模拟电路期末试题,电子科大成都学院

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电子科技大学《模拟电路基础》期末考试

电子科技大学《模拟电路基础》期末考试

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学2010-2011学年第二学期期末考试A 卷课程名称:模拟电路基础考试形式:开卷考试日期:20 11年 6月30日考试时长:_120分钟 课程成绩构成:平时20%,期中20%,实验0%,期末60% 本试卷试题由_六_部分构成,共_4_页。

一、单项选择题(共14分,共7题,每题2分)1、晶体管工作在放大区时,电压偏置为()。

A. 发射结正偏、集电结正偏B. 发射结正偏、集电结反偏C. 发射结反偏、集电结正偏D. 发射结反偏、集电结反偏2、放大电路在负载开路时输出电压为4V ,接入Ωk 3的负载电阻后输出电压降为3V ,放大电路的输出电阻o R =()。

A. Ωk 10B.Ωk 2C.Ωk 1D.Ωk 5.03、差分放大电路的共模抑制比CMR K 越大,表明电路的()。

A.放大倍数越稳定B. 放大倍数越大 C.放大倍数越小D. 抑制零漂的能力越强4、多级放大电路由两个参数相同的单级放大电路组成,在组成它的单级放大电路的截止频率处,幅值下降了()。

A. 3dBB. 6dBC. 20dBD. 40dB5、负反馈放大电路以降低电路的()为代价来提高电路的其他性能指标。

A. 通频带宽B. 放大倍数C. 输入电阻D.输出电阻6、当要求输入电阻大,输出电阻小时,应选用负反馈放大电路的反馈类型为()。

A. 电压串联负反馈B.电流串联负反馈 C.电压并联负反馈D.电流并联负反馈………密………封………线………以………内………答………题………无………效……7、( )不是使乙类互补推挽电路转换效率达到%5.78的假设条件。

A. 忽略饱和电压B. 静态工作点处于负载线中点 C. 合适的偏置电压D. 输入满激励 二、填空题(共26分,共13空,每空2分)1、NPN 管共射放大电路在测试时出现电压削顶,这是失真,要消除该失真,应将静态工作电流。

电子科大模电期末真题10~11.doc

电子科大模电期末真题10~11.doc

电子科大模电期末真题10~11学院___________________ 系别____________ 班次_____________ 学号__________ 姓名________________………….……密…..……….封……..……线………..…以………..…内………....答…………...题…………..无…….….效…..………………..电子科技大学二零一零至二零一一学年第 1 学期期末考试模拟电路基础课程考试题A卷(120 分钟)考试形式:开卷考试日期2011年1 月 5 日课程成绩构成:平时20 分,期中20 分,实验0 分,期末60 分一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名一、填空题(共30分,共 15个空格,每个空格2 分)1、共发射极放大器(NPN管),若静态工作点设置偏高,可能产生_饱和__失真,此时集电极电流会出现__上___(上、下)削峰失真。

2、某晶体管的极限参数P CM = 200 mW,I CM = 100 mA,U(BR)CEO = 30 V,若它的工作电压U CE为10 V,则工作电流不得超过20 mA;若工作电流I C = 1 mA,则工作电压不得超过30 V。

4、电路及直流测试结果如图1所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(恒流区、夹断区、可变电阻区)。

得图1(a) 恒流区 ; (b) 可变电阻区 。

5、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图2所示。

已知W7805的输出电压为5V ,I Q =10 mA ,晶体管的β=50,|U BE |=0.7 V ,电路的输入电压U I =16 V ,三极管处于放大 (放大,饱和,截止)状态, R 1上的电压为 5.7 V ,输出电压U o 为 9 V 。

图26、设图3中A 均为理想运放,请求出各电路的输出电压值。

U 01= 6 V; U 02= 6 V; U 03= 4 V; U 04= 10 V; U 05= 2 V; U 06= 2 V 。

电子科技大学《电路设计与仿真》20春期末考试参考答案

电子科技大学《电路设计与仿真》20春期末考试参考答案

1 电子科技大学网络教育考卷(A2卷) (20 年至20 学年度第 学期) 考试时间 年 月 日(90分钟) 课程 电路设计与仿真 教师签名
[注意:所有题目的答案均填涂在答题卡上,写在本试卷上的答案无效] 一、分析简答 1、(5分)试说明下图所示电路中电阻的作用?如果去掉电阻会有什么影响? 答: (1) 对二极管起到保护作用 (2) 二极管会因电流过大而损坏 2、(10)线性电源和开关电源有何区别?它们分别应用在什么场合为好? 姓名___都军_____ 专业名称__电子信息工程____ 班号________________学号__201792417___教学中心__牡丹江大学奥鹏学习中心___ …………
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电子科技大学二零零二至二零零三学年第二学期

电子科技大学二零零二至二零零三学年第二学期

电子科技大学二零零二至二零零三学年第二学期模拟电路基础课程考试题说明:本试题满分100分,其中基本题80分(必答,直接记入总分),附加题20分(选答,供计算总分时参考)。

考试时间为120分钟一、(30分)简要回答下列问题。

1、(3分)什么叫整流电路?整流电路利用了二极管的什么特性?整流电路中的滤波电路起到什么作用?2、(2分)在稳压电路中,如何保证稳压二极管正常工作?3、(4分)放大电路中,什么叫静态工作点,什么叫零点漂移?4、4分)三极管的输入、输出特性曲线都是非线形的,由三极管构成的放大电路在小的交流信号作用下,为什么可以采用线形等效模型去分析它的交流性能指标?5、2分)在放大电路的分析过程中,直流通路起什么作用?在分析交流性能指标的时候,为什么可以只针对交流通路进行分析?6、(4分)针对有晶体管构成的阻容耦合放大器,说明它的电压增益为什么具有带通特性?7、4分)从输出波形和产生原因两个方面说明放大器非线形失真与频率失真的区别。

8、(2分)在推导乙类功率放大器的最大效率时,使用了什么假设条件才得到“最大效率为78.5%”这个结论的?9、(2分)工作于放大区的FET的沟道处于什么状态?此时控制漏级电流iD的电压是哪个电压?10、(3分)差动放大器采用恒流源的目的是什么?二、(10分)下图所示的放大电路中,已知三极管为硅管,β=100,且rbe<<(1+β)Re,其他参数如图所示。

请根据下面的要求,求出电阻Re和R1的值。

要求:静态工作点在直流负载线的中点位置:且电压增益Av=-10。

(提示:先根据增益公式的近似公式求出电阻Re)三、(15分)电路如下图所示。

设滑动端处于中间位置,两个三极管均为硅管,且参数相同,β=50,rbb’=300Ω。

已知Vi1=16mV,Vi2=10mV。

试求输出电压中的交流分量Vo和电路的共模抑制比KCMR 。

注:题中和图中的Vi1 Vi2 V o均为交流分量的有效值。

电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (2)

电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (2)

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷(120分钟)考试形式:开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成:平时10 分,期中0 分,实验10 分,期末80 分一二三四五六七八九十合计一.选择题(共20题,每题2分,共40分)1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )A增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A.所有衬底PNP集电极电压必须相同.B.所有衬底PNP发射极电压必须相同.C.所有衬底PNP基极电压必须相同.D.所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A.大电流密度限制.B.Si-Al互熔问题.C.互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D.是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A.差分管的对称性B.电流源的交流阻抗C.输入电压幅度D.电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A.V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A.放大器输入输出反相, 输入阻抗高B.放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C.放大器输入输出反相, 输入阻抗低D.放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A.增大有源负载管的宽长比.B.提高静态工作电流..C.增大差分对管的沟道长度和宽度D.提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A.越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列( D )图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二. 简答题(共5题,每题4分, 共20分)1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理:M1为输入器件,M2为共源共栅器件,共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ,该电流信号流入M2漏端,从其源端输入到负载。

电子科技大学模拟电路简答题总汇期末必备

电子科技大学模拟电路简答题总汇期末必备

1 画出BJT管输出特性曲线,简述各个区域的特点及偏置条件截止区:ic几乎为0,电路不工作。

发射结电压小于开启电压;集电结反偏;放大区:ic=βib,ic几乎只与ib有关,与uCE无关,表现出ib对ic的控制作用。

发射结电压大于开启电压;集电结反偏。

饱和区:ic不仅与ib有关,还随uCE增大而明显增大,ic<βib。

发射结和集电结正偏。

BJT输出特性曲线表现的是IB为常数时ic与管压降UCE的关系。

2为什么BJT称为双极性晶体管,而FET称为单极晶体管,他们各自是哪种控制型器件。

BJT管工作时两种载流子都参与导电;FET管仅有多数载流子参与导电;BJT管是电流控制器件;FET管是电压控制器件。

3 BJT管输出电压产生截止失真(饱和失真)的原因是什么,如何减小。

产生失真的原因是静态工作点Q设置不合理或者外加信号过大。

输出电压产生截止失真的原因是Q点过低,负半周期时IB过小导致BJT管进入截止区;适当减小RB以增大IB即可;输出电压产生饱和失真的原因是Q点过高,正半周期时IC饱和导致BJT管进入饱和区;适当增大RB以减小IB即可Q点位置适中的时候如果外加输入信号过大,产生双向失真。

通过输入端接分压电路或者适当增大直流偏置电压。

4 直流电源在放大电路的作用是什么①为晶体管正常工作提供偏置电压;②为电路提供能源5 为什么要稳定静态工作点,有哪些方法静态工作点不但决定电路是否会产生失真,还会影响到电压放大倍数、输入电阻等动态参数。

引入直流负反馈或者使用温度补偿(靠温度敏感器件直接对IB产生影响)。

6 BJT管稳定静态工作点电路引入了哪种反馈,简述稳Q过程。

见67 有哪些耦合方式,各有什么特点?直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。

直接耦合:可放大直流信号、低频特性好、利于集成;静态工作点相互影响,存在零点漂移现象。

阻容耦合:各级静态工作点相互独立;只能放大交流信号、低频特性差、耦合过程有损耗,不利于集成。

电科大-模拟电子技术试题3及答案

电科大-模拟电子技术试题3及答案

电子科技大学网络教育一、选择题(每小题2,共10分)1.BJT 依靠()控制漏极电流íc 的器件。

A 电压B 电流C 电阻D 电场2.电流求和负反馈使输人电阻()。

A 增加B 不变C 减少D 不清楚3.NPN 管放大偏值电路中,若V C 增加,则I B ()。

A 略有增加B 略有减小C 几乎不变D 不定4.集成运放采用有源负载的目的是()。

A 提高电压增益B 减少温度漂移C 稳定工作点D 提高电流强度5.若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将()。

A.R c 增大B.R c 减小C.V C C 减小D V C C 增大二、判断题(每题2分,共20分)1、反向电流是由少数载流子形成,其大小与温度有关,而与外加电压无关。

()2、三极管是电压控制元件,场效应管是电流控制元件。

()3、晶体三极管具有放大作用时,发射结反偏,集电结正偏。

()4、三极管放大电路共有三种组态共射极、共集电极、共基集放大电路。

()5、为了稳定三极管放大电路和静态工作点,采用直流负反馈,为了减小输出电阻采用电压负反馈。

()6、差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

()7、共模信号是大小相等,极性不同的两个信号。

()8、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。

()9、用低频信号去改变高频信号的频率称为调频,低频信号称为调制信号,高频信号称高频载波。

()10、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而升高。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

()三、填空题(每空2分,共20分)1.差动放大器两个输入端的增益电压分别是1mV 和-1mV,则输入的共模电压是mV 。

2.反馈方程式AB AA f +=1中,A、B 符号时为负反馈,A,B 符号时,为正反馈。

3.在画放大电路的直流通路时,应该将电路中的电容。

4.运算放大器的输入级是。

5.一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低,当前级输入信号幅度足够大时,后级输出电压波形将。

电子科技大学《电路设计与仿真》20秋期末考试参考答案电子科技大学网络教育考卷(A2卷)

电子科技大学《电路设计与仿真》20秋期末考试参考答案电子科技大学网络教育考卷(A2卷)

电子科技大学《电路设计与仿真》20秋期末考试参考答案电子科技大学网络教育考卷(A2卷)
一、分析简答
1、(15分)电路如图所示,变压器副边电压有效值为2U2。

(1)画出u2、uD1和uO的波形;
(2)求出输出电压平均值UO(A V)和输出电流平均值IL(A V)的表达式;(3)二极管的平均电流ID(A V)和所承受的最大反向电压URmax的表达。

解:
(1)全波整流电路,波形如下图
和输出电流平均值I L(A V)为
(2)输出电压平均值U O
(A V)
(3)二极管的平均电流I D
和所承受的最大反向电压U R为
(A V)
2、(15分)试说明下图所示电路中基极电阻Rb的作用?如果去掉基极电阻Rb 会有什么影响?
解:
基极电阻Rb限定三极管的基极电流;由于三极管的发射极电流与发射结电压成指数关系,如果去掉电阻,三极管会因电流过大而烧坏。

3、(15V) 下图所示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。

(1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值;
(2)若UI=35V时负载开路,则会出现什么现象?为什么?
4、(15分)电路如图P1.16所示,晶体管导通时UBE=0.7V,β=50,UCES=0.7V。

试分析VI为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。

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电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期中考试
模拟电路基础课程考试题 A 卷( 120 分钟)考试形式:开卷考试日期 2006 年 11月 11日课程成绩构成:平时 10 分,期中 30 分,实验 0 分,期末 60 分
一(14分)、问答题
1.(2分)从载流子的运动角度和伏安特性方程两个方面,分别简述PN结的单向导电性。

2.(2分)试说明由稳压二极管构成的最简稳压电路中为什么需要限流电阻。

3.(2分)以NPN型BJT单级共射放大器为例,试简要叙述确定动态范围的过程。

4.(2分)以单级稳基压偏置放大器为例,当环境温度降低时,试简要叙述稳定静态工作点的原理。

5.(2分)在多级电压放大器中,为什么常常采用射极跟随器(或源极跟随器)作为输出级(最末级)?6.(2分)计算放大器的电压增益时,为什么通常需要计算静态工作点?
7.(2分)什么是多级放大器中的零点漂移现象?
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二(8分)、电路如图1所示,已知β= 100,V BE = 0.7V,V A = ∞,r be = 5.6kΩ。

1.求输入电阻R i;
2.求小信号源电压增益A vs = v o/v s;
3.求输出电阻R o。

图1
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
三(8分)、在下图所示的分压式电路中,设三极管的电流放大系数为 ,三极管b、e之间的等效电阻为r be=3.5kΩ,电路中Vcc、V s、R1、R2、R C、R L,R E,R s均为已知,
1)试估算该电路的静态工作点,写出I BQ,I CQ,U CEQ的表达式。

2)画出中频段的交流小信号等效电路。

3)根据微变等效电路写出电压放大倍数A v及输入电阻Ri
和输出电阻Ro的表达式。

4)写出输出电压vo与提供的输入电压vs之间
(1)的比值,即A VS的表达式。

图2。

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