模拟电子技术》复习要点(2008)
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
三.*三种模型四.五.六.七.微变等效电路法八. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子复习资料
模拟电子技术辅导材料《模拟电子技术》课程教学的主要内容和基本要求课程结构●主要内容和基本要求一、总体要求掌握以下方面的内容1.简单直流电路的基本分析方法。
2.用图解法和微变等效电路法分析非线性电路。
3.基本放大器、多级放大器及负反馈放大器的分析。
4.集成运放和集成功放电路的分析。
5.正弦波振荡电路的分析与应用。
6.直流稳压电源的分析与应用。
二、各部分内容要求：〔一〕半导体管1.掌握二极管的结构、符号、伏安特性及其单向导电性，注意其开关特性的分析。
2.掌握三极管的电流分配关系、特性曲线和等效电路。
熟悉三极管放大的外部条件，了解三极管的主要参数。
3、熟练掌握二、三极管电路的分析方法〔二〕基本〔单级〕放大器1.熟悉基本放大电路的组成和性能指标。
2.熟练掌握三种基本组态〔共发、共射、共集〕放大电路的结构特点、分析方法和性能指标特点。
静态工作点是直流量，必须由直流通道求取；输入电阻、输出电阻、电压放大倍是交流量，必须由交流通道求取。
3. 熟练掌握用等效电路分析法分析计算基本放大电路和分压式放大电路的静态工作点、输入电阻、输出电阻、电压放大倍数等参数。
〔三〕多级放大器1.熟悉多级放大电路的组成和性能指标。
2.掌握多级放大器的耦合方式及优缺点。
2.掌握直流放大器及差动放大器的特点。
3.熟悉多级放大器的增益的计算。
〔四〕反馈放大器1.熟悉四种反馈组态的判断。
2.掌握四种反馈组态对放大电路工作性能的影响。
3.熟悉深度负反馈放大电路的分析方法并能近似估算电压放大倍数。
4.能根据输入及输出要求引相应的负反馈。
〔五〕集成运算放大电路及其运用1.熟悉差动放大电路、恒流源式差动放大器的电路结构。
2.掌握差动放大电路、恒流源式差动放大器的静态工作点、输入、输出电阻、电压放大倍数的计算。
3.掌握线性集成运放的特点。
〔1〕掌握以下放大器的构成同相比例运放、反相比例运放、加法器、减法器、跟随器。
〔2〕熟练计算上述放大器的输入电压与输出电压的关系或电压放大倍数。
模拟电子技术重要知识点定稿版
模拟电子技术重要知识点精编W O R D版IBM system office room 【A0816H-A0912AAAHH-GX8Q8-GNTHHJ8】模拟电子技术重要知识点整理试题构成：15分（填空）+15分（差分电路计算）+15分（模拟信号运算）+15分（负反馈综合题）+40分（单管的图解法、频率特性、比较器、RC/LC振荡、稳压电源）第一章半导体器件在纯净的单晶硅或单晶锗中，掺入微量的五价或三价元素所得的掺杂半导体是什么，其多数载流子和少数载流子是是什么，又称为什么半导体。
结构完整完全纯净的半导体晶体称为本征半导体。
杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关。
掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂。
当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转型为P型；当掺入五价元素的密度大于三价元素的密度时，可将P型转型为N型。
二极管最主要的特性是什么。
温度升高后，二极管的反向电流将增大。
在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，锗二极管为0.1V。
稳压二极管稳压时，其工作在反向击穿区，发光二极管发光时，其工作在正向导通区。
稳压二极管稳压时和负载及电源如何连接。
三极管类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。
三种工作状态：放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；晶体管于放大状态，Ic=βIb有电流放大作用；饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；截止状态：发射和集电结均反向偏置；在某放大电路中，给出三极管三个电极的静态电位或电流，能判断这只三极管是NPN 型还是PNP型的，是硅管还是锗管、工作在什么状态等。
了解场效应管的控制关系及主要参数的物理意义。
第二章放大电路的基础和分析方法放大电路的组成原则与工作特点。
能用估算法计算放大电路静态工作点。
会用图解法分析放大电路的最大输出动态范围，非线性失真等。
工作点合理的设置对实现不失真放大的影响。
熟练运用微变等效电路分析法计算放大电路的放大倍数、输入电阻、输出电阻。
掌握晶体三极管基本放大电路的三种组态，各组态的特点。
模电第一章期末知识点总结
模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1.半导体二极管（1）掌握二极管具有单向导电的特性。
用电位的方法来判断二极管是否导通，即，哪个二极管的阳极电位最高，或哪个二极管的阴极电位最低，哪个二极管就优先导通。
（2）注意：理想二极管导通之后相当短路，截止后相当开路。
（3）掌握二极管的动态电阻小，静态电阻大的概念（直流通路恒压源，交流通路小电阻）。
交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻，用静态工作点和公式求二极管的电阻值（4）熟悉二极管的应用（开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅）作业：1.32. 半导体稳压管（1）掌握稳压管工作在反向击穿区的特点只要不超过稳压管的最大功率，电流越大越好（2）掌握稳压管与一电阻串联时，在电路中起的稳压作用。
（3）掌握稳压管的动态电阻小，静态电阻大的概念。
（3）熟悉稳压管的应用（稳压、限幅）作业：1.5 , 1.63. 晶体三极管（1）熟悉晶体管的电流放大原理（重点掌握Ic=βIb ）（2）掌握NPN 型三极管的输出特性曲线。
晶体管有三个级，必然就有BE 间的输入，CE 间的输出，所以有两组特性曲线。
iB 和Ube 之间的关系，但是保证Uce 是一个恒定值iC 和Uce 之间的关系，保证Ib 是一个恒定值关于NPN 型管子：管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。
主要是饱和区和截止区之间的区别（3）掌握三极管的放大、饱和与截止条件。
（4）理解CEO CBO I I 和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。
作业：1.9，1.12 ，共射交流放大倍数β，共基交流放大倍数α≈14. 场效应管（1）能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。
（2）掌握结型场效应管(N沟道)的转移特性和输出特性的意义。
（3）掌握绝缘栅N沟道增强型MOS的转移特性和输出特性的意义。
（4）掌握电流方程，1.4.4 式和1.4.5式作业：1.14结型场效应MOS。
模拟电子技术复习资料
模拟电子技术复习资料模拟电子技术复习资料模拟电子技术是电子工程中的重要一环，它涉及到电子电路的设计、分析和优化。
在现代科技发展迅速的时代，模拟电子技术的应用范围越来越广泛。
为了更好地掌握这门学科，以下是一些模拟电子技术复习资料，希望对大家的学习有所帮助。
一、基础知识回顾1. 电路基本元件：电阻、电容、电感。
了解它们的特性和在电路中的应用。
2. 电路定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电流和电压的分布规律。
3. 放大器基础：了解放大器的基本概念和分类，如共射放大器、共集放大器、共基放大器等。
4. 信号处理：了解滤波器的原理和分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
二、放大器设计与分析1. 放大器的基本特性：增益、带宽、输入输出阻抗等。
掌握放大器的参数计算方法。
2. 放大器的稳定性分析：了解稳定性的概念和判据，如极点、零点的分布，掌握稳定性分析的方法。
3. 反馈放大器：了解反馈放大器的原理和分类，如电压串联反馈、电流串联反馈等。
4. 差分放大器：了解差分放大器的原理和应用，如差分放大器的共模抑制比、共模反馈等。
三、运算放大器及其应用1. 运算放大器的基本特性：了解运算放大器的输入输出特性，如输入阻抗、输出阻抗、放大倍数等。
2. 运算放大器的反馈电路：了解反馈电路的原理和分类，如电压反馈、电流反馈、电阻反馈等。
3. 运算放大器的应用：了解运算放大器在各种电路中的应用，如比较器、积分器、微分器等。
四、振荡器与频率特性1. 振荡器的原理：了解振荡器的基本原理和分类，如正弦波振荡器、方波振荡器、脉冲振荡器等。
2. 振荡器的稳定性：了解振荡器的稳定性条件和稳定性分析方法，如震荡幅度、相位噪声等。
3. 频率特性分析：了解频率响应的概念和分析方法，如Bode图、相频特性等。
五、模拟滤波器设计1. 模拟滤波器的分类：了解模拟滤波器的基本分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
2. 滤波器的设计方法：了解滤波器的设计方法和参数计算，如阻抗匹配、频率响应等。
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完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电子技术基础知识汇总
模拟电子技术第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1〕图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
《模拟电子技术》复习要点
《模拟电子技术》复习要点
1．半导体的基础知识（本证半导体和杂质半导体的概念及特点、温度对半导体导电性能的影响、PN结的形成及特性）
2．晶体管的管脚、类型的判断
3．晶体管和场效应管的三种工作状态的特点及外部条件、晶体管和场效应管放大电路的三种组态及特点
4．放大电路的基本分析方法及其适用场合
5．基本放大电路（包括差分放大电路）的分析（包括失真分析）和计算（静态和动态）
6．多级放大电路的耦合方式、特点、适用场合及其分析和计算
7．基本的运算电路的分析和计算（比例、加法、减法、乘法、除法、微分、积分、乘方、开方）
8．负反馈类型的判断、性能的改善、引入原则、深度负反馈放大电路的分析和计算
9．正弦波振荡电路（包括RC正弦波振荡电路和LC正弦波振荡电路）的起振和稳幅振荡条件、组成、电路特点、判断
10．电压比较器的种类及其电压传输特性的分析和计算
11．功放的特点、种类、两个主要性能指标及其分析（包括失真分析）和计算（最大输出功率、效率）、功放管的选择
12．直流稳压电源的组成、整流、滤波、稳压原理及其简单计算（包括整流元件的选择）。
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《模拟电子技术》复习要点
1. 掌握：二极管的结电流方程 T
D
S D V v I i exp
=，二极管的温度特性：S I 正温度特性，D v 负温度特性（p13），动态电阻T d D V r I =
, 直流电阻 D D D
V
R I = 2．BJT ：1C E I I β
α≈
=+β，α
αβ-=1, BJT 的工作状态及其类型、材料等的判别要熟悉。
4．BJT 构成的三种基本组态电路特点（p93）CE 放大电路出现的失真类型及克服措施要熟悉。
(p65) 5．各种场效应管的工作条件应熟悉.(p38)，三种基本组态电压增益的计算，注意单位。
6．通频带应含括信号带宽。
7．多级放大电路增益的计算，注意单位为倍，还是dB 8．差动放大电路双出输出和单端输出时差模电压增益的求取；有源负载差动放大电路差模电压增益的求取（注：有源负载能够把差放的双端输出无损耗地转化成单端输出（P124）） 9. 各种负反馈类型输入、输出、反馈量的特点（是电压量还是电流量？），输入、输出电阻、增益这三个指标的开环参数和闭环参数的关系要熟悉。
负反馈对放大电路性能指标的影响。
BW F A BW v vm f )1(+=
10．集成运放的组成及各部分的特点及作用。
（p237）
11.熟悉非正弦波振荡电路的组成、特点、原理、分析方法、时序波形图。
12．桥式整流、电容滤波电路（电容器容量足够大），正常输出直流电压V o =24V 。
（1）若有一个二极管短路，则输出直流电压V o1= ；（2）若滤波电容开路，则输出直流电压V o2= ；（3）若有一个二极管和滤波电容同时开路，则输出直流电压V o3= 。
（4）若仅有一个二极管开路，则输出直流电压V o4= 。
解：桥式整流电容滤波电路，全波：22.1V V o =，半波：20.1V V o =
滤波电容开路，则为纯电阻负载整流电路，全波：29.0V V o =，半波：245.0V V o = 注：当有一个管短路，则变压器次级被短路，电源被烧毁，输出为0。
13．稳压管应用电路组成，原理及分析。
14．三端稳压器型号的辨别。
15．一阶有源滤波器滤波特性。
（p287）
16．具有自举电路的双电源互补对称功放电路（OCL ），已知V V CC 9±=±，负载Ω=4L R ，正弦激励信号i v 峰值V V im 6=，则电路交流输出功率=o P ，功率转换效率=η ，对于功放管极限参数的要求为>CM P W ，>CM I A ； >CEO BR V )( V 。
要点：功放电路功率和效率的计算及功率管参数的选择，功率输出电路是由共集放大电路（射级跟随器）组成，因此其输出i o v v ≈。
（1）参数计算
L
CC
L CE CC L om L o o R V R v V R V R V P 22)(22
22min 22ξ=
-===，其中电源利用系数：CC om V V =ξ 极限运用时：1=ξ，则最大不失真输出功率为：L
CC
o R V P 22
max
= 电源提供的直流功率：ξπL CC dc R V P 22=，L
CC
dc R V P 2
max 2π=
每一个管的集电极功耗：当π
ξ2
=时，max max 2.0o c P P ≈
效率：ξπη4
==
dc o P P （2）管子参数选择： max 2.0o CM P P ≥，CC CEO BR V V 2)(>，L
CC
CM R V I >
（3）注意：当为单电源CC V 供电时，则上述公式中的“CC V ”以“CC V 2
1
”代替。
2-47，2-48
17．负反馈放大电路的自激振荡的条件。
18．直接耦合放大电路中需要解决的两个主要问题。
19．正弦波振荡电路各组成部分的功能，稳幅措施。
20、多级放大电路，(1）计算各级的静态工作电流；（2）求放大电路电路的输入电阻R i ，电压增
益i
o V V V A /=，输出电阻R o 解：（1）求解静态工作点：（射级偏置电路P70），电流源电路的简单计算 （2）画微变等效电路 （3）求交流性能指标 2-37，2-42，
21．单级共射放大电路频率特性分析。
（1）中频区的电压增益Ávsm 。
（2）用开路时间常数法分析f H ；（3）用短路时间常数法分析f L ; (4)用分频段近似分析法分析f H 和f L 。
（3-7）（3-8）
求全频段的源电压增益表达式 11vsm
vs
L H
A A f f
(j )(j )
f f =-⋅+
作放大电路的幅频特性波特图
22．负反馈类型的选用P231‘本章节结‘，4-4，4-7，4-9，4-17，4-18，深度负反馈条件下闭环增益的计算。
23. 运放线性及非线性应用电路分析。
例6-2-1~6-2-3，6-3，6-5，6-8，6-9，6-16，6-17，6-32电压比较器电路分析，画波形 27．RC 桥式正弦波振荡电路的组成（是否满足振荡的相位或幅度条件的判别），工作原理，分析计算（振荡频率，电路相关元件（)2R R f +的取值应满足什么条件），稳幅环节 28．8-3，8-10，8-13，8-15，16，17，18。