CF光刻胶动画
CF黄光工艺说明(1)
BM光阻涂布 GPR
曝光
RPR
显影
R光阻涂布
曝光
BPR
显影 O/C
G光阻涂布
ITO
曝光
显影
PS PR
B光阻涂布
曝光
显影
O/C
Sputtering
PS光阻涂布
曝光
显影
CF成品
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
ITEM
Main Process Condition
Control Item
NG
生产继续
生产停止，重新 制作首件
曝光机L stage 第2枚进入AOI
曝光机R stage 第2枚进入AOI
共
缺,Ove
rlay检
查
NG
共 缺,Ove rlay检
查 NG
OK
Coater追加投入
OK
曝光机L stage 第1枚进入Oven
Oven 后特性 值检查
OK
NG
生产继续
生产停止，重新 制作首件
黑矩阵 彩色层 保护层 ITO导电膜
偏光片 玻璃基板
配向膜
液晶层 玻璃基板
薄膜晶体管 偏光片
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
◆彩膜的制造工艺一般有染色法、电沉积法、印刷法、喷墨法和颜料分散法。各工艺的简单流程 如下
图所示：
ITO
Gelatin
Resist
感光性color Resist
曝光 显影 后烘 溅射
Gap；Dose； Temperature；
Chemical Type& Concentration: KOH, Na2CO3 ； Temperature；Time；
负性光刻胶的工作原理
负性光刻胶的工作原理负性光刻胶是半导体工艺中常用的一种光刻胶，它在制备光刻图形方面具有许多优点。
其工作原理主要是通过光敏化剂的作用，使得光刻胶在紫外光照射下发生化学反应，从而实现图形的转移。
一、光刻胶的成分和特性负性光刻胶是由聚合物基质、光敏化剂以及各种助剂组成的。
其中，聚合物基质是负责光刻胶的基本性质，如粘度、耐溶剂性和抗化学品腐蚀性等。
光敏化剂是负责使光刻胶在紫外光照射下发生化学反应的关键成分。
负性光刻胶的工作原理主要涉及到光敏化剂的吸收光能和发挥作用的过程。
一般来说，光敏化剂会吸收紫外光的能量，经过电荷转移反应，生成具有化学活性的中间态。
这种化学活性中间态会与聚合物链发生反应，产生化学键的断裂或形成，从而改变光刻胶的溶解性和物理性质。
二、光刻胶的制备和处理过程光刻胶的制备和处理过程包括胶涂覆、预烘烤、曝光和显影等步骤。
在这个过程中，光刻胶会经历从液态到固态的转变，形成图形转移所需的光刻胶膜。
首先，将光刻胶涂覆在晶圆表面，并进行均匀的旋涂，使得光刻胶均匀地覆盖在整个晶圆表面。
然后，通过预烘烤将光刻胶中的溶剂挥发掉，使得光刻胶开始固化。
此时，光刻胶变得有一定的粘度和强度，可以承受曝光过程中的应力。
接下来，使用光刻机进行曝光，将预先设计好的图形光掩模放置于光刻胶上方，通过紫外光照射，使得光刻胶中的光敏化剂发生活化反应。
曝光过程中，光刻胶中的活化部分发生化学变化，将紫外光的信息转化为化学信息。
最后，进行显影过程，即用显影剂将未暴露的光刻胶溶解掉，只留下已经暴露的部分。
显影剂能够与光刻胶中的活化部分发生化学反应，从而改变光刻胶的溶解性质。
未暴露部分的光刻胶溶解掉后，暴露部分的光刻胶留下来，形成所需的图形结构。
三、负性光刻胶的优点和应用负性光刻胶相比于正性光刻胶具有一些显著的优点。
首先，负性光刻胶具有更高的分辨率和更好的图形保真度。
其次，负性光刻胶对溶剂、酸和碱等化学物质具有较好的耐受性和稳定性。
同时，负性光刻胶制作工艺相对简单，成本相对较低。
浅谈光刻胶技术
聚丙烯酸酯
200
225
250
275
300
波长 [nm]
325
350
375
400
原材料到产品的产业化生态链很重要
技术和生产能力 稳定质量保证 市场应对能力
有志者投入
关键原材料 生产平台建设
• 各种原材料制造商 • 光刻胶关联公司 • 投资人及技术人员
• 光敏剂/感光剂 所有光刻胶生产厂 接受定制产品
酚醛树脂粘度与显影液溶解速度
光刻胶组分2： G-,h-,i-线光敏剂
全球唯一资源五倍子由来
HO OH
HO HO
HO
HO O
O
OO
OH
O
O O
O O
O O
OO
HO
OH
HO
OH
HO
HO
OH
O N2
SO2Cl
NAC
OH
RO
OH O
OH
OH
CO2H
OH
OH OH R
OH
焦性没食子酸
R1
O O
O R1 O
0.15 µm -0.15 µm -0.30 µm -0.45 µm
AZ® HiR1075 Photoresist
Film Thickness: 0.66 µm on 1300Å AZ BARLi II
SB: 90°C/60 sec proximity
-1.05 µm
Exposure: Annular, NA: 0.65 Sigma Outer/Inner: 0.85/0.55,
早期材料 （现在还在广泛使用, 液晶, OLED, 印刷, PCB，封装等） 配方： 酚醛树脂，DNQ感光剂为主。光照时DNQ分解，负胶 感光聚酰亚胺PSPI系列，彩胶
光刻胶在显示器制造中的应用情况如何
光刻胶在显示器制造中的应用情况如何显示器作为计算机等电子产品中的一种重要的输出设备，成为人们需求量逐渐增大的电子产品之一。
而其中最重要的组成部分之一就是光刻胶了。
光刻胶是一种高分子化合物，其主要成分是光感应剂、树脂和稀释剂。
在显示器制造中，光刻胶用于制作触摸屏、液晶面板等。
这里，我们将探讨光刻胶在显示器制造中的应用情况。
一、触摸屏中的光刻胶应用情况1.光刻胶在电容式触摸屏中的应用光刻胶在制作电容式触摸屏的电极线路时，通过光刻技术制作电极线路图形。
电极线路图形由导电材料制成，其主要成分是金属(Pd,Au,Al)等或者氧化物(ITO,ZNO)等。
导电材料的制作通常使用电子束蒸发、物理镀、化学气相沉积和溶剂法等多种方法，光刻技术是其中一种非常主要的方法。
光刻胶在电压下，通过高精度的微细加工和电极线路形状的刻画，实现了较高的灵敏度，并且可以制作任意可控的形状。
同时，光刻胶和导电材料之间的结合度也相当高，确保了电子信号的稳定传输。
而外部输入的电流就会导致导电材料电子向触摸屏内部传输，进而通过感应电流的变化来判断用户操作。
2.光刻胶在电阻式触摸屏中的应用电阻屏幕的特点在于屏幕分成了两部分，上下层分别沿一个方向平行排列，它们之间隔开一些很小的间距。
触摸屏的四个角分别有接触点，当用户点击触摸屏屏幕时，上下层的接触点就形成了一个电路，通过测量接触点的电阻变化来确定用户操作的位置。
光刻胶在制作电阻式触摸屏的电路线路时，通过其自身的高分辨率和对形状的可控制性，制作了高精度的电路图形。
光刻胶所制作的电路线路具有高精度和稳定性，电压反应灵敏，可以快速判断用户的触摸点。
二、液晶面板中的光刻胶应用情况1.光刻胶在液晶面板中的应用液晶显像安装涂有光刻胶后，受到光照或加热后部分区域变性，形成光学极化器，这些光学极化器和以太极图形排列的液晶各有一个极化方向，由此产生的偏振光偏振方向相同，将不被液晶通过，进而可观察到液晶屏幕上所出现的图像。
光刻工艺流程
光刻工艺流程Lithography Process摘要：光刻技术（lithography technology）是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学,物理刻蚀法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术.光刻是集成电路工艺中的关键性技术,其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。
光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小，集成度不断提高,从而使得器件不断缩小,性能也不断提利用高。
还有大面积的均匀曝光,提高了产量，质量,降低了成本。
我们所知的光刻工艺的流程为：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶.Abstract：Lithography technology is the manufacture of integrated circuits using optical — chemical reaction principle and chemical， physical etching method, the circuit pattern is transferred to the single crystal surface or the dielectric layer to form an effective graphics window or function graphics technology。
Lithography is the key technology in integrated circuit technology， the idea originated in printing technology in the photo lithographic process。
Development of lithography technology makes graphics width shrinking, integration continues to improve， so that the devices continue to shrink， the performance is also rising.There are even a large area of exposure， improve the yield, quality and reduce costs。
光刻胶大全
光刻胶产品前途无量（半导体技术天地）之宇文皓月创作1 前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变更的耐蚀刻薄膜资料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。
由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息财产中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工资料。
作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。
2 国外情况随着电子器件不竭向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。
这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN系列；德国依默克（E.Merk）公司的Solect等。
正性胶如：美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。
2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额公司 2001年收益 2001年市场份额（%） 2000年收益 2000年市场份额（%）Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.525.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.416.1 Shin-EtsuChemical 70.1 10.6 74.28.6 ArchChemicals 63.7 9.6 84.19.8 其他 122.2 18.5 171.620.0 总计 662.9 100.0 859.4100.0 Source: Gartner Dataquest目前，国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25µm～0.18µm 的深紫外正型光刻胶，主要的厂商包含美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。
光刻胶
S ( Lmin ) 2 N min q Lmin N min q q 10 S S
Lmin
N min q q 10 S S
式中，Lmin 为最小尺寸，即分辨率。可见，若灵敏度越高（即 S 越小），则 Lmin 就越大，分辨率就越差。 例如，负性电子束光刻胶 COP 的 S = 0.3×10 -6C/cm2，则 其 Lmin = 0.073 m 。若其灵敏度提高到 S = 0.03×10 -6C/cm2 ， 则其 Lmin 将增大到 0.23 m 。
6 光刻胶的涂敷和显影
本节简要介绍光刻工艺中除曝光以外的工序。 1、脱水烘烤 目的是去除硅片表面吸附的水分。 2、增粘处理 在烘烤后的硅片表面涂一层 六甲基二硅亚胺（HMDS），
目的是增加硅片表面与光刻胶的粘附性。可采用蒸汽涂布法，
也可采用旋涂法。
3、涂胶 一般采用 旋涂法。涂胶的关键是控制胶膜的厚度与膜厚的
态 S0 跃迁到第一激发态 S1 ，激活能由 EA(S0) = 38 Kcal 降为
EA(S1) = 16 Kcal ，反应速度加快。 感光分子吸收λ = 300 nm 的光能（88 Kcal）后，电子跃迁
到第二激发态 S2 ，此态的谷底势能恰好与 S1 态当 RN-N2 分解
时的势能相当，且 S2 与 S1 态的曲线在图左侧有相交之处，因此 电子可从 S2 态跃迁到 S1 态并立即反应。所以用λ = 300 nm 的光 曝光比用λ = 365 nm 的反应速度快。
1 e TR 1 TR
可以证明对比度与光刻胶厚度的关系是
1 TR
是无量纲常数，可见减薄胶膜厚度有利于提高对比度和分辨率。
3 临界调制传输函数
另一个与对比度有关的光刻胶性能指标是 临界调制传输函 数 CMTF ，代表在光刻胶上获得图形所必须的最小光调制传
光刻胶的开发与生产方案(一)
光刻胶的开发与生产方案一、实施背景随着科技的不断发展，微电子行业正在经历前所未有的快速增长。
作为微电子制造过程中的关键材料，光刻胶的性能和质量直接影响到最终产品的性能和质量。
当前，我国光刻胶产业面临着巨大的挑战，一是国外光刻胶产品的技术封锁，二是国内光刻胶产业的技术水平和生产能力相对落后。
因此，开展光刻胶的开发与生产方案研究，提升我国光刻胶产业的技术水平和生产能力，对于我国微电子行业的发展具有重要意义。
二、工作原理光刻胶是一种对特定波长的光敏感的材料，通过曝光和显影的过程，能够将掩膜版上的图形转移到硅片或其他基片上。
光刻胶的主要成分包括树脂、感光剂、添加剂等。
在曝光过程中，光刻胶中的感光剂吸收光能后发生化学反应，使得曝光部分和未曝光部分在溶解性上产生差异。
在显影过程中，利用这种溶解性差异，将曝光部分或未曝光部分溶解掉，从而得到与掩膜版上图形相对应的图形。
三、实施计划步骤1. 市场调研：收集和分析国内外光刻胶市场和产业现状，明确研究方向和目标。
2. 材料筛选：通过对不同树脂、感光剂、添加剂等材料的性能进行比较分析，筛选出适合的光刻胶材料。
3. 配方优化：通过调整光刻胶的配方比例，优化光刻胶的性能指标，如分辨率、灵敏度、粘附性等。
4. 生产工艺研究：研究光刻胶的生产工艺，包括原材料的准备、混合、匀胶、曝光、显影等工序，确定最佳生产工艺参数。
5. 产品性能测试：对生产出的光刻胶产品进行性能测试，如分辨率、灵敏度、粘附性等，确保产品性能符合要求。
6. 产业化生产：根据研究结果，建立光刻胶生产线，进行产业化生产。
7. 市场推广：将生产出的光刻胶产品进行市场推广，开拓国内外市场。
四、适用范围本方案适用于微电子制造行业中的光刻胶开发与生产，特别是适用于集成电路制造、平板显示制造等领域。
五、创新要点1. 材料创新：通过筛选和优化材料，开发出性能优异的光刻胶产品。
2. 配方创新：通过调整配方比例，优化光刻胶的性能指标。