大学物理第12章习题解答
大学物理答案第12章

第十二章 电磁感应 电磁场和电磁波12-1 一根无限长平行直导线载有电流I ,一矩形线圈位于导线平面内沿垂直于载流导线方向以恒定速率运动(如图所示),则( )(A ) 线圈中无感应电流(B ) 线圈中感应电流为顺时针方向(C ) 线圈中感应电流为逆时针方向(D ) 线圈中感应电流方向无法确定题 12-1 图分析与解 由右手定则可以判断,在矩形线圈附近磁场垂直纸面朝里,磁场是非均匀场,距离长直载流导线越远,磁场越弱.因而当矩形线圈朝下运动时,在线圈中产生感应电流,感应电流方向由法拉第电磁感应定律可以判定.因而正确答案为(B ).12-2 将形状完全相同的铜环和木环静止放置在交变磁场中,并假设通过两环面的磁通量随时间的变化率相等,不计自感时则( )(A ) 铜环中有感应电流,木环中无感应电流(B ) 铜环中有感应电流,木环中有感应电流(C ) 铜环中感应电动势大,木环中感应电动势小(D ) 铜环中感应电动势小,木环中感应电动势大分析与解 根据法拉第电磁感应定律,铜环、木环中的感应电场大小相等, 但在木环中不会形成电流.因而正确答案为(A ).12-3 有两个线圈,线圈1对线圈2 的互感系数为M 21 ,而线圈2 对线圈1的互感系数为M 12 .若它们分别流过i 1 和i 2 的变化电流且ti t i d d d d 21<,并设由i 2变化在线圈1 中产生的互感电动势为12 ,由i 1 变化在线圈2 中产生的互感电动势为ε21 ,下述论断正确的是( ).(A )2112M M = ,1221εε=(B )2112M M ≠ ,1221εε≠(C )2112M M =, 1221εε<(D )2112M M = ,1221εε<分析与解 教材中已经证明M21 =M12 ,电磁感应定律ti M εd d 12121=;ti M εd d 21212=.因而正确答案为(D ). 12-4 对位移电流,下述说法正确的是( )(A ) 位移电流的实质是变化的电场(B ) 位移电流和传导电流一样是定向运动的电荷(C ) 位移电流服从传导电流遵循的所有定律(D ) 位移电流的磁效应不服从安培环路定理分析与解 位移电流的实质是变化的电场.变化的电场激发磁场,在这一点位移电流等效于传导电流,但是位移电流不是走向运动的电荷,也就不服从焦耳热效应、安培力等定律.因而正确答案为(A ).12-5 下列概念正确的是( )(A ) 感应电场是保守场(B ) 感应电场的电场线是一组闭合曲线(C ) LI Φm =,因而线圈的自感系数与回路的电流成反比(D ) LI Φm =,回路的磁通量越大,回路的自感系数也一定大分析与解 对照感应电场的性质,感应电场的电场线是一组闭合曲线.因而正确答案为(B ).12-6 一铁心上绕有线圈100匝,已知铁心中磁通量与时间的关系为tΦπ100sin 100.85⨯=,式中Φ的单位为Wb ,t 的单位为s ,求在s 100.12-⨯=t 时,线圈中的感应电动势. 分析 由于线圈有N 匝相同回路,线圈中的感应电动势等于各匝回路的感应电动势的代数和,在此情况下,法拉第电磁感应定律通常写成tψt ΦNξd d d d -=-=,其中ΦN ψ=称为磁链.解 线圈中总的感应电动势())V (π100cos 51.2d d t tΦN =-=ξ 当s 100.12-⨯=t 时,V 51.2=ξ.12-7 载流长直导线中的电流以tI d d 的变化率增长.若有一边长为d 的正方形线圈与导线处于同一平面内,如图所示.求线圈中的感应电动势.分析 本题仍可用法拉第电磁感应定律tΦd d -=ξ,来求解.由于回路处在非均匀磁场中,磁通量就需用⎰⋅=SS B Φd 来计算.为了积分的需要,建立如图所示的坐标系.由于B 仅与x 有关,即B =B (x ),故取一个平行于长直导线的宽为d x 、长为d 的面元d S ,如图中阴影部分所示,则d S =d d x ,所以,总磁通量可通过线积分求得(若取面元d S =d x d y ,则上述积分实际上为二重积分).本题在工程技术中又称为互感现象,也可用公式tI M d d -=ξ求解. 解1 穿过面元d S 的磁通量为x d x I S B Φd π2d d 0μ=⋅=因此穿过线圈的磁通量为2ln π2d π2d 200⎰⎰===d d Id x x Id ΦΦμμ再由法拉第电磁感应定律,有 tI d t Φd d 21ln π2d d 0)(μξ=-= 解2 当两长直导线有电流I 通过时,穿过线圈的磁通量为2ln π20dIΦμ=线圈与两长直导线间的互感为2ln π20d I ΦM μ== 当电流以tI d d 变化时,线圈中的互感电动势为 tI d t I M d d 21ln π2d d 0)(μξ=-=题 12-7 图12-8 有一测量磁感强度的线圈,其截面积S =4.0 cm 2 、匝数N =160 匝、电阻R =50Ω.线圈与一内阻R i =30Ω的冲击电流计相连.若开始时,线圈的平面与均匀磁场的磁感强度B 相垂直,然后线圈的平面很快地转到与B 的方向平行.此时从冲击电流计中测得电荷值54.010C q -=⨯.问此均匀磁场的磁感强度B 的值为多少分析 在电磁感应现象中,闭合回路中的感应电动势和感应电流与磁通量变化的快慢有关,而在一段时间内,通过导体截面的感应电量只与磁通量变化的大小有关,与磁通量变化的快慢无关.工程中常通过感应电量的测定来确定磁场的强弱.解 在线圈转过90°角时,通过线圈平面磁通量的变化量为NBS NBS ΦΦΦ=-=-=0Δ12因此,流过导体截面的电量为ii R R NBS R R Φq +=+=Δ 则 ()T 050.0=+=NSR R q B i 12-9 如图所示,一长直导线中通有I =5.0 A 的电流,在距导线9.0 cm 处,放一面积为0.10 cm 2 ,10匝的小圆线圈,线圈中的磁场可看作是均匀的.今在 ×10-2s 内把此线圈移至距长直导线10.0 cm 处.求:(1) 线圈中平均感应电动势;(2) 设线圈的电阻为×10-2Ω,求通过线圈横截面的感应电荷.题 12-9 图分析 虽然线圈处于非均匀磁场中,但由于线圈的面积很小,可近似认为穿过线圈平面的磁场是均匀的,因而可近似用NBS ψ=来计算线圈在始、末两个位置的磁链.解 (1) 在始、末状态,通过线圈的磁链分别为1011π2r IS μN S NB ψ==,2022π2r IS μN S NB ψ== 则线圈中的平均感应电动势为 V 1011.111πΔ2ΔΔ8210-⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-==r r t IS N t μψξ 电动势的指向为顺时针方向.(2) 通过线圈导线横截面的感应电荷为C 101.11821-⨯=∆=-=t RR q ξψψ 12-10 如图(a)所示,把一半径为R 的半圆形导线OP 置于磁感强度为B 的均匀磁场中,当导线以速率v 水平向右平动时,求导线中感应电动势E 的大小,哪一端电势较高题 12-10 图分析 本题及后面几题中的电动势均为动生电动势,除仍可由t ΦE d d -=求解外(必须设法构造一个闭合回路),还可直接用公式()l B d ⋅⨯=⎰lE v 求解. 在用后一种方法求解时,应注意导体上任一导线元dl 上的动生电动势()l B d d ⋅⨯=v E .在一般情况下,上述各量可能是dl 所在位置的函数.矢量(v ×B )的方向就是导线中电势升高的方向.解1 如图(b)所示,假想半圆形导线OP 在宽为2R 的静止形导轨上滑动,两者之间形成一个闭合回路.设顺时针方向为回路正向,任一时刻端点O 或端点P 距 形导轨左侧距离为x ,则B R Rx Φ⎪⎭⎫ ⎝⎛+=2π212 即B R tx RB t ΦE v 2d d 2d d -=-=-= 由于静止的 形导轨上的电动势为零,则E =-2RvB .式中负号表示电动势的方向为逆时针,对OP 段来说端点P 的电势较高.解2 建立如图(c )所示的坐标系,在导体上任意处取导体元dl ,则()θR θB l θB E o d cos d cos 90sin d d v v ==⋅⨯=l B vB R θθBR E v v 2d cos d E π/2π/2===⎰⎰- 由矢量(v ×B )的指向可知,端点P 的电势较高.解3 连接OP 使导线构成一个闭合回路.由于磁场是均匀的,在任意时刻,穿过回路的磁通量==BS Φ常数.由法拉第电磁感应定律tΦE d d -=可知,E =0又因 E =E OP +E PO即 E OP =-E PO =2RvB由上述结果可知,在均匀磁场中,任意闭合导体回路平动所产生的动生电动势为零;而任意曲线形导体上的动生电动势就等于其两端所连直线形导体上的动生电动势.上述求解方法是叠加思想的逆运用,即补偿的方法.12-11 长为L 的铜棒,以距端点r 处为支点,以角速率ω绕通过支点且垂直于铜棒的轴转动.设磁感强度为B 的均匀磁场与轴平行,求棒两端的电势差.题 12-11 图分析 应该注意棒两端的电势差与棒上的动生电动势是两个不同的概念,如同电源的端电压与电源电动势的不同.在开路时,两者大小相等,方向相反(电动势的方向是电势升高的方向,而电势差的正方向是电势降落的方向).本题可直接用积分法求解棒上的电动势,亦可以将整个棒的电动势看作是OA 棒与OB 棒上电动势的代数和,如图(b)所示.而E 和E 则可以直接利用第12-2 节例1 给出的结果.解1 如图(a)所示,在棒上距点O 为l 处取导体元dl ,则()()r L lB ωl lB ωE L-r r AB AB 221d d --=-=⋅⨯=⎰⎰-l B v 因此棒两端的电势差为()r L lB ωE U AB AB 221--== 当L >2r 时,端点A 处的电势较高解2 将AB 棒上的电动势看作是O A 棒和O B 棒上电动势的代数和,如图(b)所示.其中221r ωB E OA =,()221r L B ωE OB -= 则 ()r L BL ωE E E OB OA AB 221--=-= 12-12 如图所示,长为L 的导体棒OP ,处于均匀磁场中,并绕OO ′轴以角速度ω旋转,棒与转轴间夹角恒为θ,磁感强度B 与转轴平行.求OP 棒在图示位置处的电动势.题 12-12 图分析 如前所述,本题既可以用法拉第电磁感应定律tΦE d d -= 计算(此时必须构造一个包含OP 导体在内的闭合回路, 如直角三角形导体回路OPQO ),也可用()l B d ⋅⨯=⎰lE v 来计算.由于对称性,导体OP 旋转至任何位置时产生的电动势与图示位置是相同的.解1 由上分析,得()l B d ⋅⨯=⎰OP OP E vl αB lo d cos 90sin ⎰=v ()()l θB θωlo d 90cos sin ⎰-=l ()⎰==L L B l l B 022sin 21d sin θωθω 由矢量B ⨯v 的方向可知端点P 的电势较高.解2 设想导体OP 为直角三角形导体回路OPQO 中的一部分,任一时刻穿过回路的磁通量Φ为零,则回路的总电动势QO PQ OP E E E tΦE ++==-=0d d 显然,E QO =0,所以 ()221PQ B ωE E E QO PQ OP ==-=2)sin (21θωL B = 由上可知,导体棒OP 旋转时,在单位时间内切割的磁感线数与导体棒QP 等效.12-13 如图(a)所示,金属杆AB 以匀速12.0m s -=⋅v 平行于一长直导线移动,此导线通有电流I =40 A .求杆中的感应电动势,杆的哪一端电势较高题 12-13 图分析 本题可用两种方法求解.方法1:用公式()l B d ⋅⨯=⎰l E v 求解,建立图(a )所示的坐标系,所取导体元x l d d =,该处的磁感强度xI μB π20=. 方法2:用法拉第电磁感应定律求解,需构造一个包含杆AB 在内的闭合回路.为此可设想杆AB 在一个静止的导轨上滑动,如图(b)所示.设时刻t ,杆AB 距导轨下端CD 的距离为y ,先用公式⎰⋅=S ΦS B d 求得穿过该回路的磁通量,再代入公式tΦE d d -=,即可求得回路的电动势,亦即本题杆中的电动势.解1 根据分析,杆中的感应电动势为()V 1084.311ln 2πd 2πd d 50m 1.1m 1.00-⨯-=-=-==⋅⨯=⎰⎰v v v I μx x μxl E AB AB l B 式中负号表示电动势方向由B 指向A ,故点A 电势较高.解2 设顺时针方向为回路ABCD 的正向,根据分析,在距直导线x 处,取宽为dx 、长为y 的面元dS ,则穿过面元的磁通量为x y xI μΦd 2πd d 0=⋅=S B 穿过回路的磁通量为 11ln 2πd 2πd 0m1.1m 1.00⎰⎰-===S Iy μx y x I μΦΦ 回路的电动势为V 1084.32πd d 11ln 2πd d 500-⨯-=-=-=-=Iy μt y x I μt ΦE 由于静止的导轨上电动势为零,所以V 1084.35-⨯-==E E AB式中负号说明回路电动势方向为逆时针,对AB 导体来说,电动势方向应由B 指向A ,故点A 电势较高.12-14 如图(a)所示,在“无限长”直载流导线的近旁,放置一个矩形导体线框,该线框在垂直于导线方向上以匀速率v 向右移动,求在图示位置处,线框中感应电动势的大小和方向.题 12 -14 图分析 本题亦可用两种方法求解.其中应注意下列两点:(1)当闭合导体线框在磁场中运动时,线框中的总电动势就等于框上各段导体中的动生电动势的代数和.如图(a)所示,导体eh 段和fg 段上的电动势为零[此两段导体上处处满足()0l B =⋅⨯d v ],因而线框中的总电动势为()()()()hg ef hgef gh ef E E E -=⋅⨯-⋅⨯=⋅⨯+⋅⨯=⎰⎰⎰⎰l B l B l B l B d d d d v v v v 其等效电路如图(b)所示.(2)用公式tΦE d d -=求解,式中Φ是线框运动至任意位置处时,穿过线框的磁通量.为此设时刻t 时,线框左边距导线的距离为ξ,如图(c )所示,显然ξ是时间t 的函数,且有v =tξd d .在求得线框在任意位置处的电动势E (ξ)后,再令ξ=d ,即可得线框在题目所给位置处的电动势.解1 根据分析,线框中的电动势为hg ef E E E -=()()⎰⎰⋅⨯-⋅⨯=hgef l B l B d d v v ()⎰⎰+-=2201000d 2πd 2πl l l l d I μl d I μv v ()1202πl d d l I +=1vl μ由E ef >E hg 可知,线框中的电动势方向为efgh .解2 设顺时针方向为线框回路的正向.根据分析,在任意位置处,穿过线框的磁通量为 ()ξξμξμ120020ln π2d π21l Il x x Il l +=+=Φ⎰ 相应电动势为 ()()1120π2d d l ξξl l I μt ΦξE +=-=v 令ξ=d ,得线框在图示位置处的电动势为()1120π2l d d l l I μE +=v 由E >0 可知,线框中电动势方向为顺时针方向.12-15 在半径为R 的圆柱形空间中存在着均匀磁场,B 的方向与柱的轴线平行.如图(a)所示,有一长为l 的金属棒放在磁场中,设B 随时间的变化率tB d d 为常量.试证:棒上感应电动势的大小为 2222d d ⎪⎭⎫ ⎝⎛-=l R l t B ξ题 12-15 图分析 变化磁场在其周围激发感生电场,把导体置于感生电场中,导体中的自由电子就会在电场力的作用下移动,在棒内两端形成正负电荷的积累,从而产生感生电动势.由于本题的感生电场分布与上题所述情况完全相同,故可利用上题结果,由⎰⋅=l k l E d ξ计算棒上感生电动势.此外,还可连接OP 、OQ ,设想PQOP 构成一个闭合导体回路,用法拉第电磁感应定律求解,由于OP 、OQ 沿半径方向,与通过该处的感生电场强度E k 处处垂直,故0d =⋅l E k ,OP 、OQ 两段均无电动势,这样,由法拉第电磁感应定律求出的闭合回路的总电动势,就是导体棒PQ 上的电动势.证1 由电磁感应定律,在r <R 区域, ⎰⎰⋅-=⋅=SB tl E k d d d d ξ t B r E r k d d ππ22-=⋅ 解得该区域内感生电场强度的大小tB r E k d d 2= 设PQ 上线元dx 处,E k 的方向如图(b )所示,则金属杆PQ 上的电动势为()()222202/2d d d 2/d d 2d cos d l R l t B x r l R tB r xE l k k PQ -=-==⋅=⎰⎰θξx E 证2 由法拉第电磁感应定律,有22Δ22d d d d d d ⎪⎭⎫ ⎝⎛-==-==l R l t B t B S t ΦE E PQ 讨论 假如金属棒PQ 有一段在圆外,则圆外一段导体上有无电动势 该如何求解 12-16 截面积为长方形的环形均匀密绕螺绕环,其尺寸如图(a)所示,共有N 匝(图中仅画出少量几匝),求该螺绕环的自感L .题 12-16 图分析 如同电容一样,自感和互感都是与回路系统自身性质(如形状、匝数、介质等)有关的量.求自感L 的方法有两种:1.设有电流I 通过线圈,计算磁场穿过自身回路的总磁通量,再用公式I ΦL =计算L .2.让回路中通以变化率已知的电流,测出回路中的感应电动势E L ,由公式t I E L L d /d =计算L .式中E L 和tI d d 都较容易通过实验测定,所以此方法一般适合于工程中.此外,还可通过计算能量的方法求解.解 用方法1 求解,设有电流I 通过线圈,线圈回路呈长方形,如图(b)所示,由安培环路定理可求得在R 1 <r <R 2 范围内的磁场分布为xNI μB π20= 由于线圈由N 匝相同的回路构成,所以穿过自身回路的磁链为12200ln π2d π2d 21R R hI N μx h x NI μN N ψS R R ==⋅=⎰⎰S B 则1220ln π2R R h N μI ψL = 若管中充满均匀同种磁介质,其相对磁导率为μr ,则自感将增大μr 倍.12-17 如图所示,螺线管的管心是两个套在一起的同轴圆柱体,其截面积分别为S 1 和S 2 ,磁导率分别为μ1 和μ2 ,管长为l ,匝数为N ,求螺线管的自感.(设管的截面很小)题 12-17 图分析 本题求解时应注意磁介质的存在对磁场的影响.在无介质时,通电螺线管内的磁场是均匀的,磁感强度为B 0 ,由于磁介质的存在,在不同磁介质中磁感强度分别为μ1 B 0 和μ2 B 0 .通过线圈横截面的总磁通量是截面积分别为S 1 和S 2 的两部分磁通量之和.由自感的定义可解得结果.解 设有电流I 通过螺线管,则管中两介质中磁感强度分别为I L N μnl μB 111==,I LN μnl μB 222== 通过N 匝回路的磁链为 221121S NB S NB ΨΨΨ+=+=则自感2211221S μS μlN I ψL L L +==+= 12-18 有两根半径均为a 的平行长直导线,它们中心距离为d .试求长为l的一对导线的自感(导线内部的磁通量可略去不计).题 12-18 图分析 两平行长直导线可以看成无限长但宽为d 的矩形回路的一部分.设在矩形回路中通有逆时针方向电流I ,然后计算图中阴影部分(宽为d 、长为l )的磁通量.该区域内磁场可以看成两无限长直载流导线分别在该区域产生的磁场的叠加.解 在如图所示的坐标中,当两导线中通有图示的电流I 时,两平行导线间的磁感强度为()r d I μr I μB -+=π2π200 穿过图中阴影部分的磁通量为 aa d l μr Bl ΦS a d a -==⋅=⎰⎰-ln πd d 0S B 则长为l 的一对导线的自感为aa d l μI ΦL -==ln π0 如导线内部磁通量不能忽略,则一对导线的自感为212L L L +=.L 1 称为外自感,即本题已求出的L ,L 2 称为一根导线的内自感.长为l 的导线的内自感8π02l μL =,有兴趣的读者可自行求解. 12-19 如图所示,在一柱形纸筒上绕有两组相同线圈AB 和A ′B ′,每个线圈的自感均为L ,求:(1) A 和A ′相接时,B 和B ′间的自感L 1 ;(2) A ′和B 相接时,A 和B ′间的自感L 2 .题 12-19 图分析 无论线圈AB 和A ′B ′作哪种方式连接,均可看成一个大线圈回路的两个部分,故仍可从自感系数的定义出发求解.求解过程中可利用磁通量叠加的方法,如每一组载流线圈单独存在时穿过自身回路的磁通量为Φ,则穿过两线圈回路的磁通量为2Φ;而当两组线圈按(1)或(2)方式连接后,则穿过大线圈回路的总磁通量为2Φ±2Φ,“ ±”取决于电流在两组线圈中的流向是相同或是相反.解 (1) 当A 和A ′连接时,AB 和A ′B ′线圈中电流流向相反,通过回路的磁通量亦相反,故总通量为0221=-=ΦΦΦ,故L 1 =0.(2) 当A ′和B 连接时,AB 和A ′B ′线圈中电流流向相同,通过回路的磁通量亦相同,故总通量为ΦΦΦΦ4222=+=,故L IΦI ΦL 4422===. 本题结果在工程实际中有实用意义,如按题(1)方式连接,则可构造出一个无自感的线圈.12-20 如图所示,一面积为4.0 cm 2共50 匝的小圆形线圈A ,放在半径为20 cm 共100 匝的大圆形线圈B 的正中央,此两线圈同心且同平面.设线圈A 内各点的磁感强度可看作是相同的.求:(1) 两线圈的互感;(2) 当线圈B 中电流的变化率为-50 A ·s-1 时,线圈A 中感应电动势的大小和方向.题 12-20 图分析 设回路Ⅰ中通有电流I 1 ,穿过回路Ⅱ的磁通量为Φ21 ,则互感M =M 21 =Φ21/I 1 ;也可设回路Ⅱ通有电流I 2 ,穿过回路Ⅰ的磁通量为Φ12 ,则21212I ΦM M == . 虽然两种途径所得结果相同,但在很多情况下,不同途径所涉及的计算难易程度会有很大的不同.以本题为例,如设线圈B 中有电流I 通过,则在线圈A 中心处的磁感强度很易求得,由于线圈A 很小,其所在处的磁场可视为均匀的,因而穿过线圈A 的磁通量Φ≈BS .反之,如设线圈A 通有电流I ,其周围的磁场分布是变化的,且难以计算,因而穿过线圈B 的磁通量也就很难求得,由此可见,计算互感一定要善于选择方便的途径.解 (1) 设线圈B 有电流I 通过,它在圆心处产生的磁感强度RI μN B B200=,穿过小线圈A 的磁链近似为 A BA A A A S RI μN N S B N ψ200== 则两线圈的互感为 H 1028.6260-⨯===RS μN N I ψM A B A A (2)线圈A 中感应电动势的大小为 V 1014.3d d 4-⨯=-=t I ME A 互感电动势的方向和线圈B 中的电流方向相同.12-21 如图所示,两同轴单匝线圈A 、C 的半径分别为R 和r ,两线圈相距为d .若r 很小,可认为线圈A 在线圈C 处所产生的磁场是均匀的.求两线圈的互感.若线圈C 的匝数为N 匝,则互感又为多少题 12-21 图解 设线圈A 中有电流I 通过,它在线圈C 所包围的平面内各点产生的磁感强度近似为()2/322202d R IR μB +=穿过线圈C 的磁通为 ()22/32220π2r d R IR μBS ψC +==则两线圈的互感为 ()2/3222202πd R R r μI ψM +== 若线圈C 的匝数为N 匝,则互感为上述值的N 倍.12-22 如图所示,螺绕环A 中充满了铁磁质,管的截面积S 为2.0 cm 2 ,沿环每厘米绕有100 匝线圈,通有电流I 1 = ×10 -2 A ,在环上再绕一线圈C ,共10 匝,其电阻为 Ω,今将开关S 突然开启,测得线圈C 中的感应电荷为 ×10-3 C .求:当螺绕环中通有电流I 1时,铁磁质中的B 和铁磁质的相对磁导率μr .题 12-22 图分析 本题与题12-8 相似,均是利用冲击电流计测量电磁感应现象中通过回路的电荷的方法来计算磁场的磁感强度.线圈C 的磁通变化是与环形螺线管中的电流变化相联系的. 解 当螺绕环中通以电流I 1 时,在环内产生的磁感强度110I n μμB r =则通过线圈C 的磁链为S I n μμN BS N ψr c 11022==设断开电源过程中,通过C 的感应电荷为q C ,则有()RS I n μμN ψR ψR qc r c c 110201Δ1=--=-= 由此得 T 10.02110===SN Rq I n B C r μμ 相对磁导率 1991102==I n S N Rq C r μμ 12-23 一个直径为0.01 m ,长为0.10 m 的长直密绕螺线管,共1 000 匝线圈,总电阻为 Ω.求:(1) 如把线圈接到电动势E = V 的电池上,电流稳定后,线圈中所储存的磁能有多少 磁能密度是多少*(2) 从接通电路时算起,要使线圈储存磁能为最大储存磁能的一半,需经过多少时间分析 单一载流回路所具有的磁能,通常可用两种方法计算:方法 1: 如回路自感为L (已知或很容易求得),则该回路通有电流I 时所储存的磁能221LI W m =,通常称为自感磁能. 方法 2: 由于载流回路可在空间激发磁场,磁能实际是储存于磁场之中,因而载流回路所具有的能量又可看作磁场能量,即V w W V m m d ⎰=,式中m w 为磁场能量密度,积分遍及磁场存在的空间.由于μB w m 22=,因而采用这种方法时应首先求载流回路在空间产生的磁感强度B 的分布. 上述两种方法还为我们提供了计算自感的另一种途径,即运用V w LI V m d 212⎰=求解L . 解 (1) 密绕长直螺线管在忽略端部效应时,其自感l S N L 20μ=,电流稳定后,线圈中电流RE I =,则线圈中所储存的磁能为 J 1028.3221522202-⨯===lRSE N μLI W m 在忽略端部效应时,该电流回路所产生的磁场可近似认为仅存在于螺线管中,并为均匀磁场,故磁能密度m w 处处相等,3m J 17.4-⋅==SLW w m m (2) 自感为L ,电阻为R 的线圈接到电动势为E 的电源上,其电流变化规律⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=-t L R R E I e 1,当电流稳定后,其最大值R E I m = 按题意⎥⎦⎤⎢⎣⎡=22212121m LI LI ,则R E I 22=,将其代入⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=-t L RR E I e 1中,得 ()s 1056.122ln 221ln 4-⨯=+=⎥⎦⎤⎢⎣⎡--=R L R L t 12-24 未来可能会利用超导线圈中持续大电流建立的磁场来储存能量.要储存1 kW ·h 的能量,利用T的磁场,需要多大体积的磁场 若利用线圈中500 A 的电流储存上述能量,则该线圈的自感系数应该多大解 由磁感强度与磁场能量间的关系可得302m 0.92/==μB W V m 所需线圈的自感系数为H 2922==I W L m 12-25 中子星表面的磁场估计为108T,该处的磁能密度有多大解 由磁场能量密度 21021098.32⨯==μB w m 3m /J 12-26 在真空中,若一均匀电场中的电场能量密度与一 T 的均匀磁场中的磁场能量密度相等,该电场的电场强度为多少解 2021E εw e =,022μB w m =,按题意,当m e w w =时,0220221μB E ε=则 1800m V 1051.1-⋅⨯==μεB E 12-27 设有半径R =0.20 m 的圆形平行板电容器,两板之间为真空,板间距离d =0.50 cm ,以恒定电流I =2.0 A 对电容器充电.求位移电流密度(忽略平板电容器的边缘效应,设电场是均匀的).分析 尽管变化电场与传导电流二者形成的机理不同,但都能在空间激发磁场.从这个意义来说,变化电场可视为一种“广义电流”,即位移电流.在本题中,导线内存在着传导电流I c ,而在平行板电容器间存在着位移电流I d ,它们使电路中的电流连续,即c d I I =.解 忽略电容器的边缘效应,电容器内电场的空间分布是均匀的,因此板间位移电流2πd R j I d Sd d =⋅=⎰S j ,由此得位移电流密度的大小 222m A 9.15ππ-⋅===R I R I j c d d。
大学物理第十二章练习题答案

班级______________学号____________姓名________________练习 十 二一、选择题1.半径为a 的圆线圈置于磁感强度为B的均匀磁场中,线圈平面与磁场方向垂直,线圈电阻为R ;当把线圈转动使其法向与B的夹角α =60°时,线圈中通过的电荷与线圈面积及转动所用的时间的关系是( A )(A) 与线圈面积成正比,与时间无关. (B) 与线圈面积成正比,与时间成正比. (C) 与线圈面积成反比,与时间成正比.(D) 与线圈面积成反比,与时间无关.2.一矩形线框长为a 宽为b ,置于均匀磁场中,线框绕OO ′轴,以匀角速度ω旋转(如图所示).设t =0时,线框平面处于纸面内,则任一时刻感应电动势的大小为 ( D )(A) 2abB | cos ω t |. (B) ω abB (C)t abB ωωcos 21. (D) ω abB | cos ω t |. 3.两个相距不太远的平面圆线圈,怎样可使其互感系数近似为零?设其中一线圈的轴线恰通过另一线圈的圆心.( C )(A) 两线圈的轴线互相平行放置. (B) 两线圈并联.(C) 两线圈的轴线互相垂直放置. (D) 两线圈串联.4.有两个长直密绕螺线管,长度及线圈匝数均相同,半径分别为r 1和r 2.管内充满均匀介质,其磁导率分别为μ1和μ2.设r 1∶r 2=1∶2,μ1∶μ2=2∶1,当将两只螺线管串联在电路中通电稳定后,其自感系数之比L 1∶L 2与磁能之比W m 1∶W m 2分别为:( C )(A) L 1∶L 2=1∶1,W m 1∶W m 2 =1∶1. (B) L 1∶L 2=1∶2,W m 1∶W m 2 =1∶1.(C) L 1∶L 2=1∶2,W m 1∶W m 2 =1∶2. (D) L 1∶L 2=2∶1,W m 1∶W m 2 =2∶1. 5.对位移电流,有下述四种说法,请指出哪一种说法正确. ( A )(A) 位移电流是指变化电场. (B) 位移电流是由线性变化磁场产生的. (C) 位移电流的热效应服从焦耳─楞次定律. (D) 位移电流的磁效应不服从安培环路定理. 6.圆铜盘水平放置在均匀磁场中,B的方向垂直盘面向上.当铜盘绕通过中心垂直于盘面的轴沿图示方向转动时,( C )(A) 铜盘上有感应电流产生,沿着铜盘转动的相反方向流动. (B) 铜盘上有感应电流产生,沿着铜盘转动的方向流动.(C) 铜盘上有感应电动势产生,铜盘边缘处电势最高. (D) 铜盘上有感应电动势产生,铜盘中心处电势最高.7.用线圈的自感系数L 来表示载流线圈磁场能量的公式221LI W m =( D ) (A) 只适用于无限长密绕螺线管. (B) 只适用于单匝圆线圈. (C) 只适用于一个匝数很多,且密绕的螺绕环.(D) 适用于自感系数L一定的任意线圈. 8.面积为S 和2 S 的两圆线圈1、2如图放置,通有相同的电流I .线圈1的电流所产生的通过线圈2的磁通用Φ21表示,线圈2的电流所产生的通过线圈1的磁通用Φ12表示,则Φ21和Φ12的大小关系为:( B )(A) Φ21 =2Φ12 (B) Φ21 =Φ12.(C )Φ21 >Φ12.(D)Φ21 =21Φ12. 二、填空题 1.自感为 0.25 H 的线圈中,当电流在(1/16) s 内由2 A 均匀减小到零时,线圈中自感电动势的大小为8.0 V 。
大学物理第12章学习题答案

习题十二12-1 某单色光从空气射入水中,其频率、波速、波长是否变化?怎样变化?解: υ不变,为波源的振动频率;nn 空λλ=变小;υλn u =变小.12-2 在杨氏双缝实验中,作如下调节时,屏幕上的干涉条纹将如何变化?试说明理由. (1)使两缝之间的距离变小;(2)保持双缝间距不变,使双缝与屏幕间的距离变小; (3)整个装置的结构不变,全部浸入水中; (4)光源作平行于1S ,2S 联线方向上下微小移动; (5)用一块透明的薄云母片盖住下面的一条缝. 解: 由λdDx =∆知,(1)条纹变疏;(2)条纹变密;(3)条纹变密;(4)零级明纹在屏幕上作相反方向的上下移动;(5)零级明纹向下移动. 12-3 什么是光程? 在不同的均匀媒质中,若单色光通过的光程相等时,其几何路程是否相同?其所需时间是否相同?在光程差与位相差的关系式∆λπϕ∆2= 中,光波的波长要用真空中波长,为什么?解:nr =∆.不同媒质若光程相等,则其几何路程定不相同;其所需时间相同,为Ct ∆=∆. 因为∆中已经将光在介质中的路程折算为光在真空中所走的路程。
12-4 如题12-4图所示,A ,B 两块平板玻璃构成空气劈尖,分析在下列情况中劈尖干涉条纹将如何变化?(1) A 沿垂直于B 的方向向上平移[见图(a)]; (2) A 绕棱边逆时针转动[见图(b)].题12-4图 解: (1)由l2λθ=,2λke k =知,各级条纹向棱边方向移动,条纹间距不变;(2)各级条纹向棱边方向移动,且条纹变密.12-5 用劈尖干涉来检测工件表面的平整度,当波长为λ的单色光垂直入射时,观察到的干涉条纹如题12-5图所示,每一条纹的弯曲部分的顶点恰与左邻的直线部分的连线相切.试说明工件缺陷是凸还是凹?并估算该缺陷的程度.解: 工件缺陷是凹的.故各级等厚线(在缺陷附近的)向棱边方向弯曲.按题意,每一条纹弯曲部分的顶点恰与左邻的直线部分连线相切,说明弯曲部分相当于条纹向棱边移动了一条,故相应的空气隙厚度差为2λ=∆e ,这也是工件缺陷的程度.题12-5图 题12-6图12-6 如题12-6图,牛顿环的平凸透镜可以上下移动,若以单色光垂直照射,看见条纹向中 心收缩,问透镜是向上还是向下移动?解: 条纹向中心收缩,透镜应向上移动.因相应条纹的膜厚k e 位置向中心移动. 12-7 在杨氏双缝实验中,双缝间距d =0.20mm ,缝屏间距D =1.0m ,试求: (1)若第二级明条纹离屏中心的距离为6.0mm ,计算此单色光的波长; (2)相邻两明条纹间的距离.解: (1)由λk d D x =明知,λ22.01010.63⨯⨯=, ∴ 3106.0-⨯=λmm oA 6000=(2) 3106.02.010133=⨯⨯⨯==∆-λd D x mm 12-8 在双缝装置中,用一很薄的云母片(n=1.58)覆盖其中的一条缝,结果使屏幕上的第七级明条纹恰好移到屏幕中央原零级明纹的位置.若入射光的波长为5500oA ,求此云母片的厚度. 解: 设云母片厚度为e ,则由云母片引起的光程差为e n e ne )1(-=-=δ按题意 λδ7=∴ 610106.6158.1105500717--⨯=-⨯⨯=-=n e λm 6.6=m μ 12-9 洛埃镜干涉装置如题12-9图所示,镜长30cm ,狭缝光源S 在离镜左边20cm 的平面内,与镜面的垂直距离为2.0mm ,光源波长=λ7.2×10-7m ,试求位于镜右边缘的屏幕上第一条明条纹到镜边缘的距离.题12-9图解: 镜面反射光有半波损失,且反射光可视为虚光源S '发出.所以由S 与S '发出的两光束到达屏幕上距镜边缘为x 处的光程差为 22)(12λλδ+=+-=D x dr r 第一明纹处,对应λδ=∴25105.44.0250102.72--⨯=⨯⨯⨯==d Dx λmm 12-10 一平面单色光波垂直照射在厚度均匀的薄油膜上,油膜覆盖在玻璃板上.油的折射率为1.30,玻璃的折射率为1.50,若单色光的波长可由光源连续可调,可观察到5000 oA 与7000oA 这两个波长的单色光在反射中消失.试求油膜层的厚度.解: 油膜上、下两表面反射光的光程差为ne 2,由反射相消条件有λλ)21(2)12(2+=+=k k k ne ),2,1,0(⋅⋅⋅=k ① 当50001=λoA 时,有2500)21(21111+=+=λλk k ne ②当70002=λoA 时,有3500)21(22222+=+=λλk k ne ③因12λλ>,所以12k k <;又因为1λ与2λ之间不存在3λ满足33)21(2λ+=k ne 式即不存在 132k k k <<的情形,所以2k 、1k 应为连续整数,即 112-=k k ④ 由②、③、④式可得:51)1(75171000121221+-=+=+=k k k k λλ 得 31=k2112=-=k k可由②式求得油膜的厚度为67312250011=+=nk e λo A12-11 白光垂直照射到空气中一厚度为3800 oA 的肥皂膜上,设肥皂膜的折射率为1.33,试问该膜的正面呈现什么颜色?背面呈现什么颜色? 解: 由反射干涉相长公式有λλk ne =+22 ),2,1(⋅⋅⋅=k得 122021612380033.14124-=-⨯⨯=-=k k k ne λ 2=k , 67392=λoA (红色)3=k , 40433=λ oA (紫色)所以肥皂膜正面呈现紫红色.由透射干涉相长公式 λk ne =2),2,1(⋅⋅⋅=k 所以 kk ne 101082==λ 当2=k 时, λ =5054oA (绿色) 故背面呈现绿色.12-12 在折射率1n =1.52的镜头表面涂有一层折射率2n =1.38的Mg 2F 增透膜,如果此膜适用于波长λ=5500 oA 的光,问膜的厚度应取何值?解: 设光垂直入射增透膜,欲透射增强,则膜上、下两表面反射光应满足干涉相消条件,即λ)21(22+=k e n ),2,1,0(⋅⋅⋅=k∴ 222422)21(n n k n k e λλλ+=+=)9961993(38.14550038.125500+=⨯+⨯=k k o A 令0=k ,得膜的最薄厚度为996oA . 当k 为其他整数倍时,也都满足要求.12-13 如题12-13图,波长为6800oA 的平行光垂直照射到L =0.12m 长的两块玻璃片上,两玻璃片一边相互接触,另一边被直径d =0.048mm 的细钢丝隔开.求:(1)两玻璃片间的夹角=θ?(2)相邻两明条纹间空气膜的厚度差是多少? (3)相邻两暗条纹的间距是多少? (4)在这0.12 m 内呈现多少条明条纹?题12-13图解: (1)由图知,d L =θsin ,即d L =θ故 43100.41012.0048.0-⨯=⨯==L d θ(弧度) (2)相邻两明条纹空气膜厚度差为7104.32-⨯==∆λe m(3)相邻两暗纹间距641010850100.421068002---⨯=⨯⨯⨯==θλl m 85.0= mm (4)141≈=∆lLN 条 12-14 用=λ 5000oA 的平行光垂直入射劈形薄膜的上表面,从反射光中观察,劈尖的 棱边是暗纹.若劈尖上面媒质的折射率1n 大于薄膜的折射率n (n =1.5).求: (1)膜下面媒质的折射率2n 与n 的大小关系; (2)第10条暗纹处薄膜的厚度;(3)使膜的下表面向下平移一微小距离e ∆,干涉条纹有什么变化?若e ∆=2.0 μm ,原来的第10条暗纹处将被哪级暗纹占据?解: (1)n n >2.因为劈尖的棱边是暗纹,对应光程差2)12(22λλ+=+=∆k ne ,膜厚0=e 处,有0=k ,只能是下面媒质的反射光有半波损失2λ才合题意; (2)3105.15.12500092929-⨯=⨯⨯==⨯=∆n e nλλ mm (因10个条纹只有9个条纹间距)(3)膜的下表面向下平移,各级条纹向棱边方向移动.若0.2=∆e μm ,原来第10条暗纹处现对应的膜厚为)100.2105.1(33--⨯+⨯='∆e mm21100.55.12105.3243=⨯⨯⨯⨯='∆=∆--n e N λ 现被第21级暗纹占据.12-15 (1)若用波长不同的光观察牛顿环,1λ=6000oA ,2λ=4500oA ,观察到用1λ时的第k个暗环与用2λ时的第k+1个暗环重合,已知透镜的曲率半径是190cm .求用1λ时第k 个暗环的半径.(2)又如在牛顿环中用波长为5000oA 的第5个明环与用波长为2λ的第6个明环重合,求未知波长2λ.解: (1)由牛顿环暗环公式λkR r k =据题意有 21)1(λλR k kR r +==∴212λλλ-=k ,代入上式得2121λλλλ-=R r10101010210450010600010450010600010190-----⨯-⨯⨯⨯⨯⨯⨯= 31085.1-⨯=m(2)用A 50001 =λ照射,51=k 级明环与2λ的62=k 级明环重合,则有 2)12(2)12(2211λλR k R k r -=-=∴ 4091500016215212121212=⨯-⨯-⨯=--=λλk k o A12-16 当牛顿环装置中的透镜与玻璃之间的空间充以液体时,第十个亮环的直径由1d =1.40×10-2m 变为2d =1.27×10-2m ,求液体的折射率.解: 由牛顿环明环公式2)12(21λR k D r -==空 nR k D r 2)12(22λ-==液 两式相除得n D D =21,即22.161.196.12221≈==D D n12-17 利用迈克耳逊干涉仪可测量单色光的波长.当1M 移动距离为0.322mm 时,观察到干涉条纹移动数为1024条,求所用单色光的波长. 解: 由 2λNd ∆=∆得 102410322.0223-⨯⨯=∆∆=N d λ 710289.6-⨯=m 6289=oA12-18 把折射率为n =1.632的玻璃片放入迈克耳逊干涉仪的一条光路中,观察到有150条干涉条纹向一方移过.若所用单色光的波长为λ= 5000oA ,求此玻璃片的厚度. 解: 设插入玻璃片厚度为d ,则相应光程差变化为λN d n ∆=-)1(2∴ )1632.1(2105000150)1(210-⨯⨯=-∆=-n N d λ5109.5-⨯=m 2109.5-⨯=mm。
大物习题解答-大学物理习题答案(许瑞珍_贾谊明)-第12章 气体动理论

第十二章 气体动理论12-1 一容积为10L 的真空系统已被抽成1.0×10-5 mmHg 的真空,初态温度为20℃。
为了提高其真空度,将它放在300℃的烘箱内烘烤,使器壁释放出所吸附的气体,如果烘烤后压强为1.0×10-2 mmHg ,问器壁原来吸附了多少个气体分子?解:由式nkT p =,有3202352/1068.15731038.1760/10013.1100.1m kT p n 个⨯≈⨯⨯⨯⨯⨯==-- 因而器壁原来吸附的气体分子数为个183201068.110101068.1⨯=⨯⨯⨯==∆-nV N12-2 一容器内储有氧气,其压强为1.01⨯105 Pa ,温度为27℃,求:(l )气体分子的数密度;(2)氧气的密度;(3)分子的平均平动动能;(4)分子间的平均距离。
(设分子间等距排列)分析:在题中压强和温度的条件下,氧气可视为理想气体。
因此,可由理想气体的物态方程、密度的定义以及分子的平均平动动能与温度的关系等求解。
又因可将分子看成是均匀等距排列的,故每个分子占有的体积为30d V =,由数密度的含意可知d n V ,10=即可求出。
解:(l )单位体积分子数325m 1044.2-⨯==kT p n(2)氧气的密度3m kg 30.1-⋅===RT pM V m ρ(3)氧气分子的平均平动动能J 1021.62321k -⨯==kT ε(4)氧气分子的平均距离m1045.3193-⨯==n d12-3 本题图中I 、II 两条曲线是两种不同气体(氢气和氧气)在同一温度下的麦克斯韦分子速率分布曲线。
试由图中数据求:(1)氢气分子和氧气分子的最概然速率;(2)两种气体所处的温度。
分析:由M RT v /2p =可知,在相同温度下,由于不同气体的摩尔质量不同,它们的最概然速率p v 也就不同。
因22O H M M <,故氢气比氧气的p v 要大,由此可判定图中曲线II 所标13p s m 100.2-⋅⨯=v 应是对应于氢气分子的最概然速率。
大学物理课后习题答案(上下册全)武汉大学出版社 第12章 习题解答

第12章 习题与答案12-1 在真空中波长为λ的单色光,在折射率为n 的透明介质中从A 沿某路径传播到B ,若A 、B 两点相位差为3π,则此路径AB 的光程为[ ]A. 1.5λ.B. 1.5λ/n .C. 1.5n .D. 3λ. [答案:A ]12-2 平行单色光垂直照射到薄膜上,经上下两表面反射的两束光发生干涉,若薄膜的厚度为e ,并且n 1<n 2>n 3,λ1为入射光在折射率为n 1的媒质中的波长,则两束反射光在相遇点的相位差为[ ]A. 2πn 2e / ( n 1λ1).B. 4πn 1e / ( n 2λ1)] +π.C. 4πn 2e / ( n 1λ1) ]+π.D. 4πn 2e / ( n 1λ1).[答案: C ]12-3 两块平玻璃构成空气劈形膜,左边为棱边,用单色平行光垂直入射.若上面的平玻璃以棱边为轴,沿逆时针方向作微小转动,则干涉条纹的[ ]A. 间隔变小,并向棱边方向平移.B. 间隔变大,并向远离棱边方向平移.C. 间隔不变,向棱边方向平移.D.间隔变小,并向远离棱边方向平移. [答案: A ]12-4 用劈尖干涉法可检测工件表面缺陷,当波长为λ的单色平行光垂直入射时,若观察到的干涉条纹如题12-4图所示,每一条纹弯曲部分的顶点恰好与其左边条纹的直线部分的连线相切,则工件表面与条纹弯曲处对应的部分[ ]A. 凸起,且高度为4λ.B. 凸起,且高度为2λ.C. 凹陷,且深度为2λ.D. 凹陷,且深度为4λ.[答案: C ]12-5 若把牛顿环装置(都是用折射率为1.52的玻璃制成的)由空气搬入折射率为1.33的水中,则干涉条纹[ ]A .中心暗斑变成亮斑. B. 间距变大. C. 间距变小. D. 间距不变. [答案: C ]题12-4图12-6 在光栅光谱中,假如所有偶数级次的主极大都恰好在单缝衍射的暗纹方向上,因而实际上不出现,那么此光栅每个透光缝宽度a 和相邻两缝间不透光部分宽度b 的关系为[ ] A. =3a b . B. =2a b . C. =a b . D. =0.5a b [答案: C ]12-7 对某一定波长的垂直入射光 衍射光栅的屏幕上只能出现零级和一级主极大,欲使屏幕上出现更高级次的主极大,应该[ ]A. 换一个光栅常数较小的光栅.B. 换一个光栅常数较大的光栅.C. 将光栅向靠近屏幕的方向移动.D. 将光栅向远离屏幕的方向移动.[答案: B ]12-8如果两个偏振片堆叠在一起,且偏振化方向之间夹角为60°,光强为I 0的自然光垂直入射在偏振片上,则出射光强为[ ]A. I 0 / 8.B. I 0 / 4.C. 3 I 0 / 8.D. 3 I 0 / 4.[答案: A ]12-9一束自然光自空气射向一块平板玻璃(如题12-9图),设入射角等于布儒斯特角i 0,则在上表面的出射光2是[ ]A. 自然光.B. 线偏振光且光矢量的振动方向平行于入射面.C. 线偏振光且光矢量的振动方向垂直于入射面.D. 部分偏振光.[答案: C ]12-10相干光的必要条件为________________________,________________________,________________________。
大学物理学 孙厚谦 第12章 习题

12-1 一平面余弦波表达式为 y Acosax - bt ,式中 a 为正常数,b 为负常数。试求(1)波的频 率、波长和波速,并指出波的传播方向; (2) x x0 点的振动表达式; (3) t t0 的波形表达式。
查看答案 12-1
12-2 一平面余弦波以 u 0.4m/s 的速度沿一弦线行进,在 x=0.1m 处弦线上质点的位移随时间的变 化为 y 50 10-2cos 4.0π t -1.0 m 。求此波的频率、波长和弦线上的波动表达式。
x y A cos t 0 m u
, 1m ,
由题意 由 t 0, y 0, 0
T 0.5 s
得
u
T
2 m/s ,
π 2
4π
0
x π y 0.1cos 4π t m 2 2
(1)波长; (2)波的表达式(设 10cm) 。 查看答案 12-5
80
12-6 如图所示,一平面余弦波振幅为 A, 圆频率为 ,沿 x 轴正方向传播,设波速为 u ,t=0 时波 形如图,求: (1)以 p 为原点写出波动表达式; (2)以 B 为原点写出波动表达式。
y/m
x/m
查看答案 12-6 习题 12-6 图 12-7 如图所示,已知一沿 x 轴正方向传播的平面余弦波的周期 T 2s ,且在 t 所示。 (1)写出 O 点和 P 点的振动表达式; (2)写出该波的波动表达式。
y/m
x/m
查看答案 12-8 习题 12-8 图 12-9 一弹性波在介质中以速度 u 10 m/s 传播,振幅 A 1.0 10-4 m ,频率 103Hz ,若该介质的密 度为 800kg/m3 。求(1)该波的平均能流密度; (2)1 分钟内垂直通过 s 4 10-4 m2 的总能量。
《大学物理学》习题解答静电场中的导体和电介质

根据球形电容器的电容公式,得:
C
4 0
R1R2 R2 R1
4.58102 F
【12.7】半径分别为 a 和 b 的两个金属球,球心间距为 r(r>>a,r>>b),今用一根电容可忽略的细导线将 两球相连,试求:(1)该系统的电容;(2)当两球所带的总电荷是 Q 时,每一球上的电荷是多少?
【12.7 解】由于 r a , r b ,可也认为两金属球互相无影响。
以相对电容率 r ≈1 的气体。当电离粒子通过气体时,能使其电离,若两极间有电势差时,极间有电流,
从而可测出电离粒子的数量。若以 E1 表示半径为 R1 的长直导体附近的电场强度。(1)求两极间电势差的
关系式;(2)若 E1 2.0 106 V m1 , R1 0.30 mm , R2 20.00 mm , 两极间的电势差为多少?
, (R2
r) ;
外球面的电势 内外球面电势差
VR2
R2
E3 dr
Q1 Q2 4 0 R2
U
VR2
VR1
R2 R1
E2
dr
Q1 4 0
(1 R1
1) R2
可得:
Q1 6 109 C , Q2 4 109 C
【12.4】如图所示,三块平行导体平板 A,B,C 的面积均为 S,其中 A 板带电 Q,B,C 板不带电,A 和 B 间相距为 d1,A 和 C 之间相距为 d2,求(1)各导体板上的电荷分布和导体板间的电势差;(2)将 B,C 导体 板分别接地,再求导体板上的电荷分布和导体板间的电势差。
第 12 章 静电场中的导体和电介质
【12.1】半径为 R1 的金属球 A 位于同心的金属球壳内,球壳的内、外半径分别为 R2、R3 ( R2 R3 )。
大学物理第12章光的干涉测试题(附答案及知识点总结)

第12章 习题精选试题中相关常数:m 10μm 16-=,m 10nm 19-=,可见光范围(400nm~760nm )1、在真空中波长为λ的单色光,在折射率为n 的透明介质中从A 沿某路径传播到B ,若A 、B 两点相位差为π3,则此路径AB 的光程为:(A )λ5.1. (B )n /5.1λ. (C )λn 5.1. (D )λ3.[ ]2、在相同的时间内,一束波长为λ的单色光在空气中与在玻璃中:(A )传播路程相等,走过光程相等. (B )传播路程相等,走过光程不相等. (C )传播路程不相等,走过光程相等.(D )传播路程不相等,走过光程不相等.[ ]3、如图所示,折射率为2n 、厚度为e 的透明介质薄膜的上方和下方的透明介质的折射率分别为1n 和3n ,已知321n n n <<.若用波长为λ的单色平行光垂直入射到该薄膜上,则从薄膜上、下两表面反射的光束①与②的光程差是:(A )e n 22. (B )2/22λ+e n . (C )λ+e n 22. (D ))2/(222n e n λ-.[ ]4、在双缝干涉实验中,为使屏上的干涉条纹间距变大,可以采取的办法是: (A )使屏靠近双缝. (B )使两缝的间距变小. (C )把两个缝的宽度稍微调窄. (D )改用波长较小的单色光源.[ ]5、在双缝干涉实验中,入射光的波长为λ,用玻璃纸遮住双缝中的一个缝,若玻璃纸中光程比相同厚度的空气的光程大λ5.2,则屏上原来的明纹处:(A )仍为明条纹. (B )变为暗条纹.(C )既非明纹也非暗纹. (D )无法确定是明纹,还是暗纹.[ ]36、如图,用单色光垂直照射在观察牛顿环的装置上.当平凸透镜垂直向上缓慢平移而远离平面玻璃时,可以观察到这些环状干涉条纹:(A )向右平移. (B )向中心收缩. (C )向外扩张. (D )向左平移.[ ]7、在牛顿环实验装置中,曲率半径为R 的平凸透镜与平玻璃板在中心恰好接触,它们之间充满折射率为n 的透明介质,垂直入射到牛顿环装置上的平行单色光在真空中的波长为λ,则反射光形成的干涉条纹中暗环半径k r 的表达式为:(A )R k r λ=k . (B )n R k r /k λ=. (C )R kn r λ=k . (D ))/(k nR k r λ=.[ ]8、用波长为λ的单色光垂直照射置于空气中的厚度为e 折射率为的透明薄膜,两束反射光的光程差=δ_______________.9、单色平行光垂直入射到双缝上.观察屏上P 点到两缝的距离分别为1r 和2r .设双缝和屏之间充满折射率为n 的介质,则P 点处光线的光程差为___________.10、用一定波长的单色光进行双缝干涉实验时,欲使屏上的干涉条纹间距变大,可采用的方法是:(1)________________________________________. (2)________________________________________.11、在双缝干涉实验中,若使两缝之间的距离增大,则屏幕上干涉条纹间距_________;若使单色光波长减小,则干涉条纹间距_____________.12、在双缝干涉实验中,若两缝的间距为所用光波波长的N 倍,观察屏到双缝的距离为D ,则屏上相邻明纹的间距为_______________.S S 113、用波长为λ的单色光垂直照射如图所示的牛顿环装置,观察从空气膜上下表面反射的光形成的牛顿环.若使平凸透镜慢慢地垂直向上移动,从透镜顶点与平面玻璃接触至移动到两者距离为d 的过程中,移过视场中某固定观察点的条纹数目等于_______________.14、图a 为一块光学平板玻璃与一个加工过的平面一端接触,构成的空气劈尖,用波长为λ的单色光垂直照射.看到反射光干涉条纹(实线为暗条纹)如图b 所示.则干涉条纹上A 点处所对应的空气薄膜厚度为=e _________________.15、用波长为λ的单色光垂直照射如图示的劈形膜(321n n n >>),观察反射光干涉.从劈形膜尖顶开始算起,第2条明条纹中心所对应的膜厚度=e _______________________.16、波长为λ的平行单色光垂直照射到劈形膜上,若劈尖角为θ以弧度计),劈形膜的折射率为n ,则反射光形成的干涉条纹中,相邻明条纹的间距为__________________.17、波长为λ的平行单色光垂直照射到折射率为n 的劈形膜上,相邻的两明纹所对应的薄膜厚度之差是____________________.18、在双缝干涉实验中,双缝与屏间的距离m 2.1=D ,双缝间距mm 45.0=d ,若测得屏上干涉条纹相邻明条纹间距为,求光源发出的单色光的波长λ.19、在杨氏双缝干涉实验中,用波长nm 1.546=λ的单色光照射,双缝与屏的距离mm 300=D .测得中央明条纹两侧的两个第5级明条纹的间距为,求双缝间的距离.20、在双缝干涉实验中,波长nm 550=λ的单色平行光垂直入射到缝间距m 1024-⨯=a 的双缝上,屏到双缝的距离m 2=D .求:图b图an 1n 2 n 3(1)中央明纹两侧的两条第10级明纹中心的间距;(2)用一厚度为m 106.65-⨯=e 、折射率为58.1=n 的玻璃片覆盖一缝后,零级明纹将移到原来的第几级明纹处21、用白光垂直照射置于空气中的厚度为μm 50.0的玻璃片.玻璃片的折射率为50.1=n .在可见光范围内哪些波长的反射光有最大限度的增强22、波长nm 650=λ的红光垂直照射到劈形液膜上,膜的折射率33.1=n ,液面两侧是同一种介质.观察反射光的干涉条纹.(1)离开劈形膜棱边的第一条明条纹中心所对应的膜厚度是多少(2)若相邻的明条纹间距mm 6=l ,上述第1条明纹中心到劈形膜棱边距离x 是多少23、用波长为nm 600=λ的光垂直照射由两块平玻璃板构成的空气劈形膜,劈尖角rad 1024-⨯=θ.改变劈尖角,相邻两明条纹间距缩小了mm 0.1=∆l ,求劈尖角的改变量θ∆.24、曲率半径为R 的平凸透镜和平板玻璃之间形成空气薄层,如图所示.波长为λ的平行单色光垂直入射,观察反射光形成的牛顿环.设平凸透镜与平板玻璃在中心O 点恰好接触.求:(1)从中心向外数第k 个明环所对应的空气薄膜的厚度k e .(2)第k 个明环的半径用k r (用R 、波长λ和正整数k 表示,R 远大于上一问的k e .)25、图示一牛顿环装置,设平凸透镜中心恰好和平玻璃接触,透镜凸表面的曲率半径是cm 400=R .用某单色平行光垂直入射,观察反射光形成的牛顿环,测得第5个明环的半径是.ROλO 1(1)求入射光的波长.(2)设图中cm 00.1=OA ,求半径为OA 范围内可观察到的明环数目.26、用波长nm 500=λ的单色光作牛顿环实验,测得第k 个暗环半径mm 4k =r ,第10+k 个暗环半径mm 610k =+r ,求平凸透镜的凸面的曲率半径R .总体要求:理解产生相干光的三个条件和获得相干光的两种方法.了解分波阵面法和分振幅法干涉的典型实验;掌握光程的概念以及光程差和相位差的关系;掌握杨氏双缝干涉条纹及薄膜干涉条纹(尤其是劈尖和牛顿环)的分布规律,利用相关公式计算条纹分布.第12章 参考答案1、A2、C3、A4、B5、B6、B7、B8、23λ+e 或23λ-e 9、)(12r r n - 10、(1)使两缝间距变小;(2)使屏与双缝之间的距离变大. 11、变小;变小 12、N D / 13、λ/2d 14、λ23 15、22n λ16、θλn 2 17、n2λ 18、解:nm 5.562/=∆=D x d λ. 19、解:mm 268.0/=∆==x D d λλ. 20、解:(1)m 11.0/20==∆a D x λ (2)零级明纹移到原第7级明纹处.21、解:nm 600=λ和nm 6.428=λ. 22、解:(1)λλk ne k =+2/2(明纹中心)现1=k ,1e e k =,则膜厚度mm 1022.1)4/(41-⨯==n e λ. (2)mm 32/==l x23、解:rad 100.442-⨯=-=∆θθθ.24、解:(1)第k 个明环,λλk e k =+212 4/)12(λ-=k e k .(2)λλk R r k =+21)2/(22,2/)12(λR k r k -= ,...2,1=k .25、解:(1)()cm 10512252×Rk r -=-=λ (或500 nm ). (2)λR r k 2212=-,对于cm 00.1=r ,5.505.02=+=λR r k .故在OA 范围内可观察到的明环数目为50个.26、解:()()m 410/2210=-=+λk k r r R .第12章 光的干涉一、基本内容1.单色光单色光是指具有单一频率的光波,单色光不是单种颜色的光.可见光的波长是(380~760)nm .虽然绝对单一频率的单色光不易得到,但可以通过各种方法获取谱线宽度很小的单色光.例如激光就可看作谱线宽度很小的单色光.2.相干光只有两列光波的振动频率相同、振动相位差恒定、振动方向相同时才会发生干涉加强或减弱的现象,满足上述三个条件的两束光称为相干光,相应的光源称为相干光源.3.半波损失光由光疏介质(即折射率相对小的介质)射到光密介质发生反射时,反射光的相位较入射光的相位发生π的突变,这一变化导致了反射光的光程在反射过程中增加了半个波长,通常称为“半波损失”.4.光程和光程差 (1)光程光波的频率v 是单色光的本质属性,与在何种介质中传播没有关系,而传播速度则与介质有关.在折射率为n 的介质中光速是真空中光速的n /1,由光速v u n n λ=可知,在折射率为n 的介质中,光波的波长n λ也是真空中波长的n /1.这样光在不同介质中经历同样的波数,但经历的几何路程却不同.所以有必要把光在折射率n 的介质中通过的几何路程折算到真空中所能传播的长度,只有这样才便于比较两束经过不同介质的光相位的变化.所以把光在折射率为n 的介质中通过的几何的路程r 乘以折射率n 折算成真空中所能传播的长度nr ,称nr 为光程.(2)光程差当采用了光程概念以后就可以把由相位差决定的干涉加强、减弱等情况用光程差来表示,为计算带来方便.即相位差π2λδϕ=∆(λ为真空中波长,δ为光程差),亦即λδϕπ2=∆. 二、基本规律光程差(含半波损失)是半波长偶数倍时干涉加强,干涉相长,明条纹中心;是半波长奇数倍时,干涉相消,暗条纹中心.1.杨氏双缝干涉结果(分波阵面干涉),只讨论同一介质中传播:等间隔明暗相间条纹. 光程差:Dxd =δ dD kx λ±=k ),2,1,0( =k 明条纹位置(k x —k 级干涉条纹位置,D —屏距,d —缝距) 2)12(k λd D k x -±= ),2,1( =k 暗条纹位置 条纹中心间距:λdD x =∆ 2.薄膜干涉结果(分振幅干涉)薄膜干涉基础公式相同,考虑从1n 入射到2n (21n n <),i 为入射角,d —薄膜厚度,此时要考虑“半波损失”,故反射加强(上表面亮纹位置)为λλδk i n n d =+-=2sin 222122 ),2,1( =k反射减弱(上表面暗纹位置)为(注意此处k 可以取0,厚度为0处是暗纹)2)12(2sin 222122λλδ+=+-=k i n n d ),2,1,0( =k注意,一定要先分析反射光是否存在“半波损失”的情况,不能死搬硬套,一般介质折射率中间大两边小或中间小两边大都有半波损失,而三种介质折射率大小顺序排列无半波损失.薄膜干涉光程差是入射角和厚度的函数.等倾干涉:对于上两式,如果薄膜厚度不变,而光线倾角(入射角i )变化,入射角i 相同的位置光线光程差相同,条纹花样相同,叫做等倾干涉.等厚干涉:对于上两式,所有光线以同一入射角i 入射,而薄膜厚度变化,则厚度相同的位置光线光程差相同,条纹干涉花样相同,叫做等厚干涉.对空气劈尖(上玻璃板下表面和下玻璃板上表面两束光反射)两侧介质相同,由于存在“半波损失”,所以上两式适用于在空气劈尖的上表面干涉.一般取垂直入射,0=i ,则在劈尖上表面干涉,光程差满足λλδk nd =+=22 ),2,1( =k 明条纹 2)12(22λλδ+=+=k nd ),2,1,0( =k 暗条纹n 代表劈尖内介质折射率.劈尖端点处是暗纹,相邻明纹(或暗纹)厚度差nd 2λ=∆,条纹线间距:θλn l 2=∆. 如果两侧介质不同,且满足折射率递增或递减顺序,则无半波损失,光程差满足λδk nd ==2 ),2,1,0( =k 明条纹2)12(2λδ-==k nd ),2,1( =k 暗条纹劈尖劈尖端点处是暗纹,相邻明纹(或暗纹)厚度差和条纹线间距与有半波损失时相同. 利用劈尖原理检测零件平整度,上表面放标准板,顶角在左侧,下板凹陷条纹向左弯,凸起向右弯.牛顿环的上表面干涉也是空气劈尖干涉,两侧介质相同,有半波损失,只不过牛顿环的空气厚度测量常转换成距透镜中心距离r 与透镜的曲率半径R 来表示牛顿环的明暗纹.2)12(k λR k r -=),2,1( =k (明环) λkR r =k ),2,1,0( =k (暗环)。
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第十二章 习题答案
12.1 选择题
(1) 对位移电流,下述四种说法哪个正确( )
A. 位移电流是由线性变化磁场产生的.
B. 位移电流是指变化的电场.
C. 位移电流的热效应服从焦耳-楞次定律.
D. 位移电流的磁效应不服从安培环路定理.
(2) 空气中有一无限长金属薄壁圆筒,在表面上沿圆周方向均匀地流着一层随时间变化的面电流i (t),则( )
A. 圆筒内均匀地分布着变化磁场和变化电场.
B. 任意时刻通过圆筒内假象的任一球面的磁通量和电通量均为
零.
C. 沿圆筒内任意闭合环路上电场强度的环流为零.
D. 沿圆筒外任意闭合环路上磁感应强度的环流不为零.
(3) 如图12.1(3)所示为一充电后的平行板电容器,A 板带正电,B 板
带负电,开关K 合上时,A 、B 板间位移电流的方向为(按图上所标x 轴
正方向回答)
A .x 轴正向
B .x 轴负向
C .x 轴正向或负向
D .不确定 题12.1(3)图 答案:(1) B, (2)B, (3)B.
12.2 填空题
1. S t B l E L S d d ⋅⋅⎰⎰∂∂-= ① 0d =⎰⋅S B S ②
S t D I l H S L i d d ⋅⋅⎰⎰∑∂∂+= ③
试判断下列结论是否包含于或等效于哪一个麦克斯韦方程式的.将确定的方程式用代号填在相应结论的空白处.
(1) 变化的电场一定伴随有磁场__________________.
(2) 变化的磁场一定伴随有电场__________________.
(3) 磁感线是无头无尾的闭合曲线________________.
2.平行板电容器的电容C 为20 μF ,两板上的电压变化率V/s 105.1d d 5⨯=t
U ,则该平行板电容器中的位移电流为____________.
3.一空气平行板电容器的两极板是半径为R 的圆形导体片,在充电时,板间电场强度的变化率为t
E d d .若略去边缘效应,则两板间的位移电流为______________. 答案: (1)③①②, (2)3 A, (3)20
R dt dE πε
12.3 圆柱形电容器内、外导体截面半径分别为R 1和R 2(R 1 <R 2) ,中间充满介电常数为ε的电介质.当两极板间的电压变化率为k t
U =d d 时(k 为常数),求介质内距圆柱轴线为r 处的位移电流密度.
解:设圆柱形电容器内、外导体单位长度分别带有±λ的电量,由高斯定理
⎰==⋅l rl D S d D λπ2 内、外导体间的电位移矢量r D πλ2=;电场强度r
D E πελε2== 内、外导体间的电势差:1
2ln 2221R R dr r l d E U R R πελπελ==⋅=⎰⎰ ∴ 1
2ln 2R R U πελ= 电位移矢量:R R e R R r U e r D 1
2ln 2επλ== ∴ 介质内距离圆柱轴线为r 处的位移电流密度
R R d e R R r k e dt dU R R r t D j 1
2
12ln ln εε==∂∂= 12.4 (1)试证明平行板电容器两极板之间的位移电流可写为t
U C I d d d =,其中C 是电容器的电容,U 是两极板间的电势差.(2)要在1.0 μF 的电容器内产生1.0 A 的位移电流,加在电容器上的电压变化率应是多大?
解:(1) 平行板电容器:d U E D ε
ε== 电容:d S
C ε= 由位移电流定义:()dt dU C CU dt d d U S dt d dt d
D S
S j I d d ==⎪⎭⎫ ⎝⎛===ε 得证。
(2) 电压变化率:)s (V 1010
11166--⋅=⨯==C I dt dU d 12.5 有一圆形平行板电容器,半径为R =3 cm.现对其充电,使电路上的传导电流A 5.2d /d ==t Q I ,若略去边缘效应,求(1)两极板间的位移电流密度.(2)两极板间离轴线距离r = 2 cm 处P 点的磁感应强度.
解:(1) 作一半径为r 平行于极板的圆形回路,通过此圆面积的电位移通量为
2r D D π=Φ
对于平行板电容器有:σ=D
∴ Q R
r D 22
=Φ 位移电流: A 11.122==Φ=dt
dQ R r dt d I D d (2) 设半径为r 处的磁感应强度为B ,由全电流定律得:
d I I l d H +=⋅⎰0
dt
dQ R r H dt dQ R r r H 2222)2(ππ=⇒= T 1011.125200-⨯===dt
dQ R r H B πμμ 12.6 充电平行板电容器的电容为C,电流为t i -=e 2.0(SI),t = 0时极板上无电荷,求(1)极板
间电压U 随时间t 变化的关系.(2)t 时刻极板间总的位移电流I d (忽略边缘效应).
解:(1) ()t t t t e C
e C idt C C q U ---=⨯-===⎰12.02.01100 (2) 由全电流的连续性得:t d e i I -==2.0
12.7 平行板电容器的两极板是面积为S 的圆形金属板,接在交流电源上,板上电荷随时间变化满足t q q ωsin m =.求(1)电容器中的位移电流密度.(2)两极板间磁感应强度的分布. 解:对于平行板电容器,电位移矢量的大小为t Sin S q S q D m ωσ==
= 位移电流密度:t S q t Sin S q t t D j m m d ωωωcos =⎪⎭
⎫ ⎝⎛∂∂=∂∂= (2) 电容器内无传导电流,故00=j
由于位移电流具有轴对称性,设r 为场点到圆板中心的距离,以r 为半径做圆周路径为L 。
根据全电流安培环路定理:
2)2(r j dS j I r H l d H d S
d d L ππ====⋅⎰⎰ t S
r q r j H m d ωωcos 22==
所以 t S r q H B m
ωμωμcos 200== 12.8 一长直的铜导线,截面半径为5.5 mm,通有电流20 A.求导线表面处的电场能量密度和磁场能量密度.铜的电阻率1.69⨯10–8 Ω⋅m.
解:磁场能量密度:
22322
72
0002J/m 21.0)
105.5(42201042212=⨯⨯⨯⨯⨯=⎪⎭⎫ ⎝⎛==--πππμμμR I B w m 由于导线表面内外切向电场连续,所以表面外表面处的电场为 2
R I J E πρ
ρ== 此处的电场能量密度为: []
3
172232812222020J/m 106.5)105.5(14.32)201069.1(1085.8)(2)(21----⨯=⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯===R I E w e πρεε *12.9
平行板电容器,圆金属板的半径为R ,两板间距为d (d << R ).电容器正在被缓慢充电,t 时刻极板间的电场强度为E ,求此时流入电容器的能流S .
解:电容器正在充电,极板间场强随时间增大,极板间电场的能量也随时间增加。
电容器内距离中心轴线r 处的磁感应强度满足关系: 200000)2(r t
E d t E d t D r B l d B S S πεμεμμπ∂∂=∑⋅∂∂=∑⋅∂∂==⋅⎰⎰⎰ 所以,t
E r B ∂∂=0021εμ 由于d << R ,电容器的边缘效应可忽略。
极板间电场强度为E ,电容器极板间的磁感应强度为
t
E R B ∂∂=0021εμ 能流密度矢量的大小为t E RE EB EH S ∂∂==
=00211
εμ 流入电容器的能量为 t E Ed R Rd S d S ∂∂==∑⋅⎰202πεπ。