1 课程代码 04110680 总学时:64 学时课程名称半导体集成电路学分 4 讲课:64 学时 上机: 0 学时必修课( ? ) 校级任选课( ) 课程类别实验:0 学时院级任选课( ) 学位课( ? ) 授课专业电子科学与技术授课班级电子、微电 任课教师高勇余宁梅杨媛乔世杰职称教授/副教授通过本课程的教学～要求学生全面掌握各种集成电路包括双极集成电路、MOS集成电路和Bi-CMOS电路的制造工艺～集成电路中元器件的结构、特性及各种寄生效应,学会分析双极IC、数字CMOS集成电路中的倒相器的电路特性～掌握一定的手算分析能力～熟悉版图,掌握静态逻辑、传输门教学目的逻辑及动态逻辑电路的工作原理及特点,了解触发器电路及存储器电路,和要求掌握模拟电路的基本子电路(如电流源～基准源等)的工作原理和特性～掌握基本运算放大器的性能分析和设计方法,掌握AD/DA电路的类型及工作原理～基本了解AD/DA变换器的设计方法。为后继专业课的学习、将来在集成电路领域从事科研和技术工作奠定良好的理论基础。教学的重点是帮助学生在电子技术的基础上建立半导体集成电路的概念。重点讲述集成电路的寄生效应、典型的TTL单元电路以及MOS集成电路的基本逻辑单元和逻辑功能部件，尤其是CMOS集成电路(由于现在的教学重集成电路主流工艺为CMOS集成电路)。难点在于掌握集成电路中的各种点、难点寄生效应，另外，集成电路的发展很快，很多最新发展状态在书本上找不到现成的东西，比如随着集成电路特征尺寸的减小带来
的一些其他二级效应，以及各种不同的新型电路结构各自的特点和原理分析计算。 (1)朱正涌，半导体集成电路，清华大学出版社社 (2)张延庆，半导体集成电路，上海科学技术出版社 (3)Jan M.Rabaey, Anantha Chandrakasan, etc. Digital Integrated Circuits数字集成电路设计透视(影印版.第二版)，清华大学出版社(译本:周润德译电子工业出版社) (4)蒋安平等译，数字集成电路分析与设计,深亚微米工艺，电子工业出版社 教材和参(5)王志功等译，CMOS数字集成电路-分析与设计(第三版)，电子工业出考书版社(原书名:CMOS Digital Integrated Circuits:Analysis and Design, Third Edition，作者:Sung-Mo Kang, Yusuf Leblebici[美]，McGraw-Hill出版社) (6)陈贵灿等译, 模拟CMOS集成电路设计, 西安交通大学出版社(原书 2 名:Design of Analog CMOS Integrated Circuits，作者:毕查德.拉扎维[美]，McGraw-Hill出版社) 西安理工大学教案(章节备课) 学时:2学时章节第0章绪论 通过本章内容学习～帮助学生建立半导体集成电路的概念～使学生了解并教学目的掌握集成电路的发展历史、现状和未来。明确本课程教学内容及教学目标～和要求提出课程要求。要求学生通过本章学习～能够明确学习目标。 重点:集成电路的概念～集成电路的发展规律～集成电路涵盖的知识点重点及集成电路的分类。难点难点: 集成电路的宏观发展与微观发展的关联。 教学内容: 1 集成电路 1.1 集成电路定义
芯片制造-半导体工艺教程
芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication ----A Practical Guide to Semicondutor Processing 目录: 第一章:半导体工业[1][2][3] 第二章:半导体材料和工艺化学品[1][2][3][4][5]第三章:晶圆制备[1][2][3] 第四章:芯片制造概述[1][2][3] 第五章:污染控制[1][2][3][4][5][6] 第六章:工艺良品率[1][2] 第七章:氧化 第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光 第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验 第十章:高级光刻工艺 第十一章:掺杂 第十二章:淀积 第十三章:金属淀积 第十四章:工艺和器件评估 第十五章:晶圆加工中的商务因素 第十六章:半导体器件和集成电路的形成 第十七章:集成电路的类型 第十八章:封装 附录:术语表
#1 第一章半导体工业--1 芯片制造-半导体工艺教程点击查看章节目录 by r53858 概述 本章通过历史简介，在世界经济中的重要性以及纵览重大技术的发展和其成为世界领导工业的发展趋势来介绍半导体工业。并将按照产品类型介绍主要生产阶段和解释晶体管结构与集成度水平。 目的 完成本章后您将能够： 1. 描述分立器件和集成电路的区别。 2. 说明术语“固态，” “平面工艺”，““N””型和“P”型半导体材料。 3. 列举出四个主要半导体工艺步骤。 4. 解释集成度和不同集成水平电路的工艺的含义。 5. 列举出半导体制造的主要工艺和器件发展趋势。 一个工业的诞生 电信号处理工业始于由Lee Deforest 在1906年发现的真空三极管。1真空三极管使得收音机, 电视和其它消费电子产品成为可能。它也是世界上第一台电子计算机的大脑，这台被称为电子数字集成器和计算器（ENIAC）的计算机于1947年在宾西法尼亚的摩尔工程学院进行首次演示。 这台电子计算机和现代的计算机大相径庭。它占据约1500平方英尺，重30吨，工作时产生大量的热，并需要一个小型发电站来供电，花费了1940年时的400, 000美元。ENIAC的制造用了19000个真空管和数千个电阻及电容器。 真空管有三个元件，由一个栅极和两个被其栅极分开的电极在玻璃密封的空间中构成(图1.2)。密封空间内部为真空，以防止元件烧毁并易于电子的====移动。 真空管有两个重要的电子功能，开关和放大。开关是指电子器件可接通和切断电流；放大则较为复杂，它是指电子器件可把接收到的信号放大，并保持信号原有特征的功能。 真空管有一系列的缺点。体积大，连接处易于变松导致真空泄漏、易碎、要求相对较多的电能来运行，并且元件老化很快。ENIAC 和其它基于真空管的计算机的主要缺点是由于真空管的烧毁而导致运行时间有限。 这些问题成为许多实验室寻找真空管替代品的动力，这个努力在1947年12月23曰得以实现。贝尔实验室的三位科学家演示了由半导体材料锗制成的电子放大器。
题库第一部分
【1】RGB色彩模式中，默认情况下，不包含以下哪个通道 A.红色 B.绿色 C.黄色 D.蓝色 【2】RGB色彩模式中，字母B表示 A.红色 B. 黑色 C. 蓝色 D. 灰色 【3】RGB色彩模式通常用于 A.印刷机 B.数码相机 C.打印机 D.亮度调节 【4】以下命令中，不属于选择工具的是 A. 魔棒工具 B. 套锁工具 C. 色彩范围 D.羽化 【5】以下快捷方式中，用于改变图形大小形状的是： A. CTRL + C B. CTRL+ V C. CTRL+ALT+DELTET D. CTRL+ T 【6】创建一个新文件的快捷方式是 A. CTRL + C B. CTRL+ V C. CTRL+N D. CTRL+ T 【7】在编辑一个渐变色彩时，可以被编辑的部分是（）。 A) 前景色 B) 透明度 C) 色彩 D) 以上都可以 【8】在Photoshop中可以改变图像色彩的命令是：（）。 A) 曲线调整 B) 色阶调整 C) 色相/饱和度D) 以上都可以 【9】下列支持无损压缩的文件格式是( )。 A) BMP B) JPEG C) GIF D) PSD 【10】使用矩形选框工具时，需配合以下哪个键才能得到正方形的选择区域
A) SHIFT B) CTRL C) TAB D) 以上都可以 【11】要将当前图层内容旋转，执行菜单命令：编辑——变换——旋转时，以下哪句话不正确 A．可以旋转到任意角度 B．无法通过输入数值的方式来精确到某个特定角度 C．可以拖动边缘的白色点来手动过控制旋转角度 D．旋转的中心点可以移动 【12】在PHOTOSHOP中执行菜单命令“编辑”—“填充”后,可对当前选择区域图像进行 A.前景色 B.背景色 C.自定义颜色 D.以上都可以 【13】在PHOTOSHOP中,使用“渐变”工具可创以下那种渐变颜色 A.线性渐变 B.径向渐变 C.角度渐变 D.以上都可以 【14】 PHOTOSHOP中绘制多边形矢量对象时,多边形的边数应该是 A.任意数量 B.至少1边 C.3-100边 D.3-1000边
半导体集成电路习题及答案
第1章 集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。 第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习 思 考 题 2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r 2.2 所示。 提示：先求截锥体的高度 up BL epi mc jc epi T x x T T -----= 然后利用公式： b a a b WL T r c -? = /ln 1ρ ， 2 1 2?? =--BL C E BL S C W L R r b a a b WL T r c -? = /ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++= 注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。 2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能 的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大? 答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下 ，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下： 答： 解题思路 ⑴由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ； ⑵由设计条件画图 ①先画发射区引线孔； ②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔； ③由A D 先画出基区扩散孔的三边； ④由B E D -画出基区引线孔； ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边；
⑥由A D 先画出外延岛的三边； ⑦由C B D -画出集电极接触孔； ⑧由A D 画出外延岛的另一边； ⑨由I d 画出隔离槽的四周； ⑩验证所画晶体管的CS r 是否满足V V OL 4.0≤的条件，若不满足，则要对所作 的图进行修正，直至满足V V OL 4.0≤的条件。（CS C OL r I V V 00 ES += 及己知 V V C 05.00ES =） 第3章 集成电路中的无源元件 复 习 思 考 题 3.3 设计一个4k Ω的基区扩散电阻及其版图。 试求： (1) 可取的电阻最小线宽min R W =?你取多少? 答：12μm (2) 粗估一下电阻长度，根据隔离框面积该电阻至少要几个弯头? 答：一个弯头 第4章 晶体管 (TTL)电路 复 习 思 考 题 4.4 某个TTL 与非门的输出低电平测试结果为 OL V =1V 。试问这个器件合格吗?上 机使用时有什么问题? 答：不合格。 4.5 试分析图题4.5所示STTL 电路在导通态和截止态时各节点的电压和电流，假定各管的 β=20, BEF V 和一般NPN 管相同， BCF V =0.55V , CES V =0.4～0.5V , 1 CES V =0.1～0.2V 。 答：（1）导通态（输出为低电平） V V B 1.21= ， V V B 55.12= ，V V B 2.13= ，V V B 5.04= ，V V B 8.05= ，
反比例函数经典题型
X Y -9 -8-7-6-5-4-3-2-1 1110987654321 -8-7-6-5-4-3-2-1 9 876543210X Y -9 -8-7-6-5-4-3-2-1 11109876543 21 -8-7-6-5-4-3-2-19 8 7 6 5 4 3 2 1 0反比例函数 一、经典内容解析 1.反比例函数的概念 (1) (k ≠0)可以写成(k ≠0)的形式，注意自变量x 的指数为-1，在解决有关 自变量指数问题时应特别注意系数k ≠0这一限制条件； (2) (k ≠0)也可以写成xy=k 的形式，用它可以迅速地求出反比例函数解析式中的 k ，从而得到反比例函数的解析式； (3) 反比例函数 的自变量x ≠0，故函数图象与x 轴、y 轴无交点. 解析式 x k y = （k 为常数，且0k ≠） 自变量取值范围 0≠x 的实数 图 象 图象的性质 双曲线 0k > 0k < 示意图 位置 两个分支分别位于 一、三象限 两个分支分别位于 二、四象限 变化趋势 在每个象限内，y 随x 的增大而减小 在每个象限内，y 随x 的增大而增大 对称性 是轴对称图形，直线x y ±=是它的两条对称轴 是中心对称图形，对称中心为坐标原点 3.反比例函数的性质(与正比例函数对比) 函数解析式 正比例函数 y=kx (k ≠0) 反比例函数 (k ≠0) 自变量的 取值范围 全体实数 x ≠0 图 象 直线，经过原点 双曲线，与坐标轴没有交点
图象位置 (性质) 当k＞0时，图象经过一、三象限；当 k＜0时，图象经过二、四象限. 当k＞0时，图象的两支分别位于一、三 象限；当k＜0时，图象的两支分别位 于二、四象限. 性质 (1) 当k＞0时，y随x的增大而增大； 当k＜0时，y随x的增大而减小. (2) 越大，图象越靠近y轴. (1) 当k＞0时，在每个象限内y随x的 增大而减小；当k＜0时，在每个象限 内y随x的增大而增大. (2) 越大，图 象的弯曲度越小，曲线越平直. 注： (1) 双曲线的两个分支是断开的，研究反比例函数的增减性时，要将两个分支分别讨论， 不能一概而论. (2) 正比例函数与反比例函数， 当时，两图象没有交点； 当时，两图象必有两个交点， 且这两个交点关于原点成中心对称. (3) 反比例函数与一次函数的联系. 4.反比例函数中比例系数k的几何意义 (1)过双曲线(k≠0) 上任意一点作x轴、y轴的垂线，所得矩形的面积为. (2)过双曲线(k≠0) 上任意一点作一坐标轴的垂线，连接该点和原点，所得三角形
电工技术 题库 第一部分
电路的基本概念和基本定律 一、是非题 1.在电路的节点处，各支路电流的参考方向不能都设为指向节点，否则将只有流入节点的电流，而没有流出节点的电流。 2.电流强度的大小定义为单位时间内通过单位面积的电量。 3.在电路中，由于所标明的电流参考方向是任意假定的，所以电流可能为正，也可能为负。 4.电路中某两点的电位都很高，则这两点间的电压一定很高。 5.电路中某两点间的电压等于两点的电位差，所以该两点间的电压与参考点有关。 6.若改变电路中的参考点，则电路中各点的电位一般都将改变。 7.某元件的电压u和电流i为非关联参考方向，若用p=ui算得的功率值为5W，则该元件实际供出5W的功率。 8.若某元件的电流I和电压U采用非关联参考方向，则P=UI为该元件供出的功率。 9.短路元件的电压为零，其电流不一定为零。开路元件的电流为零，其电压不一定为零。 10.根据P=UI，对于额定值220V、40W的灯泡，由于其功率一定，如电源电压越高，则其电流必越小。 11.有两个额定电压相同的电炉，电阻不同。因为P =I2R，所以电阻大的功率大。 12.如果电池被短路，输出的电流将最大，此时电池输出的功率也最大。 13.无论流过电压源的电流多大，电压源的电压总保持常量或给定的时间函数。 14.如果一个电压源的电压U S=0，则它相当于开路。 15.直流电源的内阻为零时，电源电动势就等于电源端电压。
16.某实际直流电源的开路电压为U S，若该电源外接一个电阻器，其电阻值在某范围变化时都满足U R=U S，则在一定的电流条件下，该实际电源的模型为一电压源。 17.与电压源并联的各网络，对电压源的电压并无影响；与电流源串联的各网络，对电流源的电流并无影响。 18.如果一个电流源的电流I S=0，则它相当于开路。 19.电路中任意两点a、b之间的电压u ab，等于从a点沿任意一条路径到b点间所有元件电压的代数和。 对于电流的参考方向或实际方向均成立，KVL对于电压的参极性或实际极性也都是成立的。 21.在列写KCL和KVL方程时，对各变量取正号或负号，均按该变量的参考方向确定，而不必考虑它们的实际方向。 22.线性电阻的电压、电流特性曲线的斜率总是正值。 23.实际直流电源的特性越接近电压源时，其内阻越小。实际电源的特性越接近电流源时，其内阻越大。 答案部分 1．()2.(+)3.(+)4.()5.()6.(+)7.() 8.(+)9.(+)10.() 11.()12.()13.(+)14.()15.()16.(+)17.(+)18.(+)19.(+) 20.(+)21.(+)22.()23.(+)
半导体集成电路工艺复习
第一次作业： 1，集成时代以什么来划分？列出每个时代的时间段及大致的集成规模。答： 类别时间 数字集成电路 模拟集成电路MOS IC 双极IC SSI 1960s前期 MSI 1960s~1970s 100～500 30～100 LSI 1970s 500～2000 100～300 VLSI 1970s后期~1980s后期>2000 >300 ULSI 1980s后期~1990s后期 GSI 1990s后期~20世纪初 SoC 20世纪以后 2，什么是芯片的集成度？它最主要受什么因素的影响？ 答：集成度：单个芯片上集成的元件（管子）数。受芯片的关键尺寸的影响。 3，说明硅片与芯片的主要区别。 答：硅片是指由单晶生长，滚圆，切片及抛光等工序制成的硅圆薄片，是制造芯片的原料，用来提供加工芯片的基础材料；芯片是指在衬底上经多个工艺步骤加工出来的，最终具有永久可是图形并具有一定功能的单个集成电路硅片。 4，列出集成电路制造的五个主要步骤，并简要描述每一个步骤的主要功能。 答：晶圆(硅片)制备(Wafer Preparation)； 硅(芯）片制造(Wafer Fabrication)：在硅片上生产出永久刻蚀在硅片上的一整套集成电路。硅片测试/拣选(Die T est/Sort)：单个芯片的探测和电学测试，选择出可用的芯片。 装配与封装(Assembly and Packaging)：提供信号及电源线进出硅芯片的界面；为芯片提供机械支持，并可散去由电路产生的热能；保护芯片免受如潮湿等外界环境条件的影响。 成品测试与分析（或终测）(Final T est)：对封装后的芯片进行测试，以确定是否满足电学和特性参数要求。 5，说明封装的主要作用。对封装的主要要求是什么。 答：封装的作用：提供信号及电源线进出硅芯片的界面；为芯片提供机械支持，并可散去由电路产生的热能；保护芯片免受如潮湿等外界环境条件的影响。 主要要求：电气要求：引线应当具有低的电阻、电容和电感。机械特性和热特性：散热率应当越高越好;机械特性是指机械可靠性和长期可靠性。低成本：成本是必须要考虑的比较重要的因素之一。 6，什么是芯片的关键尺寸？这种尺寸为何重要？自半导体制造业开始以来，芯片的关键尺寸是如何变化的？他对芯片上其他特征尺寸的影响是什么？ 答：芯片上器件的物理尺寸被称为特征尺寸；芯片上的最小的特征尺寸被称为关键尺寸，且被作为定义制造工艺水平的标准。 为何重要：他代表了工艺上能加工的最小尺寸，决定了芯片上的其他特征尺寸，从而决定了芯片的面积和芯片的集成度，并对芯片的性能有决定性的影响，故被定义为制造工艺水平的标准。
反比例函数知识点及经典例题
第十七章 反比例函数 一、基础知识 1. 定义：一般地，形如x k y =（k 为常数，o k ≠）的函数称为反比例函数。x k y = 还可以写成kx y =1- 2. 反比例函数解析式的特征： ⑴等号左边是函数y ，等号右边是一个分式。分子是不为零的常数k （也叫做比例系数k ），分母中含有自变量x ，且指数为1. ⑵比例系数0≠k ⑶自变量x 的取值为一切非零实数。 ⑷函数y 的取值是一切非零实数。 3. 反比例函数的图像 ⑴图像的画法：描点法 ① 列表（应以O 为中心，沿O 的两边分别取三对或以上互为相反的数） ② 描点（有小到大的顺序） 连线（从左到右光滑的曲线） ⑵反比例函数的图像是双曲线，x k y =（k 为常数，0≠k ）中自变量0≠x ，函 数值0≠y ，所以双曲线是不经过原点，断开的两个分支，延伸部分逐渐靠近坐标轴，但是永远不与坐标轴相交。 ⑶反比例函数的图像是是轴对称图形（对称轴是x y =或x y -=）。 ⑷反比例函数x k y = （0≠k ）中比例系数k 的几何意义是：过双曲线x k y = （0≠k ）上任意引x 轴y 轴的垂线，所得矩形面积为k 。 4 5. 点的坐标即可求出k ） 6．“反比例关系”与“反比例函数”：成反比例的关系式不一定是反比例函数, 但是反比例函数x k y =中的两个变量必成反比例关系。 7. 反比例函数的应用二、例题 【例1】如果函数2 22 -+=k k kx y 的图像是双曲线，且在第二，四象限内，那么的值 是多少？【解析】有函数图像为双曲线则此函数为反比例函数x k y = ，（0≠k ）
即kx y =1-（0≠k ）又在第二，四象限内，则0