硅基 MEMS 技术 X
硅基mems制造技术
硅基MEMS制造技术一、概述硅基MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）制造技术是一种在硅基底片上制造微小机械系统的技术。
它结合了集成电路制造技术和微机械加工技术，能够实现微小机械元件和电子元件的集成，具有广泛的应用前景。
二、硅基MEMS制造工艺流程硅基MEMS的制造过程通常包括以下几个步骤：1. 底片准备首先需要准备高质量的硅晶片底片，通常使用晶向为<100>或<111>的硅晶片。
底片的表面需要进行清洗和平整处理，以确保后续工艺的可靠性。
2. 晶圆制备将准备好的硅晶片切割成圆片，通常采用直径为4英寸或6英寸的晶圆。
切割后的晶圆表面需要进行化学和机械抛光，以去除表面缺陷和残留污染物。
3. 电子器件制造在晶圆上使用光刻工艺制造出电子器件的结构。
通过光刻、蒸发、离子注入等工艺步骤，实现电子器件的制造和烘烤。
4. MEMS器件制造在晶圆上制造MEMS器件的结构。
常用的MEMS制造技术包括悬梁结构制作、电极制作、传感器元件制作等。
这些工艺步骤通常需要使用光刻、溅射、湿法腐蚀等工艺方法。
5. 封装封装涂覆将制造好的MEMS器件进行封装和涂覆保护层。
封装通常包括芯片粘接、封装介质注入、压力测试等步骤。
涂覆保护层可以保护MEMS器件免受环境中的灰尘和湿气的侵蚀。
6. 性能测试与封装对制造好的MEMS器件进行性能测试，包括静态测试和动态测试。
在测试合格后，将其封装到具有保护功能的封装载体中。
三、硅基MEMS制造技术的应用1. 惯性传感器硅基MEMS制造技术被广泛应用于惯性传感器领域。
通过制造微小的加速度计和陀螺仪等传感器，可以实现对物体姿态、加速度等参数的测量。
惯性传感器广泛应用于航空航天、汽车、手机等领域。
2. 压力传感器利用硅基MEMS制造技术制作的压力传感器具有高灵敏度、良好的线性度和稳定性。
压力传感器常用于医疗、汽车、工业等领域的气压测量和控制。
mems基底材料
mems基底材料Mems（Micro-Electro-Mechanical Systems）是一种集成微型机械、电子和光电效应于一体的微型器件或系统。
它在许多领域都有广泛的应用，例如无线通信、医药、工业控制、环境监测等。
而mems的基底材料起着至关重要的作用，它直接影响到mems的性能和可靠性。
mems的基底材料有很多种类，包括硅（Silicon）、石英（Quartz）、玻璃（Glass）、高分子材料（Polymer）等。
下面我们将重点介绍这些常用的mems基底材料及其特点。
首先是硅（Silicon）材料，硅是最重要的mems基底材料之一。
它具有优良的力学性能、良好的热导性、高温稳定性和良好的加工性能。
硅基底上的mems 器件具有极高的精度和稳定性，因此广泛建立在硅晶片上。
硅材料本身体积很小，可以制作出微型机械结构，同时还可以结合其他材料制作出复合mems器件。
然而，硅材料的一个缺点是它易受到机械应力和热膨胀的影响，容易出现疲劳和断裂现象。
其次是石英（Quartz）材料，石英是一种具有优异性能的透明晶体材料。
石英基底的mems器件具有优异的化学稳定性、高温稳定性和优良的机械性能。
石英材料还具有良好的光学性能，广泛应用于光学领域。
然而，石英材料的加工难度较大，其横向尺寸的加工精度相对较低，限制了器件的制备工艺。
第三是玻璃（Glass）材料，玻璃基底是mems器件研究的另一种主流选择。
玻璃材料具有优良的化学稳定性、机械强度和光学透明性。
玻璃基底还可以采用常规的光学加工技术进行加工和制备，制备工艺相对容易。
此外，玻璃材料还可以通过控制微纳米结构来调控mems器件的表面性质，使其具有更多的应用潜力。
但是，由于玻璃的脆性，其在高应力条件下容易发生断裂。
最后是高分子材料（Polymer），高分子材料是mems器件研究的新兴领域。
高分子材料具有较低的密度、较高的可塑性和可加工性，能够制备出复杂形状的mems器件。
MEMS的主要工艺类型与流程
MEMS的主要工艺类型与流程（LIGA技术简介）目录〇、引言一、什么是MEMS技术1、MEMS的定义2、MEMS研究的历史3、MEMS技术的研究现状二、MEMS技术的主要工艺与流程1、体加工工艺2、硅表面微机械加工技术3、结合技术4、逐次加工三、LIGA技术、准LIGA技术、SLIGA技术1、LIGA技术是微细加工的一种新方法，它的典型工艺流程如上图所示。
2、与传统微细加工方法比，用LIGA技术进行超微细加工有如下特点：3、LIGA技术的应用与发展4、准LIGA技术5、多层光刻胶工艺在准LIGA工艺中的应用6、SLIGA技术四、MEMS技术的最新应用介绍五、参考文献六、课程心得〇、引言《微机电原理及制造工艺I》是一门自学课程，我们在王跃宗老师的指导下，以李德胜老师的书为主要参考，结合互联网和图书馆的资料，实践了自主学习一门课的过程。
本文是对一学期来所学内容的总结和报告。
由于我在课程中主讲LIGA技术一节，所以在报告中该部分内容将单列一章，以作详述。
一、什么是MEMS技术1、MEMS的概念MEMS即Micro-Electro-Mechanical System，它是以微电子、微机械及材料科学为基础，研究、设计、制造、具有特定功能的微型装置，包括微结构器件、微传感器、微执行器和微系统等。
一般认为，微电子机械系统通常指的是特征尺度大于1μm小于1nm，结合了电子和机械部件并用IC集成工艺加工的装置。
微机电系统是多种学科交叉融合具有战略意义的前沿高技术，是未来的主导产业之一。
MEMS技术自八十年代末开始受到世界各国的广泛重视，主要技术途径有三种，一是以美国为代表的以集成电路加工技术为基础的硅基微加工技术；二是以德国为代表发展起来的利用X射线深度光刻、微电铸、微铸塑的LIGA( Lithograph galvanfomung und abformug)技术，；三是以日本为代表发展的精密加工技术，如微细电火花EDM、超声波加工。
mems制造工艺及技术
MEMS制造工艺及技术的深度解析一、引言微机电系统（Micro-Electro-Mechanical Systems，简称MEMS）是一种将微型机械结构与电子元件集成在同一芯片上的技术。
由于其体积小、功耗低、性能高等特点，MEMS技术已被广泛应用于各种领域，如汽车、医疗、消费电子、通信等。
本文将详细介绍MEMS的制造工艺及技术，以帮助读者更深入地了解这一领域。
二、MEMS制造工艺1. 硅片准备MEMS制造通常开始于一片硅片。
根据所需的设备特性，可以选择不同晶向、电阻率和厚度的硅片。
硅片的质量对最终设备的性能有着至关重要的影响。
2. 沉积沉积是制造MEMS设备的一个关键步骤。
它涉及到在硅片上添加各种材料，如多晶硅、氮化硅、氧化铝等。
这些材料可以用于形成机械结构、电路元件或牺牲层。
沉积方法有多种，包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和电镀等。
3. 光刻光刻是一种利用光敏材料和模板来转移图案到硅片上的技术。
通过光刻，我们可以在硅片上形成复杂的机械结构和电路图案。
光刻的精度和分辨率对最终设备的性能有着重要影响。
4. 刻蚀刻蚀是一种通过化学或物理方法来去除硅片上未被光刻胶保护的部分的技术。
它可以用来形成机械结构、电路元件或通孔。
刻蚀方法有湿法刻蚀和干法刻蚀两种。
湿法刻蚀使用化学溶液来去除材料，而干法刻蚀则使用等离子体或反应离子刻蚀（RIE）来去除材料。
5. 键合与封装键合是将两个或多个硅片通过化学键连接在一起的过程。
它可以用于制造多层MEMS设备或将MEMS设备与电路芯片集成在一起。
封装是将MEMS设备封装在一个保护壳内以防止环境对其造成损害的过程。
封装材料可以是陶瓷、塑料或金属。
三、MEMS制造技术挑战与发展趋势1. 尺寸效应与可靠性问题随着MEMS设备的尺寸不断减小，尺寸效应和可靠性问题日益突出。
例如，微小的机械结构可能因热膨胀系数不匹配或残余应力而导致失效。
为了解决这些问题，研究人员正在开发新型材料和制造工艺以提高MEMS设备的可靠性。
MEMS技术的原理与应用
MEMS技术的原理与应用什么是MEMS技术？MEMS技术（Micro-Electro-Mechanical Systems，微电子机械系统）是一项结合微电子技术和微机械技术的科学技术。
它将微尺度的电子部件、机械部件和传感器等集成在一起，形成一种具有微小尺寸、高度集成度和多功能特性的系统。
MEMS技术在各个领域具有广泛的应用，如汽车、医疗、工业和消费电子等。
MEMS技术的原理MEMS技术的原理基于微电子制造技术，主要包括以下步骤：1.设计阶段：设计师根据实际需求设计MEMS器件的结构和功能。
在这个阶段，需要考虑到器件的制造工艺和使用环境等因素。
2.制造工艺：采用光刻、薄膜沉积、电镀和离子刻蚀等微电子制造工艺，将设计好的MEMS器件图形转移到硅片上。
3.制造步骤：包括前端制造和后端封装。
前端制造步骤主要包括硅片的清洗、氧化、掩模制作、加工、薄膜沉积和刻蚀等过程。
后端封装步骤主要包括器件的封装、焊接和电气测试等。
4.器件测试：通过芯片测试设备对制造好的MEMS器件进行测试，确保其功能和性能得到满足。
5.性能验证：将MEMS器件安装到应用设备中进行系统级别的性能验证，确保其在实际应用中能够正常工作。
MEMS技术的应用领域MEMS技术在各个领域都有广泛的应用，以下是其中几个典型的应用领域：1. 汽车行业•借助MEMS技术，汽车厂商可以实现汽车安全、驾驶辅助和信息娱乐等多方面的创新。
例如，借助MEMS传感器，汽车可以实现稳定控制、空气质量监测和智能停车等功能。
•MEMS传感器还可以帮助汽车实现智能制动和悬挂控制，提高行车安全性和稳定性。
2. 医疗行业•MEMS技术在医疗行业的应用非常广泛，例如使用MEMS传感器监测患者的生理参数，用于实时监测和诊断。
•MEMS能够制造出微小且高灵敏度的传感器和执行器，可用于药物输送和手术器械等医疗设备中。
3. 工业行业•MEMS技术在工业自动化方面的应用十分重要，例如MEMS传感器可以监测温度、压力、湿度和流量等参数，用于实现自动化控制。
谈论MEMS技术原理及优势
谈论MEMS技术原理及优势可能大部分对MEMS还是比较陌生，但其实MEMS在生活中早已无处不在了，智能手机、手环、汽车、无人机、VR/AR头戴式设备等，都应用了MEMS器件。
既然MEMS应用这么广泛了，那么它到底是什么技术呢?稍安勿躁，听笔者慢慢道来。
1 、谈谈MEMS技术原理MEMS是微机电系统，英文全称是MicroElectromechanicalSystem，。
是指尺寸在几毫米乃至更小的传感器装置，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统。
简单来说，MEMS就是将传统传感器的机械部件微型化后，通过三维堆叠技术，例如三维硅穿孔TSV 等技术把器件固定在硅晶元(wafer)上，最后根据不同的应用场合采用特殊定制的封装形式，最终切割组装而成的硅基传感器。
受益于普通传感器无法企及的IC 硅片加工批量化生产带来的成本优势，MEMS 同时又具备普通传感器无法具备的微型化和高集成度。
MEMS主要涉及微加工技术，机械学/固体声波理论，热流理论，电子学，生物学等等。
MEMS器件的特征长度从1毫米到1微米，相比之下头发的直径大约是50微米。
MEMS传感器主要优点是体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、灵敏度高、易于集成等，是微型传感器的主力军，正在逐渐取代传统机械传感器，在各个领域几乎都有研究，不论是消费电子产品、汽车工业、甚至航空航天、机械、化工及医药等各领域。
2 、MEMS是替代传统传感器的唯一选择模拟量到数字化、大体积到小型化以及随之而来的高度集成化，是所有近现代化产业发展前进的永恒追求。
MEMS被看作是替代传感器的唯一可能选择，也可能是未来构筑物联网感知层传感器最主要的选择之一。
其有以下优势：优势一：微型化。
光电器件制造中的MEMS技术研究与应用
光电器件制造中的MEMS技术研究与应用近年来，光电器件的需求不断增长， MEMS（微电子机械系统）技术因其独特的微米尺度特性和可靠性在光电器件制造领域得到广泛应用。
本文将探讨MEMS 技术在光电器件制造中的研究与应用。
一、MEMS技术简介MEMS，即微电子机械系统，是指微米级尺寸的机械和电子系统的集成。
它是在集成电路技术和微机电系统（MEMS）技术基础上发展而来的。
它与集成电路技术相似，都是一种微电子制造技术。
MEMS技术的主要应用有加速度计、惯性导航、光学开关、微波振荡器、压力传感器、生物传感器等。
MEMS技术主要包括精密机械加工技术、光学技术、微电子技术和微纳米加工技术。
在光电器件制造中， MEMS技术的应用主要是通过微纳米加工技术制造微型光学器件和纳米结构。
二、MEMS技术在光电器件制造中的研究现状目前，MEMS技术在光电器件制造中的应用主要有两个方面。
一方面是制造微型光学器件，具体包括微透镜、微棱镜、微天线、微光栅等；另一方面是制造纳米结构，最主要的是纳米光栅。
下面将分别进行介绍。
（一）制造微型光学器件微透镜是一种直径小于1毫米的透镜，制造微透镜主要采用微型光影刻蚀法和电化学加工法。
在 MEMS技术的帮助下，制造微透镜的精度和质量得到了大幅提升。
微型棱镜主要采用类似微透镜的制造工艺，通过光影刻蚀法和电化学加工法来制造。
微型天线是指直径小于1微米的天线结构，其制造工艺因其极小的尺寸和接口特性而变得非常精细和复杂，采用 MEMS技术能有效提高制造精度和质量。
微光栅是一种具有非常细小的光栅线宽的光栅结构，其主要制造工艺为电子束曝光和反应离子刻蚀法。
（二）制造纳米结构纳米光栅是一种纳米级别的光栅结构，其具有极高的光学性能，主要用于激光干涉仪、计算机光存储、摄影等领域。
制造纳米光栅主要采用硅基板表面制造方法和纳米粒子自组装等方法。
其中，纳米光刻技术是基于 MEMS技术的一种制造纳米级别光刻板的新方法，其优点是可以在单个硅基板上制造具有不同形状的光学元件。
MEMS工艺体硅微加工工艺
MEMS工艺体硅微加工工艺1. 简介MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems），即微电子机械系统，是一种集成了电子、机械和光学等技术的微型设备。
MEMS工艺体硅微加工工艺是MEMS制造中最常用的一种工艺。
本文将介绍MEMS工艺体硅微加工的基本原理、工序以及常见的应用领域。
2. 工艺原理MEMS工艺体硅微加工工艺以单晶硅片作为主要材料，通过一系列的加工工序，制造出具有复杂结构和微尺寸的器件。
其工艺原理主要包括以下几个方面：2.1 单晶硅片制备单晶硅片是MEMS工艺体硅微加工的基础材料。
通过化学气相沉积（CVD）或磁控溅射等方法，在硅熔体中生长出单晶硅片。
然后，通过切割和抛光等工艺，将单晶硅片制备成规定尺寸和厚度的硅衬底。
2.2 光刻工艺光刻工艺是MEMS工艺体硅微加工中的重要步骤。
首先，将光刻胶覆盖在硅片表面。
然后，使用掩膜板，通过紫外光照射，使光刻胶发生化学反应，形成图案。
接着，将硅片浸泡在显影液中，去除未曝光的光刻胶。
最后，通过加热或暴露于紫外光下，固化已经显影的光刻胶。
2.3 甜蜜刻蚀甜蜜刻蚀是MEMS工艺体硅微加工中的关键步骤。
将制备好的硅片放置在刻蚀室中，通过控制刻蚀气体的流量、温度和压力等参数，使硅片表面发生化学刻蚀。
根据刻蚀深度和刻蚀特性的要求，可以选择不同的刻蚀方法，如湿法刻蚀、干法刻蚀等。
2.4 互连与封装互连与封装是MEMS工艺体硅微加工的最后环节。
通过金属薄膜沉积、光刻和腐蚀等工艺，将金属导线、引线等结构制作在硅片上，并与芯片上的电极进行连接。
同时，为了保护MEMS器件免受机械损伤和环境腐蚀，常常需要对其进行封装，通常采用薄膜封装或微结构封装等方法。
3. 工序流程MEMS工艺体硅微加工的工序流程会因具体的器件设计和制造要求而有所差异。
下面是一个典型的MEMS工艺体硅微加工的工序流程：1.单晶硅制备：通过CVD或磁控溅射等方法，制备出单晶硅片。
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硅基MEMS技术ΞTECHNOLOG Y OF SI LICON2BASED MEMS郝一龙1 张立宪1,2 李 婷1 张大成1(1.北京大学微电子学研究所,北京100871)(2.中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室(LNM),北京100080)H AO Y ilong1 ZH AN G Lixian1,2 LI T ing1 ZH AN G Dacheng1(1.Institution o f Microelectronics,Peking Univer sity,Beijing100871,China)(2.LNM,Institute o f Mechanics,Chinese Academy o f Sciences,Beijing100080,China)摘要 结合ME MS技术的发展历史,概括了当今硅基ME MS加工技术的发展方向。
指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基ME MS加工技术的两条发展主线;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合,追求大质量块和低应力以及三维加工。
S OI技术是新一代的体硅工艺发展方向;标准化加工是ME MS研究的重要手段。
关键词 微电子机械系统 牺牲层 体硅工艺 深刻蚀Abstract C oncerning the development history of ME MS technology,the present paper introduces a state2of2the2art developing direction of silicon2based ME MS machining,indicating that there are tw o main developing directions.One is sacrificial layers technology,and the other is bulk micromachining.Sacrificial layers technology is developing towards multiple layers and integration. Bulk2micromachining mainly includes combination of bonding and deep etching,pursuit to big mass and small stress,and three2 dimensional fabrications technology which is the developing direction of new body2silicon technology.S tandard process fabrication is becoming m ore and m ore im portant for ME MS study.K ey w ords Micro2electro2mech anical system;S acrificial layers;Bulk2microm achining technology;Deep etchingCorrespondent:H AO Yilong,E2mail:ylhao@,Fax:+86210262751789The project supported by a subproject of“973Project”entitled M OE MS.C ontract(N o.G199********).And this project is als o supported by innovation project of C AS.Manuscript received20010610,in revised form20010828.1 引言微电子技术的巨大成功在许多领域引发了一场微小型化革命,以加工微米Π纳米结构和系统为目的的微米Π纳米技术(MicroΠNano T echnology)在此背景下应运而生。
一方面利用物理化学方法将原子和分子组装起来,形成具有一定功能的微米Π纳米结构。
另一方面利用精细加工手段加工出微米Π纳米级结构。
前者导致了纳米生物学、纳米化学等边缘学科的产生,后者则在小型机械制造领域开始了新的一场革命,导致了微电子机械系统(micro2electro2mechanical system,缩写为ME MS)的产生。
制作ME MS的技术主要有三种。
第一种是以美国为代表的利用化学腐蚀或集成电路工艺技术对硅材料进行加工,形成硅基ME MS器件。
第二种是以日本为代表的利用传统机械加工手段,即利用大机器制造出小机器,再利用小机器制造出微机器的方法。
第三种是以德国为代表的LIG A(德文Lithograpie———光刻、G alvanoformung———电铸和Abformung———塑铸三个词的缩写)技术,它是利用X射线光刻技术,通过电铸成型和铸塑形成深层微结构的方法。
其中硅基加工技术与传统IC工艺兼容,可以实现微机械和微电子的系统集成,而且该方法适合于批量生产,已经成为目前ME MS的主流技术。
20世纪80年代美国U.C.Berkeley发明了表面牺牲层工艺,并采用该工艺制备了可动的微型静电马达(图1),引起了国际社会的极大轰动,人们发现集成电路技术的进一步发展可以制造可动部件。
这一技术的发明使单片集成制作具有传感、信息处理、执行功能的新型芯片成为可能,ME MS技术的研究开始出现突飞猛进的发展。
进入90年代,美国Analog Devices公司利用该技术实现了集成制作的微型加速度计的商品化,成功的应用于汽车中的防撞气囊控制,又一次产生极大反响,人们也充分认识到ME MS技术的巨大商业Journal of Mechanical Strength机械强度2001,23(4):523～526Ξ20010610收到初稿,20010728收到修改稿。
国家重点基础研究发展规划(973)项目———“集成微光机电系统研究”子项目(G199********)和中科院创新性研究项目资助。
图3 美国Sandia 国家实验室开发的M M ΠC M OS 集成ME MS 工艺剖面图Fig.3 The section plane of M M ΠC M OS integrating ME MS exploited by American Sandia National Lab价值。
许多著名的高技术公司也纷纷看好这一领域,投入大量经费开发ME MS 技术,ME MS 技术特别是表面牺牲层技术的发展进一步加快。
90年代中期,随着DRIE (Deep Reactive I on E tching )技术特别是ICP (Induc 2tance C oupling Plasma )技术的出现,体硅加工技术的发展也迈上了一个新的台阶,多种基于深槽刻蚀技术之上的新工艺被开发出来。
图1 U.C.Berkeley 采用表面牺牲层工艺制备的世界上第一个ME MS 器件———微型静电马达 Fig.1 The m icroelectrostatic m otor that is the first ME MSmachine in the w orld fabricated by U.C.Berkeleyusing surface sacrificial layers technology 2 硅基MEMS 加工技术的发展回顾硅基ME MS 加工技术的发展过程,不难发现其主要依照表面牺牲层技术和体硅加工技术两条主线发展,具有如下特点:1)表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展。
2)体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合,追求大质量块和低应力以及三维加工。
S OI 技术是新一代的体硅工艺发展方向。
3)标准化加工是ME MS 研究的重要手段。
2.1 表面牺牲层工艺表面牺牲层工艺是典型的薄膜工艺,其技术特点与集成电路相近,通过与集成电路集成制作的可行性最大。
正因为有如此鲜明的特点,表面牺牲层工艺从其诞生起发展方向就是集成化。
典型的工艺包括美国ADI 公司的BiME MS 工艺(图2)和Sandia 国家实验室的M M ΠC MOS 集成ME MS 工艺(图3)。
BiME MS 工艺的特点是制作可动部件的表面微机械工艺与制作处理电路的BiMOS 工艺的混合完成。
该公司的微型加速度计就是采用这一工艺制作的。
这一工艺的缺点是两种工艺在同一加工线完成,需要单独的加工线,不能充分利用现有的IC F oundry 线,成本较高,成品率受影响。
为克服这一问题,Sandia 国家实验室的M M ΠC MOS 集成ME MS 技术首先在凹槽内制作可动部件,填充SiO 2后平坦化,然后再用标准C MOS 工艺制作处理电路。
大大改进了BiME MS 工艺的不足。
然而,先制作可动部件将影响衬底片质量,大部分专业IC F oundry 由于惧怕玷污设备而拒绝接受。
因而第三种工艺方案应运而生,即C MOS ME MS 工艺,特点是先按标准IC F oundry 制作处理电路,再制作可动部件,其成本和成品率都能得到保证。
表面牺牲层工艺发展的另一特点是多层化。
由于机械结构的复杂性,仅采用单层结构往往不能制备出所需构件,多层化是其必然的发展趋势。
图4所示为Wisconsin 大学、三星公司和Michigan 大学共同发表的图2 ADI 公司开发的表面牺牲层工艺BiME MS 剖面图Fig.2 The BiME MS section plane of surface sacrificial layerstechnology exploited by ADI C om pany 图4 双层结构集成表面牺牲层工艺结构剖面图Fig.4 The section of double layers integrated surfacesacrificial layers technology 524机 械 强 度2001年 双层结构集成化表面牺牲层工艺的剖面图,代表了这一典型发展趋势。
目前Sandia 国家实验室开发的五层多晶硅表面牺牲层工艺代表了这一方向的最高水平,其工艺难点表现在化学机械抛光技术(C MP )和多晶硅应力控制技术。
图5所示为采用这一技术制备的微型传动装置的一部分。
图5 采用五层多晶硅工艺制备的微型传动结构Fig.5 The m icro 2driving structure fabricated using fivelayers polysilicon technology 2.2 体硅加工工艺体硅加工技术指对硅衬底片进行加工,其所获得的有用部件由衬底材料构成。