几种新的封装工艺
新型的IC封装工艺(PLCC)及其PCB载板制造流程
降。
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由 于 Ｉ 装 的 载 板 在 电 性 能 上 的 特 殊 要 求 ，制 造 难 点 Ｃ封
ｌ封 装 ， 就 是 指 把 硅 片 上 的 电 路 管 脚 ， 导 线 接 引 到 Ｃ 用
外部 接 头 处 ， 以便 与 其 它 器 件 连 接 封 装 形 式 是 指 安 装 半 导
体 集 成 电 路 芯 片 用 的 外 壳 。 它 不 仅 起 着 安 装 、 固 定 、 密 封 、 保 护 芯 片 及 增 强 电 热 性 能 等 方 面 的 作 用 ， 而 且 还 通 过
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防潮包装工艺的种类有哪些
防潮包装工艺的种类有哪些防潮包装工艺是一种能够保护产品免受潮湿和水分侵袭的包装方法。
它通常被应用于食品、电子产品、药品和化妆品等领域。
防潮包装工艺的种类有很多，下面将介绍一些常见的种类。
1. 真空包装：真空包装是一种通过抽取包装袋中的空气，使产品处于真空状态的包装方法。
真空包装可以有效地防止产品受潮，因为在没有空气的情况下，水分无法存在。
对于一些易受潮的产品，如干燥食品、电子元件等，真空包装是一种非常有效的防潮包装工艺。
2. 湿敷封口：湿敷封口是一种利用湿度较高的环境条件，通过含水固化胶带或胶水来封口的包装工艺。
这种方法可以有效地防止水分渗入包装内部，保持产品的干燥状态。
湿敷封口常用于一些对潮湿非常敏感的产品，如化妆品、药品等。
3. 铝箔包装：铝箔是一种优良的防潮材料，它具有良好的防水性能和防氧性能。
铝箔包装可以将产品完全隔绝在外界环境之外，防止水分渗入。
常见的铝箔包装产品有咖啡、巧克力、药品等。
4. 吸湿剂包装：吸湿剂是一种能够吸附周围环境中的水分的物质。
吸湿剂常常被放置在包装袋中，与产品一起封装。
吸湿剂可以吸收包装内部的水分，保持产品的干燥。
常见的吸湿剂有硅胶、氧化铁等。
5. 漏气包装：漏气包装是一种利用防潮材料和密封结构来防止水分进入包装的方法。
漏气包装常常应用于对水分要求较高的产品，如食品、鲜花等。
常见的漏气包装材料有聚乙烯、聚氯乙烯等。
6. 热缩包装：热缩包装是一种利用热缩膜将产品紧密包裹起来的包装方法。
热缩膜具有优良的防潮性能，能够有效地阻挡水分的渗入。
热缩包装通常应用于一些对包装密封性能要求较高的产品，如电子产品、机械零件等。
总结起来，防潮包装工艺的种类有真空包装、湿敷封口、铝箔包装、吸湿剂包装、漏气包装和热缩包装等。
这些工艺方法各有特点，可以根据不同产品的防潮需求选择合适的包装工艺。
tocan封装工艺
tocan封装工艺摘要：1.tocan封装工艺简介2.tocan封装工艺的流程3.tocan封装工艺的优势4.tocan封装工艺的应用领域5.我国在tocan封装工艺领域的发展正文：tocan封装工艺是一种先进的半导体封装技术，它采用薄膜覆铜技术，通过在芯片表面覆盖一层薄膜，再将薄膜与铜线焊接，从而实现芯片与电路板之间的连接。
这种封装工艺具有高密度、高可靠性、低噪声、低失真等优点，广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
tocan封装工艺的流程主要包括芯片贴装、薄膜覆铜、焊接、检测等步骤。
首先，将芯片贴装到电路板上，然后使用薄膜覆铜技术在芯片表面覆盖一层薄膜。
接下来，通过焊接将薄膜与铜线连接，最后进行检测，确保封装质量。
tocan封装工艺的优势主要体现在以下几个方面：1.高密度：tocan封装工艺可以在有限的面积内实现大量芯片的封装，提高电路板的空间利用率。
2.高可靠性：由于焊接部位在薄膜内部，因此具有较强的抗振动和抗冲击能力，大大提高了产品的可靠性。
3.低噪声：tocan封装工艺的焊接部位与电路板之间的接触面积较大，减小了信号传输过程中的噪声，提高了信号质量。
4.低失真：tocan封装工艺焊接部位的电阻较小，降低了信号传输过程中的失真，提高了产品的性能。
tocan封装工艺广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
在通信领域，tocan封装工艺可以实现高速、高精度、高稳定性的信号传输；在计算机领域，tocan封装工艺可以提高主板的空间利用率，实现更强大的性能；在消费电子领域，tocan封装工艺可以提高产品的可靠性和性能，满足消费者对高品质产品的需求。
我国在tocan封装工艺领域取得了显著的发展。
我国政府高度重视半导体产业的发展，制定了一系列政策支持和鼓励半导体产业的研究和创新。
近年来，我国企业在tocan封装工艺领域不断取得突破，已经具备了国际竞争力。
尽管我国在tocan封装工艺领域取得了一定的成绩，但与发达国家相比，仍然存在一定的差距。
先进封装的四大工艺？
在集成电路领域，先进封装通常指的是在芯片嵌入封装阶段采用的先进工艺。
以下是四种常见的先进封装工艺：1. System-in-Package（SiP）：System-in-Package 是一种先进封装技术，将多个芯片、模块或组件集成在一个封装里。
这些芯片和模块可以是不同功能的，通过堆叠或集成在同一个封装内，实现更紧凑的物理尺寸和更高的集成度。
SiP 提供了低功耗、高速度、高度集成的解决方案，在多种应用中广泛使用。
2. Flip-Chip：Flip-Chip 是一种将芯片翻转并倒置安装在基板上的封装技术。
芯片的连接引脚（Bond Pad）直接与基板上的焊球（Solder Ball）连接，提供更短的信号路径和更高的速度。
Flip-Chip 技术适用于复杂的高密度互连需求，特别是在处理器和高性能芯片中广泛使用。
3. 2.5D/3D 封装：2.5D 封装和3D 封装是一种将多个芯片或芯片堆叠在一起的先进封装技术。
2.5D 封装是通过在芯片上放置硅插板（interposer）来实现不同芯片之间的连接。
3D 封装是将多个芯片堆叠在一起，并通过集成通孔（Trough Silicon Via，TSV）实现芯片之间的互连。
这些技术可以提供更高的集成度、更短的信号路径和更低的功耗。
4. Wafer-Level Packaging（WLP）：Wafer-Level Packaging 是一种在晶圆尺寸尺度上进行封装的先进工艺。
它利用晶圆级别的工艺步骤，在晶圆上直接构建和封装芯片。
WLP 可以提供更高的集成度、更小的尺寸和更好的性能，特别适用于移动设备和便携式设备。
这些先进封装工艺在提高芯片性能、减小尺寸和实现更高的集成度方面起着重要作用，广泛应用于各种领域，包括通信、计算、消费电子等。
值得注意的是，随着技术的不断进步，先进封装领域也在不断发展和演进，新的封装工艺也在不断涌现。
封装工艺
10、SOT(Small Outline Transistor )
小外形晶体管。SOT系列主要有SOT-23、 SOT-223、SOT25、SOT-26、SOT323、 SOT-89等。当电子产品尺寸不断缩小 时， 其内部使用的半导体器件也必须变小， 更小的半导体器件使得电子产品能够更 小、更轻、更便携，相同尺寸包含的功 能更多。 SOT-25 SOT-26 SOT-223 SOT-23
图示过程:
抓片头 装片头 框架 银浆分 配器 校正台 簿膜 吸嘴 芯片 簿膜 顶头
圆片
四.键合过程
键合(wire bonding)的目的
为了使芯片能与外界传送及接收信号，就必须在 芯片的接触电极与框架的引脚之间，一个一个对 应地用键合线连接起来。这个过程叫键合。
框架 内引 脚 芯片接处电极 键合引线
3.吸水性，透湿率要低。
4.热膨胀系数要高，导热率要低。
5.成型收缩率和内部应力要小。
6.成型，硬化时间要短，脱模性要好。
7.流动性及充填好，飞边少。
使用塑封封装的理由:
1.工艺简单，便于大量生产，成本低。
2.工作温度较低
3.芯片事先加了保护性钝化膜。
4.塑封材料符合封装的要求。
六.电镀工程
电镀的目的:
(2)由于温度降低，可以减少金铝间的金属化合物的产生，从 而提高键合强度，降低接触电阻。 (3)能键合不能耐300 ℃ 以上高温的器件。 (4)键合压力，超声功率可以降低一些。 (5)有残余的钝化层或有轻微氧化的铝压点也能键合。
五.塑封工程
IC密封的目的
密封是为了保护器件不受环境影响（外部冲击， 热及水伤）而能长期可靠工作。
全自动切割方式
贴膜 划片洗净及干燥 装片
fanin封装工艺流程
Fan-In封装是一种常见的封装方式，其工艺流程主要包括以下几个步骤：
1. 晶圆加工：晶圆需要进行切割、清洗、掺杂等加工处理，以保证其质量和性能。
2. 重分布层（RDL）制作：RDL是一种连接裸片和引脚焊盘的金属线路层，通常是在硅片的背面进行光刻和蚀刻，然后通过电镀或化学沉积的方式形成。
3. 焊球附着：在RDL上形成焊球，通常是通过光刻和蚀刻的方式，将金属焊球定位并固定在RDL上。
4. 减薄：将晶圆减薄到合适的厚度，以便后续的切割和封装。
5. 切割：将晶圆切割成单个芯片，并去除多余的硅片面积。
6. 封装：将单个芯片封装在塑料或陶瓷封装中，以保护芯片免受外界环境的影响，并提供电气连接。
7. 测试：对封装好的芯片进行测试，以确保其性能符合要求。
需要注意的是，Fan-In封装工艺流程可能因具体的芯片设计和封装要求而有所不同，以上步骤仅供参考。
vcsel的封装工艺
vcsel的封装工艺VCSEL是垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser）的简称，是一种新型的激光器封装工艺。
VCSEL的封装工艺在光通信、光传感、3D感测等领域得到广泛应用。
本文将从VCSEL的封装工艺的定义、封装过程、封装工艺的发展等方面进行探讨。
一、VCSEL封装工艺的定义VCSEL的封装工艺是将VCSEL芯片封装到封装基座中，以保护芯片并便于连接和使用。
封装工艺的好坏直接影响到VCSEL的性能和可靠性。
目前常见的VCSEL封装工艺有TO封装、CAN封装、C-Mount封装等。
二、VCSEL封装过程VCSEL封装的一般过程包括芯片选取、背面处理、金属化、球栅键合、焊接、环氧封装等步骤。
首先，从生产中选取优质的VCSEL芯片，然后对芯片进行背面处理，以提高散热效果。
接下来，在芯片的金属化过程中，通过蒸镀金属来形成电极，以便与外部电路连接。
然后，通过球栅键合技术将芯片与基座连接起来。
最后，利用焊接技术将电极与外部引线连接，并使用环氧树脂进行封装，以保护芯片。
三、VCSEL封装工艺的发展随着VCSEL技术的不断发展，其封装工艺也在不断改进和创新。
早期的VCSEL封装工艺主要采用TO封装，这种封装方式简单易行，但散热效果较差。
随着技术的进步，CAN封装和C-Mount封装逐渐兴起。
CAN封装在VCSEL芯片的背面加入散热底座，提高了散热效果，适用于高功率VCSEL的封装。
C-Mount封装则采用薄膜底座和焊接技术，具有更好的热导性能和可靠性，适用于高速通信领域。
四、VCSEL封装工艺的优势VCSEL封装工艺具有以下优势：首先，VCSEL芯片尺寸小，可以进行高密度封装，提高集成度。
其次，VCSEL封装工艺成本低，生产效率高。
此外，VCSEL封装工艺还具有良好的热导性能和可靠性，能够适应高功率、高速等特殊工作环境。
总结：本文对VCSEL的封装工艺进行了介绍，从定义、封装过程、发展趋势等方面进行了探讨。
FC、BGA、CSP三种封装技术。
最早的表面安装技术——倒装芯片封装技术（FC）形成于20世纪60年代，同时也是最早的球栅阵列封装技术（BGA）和最早的芯片规模封装技术（CSP）。
倒装芯片封装技术为1960年IBM公司所开发，为了降低成本，提高速度，提高组件可靠性，FC使用在第1层芯片与载板接合封装，封装方式为芯片正面朝下向基板，无需引线键合，形成最短电路，降低电阻；采用金属球连接，缩小了封装尺寸，改善电性表现，解决了BGA为增加引脚数而需扩大体积的困扰。
再者，FC通常应用在时脉较高的CPU或高频RF上，以获得更好的效能，与传统速度较慢的引线键合技术相比，FC更适合应用在高脚数、小型化、多功能、高速度趋势IC的产品中。
随着电子封装越来越趋于向更快、更小、更便宜的方向发展，要求缩小尺寸、增加性能的同时，必须降低成本。
这使封装业承受巨大的压力，面临的挑战就是传统SMD封装技术具有的优势以致向我们证实一场封装技术的革命。
2 IBM的FCIBM公司首次成功地实施直接芯片粘接技术（DCA），把铜球焊接到IC焊盘上，就像当今的BGA 封装结构。
图1示出了早期固态芯片倒装片示意图。
IBM公司继续采用铜球技术并寻求更高生产率的方法，最终选择的方案为锡-铅焊料的真空淀积。
为了形成被回流焊进入球凸点的柱状物，应通过掩模使焊料淀积。
由于淀积是在圆片级状况下完成的，因而此过程获得了良好的生产率。
这种凸点倒装芯片被称为C4技术（可控塌陷芯片连接）一直在IBM公司和别的生产厂家使用几十年，并保持着高的可靠性记录。
虽然C4在更快和更小方面显得格外突出，但是呈现出更节省成本方面的不足。
与C4相关的两个重要的经济问题是：形成凸点的成本和昂贵的陶瓷电路的各项要求。
然而，正确的形成凸点技术及连接技术能够提供更进一步探求较低成本的因素。
3 形成凸点技术凸点形成技术分为几个简单的类型，即淀积金属、机械焊接、基于聚合物的胶粘剂以及别的组合物。
最初的C4高铅含量焊料凸点，熔点在300℃以上，被低共熔焊料和胶粘剂代替，从而使压焊温度下降到易于有机PCB承受的范围。
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- 1 -第７卷第２期几种新的封装工艺翁寿松（无锡市罗特电子有限公司，江苏 无锡 214001）摘 要：文章介绍了几种新的封装工艺，如新型圆片级封装工艺——OSmium 圆片级封装工艺，它能够把裸片面积减少一半；新型SiP 封装工艺——Smafti 封装工艺，它改进了传统SiP 封装工艺，把传输速度提高了10倍；超薄型封装工艺，超薄型变容二极管和Wi-Fi 系统功率放大器；CDFN 封装工艺和RCP 封装工艺等。
关键词：封装工艺；圆片级封装；SiP 封装；RCP 封装中图分类号：TN305.94 文献标识码：A 文章编号：1681-1070（2007）02-0001-03A Few New Packaging TechnologiesWENG Shou-song(Wuxi Luo Te Electronics co., Wuxi 214001, China)Abstract ：In this paper,a few new packaging technologies are introduced,as the new wafer packaging tech-nology—the OSmium wafer packaging technology,it is potentialities,which the bare chip area is reduced to one half. The new SiP packaging technology—the Smafti packaging technology,the traditional SiP packaging tech-nology is improved,the transmission velocity is raised to ten times. The ultra-thin packaging technology—the ultra-thin varicap diode and the Wi-Fi system power amplifier. The CDFN packaging technology and the RCP packaging technology etc.Key words: packaging technology ；wafer package ；SiP package ；RCP package综 述收稿日期：2006-08-21第7卷，第2期V ol ． 7，No ． 2电子与封装ELECTRONICS & P ACKAGING总 第46期2007年2月1 新圆片级封装工艺1.1 OSmium 晶圆级封装工艺2006年8月，位于美国爱达华州首府博伊西的美光公司推出了OSmium 圆片级封装工艺，它包括三个关键封装技术：（1）贯通圆片的互连。
它通过直接钻过裸电绑定焊盘，然后把导电材料与通孔连接起来，为连接第二块裸片的绑定焊盘提供了最短的路径；（2）重分布技术。
允许焊球从裸片绑定焊盘被重分布，以满足裸片边缘标准和定制球形的要求；（3）圆片级封装技术。
把仍然位于圆片上的裸片从六边封装起来。
该公司能以较低成本提供仅比裸片器件大几个微米的已封装器件，如存储器和图像传感器等。
这种圆片级封装工艺能降低封装成本，使封装成本只占最终器件总成本的15%~25%。
该公司总裁兼CEO Steve Appleton 表示，采用这种圆片级封装工艺能够把裸片面积减少一半。
18个月后该封装可达商品化。
1.2 业界最小的圆片级封装相机控制处理器2006年8月，Mtek Vision 公司采用圆片级封装技术推出业界最小的相机控制处理器（CCP ）MV30119SNW ，封装尺寸为4.6mm×4.6mm ，比市售CCP 缩小40%以上。
它是在同一道工序中整合对圆片的加工处理和对芯片的封装，先通过光敏电介质将芯片粘贴在圆电子与封装第７卷第２期片上，在布线之后用光敏电介质再一次粘接。
这样可省去传统封装所需的塑料、PCB和连接线。
2新SiP封装2.1 Smafti封装工艺2006年8月，NEC公司推出Smafti（smart chip connection with feed through interposer）封装工艺，它属于SiP封装，在单一封装内堆叠逻辑、Gb内存等芯片。
该封装工艺有三个关键技术：（1）在逻辑和存储芯片之间有一个仅６０μｍ的缝隙和一个５０μｍ间距的微焊点；（2）连接性能超群的１５μｍ导通线接板技术；（3）多芯片组装技术。
这种新SiP封装工艺与传统SiP相比，后者由于线接板较厚导致封装尺寸更大，使信号传输速度、接线互连性和芯片并排布置上有所局限。
由于Smafti封装工艺克服了传统SiP的缺点，其传输速度提高了10倍，达100Gb.s-1。
该公司于2007年1季度提供各种尺寸的无铅Smafti封装。
2.2 单封装的移动电视应用处理器2006年7月，NEC电子公司在单一封装内整合3块芯片，构成单封装的移动电视应用处理器M C-10051F1，这3块芯片是：（1）集成图像及音频处理的DSP内核和CPU内核的LSI-MP201Core Logic；（2）USB 2.0和TAT等接口的LSI；（3）电源LSI，其中MP201 Core Logic芯片与接口LSI芯片相邻，电源LSI芯片堆叠在MP201 Core Logic 芯片之上。
这块SiP封装尺寸为14mm×14mm，与3块分立LSI 封装面积相比，封装面积减少了15%。
同时还可节约单独处理芯片设计电路的时间，能缩短一半的开发周期。
该产品2006年9月供货，单价25.7美元。
2.3 设计SiP封装的EDA产品由于SiP封装可广泛应用于手机、蓝牙、WLAN 和包交换网络等无线、网络及消费类电子领域，所以SiP封装产品出货量逐年增加，据Stmico预测，2007年SiP合同制造商收入将达7479万美元。
为了提高SiP 制造商的设计能力，2006年6月，Cadence公司推出业界首款设计完整的SiP的EDA产品，它是一套自动化、整合的、可依赖的、可复用的电子设计自动化工具。
它包括：（1）Cadence Radio Frequency SiP Method-ology Kit；（2）两款新RFSiP产品：Cadence SiP RF 架构和Cadence SiP RF版图；（3）三款新数字SiP产品：Cadence SiP数字架构、Cadence SiP数字信号完整和Cadence SiP数字版图。
2.4 摩托罗拉3G手机大量采用SiP封装2006年6月，摩托罗拉公司推出一款3G手机E1000，它是一部通用移动通讯系统（UMTS）的手机，融合2G GSM和3G WCDMA，在性能上包括UMTS 通讯、图像加速、MP3播放、MIDI支持、铃声乐曲、GPS、一键通（PTT）、蓝牙、双相机设计（120万像素带图像编辑）等多种功能。
3G手机E1000核心通讯部分采用4块飞思卡尔的S i P封装产品：（1）PCM29415芯片，堆叠4片IC裸片、1片基带处理器、2片32MB英特尔NOR内存和1片16MB三星移动型DRAM；（2）MMM7200芯片，堆叠基带处理器与RF电路数字接口；（3）PMM6017芯片，堆叠3片IC裸片、GSM收发器+WCDMA接收器+RF合成器；（4）MMM6016芯片，堆叠1片IC、1个声表面滤波器和RF无源元件。
3 CDFN封装工艺目前大多数DRAM采用TSOP和BGA封装，为了使芯片面积与封装面积之比更小，缩短数据传输的延迟时间，2006年8月，SiS公司推出CDFN封装工艺，并通过欧洲RoHS规范。
这种封装工艺特别适用于引脚数少的IC，如内存和用于便携式电子产品的IC。
4 RCP封装工艺2006年7月，飞思卡尔公司推出一种重分布芯片的RCP封装工艺（Redistributed Chip Packaging），即在25mm×25mm的封装面积内集成3G手机所有元器件，包括存储器、电源管理、基带处理器、RF收发器和RF 前端模块等。
它与BGA相比，封装面积减少了30%，能取代BGA和倒装芯片成为主流封装技术。
RCP可在手机和游戏机平台的高密度电路中使用线绑和盲孔。
RCP利用批处理光刻和镀金属技术，当定义和实现子系统的时候，把金属逐步镀到嵌入式裸片上。
该技术不仅可用于BGA，而且可用于单芯片或多芯片模块，因为布线层在裸片上放置，并直接连接到BGA的焊盘上。
RCP兼容超低k介质材料，并符合RoHs规范。
该公司从现在起至2008年，将RCP封装推广至Power Quice、DSP、基带处理器、电源和放大器等。
RCP 封装还与SiP、POP及集成自定封装的工艺兼容。
- 2 -- 3 -第７卷第２期翁寿松：几种新的封装工艺5 超薄型封装5.1 业界最小、最薄的变容二极管超薄型封装一直是半导体封装的主攻方向之一。
2006年8月，瑞萨公司推出两款用于数字地面广播的便携式和移动终端的可调式天线变容二极管。
所谓可调式天线是一种可改变共振频率以高效接收各种频率的天线。
其中一款RKV653Kp 可调式天线变容二极管是目前业界最小、最薄的变容二极管，其尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm ，2005年瑞萨推出SFP 型变容二极管，其尺寸为1.0mm×0.6mm 。
RKV653Kp 采用电极位于封装下侧的结构，下侧电极采用镀金工艺。
5.2 业界最薄的Wi-Fi 系统功放2006年8月，SiGe 半导体公司推出超薄Wi-Fi 系统2.4GHz 功放Range charger SE2523BL1，采用16引脚小型QFN 封装，其尺寸为3.0mm×3.0mm×0.5mm 。
它适用于便携式消费类电子产品，如PDA 、Wi-Fi 语言手机、照相机、蜂窝手机、电脑外设和车用设备等。
它集成了数字使能电路、功率检测器和偏置电路等。
在802.11g 模式下，具有+18.5dBm 功率输出；在802.11b 模式下，具有+23dBm 功率输出。
该功放基于SiGe 架构，能在3.3V 单电源下工作，当输出功率为+18.5dBm 时，电流消耗低至130mA ，比现有产品减少了25%。
6 结束语在短短的2006年6月至8月三个月间，国际封装业界就涌现出那么多的半导体封装新工艺，IC 封装日新月异。
我国是一个IC 封装大国，但具有自主知识产权的封装工艺不多，愿我国IC 封装行业坚持自主创新，推出更多具有自主知识产权的IC 封装工艺。
作者简介：翁寿松（1940-），男，浙江宁波人，高级工程师，目前主要从事半导体器件、市场和设备的研究。