ITER极向场线圈PF4维修区域停堆剂量率分析

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环境样品中镎的分析方法研究进展

环境样品中镎的分析方法研究进展

96ECOLOGY 区域治理环境样品中镎的分析方法研究进展中国原子能科学研究院 放射化学研究所 方思源摘要:随着环境保护越来越受到关注,对于放射性污染关注度也变得越来越高,尤其是长寿命锕系元素,是裂变产物中重要的放射性来源,具有强放射性、高化学毒性,会对环境和人体产生很大的危害,因此是环境监测和后处理工艺分析中的重点研究对象。

由于其极长的半衰期、较高的环境迁移性及放射毒性,237Np成为环境放射性核素危害评价和高放废物地质处置中重点关注的核素。

本文主要调研了目前环境中237Np的来源及其在各种环境样品中的活度浓度水平,并针对已报道的分析方法,着重介绍样品的消解、快速富集、分离纯化及测量技术的研究进展,指出目前环境中痕量237Np准确分析的难点,展望镎的分析技术的发展方向和在环境治理中的应用。

关键词:237Np;环境样品;放化分离;核素测量技术中图分类号:X830.2文献标识码:A文章编号:2096-4595(2020)51-0096-0003随着核学科的发展,人们一方面追求核技术更成熟的应用,另一方面更加关注环境安全和公众健康。

长寿命痕量核素是裂变产物中重要的放射性来源,它的分离与测试研究领域是放射性污染环境治理、核法证研究、核素核数据测量﹑地球成因研究等方面的基础,也是目前国际上研究的热点[1]。

长寿命锕系元素具有强放射性、高化学毒性,会对环境和人体产生很大的危害,镎(Np)是其中之一,已知镎有19种具有放射性的同位素。

237Np ,半衰期T 1/2=2.14×106a 和236Np ,半衰期T 1/2=1.52×105a 是其中最稳定的。

相较于其他裂变产物,237Np 的放射性较低,但因其半衰期长,在环境中经化学反应、形态变化、生物浓缩﹑沉降吸收或吸附反应等过程后,积蓄在土壤、水系或生物体内,长期对环境构成危害[2]。

为了研究237Np 与大气和水体等介质的相互作用及其在自然环境中的行为,必须建立一套定量分析方法。

放射治疗学复习总结

放射治疗学复习总结

放射治疗学复习总结 IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】源皮距S S D:射野中心轴上辐射源前表面到体模表面的距离。

源瘤距STD:射野中心轴上辐射源前表面到肿瘤内所考虑点的距离。

源轴距SAD:射野中心轴上辐射源前表面到机架旋转中心或机器等中心点的距离。

机器等中心点:机架的旋转中心、准直器的旋转中心及治疗床的旋转中心在空间的交点。

PDD:百分深度剂量:体模内射线中心轴上某一深度d处的吸收剂量Dd与参考深度d0处吸收剂量D0之比的百分数,是描述沿射线中心轴不同深度处相对剂量分布的物理量。

剂量建成效应:百分深度剂量在体模内存在吸收剂量最大值,这种现象称为剂量建成效应。

从表面到最大剂量点深度称为剂量建成区高能X线的剂量建成效应要优中低能X线,且随能量的增大而增大;有利于保护皮肤。

GTV:肿瘤区:是指通过各种影像学、病理学等诊断形式可以明显确诊或可以肉眼分辨和断定的恶性病变位置和范围。

CTV:临床靶区:包括GTV、亚临床病灶和肿瘤可能侵犯的区域在内的临床解剖学体积。

ITV:内靶区:考虑了患者自身的脏器运动,由CTV加上一个内边界范围构成的体积。

PTV:计划靶区:包括ITV外,附加摆位不确定度边界、机器的容许误差范围和治疗中的变化。

OAR:危及器官:指某些正常的组织或器官。

它们的放射敏感性或耐受剂量对治疗计划的射野和处方剂量有直接影响。

眼55Gy脊髓45Gy皮肤55Gy脑干54剂量学四大原则1.靶区剂量准确、2.靶区剂量均匀,剂量梯度不超过5%、3.提高靶区受照剂量,减小正常组织受照量。

4.保护周围重要器官。

常规治疗:每次,5f/w1f/d非常规治疗:超分割、加速分割、大分割等。

TD5/5:表示在标准治疗条件下治疗的肿瘤患者,在5年之内因放射线造成严重损伤的患者不超过5%。

TD50/5:表示在标准治疗条件下治疗的肿瘤患者,在5年之后因放射线造成严重损伤的患者不超过50%。

EAST装置超导线圈超导保护

EAST装置超导线圈超导保护

四:对失超探测电压处理补充说明
• 用上述补偿法调试时可能会花一定的时间,但一旦前级信号处理调试 好后,超导保护应该会比较稳定。因为在大杜瓦实验时对极向场快速 励磁实验不是很多,(关于电感较大的大线圈因体积太大没法做), 也没有一饼以上线圈同时通电实验,所以我们积累的经验有限,希望 在前期调试给予充分配合。
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(mv)
失 超波形 (含 两 引 线)
3000
2000
电压 1000
0
-1000
-2000
-3000
-4000
(s)
36 38 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 66 68 70 72 74 时 间
2003/05/12/16/11
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一:失超信号探测方法的确定
• (一):EAST超导线圈失超保护的特点
• EAST极向场线圈采用CICC导体绕制,以脉冲方式运行以实现等 离子体建立和控制,磁场变化速率可达7T/S。等离子体的建立和崩 溃将在极向场线圈中产生大的感应电压噪声,di/dt引起的感应电 压(最大接近2000v)可比电阻电压大几个量级。小的失超信号 与很大的感应电压噪声并存,给失超探测带来了很大困难。迫切 需要一种具有高信噪比的失超信号探测方法。
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.060808
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.084948
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圆截面 等离子体位形下极向场线圈电流变化 dI/dt(kA/s)
No.
dt(s)
Ip
PF1
PF3
PF5

直线加速器的要紧部件学习笔记

直线加速器的要紧部件学习笔记

直线加速器的要紧部件学习笔记202101202021-01-20 17:34:13| 分类:直线加速器 | 标签:直线加速器 |举报 |字号大中小定阅加速管安装方式有竖向和横向低能直线加速器无中和偏转系统放射医治中利用的粒子加速器包括医用电子直线加速器医用电子回旋加速器医用质子回旋加速器医用质子同步加速器医用重离子同步加速器医用质子直线加速器二战终止后,人们发觉雷达技术中的圆波导管,在其中能够鼓励起一种具有纵向分量的电场(TM01模),它能够用来加速电子微波系统一样采纳频率为3GHz左右的微波,波长10cm微波系统的组成:磁控管、耦合器、波导、波导窗、移相器、隔离器、衰减器等。

在磁控管和加速管之间的波导内充有SF6。

磁控管磁控管一样由阴极、阳极、磁铁、能量输出装置、调频机构、冷却组成。

磁控管的阳极相关于阴极处于高电位,起搜集电子的作用,事实上它仍是自激振荡系统。

阳极上面开了许多圆孔和槽缝,每一个圆孔确实是一个圆柱形谐振腔,可等效为一个LC振荡回路,每一个腔通过槽缝彼此耦合,整个系统那么等效为一个耦合腔链当磁控管自激振荡成立起来时,在阳极和阴极之间的内腔区域显现交变电场彼此作用,互换能量。

最后由能量输出将能量输出。

电子在作用空间同时受三个场的作用:1.恒定电场:将阳极电源能量转化为电子的动能2.恒定磁场:使电子旋转运动产生交变电磁场,通过鼓励耦合腔产生微波。

3.微波电场:使电子减速,电子的动能进一步转化为微波能。

波导波导是空心的金属管,通常由黄铜、无氧铜或铝等材料制成。

电磁波被屏蔽在金属管内,空心波导内没有导体,减少了趋肤效应引发的热损耗,又幸免了高频介质损耗,因此波导管在高功率微波的传输中取得普遍的应用。

波导内充有必然气压的惰性气体以避免高功率微波再传输波导内发生电场击穿。

咱们机械利用的SF6束流传输系统由聚焦系统、对中系统及偏转系统组成。

聚焦线圈:利用其磁场力约束电子束流在加速进程中,在横向方向上始终靠近加速腔链中心轴线周围,保证电子束流顺利通过束流孔道,而可不能因横向散开打到束流孔道壁上损失掉。

《仪器分析》问题学习法总结(★)-写写帮文库

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••••••••••现在位置: > > 正文《仪器分析》问题学习法总结(★)时间:2019-05-12 作者:会员上传简介:写写帮文库小编为你整理了多篇相关的《《仪器分析》问题学习法总结》,但愿对你工作学习有帮助,当然你在写写帮文库还可以找到更多《《仪器分析》问题学习法总结》。

《仪器分析》问题学习法心得体会虽然只有短短的八周学习时间,但在张玲老师的指导学习下,使我对仪器分析这门学科了解颇多。

通过学习是我知道仪器分析是我们学化学的必学的一门课程,是化学分析中不可缺少的方法。

而且随着科技的发展,仪器分析变得越来越重要,在化学分析中的应用也越来越广泛。

因此,我们必须学好仪器分析。

就像张玲老师说的那样,大学毕业后我们什么书都可以卖掉,但《仪器分析》这本书一定要留下来。

张玲老师教导我们学习时,针对我们的学习内容,给我们布置了六个问题,让我们自己查找资料,设计出解决方案。

这种问题学习法让我们带着问题去学习,使我们对所学的内容了解的更深、更透彻,对所学的知识掌握的更牢固,同时也开阔了我们的视野,增长了我们的见识。

通过问题学习法,我有以下心得体会:一、增强了对所学知识的掌握以前,我们做实验,写实验报告都是照着实验书上抄的,很少考虑实验的条件、实验的影响因素等。

但问题学习法,所有的问题我们都要自己解决。

因此,实验的方法原理、实验所需要的仪器和试剂、实验条件、样品的处理、为什么选用这种方法等等问题都需要我们考虑。

这些都需要我们对所学的知识有全面的、彻底的了解。

所以,在不知不觉中我们对知识的掌握愈来愈牢固。

二、增强了动手能力虽然我们好几个人一个小组,但我们设计的实验方案不得抄袭,不能雷同。

所有的事都要我们自己去做,所有的问题都要我们自己解决。

同时,你还可以做一个相关的PPT上去讲,锻炼自己,这些都增强了我们的动手能力、实践能力。

我还有一个遗憾,就是由于时间比较紧,我做的PPT比较简陋、粗糙,讲的也不怎么好。

空间混合辐射环境器件单粒子在轨错误率预估及不确定度分析方法

空间混合辐射环境器件单粒子在轨错误率预估及不确定度分析方法

第K期 ! ! 张 付 强 等 空 间 混 合 辐 射 环 境 器 件 单 粒 子 在 轨 错 误 率 预 估 及 不 确 定 度 分 析 方 法
DKL
入 射 到 设 备 舱 中共 同 作 用 到 电 子 器 件 及 系 统 上 产 生 协 合 效 应 严 重 干 扰 电 子 设 备 性 能 评 估 选用和任务执行
摘要针对空间混合辐射对器件单粒子在轨错误率的影响基于典型静态随机存储器利 用 中 国 原 子 能 科 学研究院 ^;#':串列加速器以及钴源总剂量模拟辐照 试 验 装 置 开 展 协 合 效 应 研 究发 展 了 一 种 器 件 在 混合辐射环境下的单粒子在轨错误率计算方法并利用该方法计算了协合效应影响下的航天器典型任 务周期器件的在轨错误率同时分析了器件在轨错误 率 计 算 中 的 不 确 定 度 来 源 并 计 算 了 在 轨 错 误 率 不 确 定 度 结 果 表 明 对 于 该 类 型 器 件 空 间 混 合 辐 射 场 导 致 的 协 合 效 应 将 降 低 器 件 单 粒 子 在 轨 错 误 率 关 键 词 单 粒 子 在 轨 错 误 率 协 合 效 应 不 确 定 度 分 析 混 合 辐 射 中图分类号ERDDeAL'*'!!! 文献标志码Z!!!文章编号'===#TD:'8=8K=K#=DKA#=L &'('=*LA:NJd>*8=8:*J1PU(/5*=ALK
'L=9642B4?363C3):> D3:+6,(4)75<*)6E645'=8K':=9642 8LB4?363C3):> A6,7:);),37:46,?:>39)=964)?)D,2@)+<:>U,6)4,)?*)6E645'===8D=9642

化学生态培训(李为争)

化学生态培训(李为争)
乎采集信号的要求,进入 乎采集信号的要求,进入C:/-program filesSYNTECH-”Gc-Ead”-settings,用记事本打开 , IDAC4-GcEad.cfg,出现下列字符: ,出现下列字符: [Main] ReadOnly=0 IdacType=5 RecordStripHeight=25 TimeType=0
• 前导试验:GC-EAD技术研究昆虫的性信息素有较大的优势。 前导试验: 技术研究昆虫的性信息素有较大的优势。 技术研究昆虫的性信息素有较大的优势
由于天然植物粗提物等成分非常复杂,而各成分含量相对较低。 由于天然植物粗提物等成分非常复杂,而各成分含量相对较低。 你可以: 你可以:
• 1、加大进样量:峰分离效果变差; 、加大进样量:峰分离效果变差; • 2、浓缩物质:微量成分损失; 、浓缩物质:微量成分损失; • 3、改变分流比:无明显改善; 、改变分流比:无明显改善; • 建议:以柱层析分离混合组分,并以活体昆虫的行为测定追踪, 建议:以柱层析分离混合组分,并以活体昆虫的行为测定追踪,
SIG 1
接地
R E M O T E
2
Байду номын сангаас
电极制备
绝缘
10× 10× gain
3
参照化合物一般选择E-2-己烯醛,样品比较时采用0.01 (V/V) 的浓度溶解于石蜡油(植物挥发物)或正己烷(昆虫性信息素) 中。为了弄清楚一些反常的刺激反应数值,还应该对它们做剂 量反应试验(0.1,0.01,0.001,0.0001,0.00001)
• 接上电极而没有插入灌有 接上电极而没有插入灌有kaissling溶液的玻璃电极, 溶液的玻璃电极, 溶液的玻璃电极
用手接触放大器端信号应当有剧烈振幅( 用手接触放大器端信号应当有剧烈振幅(否则可能是 银丝太短); 银丝太短);

不同剂量F等离子体对GaN基器件横向电场分布的影响

不同剂量F等离子体对GaN基器件横向电场分布的影响

不同剂量F 等离子体对GaN 基器件横向电场分布的影响◎李佳霖陈冲李超李家雨王旭(作者单位:吉林建筑大学)随着科学技术的高速进步,以GaN 为代表的第三代半导体材料凭借其高禁带宽度、高电子饱和速度、良好的工作稳定性等优点,在高温大功率、微波器件领域拥有越来越重要的地位.目前,由于F 等离子体注入技术对提升AlGaN/GaN HEMT 能够产生明显影响,因此,本文针对不同剂量氟等离子体处理对AlGaN/GaN 器件的栅下横向电场分布进行了仿真模拟。

一、常规AlGaN/GaN HEMT 器件基本结构图1:常规AlGaN/GaN HEMT 器件基本结构图1为常规AlGaN/GaN HEMT 器件基本结构,器件的成型步骤如下,第一、在蓝宝石或者SiC 的衬底层上上生长AlN 成核层,厚度大约在100nm 左右,GaN 材料异质外延易因晶格适配造成大量缺陷,成核层的引入,可以减少晶格适配带来的问题,为生长GaN 缓冲层做铺垫。

第二,在AlN 成核层上生长1层1-3um 的GaN 作为器件的缓冲层,缓冲层一般用MOCVD 方法获得,第三,在GaN 缓冲层上生长一层约20nm 厚度的AlGaN 势垒层,AlGaN 和GaN 材料接触面由于极化作用,将产生高浓度的二维电子气。

第四,在AlGaN 势垒层上面再次生长一层2-3nm 的GaN 帽层,帽层分为N 型和P 型两种,不能类别的帽层结构具有不同的作用。

第五,图中的2DEG 指的是一种只能在AlGaN/GaN 异质结材料界面处自由移动的电子,在AlGaN/GaN 垂直的界面上不发生移动,正因为有2DEG 有只在平面移动的特性,GaN 基HEMT 才能进行工作。

但在器件的实际工作中,由于外加偏压过大,AlGaN 表面不够洁净、Al-GaN 势垒层生长情况不理想、GaN 材料背景载流子浓度过大、在器件的制备过程中,器件沾染杂质离子,都会导致二维电子气不仅在只在AlGaN/GaN 异质界面中发生移动,也会在垂直于AlGaN/GaN 的异质结界面发生移动,形成反向栅泄露电流,泄露电流形成的原理有很多中,例如陷阱电荷辅助遂川,直接遂川等都会降低AlGaN/GaN HEMT 器件的击穿电压,影响器件的性能和工作功率。

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o f S hu t do wn Do s e Ra t e i n I TER PF4 Co i l Ma i nt e n a n c e Zo n e
HE Ta o ,YANG Qi ,LI B i n ,Z H ENG J i a n ,H U L i — q i n 。 ’
第 3 5卷 第 2期
2 0 1 5焦
核 科 学 与 工 程
Nu c l e a r Sc i e nc e a nd En gi n e e r i n g
V ol _ 3 5 NO . 2
6月
J u n . 2 0 1 5
I T E R 极 向场 线 圈 P F 4维 修 区域 停 堆 剂 量 率 分 析
a s s um e t i me a f t e r s hu t d o wn do s e i S 1 0 s e c :Ca s e B a s s um e t he t i me a f t e r s hut do wn i S 1
( 1 . Un i v e r s i t y o f Sc i e n c e a nd Te c h n o l o g y o f Ch i n a,He f e i ,An h u i ,2 3 0 0 2 7,Ch i n a 2 . Ke y La b o r a t o r y of Ne ut r o n i e s a n d Ra d i a t i o n Sa [ e t y,I ns t i t u t e o f Nu c l e a r Ene r g y S a f e t y Te c h n o l o g y Ch i n e s e Ac a d e my of S c i e n c e s ,He f e i ,An h u i ,2 3 0 0 3 1,Ch i n a )
c r y os t a t w i l l i ndu c e r a di a t i o n ha z a r d, a s s e s s i ng t h e de c a y ga mma d os e r a t e i n s i d e
c r y o s t a t i s n e e d e d t o d e t e r mi n e a n d s c h e d u l e p e r s o n a l a c c e s s i b i l i t y t o p e r f o r m t h i s
r e pa i r . For t hi s pur p o s e,t hi s p a pe r ha s de s i g ne d t hr e e c a s e s t o s t ud y t he f e a s i bi l i t y me t hod s t o r e du c e t he a b s o r be d d os e o f wo r ke r . Ca s e A i S t h e r e f e r e nc e c a s e a n d
Ab s t r a c t :To b r i dg e t h e f a i l e d I TER PF Coi l s d ou bl e p a nc a ke , ha nd s — o n a c c e s s i s r e q ui r e d f o r t he i n s p e c t i o n a nd i ns t a l l a t i o n i n c r y o s t a t .As t he a c t i va t e d c o mp on e nt i n
摘要: 根据国际热核聚变实验堆 I TE R设计标准 , I TE R 极 向场 线 圈 ( P F C o i l s ) 的 人 工 检 测 和 连 接 维 修 任
务 的制 定 , 需 要 确 保 维 修 过 程 中工 人 所 受 到 的 辐 射 剂 量 水 平 不 超 过 剂 量 限 值 。基 于 I T E R 中子 学 基 准
, 杨 琪 , 李 斌 , 郑 剑 , 胡丽琴 何 桃
( 1 .中 国 科 学 技 术 大 学 , 安徽 合肥 2 3 0 0 2 7 ; 2 .中 国科 学 院核 能 安 全 技 术 研 究 所 , 中 国 科 学 院 中 子输 运 理 论 与 辐 射 安 全 重 点 实 验 室 , 安 徽 合肥 2 3 0 0 3 1 )
模型 B - l i t e , 利用二步法停堆剂量计算方法 , 在 大 型 集 成 中子 学 计 算 分 析 系统 Vi s u a l B US和 HE ND L数
据 库 支 持下 , 计算并分析了三种维修方案下 P F 4 维 修 区域 内 的停 堆光 子 剂 量 场 分 布 , 以分 析 降 低 维 修 工 人 辐 射 剂 量 水 平 的有 效 措 施 。结 果 表 明 , 与推迟维修工人进人 P F 4 维 修区域时间相 比, 采 用 临 时屏 蔽 的
措 施 更 能 显 著 降低 P F 4维 修 区域 内 的辐 射 剂 量 水 平 , 建议后续采用临时屏蔽措施 。
关键词 : I T E R; 停 堆维修 ; 职业照射剂量 ; 极 向 场 线 圈
中 图分 类 号 : T L 6 1 文章标志码 : A 文 章编 号 : 0 2 5 8 — 0 9 1 8 ( 2 0 1 5 ) 0 2 — 0 2 3 6 — 0 5
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