OrCAD PSpice 建模实例教程

合集下载

OrCAD 中文入门教程——附件(三极管的Pspice模型参数和PSpice特征函数)

OrCAD 中文入门教程——附件(三极管的Pspice模型参数和PSpice特征函数)

附件A、三极管的Pspice模型参数.Model <model name> NPN(PNP、LPNP) [model parameters]第 1 页共9页第 2 页共9页附件B、PSpice Goal Function第 3 页共9页附件CModeling voltage-controlled and temperature-dependent resistorsAnalog Behavioral Modeling (ABM) can be used to model a nonlinear resistor through use of Ohm抯 law and tables and expressions which describe resistance. Here are some examples.Voltage-controlled resistorIf a Resistance vs. Voltage curve is available, a look-up table can be used in the ABM expression. This table contains (Voltage, Resistance) pairs picked from points on the curve. The voltage input is nonlinearly mapped from the voltage values in the table to the resistance values. Linear interpolation is used between table values.Let抯 say that points picked from a Resistance vs. Voltage curve are:Voltage ResistanceThe ABM expression for this is shown in Figure 1.第 4 页共9页Figure 1 - Voltage controlled resistor using look-up tableTemperature-dependent resistorA temperature-dependent resistor (or thermistor) can be modeled with a look-up table, or an expression can be used to describe how the resistance varies with temperature. The denominator in the expression in Figure 2 is used to describe common thermistors. The TEMP variable in the expression is the simulation temperature, in Celsius. This is then converted to Kelvin by adding 273.15. This step is necessary to avoid a divide by zero problem in the denominator, when T=0 C.NOTE: TEMP can only be used in ABM expressions (E, G devices).Figure 3 shows the results of a DC sweep of temperature from -40 to 60 C. The y-axis shows the resistance or V(I1:-)/1A.Figure 2 - Temperature controlled resistor第 5 页共9页Figure 3 - PSpice plot of Resistance vs. Temperature (current=1A)Variable Q RLC networkIn most circuits the value of a resistor is fixed during a simulation. While the value can be made to change for a set of simulations by using a Parametric Sweep to move through a fixed sequence of values, a voltage-controlled resistor can be made to change dynamically during a simulation. This is illustrated by the circuit shown in Figure 5, which employs a voltage-controlled resistor.第 6 页共9页Figure 4 - Parameter sweep of control voltageThis circuit employs an external reference component that is sensed. The output impedance equals the value of the control voltage times the reference. Here, we will use Rref, a 50 ohm resistor as our reference. As a result, the output impedance is seen by the circuit as a floating resistor equal to the value of V(Control) times the resistance value of Rref. In our circuit, the control voltage value is stepped from 0.5 volt to 2 volts in 0.5 volt steps, therefore, the resistance between nodes 3 and 0 varies from 25 ohms to 100 ohms in 25 ohm-steps.第7 页共9页Figure 5 - Variable Q RLC circuitA transient analysis of this circuit using a 0.5 ms wide pulse will show how the ringing differs as the Q is varied.Using Probe, we can observe how the ringing varies as the resistance changes. Figure 6 shows the input pulse and the voltage across the capacitor C1. Comparing the four output waveforms, we can see the most pronounced ringing occurs when the resistor has the lowest value and the Q is greatest. Any signal source can be used to drive the voltage-controlled resistance. If we had used a sinusoidal control source instead of a staircase, the resistance would have varied dynamically during the simulation.第8 页共9页Figure 6 - Output waveforms of variable Q RLC circuit第9 页共9页。

orcad仿真教程实例 -回复

orcad仿真教程实例 -回复

orcad仿真教程实例-回复“orcad仿真教程实例”:Orcad是一种常用的电子设计自动化(EDA)工具,被广泛应用于电子电路设计领域。

它提供了丰富的仿真和分析功能,可以帮助工程师们对电路进行准确的仿真和优化。

在本篇文章中,我们将一步一步地介绍如何在Orcad中进行仿真,并以一个具体的电路设计实例进行说明。

第一步:创建工程首先,在Orcad软件中创建一个新的工程。

在菜单栏中选择“File”,然后点击“New Project”来新建一个工程。

选择一个合适的目录,为工程命名,并选择“Create project”选项。

第二步:添加原理图在新建的工程中,我们需要添加原理图。

在左侧面板中,可以看到一个“Hierarchy”选项。

右击该选项,选择“Add New Sheet”,然后为原理图命名。

为了简化,我们假设我们要设计一个简单的LED闪烁电路,我们将原理图命名为“LED_blink”。

第三步:绘制原理图打开新创建的原理图,在Orcad中,可以通过拖拽组件来绘制电路图。

在绘制LED闪烁电路的原理图时,我们需要添加以下组件:一个555定时器芯片、几个电阻、一个电容和一个LED。

将它们添加到原理图中适当的位置。

第四步:设置参数一旦将组件添加到原理图中,我们需要设置每一个组件的参数。

以555定时器芯片为例,右击芯片并选择“Edit Properties”。

在弹出的对话框中,可以设置芯片的型号、电源电压和其他参数。

对其他组件也进行类似的操作。

第五步:连接电路在原理图中连接每个组件。

在Orcad中,可以使用“Net”工具来绘制线路。

点击工具栏中的“Net”按钮,然后点击一个组件的引脚,再点击另一个引脚来连接它们。

以LED为例,将其正极连接到555定时器芯片的输出引脚,负极连接到地。

第六步:设置仿真配置在完成电路连接后,需要设置仿真的配置参数。

在菜单栏中选择“PSpice”,然后点击“Edit Simulation Profile”。

如何在ORCAD中自建仿真模型

如何在ORCAD中自建仿真模型

如何在ORCAD中自建仿真模型(由lib文件生成olb文件并加入到库中)当需要对一个完全陌生的电子或光纤元器件建立其电路模型时,有时pspice自带的元件库可能完全派不上用场,特别是在对非线性有源器件进行模拟分析时,使用pspice library中的基本模型如vcvs,vccs,ccvs,cccs等也许根本无法建立达到使用要求的特殊器件模型,或者建立不了足够准确的模型。

pspice在设计之初就是完全靠数学方程的建立和求解来解决电路模拟问题的,也就是说原本只要有数学解析表达式存在,就一定能够建立起任何需要的电路模型。

随着产品的商用,功能越来越多,元件库越来越大。

图形界面代替了原本纯文本代码描述的电路结构。

这种变革在为人们带来使用上的方便的同时,却也让后来的使用者无法从该软件的本质核心看待。

因为人们习惯于调用设计者封装好的大量元器件模型和高级函数来进行运算分析,却疏于了解这些被调用的对象在设计之初是怎样形成的,问题是当所有可以调用的对象都无法满足用户的需要时,用户该怎样自己动手建立可用的准确的模型呢?这绝对成为困扰普通用户的障碍。

实际上即使发展到今天,在繁多的人机交互功能和漂亮的图形界面下pspice仍然贯彻着最初设计的建模分析的手段。

因此我们在掌握了所研究的对象的数学表达式之后,可以建立起满意的电路模型。

现在以最新的OrCAD/Pspice v9.2为平台简要介绍用户自建模型的方法。

首先新建一个文本文件,写入所要建模对象的数学模型。

注意输入文件语法还是有比较严格的规范的。

简单来说,文件结构是由注释,子电路模型声明,参数声明,函数声明,电路结构声明,结束声明构成。

子电路声明必须由关键字.subckt 起始,描述子电路名、端口名和顺序;参数声明由.param起始,描述参数名和参数值;函数声明由.func起始,描述函数名和函数解析式;电路结构声明由电路结构关键字C电容,R电阻,E电压源,F电流源,G电导,Q晶体管, D二极管,X子电路等起始,描述元件名、连接节点、元件值。

Orcad PSpice

Orcad PSpice

Orcad PSpiceOrCAD PSpice培训教材培训目标:熟悉PSpice的仿真功能,熟练掌握各种仿真参数的设置方法,综合观测并分析仿真结果,熟练输出分析结果,能够综合运用各种仿真对电路进行分析,学会修改模型参数。

一、 PSpice分析过程设置仿真参数绘制原理图运行仿真观测并分析仿真结果二、绘制原理图原理图的具体绘制方法已经在Capture中讲过了,下面主要讲一下在使用PSpice时绘制原理图应该注意的地方。

1、新建Project时应选择Analog or Mixed-signal Circuit2、调用的器件必须有PSpice模型首先,调用OrCAD软件本身提供的模型库,这些库文件存储的路径为Capture\Library\pspice,此路径中的所有器件都有提供PSpice模型,可以直接调用。

其次,若使用自己的器件,必须保证*.olb、*.lib两个文件同时存在,而且器件属性中必须包含PSpice Template属性。

3、原理图中至少必须有一条网络名称为0,即接地。

4、必须有激励源。

原理图中的端口符号并不具有电源特性,所有的激励源都存储在Source和SourceTM库中。

5、电源两端不允许短路,不允许仅由电源和电感组成回路,也不允许仅由电源和电容组成的割集。

解决方法:电容并联一个大电阻,电感串联一个小电阻。

6、最好不要使用负值电阻、电容和电感,因为他们容易引起不收敛。

三、仿真参数设置2PSpice能够仿真的类型在OrCAD PSpice中,可以分析的类型有以下8种,每一种分析类型的定义如下:直流分析:当电路中某一参数(称为自变量)在一定范围内变化时,对自变量的每一个取值,计算电路的直流偏置特性(称为输出变量)。

交流分析:作用是计算电路的交流小信号频率响应特性。

噪声分析:计算电路中各个器件对选定的输出点产生的噪声等效到选定的输入源(独立的电压或电流源)上。

即计算输入源上的等效输入噪声。

OrCAD PSpice仿真实验

OrCAD  PSpice仿真实验

OrCAD PSpice仿真实验实验5.1 直流扫描分析实验实验目的:1)学会使用电路绘制程序在Capture CIS环境内绘制所需要的电路图.2)学习偏压点分析和直流扫描分析.3)练习使用电路仿真程序执行仿真并显示出波形,将仿真结果与理论计算值比较加以验证.实验设备:1)个人电脑2)OrCAD 9.2Release软件实验内容与步骤:1.听指导教师讲解OrCAD基本知识及基本操作方法.2.按下列操作步骤依次完成仿真和结果预测.1)偏压点分析并观察输出文件的内容.1.绘出电路图.2.设置参数.3.保存.4.启动Pspice仿真及观察输出文件的内容.2)直流扫描分析并观察输出波形1.调出原电路图文件并设置DC Sweep直流扫描分析参数.2.存档并执行仿真.3.观察仿真输出结果.4.打印输出波形.5.将输出波形存成图形文件.实验电路图:输出结果:**** INCLUDING wz___3-SCHEMA ***** source WZ___3V_V1 N00113 0 15VdcR_R1 N00113 N00143 12R_R2 0 N00207 10R_R3 0 N00157 40I_I1 N00157 0 DC 4AdcV_PRINT1 N00143 N00221 0V.PRINT DC I(V_PRINT1)V_PRINT2 N00221 N00157 0V.PRINT DC I(V_PRINT2)V_PRINT3 N00207 N00221 0V.PRINT DC I(V_PRINT3)NODE VOL TAGE NODE VOL TAGE NODE VOL TAGE NODE VO L TAGE(N00113) 15.0000 (N00143) -13.2000 (N00157) -13.2000 (N00207) -13.2000(N00221) -13.2000VOL TAGE SOURCE CURRENTSNAME CURRENTV_V1 -2.350E+00V_PRINT1 2.350E+00V_PRINT2 3.670E+00V_PRINT3 1.320E+00实验结果分析:I1=2.350A I2=3.670A I3=1.320AI2=I1+I3 所以结果符合叠加原理实验5.3 交流扫描分析实验实验目的:练习使用Pspice的交流扫描分析(AC sweep)功能,进行交流电路的分析计算,以及电路频率的特性分析.实验设备:1)个人电脑2)OrCAD 9.2Release软件实验内容与步骤:1)绘制电路图.设置参数:分析类型设置为交流扫描(AC sweep),并选择原始频率为1Hz,终止频率为100kHz,每十倍频程的扫描点数Points/decade设置为100.2)执行Pspice仿真完成后,自动进入图形处理界面.3)添加曲线命令.观察波形,打印输出波形.4)查看输出文件.实验电路图:输出图形:输出结果:V_V1 N01192 0 DC 0 AC 220V acR_R2 0 N01110 280L_L2 N01192 N01169 1.65V_PRINT1 N01169 N011430V.PRINT AC IM(V_PRINT1)R_R1 N01143 N01110 20NODE VOL TAGE NODE VOL TAGE NODE VO L TAGE NODE VOL TAGE (N01110) 0.0000 (N01143) 0.0000 (N01169) 0.0000 (N01192) 0.0000VOL TAGE SOURCE CURRENTSNAME CURRENTV_V1 0.000E+00V_PRINT1 0.000E+00TOTAL POWER DISSIPA TION 0.00E+00 W A TTS。

OrCAD-PSPICE-仿真入门

OrCAD-PSPICE-仿真入门
采用PSPICE电路仿真引擎, ORCAD-PSPICE能够提供高 精度的电路性能分析和仿真 结果。
强大的分析工具
ORCAD-PSPICE提供了丰富 的分析工具,如波形分析、 频谱分析、噪声分析等,帮 助用户深入了解电路性能。
灵活的参数化分析
用户可以通过参数化分析功 能,对电路元件参数进行扫 描和优化,找到最佳的电路 性能。
THANKS FOR WATCHING
感谢您的观看
orcad-pspice仿真入门
目 录
• 引言 • ORCAD-PSPICE概述 • ORCAD-PSPICE仿真流程 • 常见电路仿真分析 • 高级仿真技术 • ORCAD-PSPICE仿真实例
01 引言
目的和背景
学习和掌握ORCAD-PSPICE仿真软件, 能够为电子工程师提供强大的电路设 计和分析工具,帮助他们快速验证电 路原理、优化电路参数和提高设计效 率。
ORCAD-PSPICE支持模拟、数字和混合信号电路的仿真,能够进行电路性能分析和优化,帮助工程师快速、准确地完成电路 设计和验证。
ORCAD-PSPICE的功能和特点
丰富的元件库
ORCAD-PSPICE提供了广泛 的元件库,包括各种模拟、 数字和混合信号元件,方便 用户进行电路设计和仿真。
高精度仿真
蒙特卡洛分析
蒙特卡洛分析是一种基于概率统计的 仿真技术,用于分析电路性能的统计 分布情况。在Orcad-Pspice中,可 以通过在仿真设置中设置蒙特卡洛分 析参数,对电路性能进行概率统计。
VS
蒙特卡洛分析可以帮助设计者了解电 路性能的统计分布情况,从而评估电 路性能的可靠性。
最坏情况分析
最坏情况分析是一种仿真技术,用于分析电 路性能在元件参数最坏情况下的表现。在 Orcad-Pspice中,可以通过在仿真设置中 设置最坏情况分析参数,对电路性能进行最 坏情况分析。

第二讲ORCAD之PSPICEAD数模混合仿真模块-文档资料

第二讲ORCAD之PSPICEAD数模混合仿真模块-文档资料

请看演示…….
PSpice 交流分析
运行仿真程序,放置电压探针在out端(或者在 Probe 演示窗口中加入V(out)波形 ) 仿真结果如下:

PSpice 中的噪声分析


噪声分析是针对电路中固有噪声(如电阻和半导体的工作 噪声)所做的分析,它的计算结果时所求节点相对于输入 独立源的等效噪声。 伴随AC交流分析而进行 所涉及的噪声种类:
PSpice 中的噪声分析

V(INOISE)和V(ONOISE) (菜单 Trace>Add Trace…或 快捷 键 ) INOISE 即INPUT NOISE ONOISE 即OUTPUT NOISE
5.确定后,运行仿真。在PSpice A/D窗口中加入波形
噪声的计算方法: 输出节点的总噪声除 以相对输入激励源的 电路的总增益

编写VHDL (EXPRESS) 绘制电路图 (CAPTURE) 进行电路混合仿真 (PSPICE A/D) 设计电路板 (LAYOUT)
VHDL仿真 (EXPRESS)
运用 PSpice 的基本条件
1.待仿真的元器件模型必须是PSpice的仿 真模型 2.电路中应该含有激励源,并且符合相应 的电路特性分析类型的要求 3.必须设置好合适的电路特性分析类型
热噪声: 电子的无序运动引起 散弹噪声:单位时间通过PN结的载流子数目变化造成 闪烁噪声: 能量主要集中在低频段,由于生产工艺的缺陷而引起


等效噪声:将整个电路中的噪声源都集中折算到选定的独 立源处,然后计算在等效的噪声源的激励下,所求节点处 产生的噪声。 PSpice可以分析每个频率点上指定节点的等效输出噪声电 压和指定输入端的等效输入噪声电压。噪声电压的单位是 V A 或 Hz ,即把噪声电平对噪声带宽的均方根进行归 Hz 一化

OrCAD_PSpice简明教程

OrCAD_PSpice简明教程

OrCAD_PSpice简明教程PSPICE简明教程宾西法尼亚⼤学电⽓与系统⼯程系University of PennsylvaniaDepartment of Electrical and Systems Engineering编译:陈拓2009年8⽉4⽇原⽂作者:Jan Van der Spiegel, ?2006 jan_at_/doc/92ba9b2de2bd960590c67752.html Updated March 19, 2006⽬录1. 介绍2. 带OrCAD Capture的Pspice⽤法2.1 第⼀步:在Capture 中创建电路2.2 第⼆步:指定分析和仿真类型偏置或直流分析(BIAS or DC analysis)直流扫描仿真(DC Sweep simulation)2.3 第三步:显⽰仿真结果2.4 其他分析类型:2.4.1瞬态分析(Transient Analysis)2.4.2 交流扫描分析(AC Sweep Analysis)3. 附加的使⽤Pspice电路的例⼦3.1变压器电路3.2 使⽤理想运算放⼤器的滤波器交流扫描(滤波器电路)3.3 使⽤实际运算放⼤器的滤波器交流扫描(滤波器电路)3.4 整流电路(峰值检波器)和参量扫描的使⽤3.4.1 峰值检波器仿真(Peak Detector simulation)3.4.2 参量扫描(Parametric Sweep)3.5 AM 调制信号3.6 中⼼抽头变压器4. 添加和创建库:模型和元件符号⽂件4.1 使⽤和添加⼚商库4.2 从⼀个已经存在的Pspice模型⽂件创建Pspice符号4.3 创建你⾃⼰的Pspice模型⽂件和符号元件参考书⽬1. 介绍是⼀种强⼤的通⽤模拟混合模式电路仿真器,可以⽤于验证电路设计并且预知 SPICE电路的⾏为,这对于集成电路特别重要,1975年SPICE最初在加州⼤学伯克利分校被开发时也是基于这个原因,正如同它的名字所暗⽰的那样:S imulation P rogram for I ntegrated C ircuits E mphasis.PSpice 是⼀个PC版的SPICE(Personal-SPICE),可以从属于Cadence设计系统公司的OrCAD公司获得。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

OrCAD PSpice 建模实例教程网址:/rdtech一.获得.LIB文件( 四种途径)1.由网页下载pspice model,保存为*.MOD文件;启动PSpice Model Editor模型编辑器,File/New建立一个新的.lib文件, model/Import..导入.MOD文件;File/Save AS,另存为\Orcad\Capture\Library\PSpice\****.lib文件;2.由网页下载获得描述语句;利用记事本保存为.lib 文件;启动PSpice Model Editor模型编辑器,File/open打开*.lib文件;3.由网页直接下载获得*.lib文件;启动PSpice Model Editor模型编辑器,File/open打开.lib文件;4.通过.model 或 .subckt语言建立仿真模型。

备注:具体的.model与.subckt使用,请参照网址:/rdtech/blog/item/14f8c83c71916fca9e3d6239.html获取仿真模型实例:l以MAXIM美信电子MAX15000为例:n下载PSpice模型网址为:/tools/spice/pspice/在这里我们下载MAX15000.FAMl以TI德州仪器THS4131为例:n下载地址为:/cn/docs/prod/folders/print/ths4131.html模型下载具体图片位置:德州仪器的TH4131S下载的zip文件里面包含了4个文件:readme.txt,ths4131.lib,ths4131.txt,ths4131.olb。

这里的*.lib模型文件和*.olb元件图形已经建立好,用户可以按照readme.txt内容自己建立仿真。

l通过.model语言建立仿真模型n用记事本写入如下文字并保存为*.lib文件.model Rrrrr RES R=10这里的R=10不是代表R=10ohm,而是代表R=value乘以10倍二. 获得.olb 文件(两种方案)1. 由网页上直接下载.olb 文件2. 启动PSpice Model Editor模型编辑器,File/open打开步骤一的.lib文件;File/Export to capture libraryBrowse... 在打开的窗口中 Enter Input Model Library :选择步骤一的lib 文件目录,选择相应的文件输出即可得到.olb文件。

过程信息:PSpice Schematics to Capture translator0 Error messages, 0 Warning messages;OK即可特别注意:手动写入的*.lib需要重新另存为一下,否则输出的*.olb文件内容为空白。

比对:另存为之前:.model Rrrrr RES R=10另存为之后:* PSpice Model Editor - Version 10.2.0*$.model Rrrrr RES R=10*$获得OLB文件实例:l MAXIMm美信电子的MAX15000为例:以记事本打开MAX15000.FAM内容如下:* MAX15000 MACROMODEL* ------------------------------* Revision 0, 2/2009* ------------------------------* MAX15000 current-mode PWM controller contain all the control circuitry required for the design of wide-input-voltage isolated and nonisolated power supplies.* ------------------------------*Note:** Macro model is developed using the typical deviceparameters given in the data sheet with 12 volts power supply. Model does not take care of the device non-linearity with temperature variations. Model characteristics may not match actual device behavior at abnormal operating conditions.** Increase ITL4 to 100 & RELTOL to 0.1 for better convergence.** Connections* 1 = UVLO/EN* 2 = UFLG* 3 = FB* 4 = COMP* 5 = CS* 6 = RT* 7 = GND* 8 = NDRV* 9 = Vcc* 10 = IN****************.subckt MAX15000 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10V_MAX15000_V4 MAX15000_N123240170 7 5VE_MAX15000_E13 MAX15000_N12305576 10MAX15000_N12305839 7 2.372E_MAX15000_E15 MAX15000_N12370254 7 VCC5 7 0.246V_MAX15000_V2 MAX15000_N122774730 7 1VC_MAX15000_C7 7 8 1pD_MAX15000_SS_CO3_D2 7 MAX15000_SS_N12273947 diodemacro_mostidealG_MAX15000_SS_CO3_G1 MAX15000_SS_N12273947 7MAX15000_SS_N12274065+ MAX15000_SS_N12274111 -1E6D_MAX15000_SS_CO3_D1 MAX15000_SS_N12273947 VCC5 diodemacro_mostidealG_MAX15000_SS_G1 MAX15000_SS_N12274065 7MAX15000_CLKSHT 7 -1E-3E_MAX15000_SS_E29 MAX15000_SS_N122744072 7MAX15000_SS_N12274381 7 1V_MAX15000_SS_V4 MAX15000_SS_N122740873 7 3.15VG_MAX15000_SS_G2 MAX15000_N12276477 7MAX15000_SS_N12273947 7 -2.06E-3E_MAX15000_SS_E27 MAX15000_SS_N122739632 7MAX15000_CLK+ MAX15000_SS_N12274447 1C_MAX15000_SS_C1 7 MAX15000_SS_N12274065 1nE_MAX15000_SS_E30 MAX15000_SS_N122740090 7MAX15000_CLK 7 1D_MAX15000_SS_D1 MAX15000_SS_N122739632MAX15000_CLKSHT+ diodemacro_idealR_MAX15000_SS_R5 7 MAX15000_CLKSHT 1kC_MAX15000_SS_C5 7 MAX15000_SS_N12274285 100p D_MAX15000_SS_D4 7 MAX15000_N12276477diodemacro_idealT_MAX15000_SS_T1 MAX15000_SS_N122740090 7MAX15000_SS_N12274381 7 Z0=50+ TD=10E-9R_MAX15000_SS_R4 MAX15000_SS_N12273947MAX15000_SS_N12274285 1R_MAX15000_SS_R6 7 MAX15000_SS_N12274381 50R_MAX15000_SS_R3 MAX15000_SS_N12274447MAX15000_SS_N122744072 1kD_MAX15000_SS_D2 7 MAX15000_SS_N12274447 diodemacro_idealC_MAX15000_SS_C6 7 MAX15000_SS_N122743191 20n C_MAX15000_SS_C2 7 MAX15000_N12276477 1nE_MAX15000_SS_E2 MAX15000_SS_N12274111MAX15000_SS_N122740873+ MAX15000_SS_N12274285 7 -0.628R_MAX15000_SS_R7 MAX15000_SS_N12273947MAX15000_SS_N122743191 1D_MAX15000_SS_D3 MAX15000_N12276477MAX15000_N12370254 diodemacro_ideal+M_MAX15000_SS_M4 MAX15000_SS_N12274065MAX15000_SS_N122743191 7 7 NJNT+ L=1u W=200uV_MAX15000_V10 MAX15000_N122956301 7 1.23VM_MAX15000_M5 MAX15000_N12284031 MAX15000_UEN 7 7 NJNT L=1u W=2uM_MAX15000_M9 9 MAX15000_UEN 7 7 NJNT L=1u W=2u D_MAX15000_CO11_D2 7 MAX15000_N12295508 diodemacro_mostidealG_MAX15000_CO11_G1 MAX15000_N12295508 7MAX15000_N12295498+ MAX15000_N122956301 -1E6D_MAX15000_CO11_D1 MAX15000_N12295508MAX15000_N12330605+ diodemacro_mostidealE_MAX15000_E12 MAX15000_INV 7 MAX15000_N12309471 MAX15000_N12305617 1C_MAX15000_C10 7 MAX15000_N12284031 50pD_MAX15000_Z1 7 10 ZenerG_MAX15000_G1 10 7 VCC5 7 0.4E-3E_MAX15000_E11 MAX15000_UEN 7 MAX15000_N12330605 MAX15000_N12295508 1E_MAX15000_E17 MAX15000_N12283903 7MAX15000_N12283787+ MAX15000_N12284031 1I_MAX15000_I8 10 7 DC 50uAM_MAX15000_M7 MAX15000_N12326010 MAX15000_UEN 7 7 NJNT L=1u W=2uM_MAX15000_M8 MAX15000_N12326010 MAX15000_INV 7 7 NJNT L=1u W=2uI_MAX15000_I1 2 7 DC 0.1uAM_MAX15000_M4 MAX15000_N12284031 MAX15000_N12292281 7 7 NJNT L=1u W=2uM_MAX15000_M6 MAX15000_N12284031 MAX15000_INV 7 7 NJNT L=1u W=2uC_MAX15000_C5 7 MAX15000_N12280600 1nV_MAX15000_V3 MAX15000_N12309471 7 30VI_MAX15000_I7 1 7 DC 50nAR_MAX15000_R2 MAX15000_N123240170MAX15000_N12326010 1kE_MAX15000_E16 MAX15000_N12283787 7 9 7 1D_MAX15000_CO1_D2 7 MAX15000_N12280600diodemacro_mostidealG_MAX15000_CO1_G1 MAX15000_N12280600 7 4MAX15000_N122774221 -1E6D_MAX15000_CO1_D1 MAX15000_N12280600 VCC5 diodemacro_mostidealC_MAX15000_FF_C1 7 MAX15000_FF_N12152992 1nG_MAX15000_FF_G1 MAX15000_FF_N12152992 7MAX15000_CLKSHT 7 -1E3M_MAX15000_FF_NAND1_M4 MAX15000_FF_NAND1_N6953533 MAX15000_FF_N12152992+ 7 7 NMOS L=1u W=2uM_MAX15000_FF_NAND1_M1 MAX15000_N12292281MAX15000_CLK VCC5 VCC5 PMOS+ L=1u W=4uM_MAX15000_FF_NAND1_M2 MAX15000_N12292281MAX15000_FF_N12152992 VCC5+ VCC5 PMOS L=1u W=4uM_MAX15000_FF_NAND1_M3 MAX15000_N12292281MAX15000_CLK+ MAX15000_FF_NAND1_N6953533 7 NMOS L=1u W=2uD_MAX15000_FF_D1 MAX15000_FF_N12152992 VCC5 diodemacro_idealG_MAX15000_FF_G2 MAX15000_FF_N12152992 7MAX15000_N12281820 7 1E3D_MAX15000_FF_D2 7 MAX15000_FF_N12152992 diodemacro_idealE_MAX15000_Reg_E6 MAX15000_Reg_N11286356 7 10 7 1 R_MAX15000_Reg_R2 7 MAX15000_Reg_N11286330 10k R_MAX15000_Reg_R3 MAX15000_Reg_N112870800MAX15000_Reg_N11286366 1kE_MAX15000_Reg_E1 MAX15000_Reg_N112863222 7MAX15000_Reg_N11286330+ MAX15000_Reg_N11286366 6000V_MAX15000_Reg_Vr MAX15000_Reg_N112870800 7 1VE_MAX15000_Reg_E7 MAX15000_Reg_N112884131 7 10 MAX15000_Reg_N112885331+ -1000D_MAX15000_Reg_D1 MAX15000_Reg_N11286334 9 diodemacro_idealV_MAX15000_Reg_V3 MAX15000_Reg_N112863960 7 24VV_MAX15000_Reg_V4 MAX15000_Reg_N112885331 7 2.5VE_MAX15000_Reg_E5 MAX15000_Reg_N112864202 7 10 MAX15000_Reg_N112863960+ 1000M_MAX15000_Reg_M3 MAX15000_Reg_N11286366MAX15000_Reg_N112884131 7 7+ NJNT L=1u W=2uM_MAX15000_Reg_M1 MAX15000_Reg_N11286334MAX15000_Reg_N112863222+ MAX15000_Reg_N11286356 MAX15000_Reg_N11286356 PLDO L=1u W=4uR_MAX15000_Reg_R1 MAX15000_Reg_N11286330MAX15000_Reg_N11286334 85kM_MAX15000_Reg_M2 MAX15000_Reg_N11286334MAX15000_Reg_N112864202 7 7+ NJNT L=1u W=2uC_MAX15000_C4 7 MAX15000_N12280660 1nV_MAX15000_Oscill1_V1 MAX15000_Oscill1_N113076200 7 0.5VE_MAX15000_Oscill1_E3 MAX15000_Oscill1_N11315015 7 + MAX15000_Oscill1_N11319008 7 100D_MAX15000_Oscill1_D2 7 MAX15000_Oscill1_N11299105 diodemacro_idealC_MAX15000_Oscill1_C4 7 MAX15000_Oscill1_N11319008 1pE_MAX15000_Oscill1_E1 MAX15000_Oscill1_N11299295 7 6 7 100R_MAX15000_Oscill1_R3 MAX15000_Oscill1_N112991672 + MAX15000_Oscill1_N11319008 1kC_MAX15000_Oscill1_C3 7 MAX15000_CLK 2uI_MAX15000_Oscill1_I2 7 MAX15000_Oscill1_N11299105 DC 1AC_MAX15000_Oscill1_C1 7 MAX15000_Oscill1_N11299105 2uC_MAX15000_Oscill1_C2 7 MAX15000_Oscill1_N11305513 1nD_MAX15000_Oscill1_CO1_D2 7 MAX15000_CLK diodemacro_mostidealG_MAX15000_Oscill1_CO1_G1 MAX15000_CLK 7MAX15000_Oscill1_N11299273+ MAX15000_Oscill1_N11299105 -1E6D_MAX15000_Oscill1_CO1_D1 MAX15000_CLK VCC5 diodemacro_mostidealD_MAX15000_Oscill1_CO2_D2 7MAX15000_Oscill1_N112991672+ diodemacro_mostidealG_MAX15000_Oscill1_CO2_G1MAX15000_Oscill1_N112991672 7+ MAX15000_Oscill1_N11299105 MAX15000_Oscill1_N11308096-1E6D_MAX15000_Oscill1_CO2_D1MAX15000_Oscill1_N112991672 VCC5+ diodemacro_mostidealM_MAX15000_Oscill1_M1 MAX15000_Oscill1_N11308096+ MAX15000_Oscill1_N11315015 MAX15000_Oscill1_N113076200 7 NJNT L=1u W=2uR_MAX15000_Oscill1_R2 MAX15000_Oscill1_N11305513+ MAX15000_Oscill1_N11315015 1C_MAX15000_Oscill1_C5 MAX15000_Oscill1_N11308096 7 1nE_MAX15000_Oscill1_E2 MAX15000_Oscill1_N11299273 7 6 7 50R_MAX15000_Oscill1_R1 MAX15000_Oscill1_N11299295+ MAX15000_Oscill1_N11308096 1kM_MAX15000_Oscill1_M2 MAX15000_Oscill1_N11299105+ MAX15000_Oscill1_N11305513 7 7 NJNT L=1u W=200uI_MAX15000_Oscill1_I1 7 6 DC 1uAV_MAX15000_V5 MAX15000_N12330605 7 5VD_MAX15000_EAMP_Ds2 7 4 diodemacro_idealR_MAX15000_EAMP_Rg 4 MAX15000_EAMP_N11295091 1I_MAX15000_EAMP_Ifb 3 7 DC 50nAE_MAX15000_EAMP_E1 MAX15000_EAMP_N11295091 7MAX15000_N12276477+ MAX15000_EAMP_N11294879 1E5V_MAX15000_EAMP_Voff MAX15000_EAMP_N11294879 3 1mV D_MAX15000_EAMP_Ds1 4 VCC5 diodemacro_idealM_MAX15000_M10 8 MAX15000_UEN 7 7 NJNT L=1u W=2uR_MAX15000_R9 MAX15000_N12295508 MAX15000_N12295588 0.01M_MAX15000_NAND2_M4 MAX15000_NAND2_N6953533MAX15000_N12280600 7 7 NMOS+ L=1u W=2uM_MAX15000_NAND2_M1 MAX15000_N12281820MAX15000_N12280660 VCC5 VCC5+ PMOS L=1u W=4uM_MAX15000_NAND2_M2 MAX15000_N12281820MAX15000_N12280600 VCC5 VCC5+ PMOS L=1u W=4uM_MAX15000_NAND2_M3 MAX15000_N12281820MAX15000_N12280660+ MAX15000_NAND2_N6953533 7 NMOS L=1u W=2uI_MAX15000_I2 5 7 DC 4uAV_MAX15000_V1 MAX15000_N122774221 5 1.38VM_MAX15000_M2 8 MAX15000_N12283903 7 7 NMOS L=1uW=550uR_MAX15000_R10 MAX15000_N12305617MAX15000_N12305839 1C_MAX15000_C6 MAX15000_N12295588 7 0.1pM_MAX15000_M1 2 MAX15000_UEN 7 7 NMOS L=1u W=16uD_MAX15000_CO12_D2 7 MAX15000_N12305617diodemacro_mostidealG_MAX15000_CO12_G1 MAX15000_N12305617 7MAX15000_N12305576+ MAX15000_N123059101 -1E6D_MAX15000_CO12_D1 MAX15000_N12305617MAX15000_N12309471+ diodemacro_mostidealD_MAX15000_CO2_D2 7 MAX15000_N12280660diodemacro_mostidealG_MAX15000_CO2_G1 MAX15000_N12280660 7 MAX15000_N122774730 5 -1E6D_MAX15000_CO2_D1 MAX15000_N12280660 VCC5 diodemacro_mostidealR_MAX15000_R1 MAX15000_N122839831MAX15000_N12284031 1kC_MAX15000_C9 7 MAX15000_N12281820 1nE_MAX15000_E10 MAX15000_N12295498 1MAX15000_N12295588 7 0.012E_MAX15000_E14 VCC5 7 MAX15000_N12326010 7 1C_MAX15000_C8 MAX15000_N12305839 7 1nV_MAX15000_V11 MAX15000_N123059101 7 21.6VM_MAX15000_M3 8 MAX15000_N12283903MAX15000_N12283787+ MAX15000_N12283787 PMOS L=1u W=570uE_MAX15000_E1 MAX15000_N122839831 7MAX15000_N12283787 7 1.IC V(MAX15000_SS_N12274065 )=0.IC V(MAX15000_N12326010 )=0.IC V(MAX15000_Oscill1_N11299105 )=0.IC V(MAX15000_N12276477) = 0******************.model zener d(IS=0.5uA RS=0.001 BV=26V IBV=0.5UA).model diodemacro_ideal d(n=0.001).model diodemacro_mostideal d(IS=1E-12 N=0.000001 BV=35 IBV=1).model NMOS nmos(VTO=0.5 KP=100E-6).model NJNT nmos(VTO=0.5 KP=50E-2).model PMOS pmos(VTO=-0.5 KP=50E-6).model PLDO pmos(VTO=-0.5 KP=10E-3).ends MAX15000n里面的内容实际上就是用.subckt开始,以.ends结束的语言编写的,所以说这个*.FAM的文件实质上为模型仿真属性文件*.lib n用PSpice model editor打开MAX15000.FAM文件,另存为*.lib文件。

相关文档
最新文档