使用是德科技 B1500A 半导体器件分析仪 MFCMU 和 SCUU 进行 IV 和 CV 测量
半导体器件的太赫兹技术考核试卷

10.温度、湿度
四、判断题
1. ×
2. ×
3. √
4. ×
5. ×
6. √
7. ×
8. √
9. ×
10. √
五、主观题(参考)
1.太赫兹波在半导体材料中的传播特性包括指数衰减、波速变化、散射效应等。这些特性影响太赫兹技术在半导体器件表征中的应用,如通过衰减和散射分析器件内部结构,波速变化可反映材料介电特性。
A.材料检测
B.器件表征
C.质量控制
D.生产过程监测
11.以下哪些因素会影响太赫兹波在半导体器件中的传播?()
A.器件结构
B.材料组成
C.工艺条件
D.所有上述因素
12.以下哪些探测器类型适用于太赫兹波的检测?()
A.硅光电二极管
B.硫化铅探测器
C.钽酸锂探测器
D.肖特基势垒二极管
13.太赫兹波在半导体器件表征中可以提供以下哪些信息?()
11. D
12. ABC
13. ABCD
14. ABCD
15. ABCD
16. ABCD
17. ABC
18. ABC
19. ABCD
20. ABCD
三、填空题
1. 0.1THz到10THz
2.载流子碰撞
3.谱相位
4.硫化铅
5.介电常数
6.光学超快激光泵浦
7.谱衰减
8.材料检测、载流子动力学研究、器件性能评估
A.器件结构分析
B.载流子输运特性
C.器件可靠性
D.器件封装
11.以下哪个因素会影响太赫兹波在半导体材料中的吸收系数?()
A.载流子浓度
B.温度
C.光照强度
半导体器件分析仪 (B1500A)

技术概述B1500A 半导体器件分析仪加快基本的电流-电压(IV )和电容-电压(CV )测量 以及业界领先的超快速 IV 器件表征脉冲 IV 测量(IV )和电容-电压(CV )表征到快速、精准的脉冲 IV 测试的全方位测量。
此外,B1500A 的 10 槽模块化体系结构使您可以添加或升级测量模块,适应不断变化的测量需求。
综合解决方案满足您的 所有器件表征需求B1500A 半导体器件分析仪将多种测量和分析功能整合到一台仪器中,可精确快速地进行器件表征。
它是目前唯一能够提供广泛的器件表征功能以及出色测量可靠性和可重复性的多功能参数分析仪。
它能够执行从基本的电流 - 电压Keysight EasyEXPERT group+ 软件是 B1500A 自带的 GUI 界面软件,可在 B1500A 的嵌入式 Windows 10 平台上运行,支持高效和可重复的器件表征。
B1500A 拥有几百种即时可用的测量(应用测试),为测试执行和分析提供了直观和功能强大的操作环境。
它可以帮助工程师对器件、材料、半导体、有源/无源元器件或几乎任何其他类型的电子器件进行精确和快速的电子表征和 测试。
关键特性优势精密电压和电流测量(0.5 µV 和 0.1 fA 分辨率)–低电压和小电流的精确表征。
用于多频率(1 kHz 至 5 MHz )电容测量(CV 、C-f 和 C-t )与电流/电压(IV )测量 切换的高精度和低成本解决方案。
–无需重新连接电缆即可在 CV 和 IV 测量之间进行切换– 保持出色的小电流测量分辨率(使用 SCUU 时最小为 1 fA ,使用 ASU 时最小为 0.1 fA )– 为被测器件提供完整的 CV 补偿输出超快速 IV 测量,100 ns 脉冲和 5 ns 采样率–捕获传统测试仪器无法精确测量的超快速瞬态现象超过 300 种应用测试即时可用–缩短从学习仪器使用、进行测量到熟练操作仪器所需的时间包含示波器视图的曲线追踪仪模式–交互式地开发测试,并即时查看器件特征–无需使用任何其他设备便可对电流和电压脉冲进行验证(MCSMU 提供示波器视图)功能强大的数据分析和稳定可靠的数据管理–自动分析测量数据,无需使用外部 PC– 自动存储测量数据和测试条件,日后快速调用此信息让所有人都变成器件表征专家EasyEXPERT group+ 使器件 表征变得像 1、2、3 计算一样简单B1500A 的 EasyEXPERT group+ 软件包括 300 多种可以即时使用的应用测试,您只需简单的 3 步便可进行测量。
半导体器件制造新技术应用与推广考核试卷

1.在半导体器件中,PN结的正向偏置会使结的电阻增加。()
2.场效应晶体管(FET)与双极型晶体管(BJT)相比,具有更高的输入阻抗。()
3.光刻技术在半导体器件制造中用于将电路图案转移到硅片上。()
4.金属半导体场效应晶体管(MESFET)是基于硅材料的晶体管。()
4.以下哪些是半导体材料的特点?()
A.导电性能介于导体和绝缘体之间
B.电阻率随温度升高而降低
C.可以制作成PN结
D.在室温下通常为绝缘体
5.在半导体器件制造中,哪些工艺步骤涉及到光刻技术?()
A.形成晶体管源极和漏极
B.制作金属连线
C.定义硅片上的图形
D.刻蚀掉不需要的材料
6.以下哪些是晶体管的类型?()
5.在半导体器件制造中,离子注入是用于形成掺杂区域的一种方法。()
6.硅的导电性能随温度的升高而降低。()
7.高频半导体器件通常使用砷化镓(GaAs)作为材料。()
8.半导体器件的功耗与工作频率无关。()
9.在半导体器件中,多晶硅可以用来制作导电层和栅极。()
10.半导体器件的制造过程中,湿法蚀刻比干法蚀刻更容易控制。()
9. ABC
10. AB
11. ABC
12. AB
13. ABCD
14. ABC
15. ABC
16. ABC
17. ABC
18. ABC
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1.光刻
2.电流放大系数
3. 365纳米
4.半导性
5.磷
6.硅氧化物
7.提高集成度、降低功耗
是德科技 N4391B 以UXR示波器为基础的光调制分析仪

最大记录长度
ADC 分辨率 4 通道 UXR 示波器的数量
光波长工作范围4
校正后的相对斜率
图像抑噪² EVM 本底噪声² 灵敏度³
N4391B-007
N4391B-011
直流–80|100|118|140 直流–160|200|220
Gbaud1
Gbaud¹
通过 EMC 测试
预热时间 建议重新校准间隔
IEC61010-1、UL61010、CSA22.2 61010.1 IEC61326-1 30 分钟 1年
术语解释
工作频率范围
工作频率范围指通过分解各个硬件的频率和相位特性来校正信号频谱分量的频率范围。
模拟带宽
模拟带宽指的是完整光电输入路径的 3 dB 带宽,没有任何频率或相位校正。
灵敏度
灵敏度限制对应输入接口处接收的信号功率,其中 32 GBaud DP-QPSK 表现出 32.5% 或更低的 EVM。对于假设的加性高斯白噪声(AWGN),EVM = 32.5% 对应于 BER = 1E-3。
联系我们:
页8
新产品订货信息
1) 配置系统设置 N4391B-007 70 GHz 光调制分析仪接收机,含 1 个 OMA 软件许可证 选择其中一台 UXR 示波器或与 N4391B-007 一起提供的集成选件 N4391B-040 Infiniium UXR0404A 实时示波器,40 GHz,256 GSa/s,
> 50 dB -145 dB/Hz(10 MHz 至 40 GHz)
< 30 s
> + 14 dBm
0 dBm 至 +14 dBm 1550 nm 波长时为 28 dB
Keysight B1500A半导体器件简化配置流程说明书

¨ B1500A-015 for 1.5m ¨ B1500A-030 for 3.0m
¨ B1500A-A01 Standard
package (4 MPSMUs + cables)
¨ B1500A-A02 High
resolution package (4 HRSMUs + cables)
¨ B1500A-A03 High power
– B1500A, B1500A-015 – B1500A-A00 – B1500A-A17 2ea. – B1500A-A5F
This information is subject to change without notice. © Keysight Technologies, 2010 – 2014, 2016 Published in USA, February 25, 2016 5990-5837EN
Table 2. Other accessories
Resource B1542A N1301A N1301A-100 N1301A-102 N1301A-110 B1542A
Description Ultra short pulsed IV package CMU accessories for B1500A SCUU (SMU CMU Unify Unit) SCUU cable (3m) SCUU magnetic stand Ultra short pulsed IV package
3 Please contact your local Keysight office to find out which WGFMU add-on package fits to your requirements. The complete contact list is available at /find/contactus
半导体设备校准与验证考核试卷

C.随意调整设备参数
D.记录校准数据
8.下列哪些设备通常用于检测半导体设备的性能?()
A.显微镜
B.分光光度计
C.示波器
D.扫描电子显微镜
9.半导体设备校准与验证的主要区别包括以下哪些?()
A.目的
B.方法
C.对象
D.场所
10.下列哪些因素可能导致半导体设备校准不准确?()
A.环境温度变化
A.精密电源
B.电子负载
C.示波器
D.编程器
17.在半导体设备验证过程中,以下哪些环节可能需要专业人员参与?()
A.数据收集
B.数据分析
C.问题诊断
D.整改措施
18.下列哪些测试不属于半导体设备性能测试?()
A.功能测试
B.老化测试
C.安全测试
D.软件兼容性测试
19.半导体设备校准与验证的周期通常取决于以下哪些因素?()
3.校准周期受设备类型、使用频率、生产环境要求等因素影响,合理制定校准周期可以平衡设备性能维护成本和生产效率。
4.校准与验证在确保产品质量中的作用是通过定期检查和测试,保证设备持续稳定运行,减少生产过程中的质量波动,提高产品一致性。
11. ( ) 12. ( ) 13. ( ) 14. ( ) 15. ( )
16. ( ) 17. ( ) 18. ( ) 19. ( ) 20. ( )
二、多选题(本题共20小题,每小题1.1.半导体设备校准过程中,以下哪些因素会影响校准结果?()
6.半导体设备校准周期可以根据生产环境要求灵活调整。()
7.在半导体设备性能测试中,只需要进行功能测试即可。()
8.半导体设备校准与验证是同一概念。()
半导体探测器与气体探测器性能分析6

成都理工大学工程技术学院毕业论文半导体探测器与气体探测器性能分析作者姓名:孟庆彦专业名称:核工程与核技术指导教师:李泰华教授摘要辐射粒子探测器是粒子物理、核物理、放射性测量等领域研究的重要仪器,可以有效地保证财产和人身安全,而且广泛应用于国民经济和国防等多种领域。
气体探测器、闪烁体探测器和半导体探测器是近几十年来先后发展起来的三类主要探测器。
文中详细介绍了半导体探测器和气体探测器的原理,并对相关的设备仪器和放射源做了简短的介绍。
Si-PIN半导体探测器可以探测到55Fe衰变放射的X射线,气体探测器里面含有238Pu放射源,继续使用55Fe作为样品,会影响探测器的性能,因此使用锰粉和淀粉配置的样品代替,实验需要进行样品的研磨与压片。
分别使用探测器对X射线进行测量并用能谱仪分析能谱,主要研究两种探测器的相关性能,了解它们各自的能量分辨率及其使用范围,目的在于加强对两种探测器的能量分辨率的认识,给人们在以后的工作和学习中一个有益的指导。
关键词:半导体探测器气探测器能量分辨率AbstractRadiation particle detector is an important instrument of the research in the field of particle physics, nuclear physics, radioactivity measurements, can effectively ensure the property and personal safety, and are widely used in a variety of areas of the national economy and national defense. Gas, scintillation and semiconductor detectors have been developed three main types of detectors in recent decades.The principle of semiconductor detectors and gas detectors is described in this paper; a brief to the associated apparatus and radioactive sources is introduced. Si-PIN semiconductor detector can detect the X-ray radiation from55Fe,gas detectors contain 238Pu sources, so use 55Fe as a sample can affect the performance of the detector and use manganese powder and starch samples instead of them, the experiment need to grinding and tabletting sample. The X-ray were measured and analyzed by detector separately and spectrometer was analyzed by energy spectrum, mainly studies two kinds of relative performance, understand their energy resolution and its use range, the principal purpose is to enhance the understanding of the energy resolution of the two detectors, give people a useful guidance for future work and learning.Keywords:semiconductor detector, gas detectors, energy resolution目录摘要 (I)Abstract (II)目录 (III)前言 (1)1探测器概述 (3)1.1探测器简介 (3)1.2辐射探测器发展历史 (3)1.3辐射探测器发展现状 (4)2半导体探测器 (5)2.1半导体探测器的基本原理 (5)2.2半导体探测器的仪器应用 (5)3气体探测器 (7)3.1气体探测器的基本原理 (7)3.2气体探测器的工作区间 (8)4实验方案设计 (10)4.1实验材料和仪器 (10)4.1.1 Si-PIN半导体探测器 (10)4.1.2充Xe(或充Ar)薄Be窗窗柱型侧窗正比计数管 (11)4.1.3 ADC4096多道γ能谱仪 (11)4.1.4多道分析仪 (11)4.1.5 238Pu (11)4.2实验方法 (12)4.2.1实验原理 (13)4.2.2样品的制备 (14)4.2.3测量 (14)5实验数据及处理 (16)5.1实验所得数据 (16)5.2数据处理及分析 (19)5.3结论 (21)总结 (22)致谢 (23)参考文献 (24)前言核辐射,或通常称之为放射性,存在于所有的物质之中,这是亿万年来存在的客观事实,是正常现象。
半导体器件的智能制造技术考核试卷

B.刻蚀机
C.研磨机
D.切割机
9.以下哪个因素会影响半导体器件的电学性能?()
A.材料纯度
B.材料硬度
C.材料颜色
检测?()
A.机器视觉
B.人工神经网络
C.机器人技术
D.物联网
11.下列哪种材料可用于半导体器件的导电接触?()
18.A
19.A
20.D
二、多选题
1.D
2.ABC
3.D
4.ABC
5.D
6.ABCD
7.ABCD
8.ABC
9.ABCD
10.ABCD
11.ABC
12.AB
13.ABCD
14.D
15.ABCD
16.ABC
17.AB
18.ABC
19.ABC
20.ABCD
三、填空题
1.紫外/深紫外
2.发射极、基极、集电极
二、多选题(本题共20小题,每小题1.5分,共30分,在每小题给出的四个选项中,至少有一项是符合题目要求的)
1.半导体器件的基本组成部分包括以下哪些?()
A.PN结
B.绝缘层
C.金属电极
D.所有上述部分
2.以下哪些是常用的半导体材料?()
A.硅
B.锗
C.砷化镓
D.铜
3.智能制造技术在半导体器件生产中的应用包括以下哪些?()
3.请详细说明在半导体器件智能制造中,如何利用物联网技术实现设备的实时监控与远程诊断。
4.结合实际,阐述智能制造技术在半导体器件生产过程中对环境保护和资源节约的贡献。
标准答案
一、单项选择题
1.B
2.C
3.A
4.C
5.A
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
图 1. 机械手连接的基本电缆配置
延长 电缆
剩余电感是一个 固定值
延长 电缆
3T 配置
不同的电缆布设 会产生不同的剩余 电感。
即使您把电 缆移到被 测器件处,剩余电感
也 不会改 变,仍能 提 供 稳定和 精确的测量
ir
结果。
面积
屏蔽 2T 配置的剩余电感是固定的,因为保 护屏蔽中流过的感应电流与中心导体中流过 的电流大小相同而方向相反。这一感应电流 有助于屏蔽测量电流产生的磁通量,使剩余 电 缆电 感 保 持 一 个 较小的固定值。反 之,3 T 配置中没有形成返回电流路径。这种配置中 的剩余电感取决于电缆的随机布设状态。由 于电缆的布设不受控制,因此难以保持剩余 电感为稳定的固定量值。测试环境的振动也 会改变测量电缆的剩余电感,造成其不稳定 的量值。人们很难补偿 3T 配置中测量电缆 的剩余电感。这有时也被称作“返回路径问 题”,如果 3T 配置中电缆末端的保护屏蔽 不能 短 路 在一起,就 会产 生 这一问题。您可 按照图 2 所示的方法连接保护屏蔽来解决 这一问题。
SMU 1 SMU 2 电路公共端
三轴电缆
机械手 施压 保护端
三轴 连接器
机械手 施压
保护端
三轴 外部屏蔽
图 5 是一个与精确 CV 测量略有不同的测量 装置。使用 4TP-屏蔽 2T 转换之后的电缆路 径看起来类似于 IV 测量装置,但有两个重要 区别。第一,IV 测量装置中使用的是三轴电 缆,而 CV 测量装置中则使用同轴电缆。第 二,测量电缆与 CV 测量装置中的机械手探 针之间有一条保护连接线,而在 IV 测量装置 中没有这条保护连接线。
使用 Keysight B1500A MFCMU
和 SCUU 进行 IV 和 CV 测量
应用指南
引言
Keysight B1500A 半导体器件分析仪
参数表征既需要进行电流-电压(IV)测量,也需要进行电容-电压(CV)测量。目前开发的制程技术通常 需要通过单通道对晶圆上器件进行精确的 IV 和 CV 测量。Keysight B1500A 半导体器件分析仪在单台主 机中使用一个新的单插槽多频率电容测量单元(MFCMU)和两个 SMU 单元,能够支持单通道的 IV 和 CV 测量。 在一个探头台上进行 IV 和 CV 这两种测量并不容易。基于 SMU 的 IV 测量使用三轴连接器,而基于 CMU 的 CV 测量则使用 BNC 连接器。这两种测量之间的切换非常复杂和耗时,很容易造成测量错误。例如,当 通过手动切换测量电缆时,需要同时保持晶圆上的探针不变。在这种情况下切换电缆,摩擦所产生的电荷 可能会损坏器件。除了电缆连接问题之外,为获得准确的结果,还必须正确设置与电容测量相关的误差补 偿参数。 B1500A 的 SMU CMU 统一单元(SCUU)可以有效解决这些测量问题。SCUU Keysight B1500A 半导体器 件分析仪能够执行精确的 IV 和 CV 测量并能在两者之间轻松切换,从而节省了购置复杂的外部开关矩阵的 开支。 本应用指南介绍了如何使用 B1500A 简单地配置精确的 IV 和 CV 测量系统。
SCUU
GSWU
图 8. SCUU 和 GSWU 电缆接到晶圆探头机械手
页7
结论
Keysight B1500A 与 MFCMU、SMU、SCUU 及 GSWU 结合使用,建立了能精确测量 IV 和 CV 且 可以在两种测量间轻松切换的测量系统。
B1500A 的 EasyEXPERT 软件可以处理所有 IV-CV 切换和误差补偿。您只需选择一种 IV 或 CV 算法,然后按一个按钮,就可以开始进行精确的测量
MFCMU HRSMU
SCUU 延长电缆适配器
SCUU
GSWU
图 7. 用 SCUU 电缆适配器把 B1500A 的 MFCMU 和 HRSMU 接到 SCUU
图 8 显示了 SCUU 和 GSWU 到晶圆探头 机械手的电缆连接。GSWU 连接到靠近机 械手 探针夹 具 底座 的晶圆探 头 机 械手 探针 保护端。这一连接建立了 CV 测量时的返 回 路 径,从 而 确 保 得 到 精 确而 稳 定 的 测 量 结果。
MFCMU
测试电缆 (1.5/3 米)
延长 电缆
机械手
被测器件
为了获得最高精度,4T P 应尽可能延伸到 接 近 被 测 器 件(D U T)。然 后 将屏 蔽 的 两 端 (2 T)电 缆 或 三 端(3 T)电 缆 连 接 到 探 测 机 械手。到探针的路径通常为 3T 配置。
4TP 配置
屏蔽的 2T 配置
is 屏蔽的 2T 配置
图 2. 屏蔽 2T 电缆配置与 3T 电缆配置的差别
is 3T 配置
页3
要获得精确的电容测量结果,您必须执行以 下三个基 本测量 步骤:第一 步,将 寄 生 效 应 造成的误差减到最小;第二步,让产生的误 差稳定下来;第三步,有效地补偿误差。图 3 显示了使用屏蔽 2T 配置可以实现到探针的 路径相对较短。到探针的路径越短,寄生效 应 造 成 的 误 差 就 越 小(典 型误 差 是 测 量电 缆中的剩余电感)。通过在到探针的所有路 径上全部使用屏蔽 2T 配置,您就可以将屏 蔽 3T 电缆的长度减到最短。这也就把测量 装置中不稳定部分的长度减到最短,从而能 更容易地使用补偿技术来补偿测量误差。
图 4. 理想的(非开尔文)晶圆 IV 测量装置图
MFCMU Hc
测试电缆 (1.5/3 米)
Hp
Lp
Lc
4TP 至 2T 转换 同轴电缆
直流和 CV 中的差异
机械手
施压
CL
CH
保护端
保护连接用于建立屏蔽的 2T 配置
图 5. 理想的晶圆 CV 测量装置图
机械手 施压
保护端
页5
Keysight B1500A IV/CV 解决方案
图 2 显示了屏蔽 2T 配置与 3T 配置的差别。 在屏蔽 2T 配置中,测量电缆保护屏蔽一起 接到测量电缆的末端。而在 3T 配置中,保护 屏蔽并不一起接到测量电缆末端。与 3T 配 置相比,屏蔽 2T 配置能得到更稳定和更精 确的测量结果。这是因为屏蔽 2T 配置中的 剩余电感是由电缆结构决定的固定值。
页2
使用 B1500A 进行基本电容测量
图 1 是在晶圆上进行 CV 测量的基本电缆 配置图。首先把四端对(4TP)延长测试电缆 连接到 B1500A 中的 MFCMU 的测量端子 上。4TP 配置类似于 IV 测量中的开尔文连 接,这种连接方式可以尽量减少测量电缆寄 生现象造成的误差,同时还可以在延长测试 电缆时获得最好的测量精度。
直流与 CV 中的差异机械ຫໍສະໝຸດ 施压 保护端三轴 外部屏蔽端
GSWU
页6
Keysight B1500A IV/CV 解决方案(续)
图 7 显示了如何用 3 米的 SCUU 电缆适配 器把 B1500A 的 MFCMU 和 HRSMU 接到 SCUU。GSWU 接到 SCUU 的控制端,使 SCUU 可以自动控制 GSWU 开关的切换。
B1500A 现可在 Windows 10 环境中使用
B1500A PC 平台已经更新。它现在包括 Windows 10 操作系统、速度更快的 CPU、8 GB 内存 和一 个固态 驱 动 器(S S D)。最 新 款计算 机平台支 持 您 轻松 执行 各种 软件任 务,同时 提高总体 计算性能。另外还提供 Windows 10 升级选件。
即使您使用开尔文三轴电缆连接 SCUU 和 探头机械手,只要电缆不是太长,就不会影 响测量精度。您需要做的就是建立这个简单 的连接系统,并使用内置于 B1500A EasyEXPERT 软件的开路/短路和(可选)负载补 偿程序收集并保存剩余误差部分的数据。
SMU 1 SMU 2
SCUU 和电缆组件
电路公共端
虽然进行如图 4 和图 5 所示的单独 CV 和 IV 测量的电缆配置是相似的,但当您构建 能够在自动化测试环境下切换 IV 和 CV 测 量的单一测量配置时,其差异却构成严峻的 挑战。本应用指南下面将说明如何在单一电 缆配置下使用 B1500A 进行 IV 和 CV 测量, 并且不会降低测量精度,也不需要您掌握关 于 CV 测量的专业知识。
图 6 显示了 B1500A 用于 IV 和 CV 测量切 换时的基本电缆配置。B1500A 的 SCUU 可 以在不降低测量精度的前提下切换 IV 和 CV 测量,您可通过 1.5 米或 3.0 米电缆把 SCUU 安装到晶圆探头上。SCUU 上的测量 电 缆 用 两 条 三 轴电 缆 或 两 对开 尔文( 施 压 和传感)三轴电缆延长到晶圆探头机械手, 以满足 IV 和 CV 测量的要求。对于 IV 和 CV 测量,三轴电缆的中心信号线接到测量探针 的中心导体,三轴电缆的驱动保护端则接到 测 量 探 针 的 外 部 屏 蔽 端。通 过 把 外 部 屏 蔽 端接到测量探针保护端来防止外部噪声。
如欲了解更多信息,请访问是德科技官网
如需了解关于是德科技产品、应用和服务的更多信息,请与是德科技联系。
此信息如有更改,恕不另行通知。 © Keysight Technologies, 2005 - 2019, Published in USA, October 22, 2019, 5989-3608CHCN
CMU Hc Hp Lp Lc
测试电缆(1.5/3 米)
三轴电缆 机械手 施压 保护端
三轴 连接器
与 CV 测量配合使用
图 6. B1500A 使用 SCUU 和 GSWU 实现晶圆上 CV 测量
EasyEXPERT 软件通过控制 GSWU 处理所 有 IV-CV 切换和误差补偿,同时还处理电容 测量的电流返回路径问题。EasyEXPERT 软 件提供 100 多种 IV 和 CV 应用测试。您只 需选择一种 CV 算法,按一个按钮即可开始 进行精确的 CV 测量。如果使用 SCUU,CV 测 量 的 直 流 偏 置电 压 范 围 可以 扩展 到 ±100 V,这远远超过了 MFCMU ±25 V 的 固有能力。在配备 SCUU 的情况下,通过把 SMU 连接到 SCUU,即可自动提供 ±100 V 的直流偏置。