光刻胶在光电产品中的应用及发展简述解读

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光刻机技术在光学元件制造中的应用

光刻机技术在光学元件制造中的应用

光刻机技术在光学元件制造中的应用光刻机是一种重要的设备,被广泛应用于光学元件的制造过程中。

它利用光学原理以及高精度机械控制,将图形中的信息转移到光刻胶上,形成微米级别的图案。

本文将介绍光刻机技术在光学元件制造中的应用。

一、光刻机技术的基本原理光刻机是以光学投影技术为基础的高精度微细加工设备。

它主要由光源、掩模、透镜系统、台面运动控制系统等部分组成。

在光刻的过程中,首先将待加工的器件放置于光刻机的台面上,然后通过透镜系统实现对光源发出的光的调控。

光刻机将通过掩膜上的图形信息转化为光刻胶上的图案。

二、光刻机技术在光学元件制造中的应用1. 光学光栅制造光刻机技术在光学光栅的制造中发挥了重要作用。

光学光栅是一种用于分析光的波长和角度的元件,在光学通信、光谱分析等领域具有广泛的应用。

通过光刻机的高精度控制和透镜系统的调控,可以制作出高质量的光学光栅。

2. 衍射光学元件制造衍射光学元件是利用波的干涉和衍射原理来实现特定波形变换的元件。

如衍射光栅、微透镜阵列等。

光刻机技术可以实现对复杂的衍射光学元件的加工,具有高度的精度和重复性。

3. 光电子器件制造光电子器件是一类能够将光信号转化为电信号或者将电信号转化为光信号的元件。

例如,光电二极管、光电倍增管等。

光刻机技术可以制造出光电子器件中的微细图案和电路结构,保证了器件的性能和可靠性。

4. 光学集成元件制造光学集成元件是将多个光电子器件封装在一个芯片上,实现光学信号的处理和传输。

光刻机技术可以制造出集成元件中的光学波导、耦合结构等,具有高度的精度和稳定性。

5. 光学器件表面加工光刻机技术在光学器件表面加工中也发挥重要作用。

通过控制光刻机的参数和运动控制系统,可以实现对光学元件表面的粗糙度控制、平整度调整等,提高元件的加工质量和性能。

三、光刻机技术的发展趋势随着科学技术的不断进步,光刻机技术也在不断发展。

未来的光刻机技术将更加注重提高加工的精度和效率。

同时,多层次、多波长的光刻技术也将逐渐成熟,以满足高性能光学元件的需求。

光刻胶的用途和应用原理

光刻胶的用途和应用原理

光刻胶的用途和应用原理1. 什么是光刻胶?光刻胶是一种在半导体工艺中常用的材料,它具有光敏感性和可塑性。

光刻胶通常由聚合物构成,可以通过光刻过程将图形和图案转移到基片表面。

2. 光刻胶的用途光刻胶在半导体工艺中有着广泛的应用,它主要用于以下几个方面:•光刻图案形成:光刻胶可以通过光刻工艺将图案和结构转移到基片表面。

这对于制造集成电路和微电子器件非常关键。

光刻胶的薄膜形态可以很好地保护基片表面,并且能够准确地定义所需的图案形状和尺寸。

•结构保护:光刻胶可以作为一种结构保护层,防止化学和物理损伤。

在半导体工艺中,光刻胶可以遮掩未加工的区域,以保护表面结构免受化学腐蚀和机械损伤。

•薄膜制备:光刻胶可以作为一种薄膜材料应用于某些工艺步骤。

例如,它可以作为涂层被用于光刻胶厚度的控制,或者作为保护层应用于电子器件的封装。

3. 光刻胶的应用原理光刻胶的应用原理涉及到光致聚合和光解聚合两个过程。

以下是光刻胶的应用原理的详细解释:3.1 光致聚合•光致聚合是光刻胶的主要机理之一。

在光刻胶中,有一种称为光刻胶分子的聚合物,它可以通过光敏基团响应光照而发生化学反应。

当光刻胶暴露在紫外线光源下时,光敏基团会受到激活并发生变化。

•光致聚合的过程中,发生的化学反应会导致聚合物分子之间的交联和固化。

这种固化过程会在原有的聚合物结构中形成一个类似硬质薄膜的结构。

3.2 光解聚合•光解聚合是另一种光刻胶应用原理。

光解聚合过程是通过使用深紫外波段的光源来实现的。

在光解聚合中,光敏分子在紫外线照射下发生裂解并发生聚合反应。

•光解聚合的结果是聚合物链的增长,并在光刻胶表面形成图案和结构。

这种光敏分子的裂解和聚合反应会导致光刻胶在暴露区域形成高度可控的疏水性和耐化学性。

4. 光刻胶的开发和改进随着半导体工艺的进步,光刻胶的开发和改进也成为一个重要的研究领域。

以下是一些光刻胶的开发和改进方向:•改进分辨率:为了满足更小尺寸的芯片和器件要求,光刻胶需要具有更高的分辨率。

光刻胶在光伏中的应用

光刻胶在光伏中的应用

光刻胶在光伏中的应用光伏技术作为一种清洁能源技术,正逐渐受到全球范围内的关注和推广。

在光伏电池的制造过程中,光刻胶扮演着重要的角色。

光刻胶是一种特殊的光敏聚合物材料,通过光刻技术,可以将图案精确地转移到光伏电池的表面,从而实现光伏电池的高效转换。

光刻胶的应用主要包括光掩膜制备、正胶刻蚀和背胶刻蚀三个方面。

光刻胶在光伏中的应用之一是光掩膜制备。

在光伏电池的制造中,光掩膜起到了限制光伏电池中光电转换区域的作用。

光刻胶通过光刻技术,可以将光掩膜的图案精确地转移到光伏电池基底上。

通过调控光刻胶的光敏度和曝光时间,可以得到所需的图案形状和尺寸,从而实现光伏电池的设计要求。

光刻胶在光伏中的应用还包括正胶刻蚀。

正胶刻蚀是将光刻胶图案转移到光伏电池表面后,通过刻蚀的方式去除光刻胶以及底部的材料。

这一步骤的目的是为了形成电池电极的结构。

光刻胶在正胶刻蚀中起到了保护底部材料的作用,使得只有光刻胶图案所覆盖的区域被刻蚀,从而形成所需的电极结构。

光刻胶在光伏中的应用还包括背胶刻蚀。

背胶刻蚀是在光伏电池制造的过程中,为了减少电池背面材料对光的吸收,提高光伏电池的光电转换效率而进行的一步工艺。

光刻胶在背胶刻蚀中起到了保护光伏电池正面的作用,使得只有背面的材料被刻蚀,从而减少光的吸收,提高光伏电池的光电转换效率。

光刻胶在光伏中的应用不仅仅局限于以上三个方面,还包括光刻胶的选择和优化。

根据不同的光伏电池类型和制造工艺,需要选择不同类型的光刻胶,并对其进行优化。

光刻胶的选择和优化可以影响光伏电池的性能和效率,因此是光伏电池制造过程中的关键环节。

光刻胶在光伏中的应用十分广泛,包括光掩膜制备、正胶刻蚀、背胶刻蚀以及光刻胶的选择和优化等方面。

光刻胶的应用可以实现光伏电池的高效转换,提高光伏电池的性能和效率,为清洁能源的发展做出重要贡献。

光刻胶在集成光电子芯片和MEMS器件的生产中的应用情况如何

光刻胶在集成光电子芯片和MEMS器件的生产中的应用情况如何

光刻胶在集成光电子芯片和MEMS器件的生产中的应用情况如何随着信息技术的飞速发展,集成光电子芯片和MEMS器件的生产技术也得到了极大的发展,其中光刻技术作为一项重要的生产技术,成为了集成光电子芯片和MEMS器件中的不可或缺的一部分。

光刻胶作为光刻技术中的一项关键材料,对光刻技术的发展和生产质量起到了至关重要的作用。

一、光刻胶的概念及种类光刻胶是一种光致反应性材料,通过紫外光辐射后,产生化学反应,形成像图形的沉积物。

它通常具有以下特征:1.具有良好的适应性。

可以用于一系列基底材料,如宽带波导、GaAs、金属、石英、聚合物等材料。

2.反应性能稳定。

可以承受高温、高湿度环境。

3.易于加工。

可以通过均匀地涂布在基底上,形成有规律图形。

光刻胶分为紫外线感光胶和电子束感光胶两种类型,其中紫外线感光胶是应用最为广泛的光刻胶种类。

其组成通常包括光敏剂、树脂、酯和溶剂等成分。

其中光敏剂和树脂是光刻胶的核心成分,光敏剂可以吸收紫外线能量,使光刻胶发生化学反应,并形成图案;而树脂则负责把光刻胶沉积在基底上,并保证图案的精度和形态。

二、光刻胶在集成光电子芯片中的应用随着人们对信息需求的不断增加,集成光电子芯片的应用越来越广泛。

集成光电子芯片是基于光子技术实现数据传输和处理的一种集成电路。

在集成光电子芯片的制造中,光刻胶技术广泛应用,例如:1.制造光波导:通过光刻胶技术在芯片表面加工出精细的线条,形成光波导,用来传输信息信号。

2.制造光探测器:通过光刻胶技术在芯片表面形成精细的结构,放置光电探测器。

3.制造微透镜阵列:通过光刻胶技术在芯片表面制造出微透镜阵列,实现集成光电转换。

通过采用光刻技术,在集成光电子芯片的生产中,实现了高精度、高质量的加工,大大提高了光电子芯片的性能和生产效率。

三、光刻胶在MEMS器件中的应用除了在集成光电子芯片中的应用,光刻胶在MEMS器件的制造中也发挥着重要的作用。

MEMS(微电子机械系统)器件是一种微型机电系统,由微机电系统(MEMS)技术制造的集成电路器件。

光刻机技术在太阳能光伏中的应用

光刻机技术在太阳能光伏中的应用

光刻机技术在太阳能光伏中的应用太阳能光伏技术作为可再生能源的重要组成部分,正逐渐成为全球能源的热门话题。

其中,光刻机技术在太阳能光伏的制造过程中扮演着关键的角色。

本文将探讨光刻机技术在太阳能光伏中的应用,从制造工艺、优势及挑战等方面进行阐述。

一、光刻机技术的作用和原理光刻机技术是一种在光敏薄膜上进行图形转移的技术,通过使用光刻胶和掩膜等设备,将所需的图案投影到光敏薄膜上。

它主要包括照明、感光、显影等步骤,最终形成具有特定结构和图案的光敏薄膜。

在太阳能光伏制造过程中,光刻机技术的主要作用是制造光伏电池的器件结构,例如电极、接触网格等。

通过精确的光刻技术,可以实现微米级的电极结构制作,提高太阳能电池的效率和产量。

二、光刻机技术在太阳能光伏中的应用1. 制造电池结构:通过光刻机技术,可以制作出电极、接触网格等器件结构,这些结构的精细度和形态对太阳能电池的性能影响很大。

精确的电极结构可以更好地收集光能,提高光电转换效率。

而合理设计的接触网格可以减少光电导热的损失,进一步提高电池的效率。

2. 制备掩膜:掩膜是光刻机技术中关键的辅助材料,通过光刻机可以将所需的图案投影到掩膜上,然后再将图案转移到光敏薄膜上。

掩膜的精确制备可以保证光刻工艺的准确性和稳定性。

3. 提高生产效率:光刻机技术的自动化和高精度特性,极大地提高了太阳能光伏制造的生产效率。

相比传统人工制作,使用光刻机可以实现自动化生产,减少人工操作,大大提高了产品的制造速度和一致性。

4. 技术进步及研究:光刻机技术的快速发展,推动了太阳能光伏技术的进步。

研究人员可以借助光刻机技术制造不同结构的光伏电池,探索更高效的光电转换材料,提高太阳能光伏的效率。

三、光刻机技术的优势和挑战1. 优势:光刻机技术具有高精度、高效率、量产能力强的优势。

它可以实现微米级别的结构制造,提高太阳能光伏的效率和产量。

同时,自动化生产使得工艺更稳定,减少了人为操作的影响,降低了制造成本。

光刻胶的作用原理和用途

光刻胶的作用原理和用途

光刻胶的作用原理和用途光刻胶是一种在微电子制造中广泛应用的光敏材料,它的作用是在光刻过程中起到光阻和传递图案的功能。

光刻胶具有良好的光学性质和化学稳定性,在微电子制造、光子学、纳米技术等领域中有着重要的应用。

以下是对光刻胶作用原理和用途的详细讨论。

作用原理:光刻胶由光敏聚合物、溶剂和其他添加剂组成。

在光刻过程中,光刻胶首先通过在表面上涂覆的方法形成薄膜。

然后,利用光刻机将光源上的紫外光通过模板传递到光刻胶表面,照射处的光刻胶发生光化学反应。

这个光化学反应会改变该区域的溶剂透明度,使得光敏聚合物和溶剂发生变化。

在紫外光照射下,光刻胶中的光敏聚合物发生聚合或交联反应,形成一层较硬的保护薄膜,这部分称为“热硬化”的部分。

经过光刻过程的完整的光刻胶薄膜将会被保护,而未经光刻的区域则可以轻易地被溶剂洗去。

这样,光刻胶充当了光掩膜的作用,将光源照射区域的模板传递到基片上,形成所需的微细图案。

光刻胶具有高分辨率、高准确性和较低成本等优点。

它可以制作出微细结构,如集成电路中的晶体管、电容和其他元件。

光刻胶的性能可以通过调节光敏聚合物的配方和溶剂的类型来改变。

这样光刻胶就可以满足不同领域和应用的需求。

用途:光刻胶在微电子制造、光子学和纳米技术等领域中有着广泛应用。

1.微电子制造:光刻胶在集成电路和其他半导体器件的制造过程中起着关键作用。

它用于制作芯片上的线路、电容、晶体管和其他微细结构。

光刻胶在多层的光掩膜制备过程中也起到关键性的作用。

2.光子学:光刻胶用于光子学器件的制备。

例如,它被用作制作光波导、光调制器、光栅和其他光学器件的结构定义。

3.印刷业:光刻胶在印刷业中也有应用。

它可以制作出高分辨率的印刷网版,用于制作高质量的印刷品。

4.光刻胶还用于制作纳米结构和纳米器件。

纳米技术是现代材料科学和工程的前沿领域之一,通过使用光刻胶和其他纳米加工技术,可以制造出具有特殊性能和功能的纳米结构。

总结:光刻胶是一种在微电子制造、光子学和纳米技术等领域中应用广泛的光敏材料。

光刻胶在显示器制造中的应用情况如何

光刻胶在显示器制造中的应用情况如何

光刻胶在显示器制造中的应用情况如何显示器作为计算机等电子产品中的一种重要的输出设备,成为人们需求量逐渐增大的电子产品之一。

而其中最重要的组成部分之一就是光刻胶了。

光刻胶是一种高分子化合物,其主要成分是光感应剂、树脂和稀释剂。

在显示器制造中,光刻胶用于制作触摸屏、液晶面板等。

这里,我们将探讨光刻胶在显示器制造中的应用情况。

一、触摸屏中的光刻胶应用情况1.光刻胶在电容式触摸屏中的应用光刻胶在制作电容式触摸屏的电极线路时,通过光刻技术制作电极线路图形。

电极线路图形由导电材料制成,其主要成分是金属(Pd,Au,Al)等或者氧化物(ITO,ZNO)等。

导电材料的制作通常使用电子束蒸发、物理镀、化学气相沉积和溶剂法等多种方法,光刻技术是其中一种非常主要的方法。

光刻胶在电压下,通过高精度的微细加工和电极线路形状的刻画,实现了较高的灵敏度,并且可以制作任意可控的形状。

同时,光刻胶和导电材料之间的结合度也相当高,确保了电子信号的稳定传输。

而外部输入的电流就会导致导电材料电子向触摸屏内部传输,进而通过感应电流的变化来判断用户操作。

2.光刻胶在电阻式触摸屏中的应用电阻屏幕的特点在于屏幕分成了两部分,上下层分别沿一个方向平行排列,它们之间隔开一些很小的间距。

触摸屏的四个角分别有接触点,当用户点击触摸屏屏幕时,上下层的接触点就形成了一个电路,通过测量接触点的电阻变化来确定用户操作的位置。

光刻胶在制作电阻式触摸屏的电路线路时,通过其自身的高分辨率和对形状的可控制性,制作了高精度的电路图形。

光刻胶所制作的电路线路具有高精度和稳定性,电压反应灵敏,可以快速判断用户的触摸点。

二、液晶面板中的光刻胶应用情况1.光刻胶在液晶面板中的应用液晶显像安装涂有光刻胶后,受到光照或加热后部分区域变性,形成光学极化器,这些光学极化器和以太极图形排列的液晶各有一个极化方向,由此产生的偏振光偏振方向相同,将不被液晶通过,进而可观察到液晶屏幕上所出现的图像。

光刻胶综述解读

光刻胶综述解读

此之前约1950年发明了重氮萘醌—酚醛树脂系光刻胶,它最早应用于印刷业,目前是电子工业用用最多的光刻胶,近年随着电子工业的飞速发展,光刻胶的发展更是日新月异,新型光刻胶产品不断涌现。

光刻胶按其所用曝光光源或辐射源的不同, 又可分为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、电子束胶、离子束胶、X射线胶等。

2. 光刻技术及工艺电子工业的发展离不开光刻胶的发展, 这是由电子工业微细加工的线宽所决定的。

众所周知,在光刻工艺中离不开曝光。

目前采用掩膜版的曝光方式主要有接触式曝光和投影式曝光两种。

光刻工艺过程光刻胶的种类虽然很多,使用主艺条件依光刻胶的品种不同而有很大的不同,但大体可遵从如下步骤:a.基片处理:该工序包括脱脂清洗、高温处理等部分,有时还需涂粘附增强剂进行表面改性处理。

脱脂一般采用溶剂或碱性脱脂剂进行清洗,然后再用酸性清洗剂清洗,最后用纯水清洗。

高温处理通常是在150-160℃对基片进行烘烤去除表面水分。

粘附增强剂的作用是将基片表面亲水性改变为憎水性, 便于光刻胶的涂布, 增加光刻胶在基片上的粘附性电。

b.涂胶:光刻胶的涂布方式有旋转涂布、辗涂、浸胶及喷涂等多种方式。

在电子工业中应用较多的是旋转涂布。

该方式的涂胶厚度一般取决于光刻胶的粘度及涂胶时的转速。

膜厚-转速曲线是光刻胶的一个重要特性。

c.前烘:前烘的目的是为了去除胶膜中残存的溶剂,消除胶膜的机械应力。

在电子工业中烘烤方式通常有对流烘箱和热板两种。

前烘的温度和时间根据光刻胶种类及胶膜的厚度而定。

以北京化学试剂研究所BN308系列紫外负性光刻胶为例,当胶膜厚度为1-2μm时,对流烘箱,70-80℃,20min;热板,100℃,1min。

d.曝光:正确的曝光量是影响成像质量的关键因素。

曝光不够或曝光过度均会影响复制图形的再现性。

曝光宽容度大有利于光刻胶的应用。

光刻胶的曝光量同样取决于光刻胶的种类及膜厚。

以BN308系列负胶为例,当膜厚为1-2μm时,曝光20-30mJ/cm2e.中烘:曝光后显影前的烘烤,对于化学增幅型光刻胶来说至关重要,中烘条件的好坏直接关系到复制图形的质量。

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光刻胶在光电产品中的应用及发展简述
进入90年代后,随着微电子信息技术的发展,微电子信息产业愈来愈受到人们的重视,发展速度之快,几乎超过人们的预料。

与其相配套的世界电子化学品平均年增长率也保持在8%以上,是传统化工行业中发展最快的部门之一。

预计到2005年,世界电子化学品的市场规模特超过300亿美元。

我国目前生产的电子化学产品,其中比较重要的两大类的发展现状如下:集成电路用电子化学品它包括四类关键产品:一是超净高纯试剂,BV-皿级试剂已达到国外Semi-c7质量标准,适合于0.8u-1.2um工艺,已形成500吨/年规模的生产能力,MOS 级试剂已开发生产出20多个品种,年产量超过4000吨;二是光刻胶,目前我国每年生产100吨左右,其中紫外线负胶已国产化,紫外线正胶可满足2um的工艺要求,电子束胶可提供少量产品,三是特种电子气体,目前少量由国内生产,有30多个品种主要由美国、法国和日本等国家的公司提供;四是环氧模塑料,目前国内已有3000吨/年的生产能力,可满足0.8um工艺要求,现在正在研制0.35um工艺要求的封装材料。

在全球产业界开始大规模向大陆转移产品生产基地的趋势下,在国内业界开始加大对平面显示器领域产品的投资中,发挥已有的优势,沿着产品的产业链上下、左右寻求研发、投资相关产品,应是业界不断努力探讨的方向。

本文将重点介绍光刻胶产品在光电产品领域中的应用及其他发展前景。

一、光刻胶产品简介
光刻胶是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工,近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器的制作。

由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,经曝光、显影等过程,将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上,然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工,因此刻胶光电信息产业中微细加工技术的关键性基础加工材料。

微细加工技术是人类迄今所能达到的精度最高的加工技术,光刻胶是其重要支撑条件之一,这是由微电子信息产业微细加工的线宽所决定的。

二、国内行业现状
目前,国内光刻胶主要研制生产单位有10多家,生产品种有聚乙烯醇肉桂酸酯、聚肉桂叉丙二酸乙二醇酯聚酯胶、环化橡胶型负胶和重氮萘醌磺酸酯为感光剂主体的紫外正型光刻胶。

其中,紫外线负胶已国产化,紫外线正胶可满足2μm工艺要求,深紫外正负胶、电子束正负胶、X射线正胶可提供少量产品。

光刻胶国产能力约100吨/年。

其中,生产规模较大的在北京和苏州,年产量约25吨/年和40 吨/年。

据业内专家预测,到2005年,国内微电子用光刻胶用量将超过200吨。

三、在平面显示领域中的应用
在平板显示器(FPD)技术中的应用近几年FPD技术发展迅猛,尤其是液晶显示器(LCD)具有低电压、低功耗的优点,应用几乎覆盖所有显示应用领域,已开始取代阴极射线管,成为FPD中的主导产品。

LCD由8大类材料组成,即透明电极玻璃、液晶、取向剂、光刻胶、偏振片、导电胶、粘合剂及清洗剂。

其中,光刻胶在FPD加工技术中主要用于制作显示器像素、电极、障壁、荧光粉点阵等。

早先,制作FPD的液晶滤色器、像素、电极、障壁、荧光粉点阵等都采用厚膜印刷工艺,即将印有液晶滤色器或像素、电极、障壁、荧光粉点阵的图形先复印在丝网漏模上,然后将所需浆料丝网印刷至玻璃基板上,无论是制液晶滤色器、像素、电极,还是障壁、荧光粉点阵,都需要重复丝印十多次才能达到几十微米至一百微米以上的厚度。

由于丝网漏模是由金属细丝网状编织而成,其尺寸愈大,则愈易弯曲或扭曲,精度误差大,制成的液晶滤色器、像素、电极、障壁、荧光粉点阵表面粗糙、边缘不整,图形精度和定位精度差。

因此,为了制做大屏幕、高分辨率平板显示器,必须通过采用光刻加工技术来实现。

近年来,业界针对平面显示器的快速发展需求,已经研制并规模生产出TN/STN LCD专用正型光刻胶。

在平板显示器中,除LCD之外,近年了PDP(等离子显示器)和EL(电致发光)也发展很快。

业界专家预测,在15吋以下的FPD中,液晶技术将受到有机EL、FED(场致发光显示)等技术的严重挑战,但仍可望继续占据主导地位;而在60吋以上大屏幕显示领域,目前仍以PDP优势明显。

随着FPD行业的迅速发展,大屏幕显示屏制作要求越来越高。

由于在显示大幅面细腻的彩色图像时,需要具备高达数十万的像素,因而要求FPD的加工过程必须运用光刻技术来完成液晶滤色器、像素、电极、障壁、荧光粉点阵等具有高、精、细线条的图形制作,专用光刻胶(或光刻浆料)的研制开发已经迫在眉睫,如用于TFT-LCD加工技术的彩色液晶三色感光剂,用于彩色PDP加工技术的彩色PDP专用光刻浆料(制作电极的黑色光刻银浆和光刻导电银浆、制作障壁的耐喷砂光致抗蚀剂、制作荧光粉点阵的三基色荧光粉光刻浆料)等等。

四、其他应用及发展简述
光刻胶在微电子信息产业中的应用还有很多,如用于印制电路板行业中的光固化阻焊油墨、干膜、湿膜、ED抗蚀剂等等。

近年来,电子信息产业的更新换代速度不断加快,新技术、新工艺不断涌现,对光刻胶的需求不论是品种、还是质量和数量都大大增多。

可以毫不夸张地说,光刻胶已成为微电子信息产业迅速发展的重要工艺支撑条件之一。

除了上述在平面显示器领域的应用外,光刻胶产品在微细加工技术中的应用将随着高集成度、超高速、超高频集成电路及元器件的开发,集成电路与元器件特征尺寸越来越精细的趋势,其加工尺寸将达到深亚微米、百纳米直至纳米级,应用光刻胶的发展趋势为了适应微电子行业亚微米图形加工技术要求,光刻胶的开发已从普通紫外光发展到紫外光刻胶、深紫外光刻胶、电子束胶、X射线胶、离子束胶等。

目前的开发重点是深紫外光刻胶和电子束化学放大抗蚀剂(CAR)。

CAR是以聚4-羟基苯乙烯为化学平台,加入光产酸剂、交联剂及其他成分而成。

在辐射源曝光时,其光化学增益可达102~108,从而得到高精度图形。

近年来,光刻胶在微电子行业中不断开发出新的用途,如采用光敏性介质材料制作多芯片组件(MCM)。

MCM技术可大幅度缩小电子系统体积,减轻其质量,并提高其可靠性。

近年来国外在高级军事电子和宇航电子装备中,已广泛地应用MCM技术。

可以预见,发展微电子信息产业及光电产业中不可缺少的基础工艺材料——光刻胶产品在21世纪的应用将更广泛、更深入。

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