自旋电子学的研究现状
自旋电子学研究新进展
自旋电子学研究新进展近年来，随着纳米技术、信息技术等领域的快速发展，自旋电子学成为了研究的热点之一。
自旋电子学是一种利用电子的自旋性质来制造、控制和检测电子器件的技术，与传统的电子学不同，具有更加复杂、新颖的物理现象和应用前景。
在自旋电子学的研究中，一种被称为自旋注入现象的新兴物理现象备受瞩目。
下面将从自旋注入现象的基本理论、实验进展和应用展望三个方面探讨自旋电子学研究的新进展。
一、自旋注入的基本理论在自旋电子学研究中，旋量、自旋化电荷载流子等基本概念被广泛应用，而自旋注入现象则是其中的重要机制之一。
自旋注入是一种利用自旋极化电流来注入自旋极化载流子的现象，不仅可以用于研究电子自旋场的相互作用，还可以用于制备、检测自旋器件。
自旋注入的本质是利用自旋极化电流通过非磁性层垂直地进入铁磁层，进而在铁磁层中形成自旋偏极化。
研究表明，当自旋极化电流通过铁磁层时，由于自旋-轨道相互作用和自旋弛豫等因素，自旋偏极化会与时间演化和空间分布有关。
二、自旋注入的实验进展自旋注入不仅具有理论上的优越性，而且目前已经取得了广泛的实验验证。
研究表明，自旋注入可以通过磁隧穿透效应、自旋耦合效应、磁电耦合效应等多种方法实现。
其中，磁隧穿透效应是自旋注入实现的基础，而自旋耦合效应则可以增强自旋极化效应，同时避免自旋转化损失。
自旋注入的实验进展不仅体现在自旋器件的制备上，还涉及到了自旋电子学的基础研究。
例如，研究人员利用不同自旋-轨道耦合强度的系统实现了自旋注入效应，进一步证明了该效应的实现原理。
此外，自旋注入现象还可以通过自旋电阻或霍尔效应作为检测手段，可以实现对自旋场的定量分析和检测。
三、自旋注入的应用展望自旋注入在纳米电子器件制造、信息存储和计算等方面具有广泛的应用前景。
例如，在数据存储方面，研究人员已经利用自旋注入技术实现了自旋转移、高速数据写入和读出等操作。
同时，在人工神经网络、遗传算法、信号处理等领域，自旋注入也具有潜在的应用价值。
自旋电子学的发展及其应用
自旋电子学的发展及其应用自旋电子学是一种新兴的研究领域，它涉及到自旋在电子学中的应用。
自旋电子学的发展可以追溯到20世纪60年代，当时科学家发现自旋可以在半导体中传递电信号。
然而，这个领域的真正飞跃是在21世纪初，随着新型材料和技术的发展，自旋电子学开始迎来了蓬勃的发展。
本文将从自旋电子学的基础原理、材料和技术发展、以及自旋电子学在实际应用中的优势等方面，详细介绍自旋电子学的发展及其应用。
一、自旋电子学的基础原理自旋电子学是基于自旋的量子属性，研究自旋在材料中的行为和特性，包括自旋的产生、传输、控制和检测。
自旋是电子的一种固有属性，可以看作是电子围绕自身旋转的一种特殊运动状态。
自旋有两种可能的取向，即上自旋和下自旋。
在外磁场的作用下，上自旋和下自旋的能量不同，因此可以通过磁场来控制自旋的取向。
二、自旋电子学的材料和技术发展随着自旋电子学的不断发展，研究人员已经发现了一些材料，这些材料具有优异的自旋特性，例如：铁磁性材料、半导体材料、自旋霍尔效应材料等。
在技术方面，研究人员已经发明了一些新的技术，例如：磁隧道结构技术、磁电阻技术、磁性记忆技术等，这些技术为自旋电子学的发展提供了有力的支持。
三、自旋电子学的应用自旋电子学已经被广泛应用于电子学和信息技术领域，具有广泛的应用前景。
下面列举了一些自旋电子学的应用：磁性存储器：磁性存储器是自旋电子学应用的一种重要形式，它可以实现高速读写、高密度存储和低功耗等优点。
自旋电子器件：自旋电子器件是利用自旋电子学的原理设计的器件，它具有高速、低功耗、稳定性好等特点，可以应用于处理器、存储器和通信设备等领域。
自旋电子输运：自旋电子输运是指利用自旋电子学的原理，设计实现一些新型的电子器件和传感器，用于探测、测量和传输电信号，例如自旋电荷泵、自旋输运晶体管等。
自旋电子学在量子计算中的应用：量子计算是一种全新的计算方式，自旋电子学中的自旋量子位可以用来存储量子信息，实现量子计算。
自旋电子学中的自旋转移矩效应与自旋电子器件研究新进展
自旋电子学中的自旋转移矩效应与自旋电子器件研究新进展自旋电子学是一门相对较新的物理学分支，涉及自旋电子的操控和应用。
自旋转移矩效应是自旋电子学中的一个重要现象，它在自旋电子器件的研究和应用中发挥着关键作用。
本文将详细解读自旋转移矩效应的基本定律、实验准备和过程，并探讨其在自旋电子器件研究中的新进展和应用。
自旋转移矩效应（spin-transfer torque，简称STT）是指自旋极化电流对磁矩的转移作用。
在自旋电子学中，电流携带的自旋极化可引起磁矩的移动和翻转，从而实现自旋信息的读写和存储。
STT的研究对于自旋电子器件的发展具有重要意义。
首先，我们可以从磁体的逆磁电阻效应（GMR）开始解读STT的基本定律。
GMR现象表明，当电流通过一个具有磁性层的金属多层膜时，由于自旋极化电流的存在，电阻将与磁自旋方向有关。
这一效应被用于读取磁性存储介质中的自旋信息。
STT则进一步利用了这种磁性层中的自旋极化电流，通过施加一个垂直磁场，使得磁矩沿着特定方向旋转，实现了自旋信息的写入。
在进行STT实验前，我们需要准备一些实验装置和材料。
首先，需要制备一些磁性多层薄膜样品，其中包含磁性层和非磁性层，用于观察STT效应。
其次，需要配置一台实验仪器，如霍尔效应测量仪，用于测量和分析自旋极化电流和磁矩的变化。
最后，还需要一些实验材料，如电路板、导线和稳压电源等。
实验的过程如下：首先，将制备好的磁性多层薄膜样品固定在实验装置中，并连接电路板和电流源。
然后，通过电流源施加一定大小的电流并选择合适的频率，以产生自旋极化电流。
接着，通过霍尔效应测量仪测量电流和磁矩的变化，以获得STT效应的相关数据。
最后，根据实验数据分析自旋极化电流对磁矩的转移作用，并进一步探究其在读写自旋信息中的应用。
自旋转移矩效应在自旋电子器件的研究中有着广泛的应用。
例如，自旋转移矩随机存储器（ST-RAM）利用STT效应实现了高速、低功耗和非易失性的自旋极化数据存储。
物理学中的凝聚态物理学和自旋电子学
物理学中的凝聚态物理学和自旋电子学随着科学技术的不断发展，物理学的发展也进入了一个新的时代。
在物理学领域中，凝聚态物理学和自旋电子学是当前最为热门的研究方向之一。
本文将研究这个话题，介绍这些学科的特点和应用，以及它们未来的发展前景。
凝聚态物理学凝聚态物理学是物理学的一个分支，研究物质的宏观性质和微观结构之间的关系。
凝聚态物理学所研究的物质通常是固体、液体和气体等等，这些物质在不同的条件下会表现出不同的物理学特性。
凝聚态物理学的研究主要涉及两个方面，第一个是电子结构，第二个是它们在集体状态下的性质。
通过研究这两个方面，凝聚态物理学可以揭示物质的原子结构、分子结构、电子结构和能带结构等等特性，从而为材料科学、化学、能源和信息技术等领域的发展提供新的理论和实验基础。
自旋电子学自旋电子学是研究材料电子自旋与自旋间相互作用的物理学分支，也称为自旋电子材料学。
自旋电子学主要是以电子的自旋及其与运动的相互作用为基础，从而为磁性材料的现象及其制备提供新的理论和技术基础。
自旋电子学的研究重点是自旋现象。
自旋现象是电子运动的一种形式，通俗地讲就是电子固有的自旋角动量。
这种自旋角动量通常与电子的磁性有关。
研究表明，在许多材料中，自旋有很好的磁性。
因此，通过自旋的磁性研究，可以探讨材料在各种条件下的物理和化学特性。
未来发展前景凝聚态物理学和自旋电子学的研究有很多应用和前景。
这些研究可以促进材料科学、化学、能源和信息等领域的进步。
凝聚态物理学的研究可以为材料的物理和化学特性提供新的理论和实验基础。
自旋电子学的研究则可以为磁性材料的现象及其制备提供新的技术基础。
同时，凝聚态物理学和自旋电子学的研究也可以应用于信息技术领域。
例如，在新的信息存储技术中，自旋电子学可以用于开发新的数据存储介质和处理器。
凝聚态物理学则可以运用于超导电子学、量子计算、量子网络和纳米电子学等领域，这些领域都是当前和未来信息技术的重要方向。
总之，凝聚态物理学和自旋电子学的研究是当前物理学研究的热点和发展方向之一。
自旋电子学中的一些新进展
自旋电子学中的一些新进展近年来，自旋电子学这个领域受到了越来越多的关注。
自旋电子学的基础是电子的自旋，既可以作为电子自由度的扩展，也可以作为一种新的信息储存和传输方式。
自旋电子学应用在磁学、半导体、量子信息等领域，为这些领域的发展带来了新的契机。
在这篇文章中，我们来探讨一些自旋电子学的新进展。
一、磁化反转的动力学过程磁电子学是自旋电子学的一个重要应用领域。
磁性材料在外加磁场的作用下会发生磁化反转，这个过程是由磁矩朝着外加磁场方向旋转的。
磁化反转的动力学过程是很复杂的，近年来，科学家们通过自旋动力学模拟来研究磁化反转的过程。
他们发现，在磁化反转的过程中，磁矩会先发生预转动，然后才会开始实际的翻转。
预转动是在磁矩和外场方向之间产生的能垒被扫除之后发生的。
磁矩的预转动对于磁矩翻转的速度和磁矩的能量耗散起到了重要的作用。
二、新型材料的设计金属自旋电子学是自旋电子学的另一个重要应用领域。
与传统的半导体相比，金属自旋电子学的一个优点是电子的动力学时间比较短，因此，可以获得更高的操作速度。
研究人员们设计了一种新型的平面磁化存储器。
这种存储器的设计基于铁、铬和铂三种金属的叠层结构。
这个结构具有极高的磁性，可以在高温下稳定工作，还具有很高的热稳定性。
三、注入自旋的研究自旋注入是自旋电子学中的一个非常重要的领域。
自旋注入是将自旋电子引入材料中，从而实现新型电子元器件和存储器等的制造。
近年来，研究人员们在自旋注入的研究中做出了一定的进展。
他们提出了一种新的自旋注入机制，即在光场中引入电场。
这种机制可以增强电子和光子之间的耦合，从而实现更高效的注入。
四、磁性材料的快速交换磁性材料的快速交换是实现自旋电子学应用中的一个重要问题。
近年来，科学家们发现了一种新型的磁性材料，在这种材料中，磁矢的快速交换比在普通磁性材料中要快得多。
这种材料的优势在于，可以用来制造能够更快地进行翻转的磁性存储器和转换器。
五、量子自旋交叉的研究量子自旋交叉是自旋电子学中一个新的领域。
自旋电子学研究进展(磁学会议)
h
1
自旋
自旋
一、序言
四、半导体自旋电子
二、巨磁电阻GMR
五、MRAM研究进展
三、隧道磁电阻TMR h
2
一、序言
电荷 e1.60210x1019c
电子
电子
自旋 M s1.16530x1029W b/m
在半导体材料中有电子和空穴两种载流子，利用这两种 载流子的输运性质，1947年发明了晶体管，开创了信息时代。
MR(%)
CIP
CPP
1994年 Pratt和Levy 垂直多层膜的GMR(CPP)，比CIP高4倍的变化
Phys.Rev.Lett.66(1991)3060--------70(1993)3343
h
4
2
0
13
-400 -300 -200 -100 0 100 200 300 400
H(Oe)
增加纳米氧化层的自旋阀
图中所示为样品的退火温度
28
2005.2 实验结果
室温：MR=220％ 4K：MR=300％
热稳定性可超过 4000C,有利于与 CMOS配合
用磁控濺射制备的MgO磁隧道(80x80m2)
TA=3700C TA=3800C
TA=3600C
MgO:立方晶体(100)织构； CoFe：b.c.c.(100)织
构；IrMn：f.c.c.(100)织构
h
三种样品的TMR与退火温度的关系，
这就是自h 旋极化的各向异性起因。
22
2001.1实验结果
MgO单晶势垒的磁隧道效应
w.wulfhekel Appl phys lett vol 78 509 (2001.1)
半导体自旋电子学的最新研究进展
１８年 ，在磁 性 多 层膜 中 首 次发 现 了 巨磁 阻 效应 ［］ ９８ １ ，特 别 是 １９年 ９５ 在 铁磁 隧道 结材料 中发现 了室温 隧 穿磁 电阻效 应 ［］ ２ ，人 们对 电子 自旋 自由 度 的研 究 势如 破竹 。现在 研 究 电子 自旋 的控 制与 输 运 已经成 为 凝聚 态 物理 研 究 的热 点之 一 ，并 由此 发展 成 一 门新 的交 叉学 科— — 自旋 电子学 ， 也被 称 为磁 电子学 。 目前 已经 研制 成 功 的 自旋 电子器 件 ： 巨磁 电阻 、 自旋 阀、 磁 隧道 结 等 ，都 是基 于铁 磁 金属 材料 ， 与传 统 的 电子器 件相 比， 自旋 电子
【 新 技术产 业发 展 】 ＿ 高 蠢一
半 导 体 自旋 电子 学 的最 新 研 究 进 展
张家鑫 １ 许丽萍 １ 王忠斌 １ 范石伟２
（． １中北大学 理学硫物理系 西 太原 ００５； ． 蒙古科技大学 材料 山 ３０１ ２内 与冶金学院 内 蒙古 包头 ０４１） １０ ０
摘
要 ： 自 电子学起源 于巨磁阻效 应 （ Ｍ ）， 目前 已经成为凝聚 态物理学领 域的研究热 点，其中半 导体 自旋 电子学 是 自旋 电子学 中人们所关注 的一个重要 旋 ＧＲ
器 件 的集 成制 造和 与传 统 微 电子 器件 的一 体 化集 成 制造 。 因此 人们 认 为半 导体 是研 究 自旋 电子 器件 集成 化 最好 的材 料 ，于 是 就形 成 了今 天 的半 导体 自旋 电子学 ， 为当 今物 理领域 研 究的热 点 。然 而 ， 目前 ，对 半导体 自旋 电 成 子 的研 究 还处 于理 论和 实 验 阶段 ，主 要研 究 基本 问题 是 如何 实 现半 导 体 中 电子 自旋 的极 化注 入 、检 测 、输 运 以及 自旋 流 的产 生 。本 文就 半导 体 自旋 电子学 的研 究进展 作 一个简 单 的论述 。 １自旋 电子 的注入
电子自旋的研究报告
电子自旋的研究报告摘要：本研究报告旨在探讨电子自旋的基本概念、研究方法以及其在物理学和材料科学领域的应用。
通过对电子自旋的理论模型和实验观测的综合分析，我们得出了一些重要结论，并对未来的研究方向提出了建议。
1. 引言电子自旋是描述电子独特属性的一个重要概念，它与电子的轨道运动相对独立。
自旋可以理解为电子围绕自身轴心旋转的运动，它具有两个可能的取向：上自旋和下自旋。
电子自旋的研究对于理解原子、分子和固体材料的性质具有重要意义。
2. 电子自旋的理论模型电子自旋最早由Pauli在1925年引入，他提出了著名的Pauli不相容原理，即同一量子态下的电子自旋不能完全相同。
根据量子力学的描述，电子自旋可以用自旋角动量算符来表示，其取值为±1/2。
电子自旋的量子态由自旋向上和自旋向下的线性组合构成。
3. 电子自旋的实验观测电子自旋的实验观测主要通过磁共振技术实现。
核磁共振（NMR）和电子顺磁共振（EPR）是常用的实验方法，它们通过测量样品在外加磁场下的共振吸收信号来确定电子自旋的性质和行为。
此外，基于自旋电子学的研究也为电子自旋的观测提供了新的途径。
4. 电子自旋的应用电子自旋在物理学和材料科学领域有着广泛的应用。
在量子计算中，电子自旋被用作量子比特的信息载体，其离散的取值使得量子计算具备了高度的稳定性和可控性。
此外，电子自旋还被应用于磁性材料的研究，如磁存储材料和磁传感器。
5. 电子自旋的未来研究方向尽管电子自旋的研究已取得了重要进展，但仍存在许多待解决的问题和挑战。
未来的研究可以从以下几个方面展开：深入理解电子自旋与其他自由度（如轨道、自旋轨道耦合）的相互作用；开发新的实验技术和材料系统，以实现对电子自旋的更精确控制和测量；探索电子自旋在量子信息处理和量子材料中的更广泛应用等。
结论：电子自旋是一个重要的物理学概念，其研究对于理解物质的性质和开发新的应用具有重要意义。
通过深入理解电子自旋的理论模型和实验观测，我们可以进一步拓展其在量子计算和磁性材料等领域的应用。
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［］游彪， ２ 盛雯婷， 孙亮等 ． 旋 电子学 的发展及 应用 ［］科技进 展，０ ３ 自 Ｊ． ２０ ，
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性 元素 ， 如在 Ｚ Ｏ Ｔ Ｏ Ｓ Ｏ 例 ｎ ， ｉ ， ｎ 和Ｇ Ｎ ａ 中掺杂 磁性 元素 ， 获得一 些居 里温 度超 过
所谓 自旋 电子学， 门 以研 究 电子 的 自旋 极化输运 特性及 基于 这些特性 是一
而 设计 、 开发 新 电子 器件 为主 要 内容 的一 门交叉 学 科 。其研 究 对 象包 括 电 子 的 自旋 极 化 、 自旋 相 关 散射 、 自旋 弛豫 以及 与 此 相 关 的 性 质 及 其应 用
等 。
２ 自旋 电子 引起 的 特性
２ １ 巨磁 电阻效应 ．
室温 的稀 磁 半 导体 。遗 憾的 是 至今 还 没有 找 到适 合 在 室温 下 能做 磁 隧 道 结 Ｍ Ｊ的稀磁 半导 体， 且 同样 的材料各 人做 出来 的结 果都 不一 样， 理也 没有 Ｔ 而 机
完全 弄清 楚。 为 了克服 肖特基 势 垒人们 又考 虑采 用隧 道效 应 。 ２ ０ 年 ， Ｚ ｕ等通 过 ０１ ｈ Ｆ 膜与 Ｇ Ａ 膜之 间的 隧道 效应， 自旋 电子注入 到半 导体 中， 过 电子发 光 的 ｅ ａｓ 把 通
结语
巨磁 电阻 （ｉｎ ａ —ｅ ｏｅ ｉ ｔｎｅ Ｇ Ｒ 的发 现是 物理学 中的 一个全 Ｇ ａ ｔＭ ｇｎ ｔｒ ｓ ｓａ ｃ， Ｍ） 新 效应和 突 破 巨磁 电阻效 应 的发 现， 自旋 电子学 发展 史 上 的里程 碑 。它基 是 于 自旋 相关 导 电， 电阻 与传 导 电子的 自旋 方 向有关 。微 弱 磁场 可引 起纳 米 多 层膜 的 电阻 发生 巨大变 化 ］ 。 １ ８ 年， 国的Ｇ ｕ ｂ ｒ 等人 在研 究薄膜 中 自旋 波 的光散射 时， ９６ 德 ｒｎ ｅｇ 发现 随着 ｃ ｒ的厚 度 改变， 中两个 Ｆ 层存 在反 铁磁 耦合 。随后在 法 国工作 的 Ｂ ｉ ｉｈ等 ｅ ａｂｃ 人用 分子 束 外延 的方 法制 备 了多层 膜并 研究 其 电阻特 性 。当 ｃ ｒ的厚度 为 ０ ． ９ ｍ 他 们发 现在温 度 下， ｎ 时， 薄膜的 电阻值 随 外加磁 场 的增加 而减 小， 当外磁 场 大于 个特 斯 拉后 ， 电阻值 几 乎只 有原 来 未加 磁场 时 的一 半 。 其 ］
理 由相信 ， 随着对 电子 自旋 特性 的理解 和操 纵， 将会给 人类 带来 更 为灿烂 的 明
天 。
参考 文献 ：
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制 。
利用 电子 的荷 电性， 人类在 半导 体芯 片上创 造 了今天辉 煌 的信息 时代 ： 有
这 种磁 电阻效应 可 以用 自旋相 关 散射 的双通 道模 型 来解释 ［ 见 图 １ 。 ３ ］（ ） 考虑 到两个不 同 自旋取 向的 电子 在界面 处所 受到 的散 射是 不同 的， 设 当 自旋 假
取 向与 铁磁层 的磁 化方 向相 同时， 电子所受 到的 散射较小 ， 相应 的 电阻比较 小， 而 另一种 自旋 取 向的 电子所 受到 的散射 较大 ， 相应 的 电阻比较 大 。那 么， 多 在 层膜 中， 当存 在 反铁磁 耦合 时， 相邻 Ｆ 层 的磁 化方 向是 反平 行 的， ｅ 这样 两个 自 旋取 向 的 电子所 受到 的散 射 都较 大， 以系统 处于 高 电阻状 态 。 当外磁 场较 所 大时 ， 有Ｆ 层 的磁化 方 向将转 到外 场的方 向， 时有一 种 自旋取 向的 电子所 所 ｅ 这 受到散 射 很小， 另一种 电子所 受到 的散射 很大， 统总 电阻 可以看 成这 两种 而 系 电子 电 阻的 并联 ， 而系 统处 于低 电阻状 态 。由于 多层 膜 中的这 种 磁 电阻效 因
教 育时空
●Ｉ
自旋 电子学 的研究现 状
刘 治伟 王 可 朱晓 宇
徐 州 ２ １ １） Ｉ ２ １６ （ 中国矿业 大 学安全 工程 学院 ［ 摘 要］自旋 电子学 主要研 究 电子 自旋在 固 体物 理中 的作用 ， 一 门结合磁 学与 微 电子 学的 新兴交 叉学 科 。本文 简单 介绍 了 自旋 电子学 的概念 及其 内容 是 综 述 了 自旋 电子 学 目前 的 研究 ， 尤其 是 半 导体 自旋 电子 学 。最后 对 自旋 电子器 件 的应 用 进行 了展 望 。 ［ 关键 词］ 自旋 电子学 巨磁 电阻 效应 隧 道磁 电阻 效应 自旋霍 尔效 应 半 导体 应用 中 图分类 号 ：４ ０８ 文 献标 识码 ： Ａ 文章编 号 ：０ ９９ ４ （０ １ ２— １３ ０ １０ — １Ｘ２ １） ８ ０９ — １
操 作 和检 测 ， 为人 们 最 关注 的问题 。 成 最初 人们企 图用铁 磁金 属与半 导体材料 直接欧 姆接触 ， 把极化 自旋 流注 入
到 半导 体材 料 中去， 是 由于 Nhomakorabea特 基 势垒太 高， 入效 率极低 。为 了克服 肖特 但 注
［］ 郭永胜 等 ． ４ 自然地 理学 原理 ［］ 北 京 ： Ｍ． 科学 出版 社． ０ ７ ２０． ［］ ＪＪ Ｌ ｗ Ｍ Ｊ ｃＷ ｌｅ ． 四纪环境 演变 ［］北 京 ： 学 出版 社． ５ ． ．ｏ ｅ・ ． ． ．ａ ｋ ｒ 第 Ｍ． 科
Ｆ 的 ＴＲ ， Ｍ Ｍ 值 引起 人们 极大 兴趣 。 ２０ 年 ，ａ ａ ｏｃ ｉ ０ ４ Ｙ ｍ ｎｕ ｈ 等用 做成 特殊 设计 的 结 构， 自旋 极化 电流驱 动磁 畴壁， 制磁化 强度 反转， 用 控 构成 磁信 息存 储 器件 。
遗 憾 的是， 的 居里温 度 为 ｌＯ ， 使用温 度太 低， 温下 不能 用， １Ｋ 能 室 因此 人们 开 始努 力 寻找室 温 下的稀 磁半 导体 。人们 尝试 了在各 种氧 化物 半导 体 中掺杂 磁
万方数据
科技 博览
Ｉ １３ ９
自旋电子学的研究现状
作者： 作者单位： 刊名： 英文刊名： 年，卷(期)： 刘治伟， 王可， 朱晓宇 中国矿业大学安全工程学院,徐州,221116 中国科技博览 China Science and Technology Review 2011(28)
本文链接：/Periodical_zgbzkjbl201128181.aspx
基 势垒 ， 只有 两个 办 法 ： 找磁 性半 导体 材 料或 利用 隧 道效 应 寻
２ ０ 年 。 ｈ ｂ 等利用 Ｍ ５ ５ ００ Ｃ ｉａ ｎ ． ％的Ｇ Ａ 稀 磁半 导体 和作绝 缘层 的三 明 治结 ａｓ
构 的隧 道结 ， 获得磁 电阻 Ｔ Ｒ ２Ｋ温度 下 为 ５ ５ ， 里温 度 为 １Ｏ 。 ２０ Ｍ在 ０ ．％ 居 １Ｋ ０１ 年 ，Ｔ ｎ ｋ 等在 隧道 结中获 得 Ｔ Ｒ ａａａ Ｍ 值为 ７％ 超过 了氧 化铝 为绝 缘层 的 Ｆ／ ／ ０， Ｍ Ｉ
应 很大 ， 比一 般 的铁磁 金属 的各 向异 性磁 电阻 大 １ 数 量级， 以人 们把 这种 个 所
效应 叫 做 巨磁 电阻 效 应 。
３半 导 体 自旗 电予 学” 电子 同 时具 有 电荷 和 自旋 两种属 性， 电子 的 电荷 属性在 半导体 材料 中获得
极 大 的应 用， 推动 了 电子 技术 、计 算机 技术 和信 息 技术 的发 展 。使 电子 的 自 旋 特性 在 半 导体 中 获得 应 用， 半 导体 器件 中实现 自旋极 化 、注 入 、传送 、 在
积极探 索 新 型 自旋 电子学 功能 材料 ， 以新材 料为 重 点开展 广 泛 的磁特 并 性 、 电子 自旋 、 磁 电 、磁 热 、磁 光 效 应 和 自旋 量 子 调 控 等 方 面 的应 用 基 础研 究，探索 微 观 电子 结 构 、 自旋 相关 的微 磁 结构 、 交 换耦 合 、 表面 和 界 面 效应 等对 材料 功能 特性 的 影响 ， 以引领 新 型 自旋 电子学 原理 型 器件 的研 可
１自旋 电 子学 众所 周知 ， 电子 不仅 带有质 量和 基本 电荷 ， 还带有 内禀 自旋 。在 传统 的微 电子 学中， 电子 电荷 作为 能量和信 息传输 的载体 ， 者说， 将 或 它只利 用 了电子 电 荷 的运动 ， 不考虑 其 自旋状 态 。随 着纳米 科 学技术 的发 展， 学家 发现 当半 而 科 导 体组件 减 小到纳 米 尺寸后 ， 多 宏观特 性将 丧失， 许 电子 自旋 的作 用将 凸显 出 来 自旋 电子 学 正 是 在 这 样 的 背 景 下产 生 的 。
２ ０ 年 １ 月瑞典 皇 家科学 院宣 布， 该年度 诺 贝尔物 理学 奖授 予在 １８ ０７ ０ 将 ９８ 年 分别独 立 发现纳 米 多层膜 中 巨磁 电阻的法 国 Ａ ｂ ｒ ｅ ｔ教授 和德 国 Ｐ — ｌ ｅ ｔＦ ｒ ｅ