半导体变流技术与可控硅整流装置
scr可控硅在整流电路上的应用

scr可控硅在整流电路上的应用1.引言1.1 概述在整流电路中,可控硅是一种重要的元件。
它具有可控性强、耐压能力高、效率高等优点,因此在电力领域中得到广泛应用。
本文将介绍可控硅的基本原理及其在整流电路中的应用。
可控硅是一种单向导电元件,通过控制其门极电压或电流,可以实现对其导通或截止状态的控制。
由于其具有双向可导电性,可以将交流电信号转换为直流电信号,因此在整流电路中起着重要的作用。
在整流电路中,可控硅通常被用作整流桥电路的主要元件。
整流桥电路主要用于将交流电转换为直流电,常用于电源供给等领域。
可控硅的特性使得它能够控制电流的流动方向,并能够将交流信号转换为单向的直流信号。
可控硅在整流电路中的应用具有很大的优势。
首先,可控硅具有较高的效率和稳定性,可以实现高效的能量转换。
其次,可控硅能够进行迅速的开关控制,可靠地实现交流信号到直流信号的转换。
此外,可控硅的耐压能力较高,能够满足电力系统中的高电压需求。
总之,可控硅在整流电路中具有重要的应用价值。
本文将深入探讨可控硅的基本原理以及其在整流电路中的应用。
同时,还将展望可控硅在电力领域的未来发展,为读者对该领域有一个全面的了解。
1.2 文章结构本文主要讨论了可控硅在整流电路上的应用。
为了更好地组织文章内容,本文将按照以下结构进行论述。
首先,在引言部分,我们会对文章进行概述,介绍可控硅的基本原理和整流电路的应用背景。
并阐明文章的结构和目的,确保读者能够清晰地理解文章的主题和篇章结构。
接下来,在正文部分,我们会详细介绍可控硅的基本原理。
首先,我们将解释可控硅是一种什么样的器件,以及它的工作原理。
然后,我们将重点探讨可控硅在整流电路中的应用。
我们将介绍可控硅在单相和三相整流电路中的作用,并说明它在电力系统中的重要性。
我们还将分析可控硅在整流电路中的优势和限制,并介绍相关的电路拓扑结构和控制策略。
最后,在结论部分,我们将总结可控硅在整流电路上的应用。
我们将回顾本文的主要内容,强调可控硅的优点和局限性,并对其在电力领域的未来发展进行展望。
igbt逆变焊机与可控硅整流焊机的区别

IGBT逆变焊机与可控硅整流焊机的区别IGBT逆变焊机电源是一种高性能、高效、省材的新型焊机电源,代表了当今焊机电源的发展方向。
由于IGBT大容量模块的商用化,这种电源更有着广阔的应用前景。
它与可控硅整流焊机的区别如下:1、可控硅整流焊机是将50HZ的交流电整流成直流电输出,通过改变可控硅的导通角来改变输出大小,输出波形不平滑,所以焊接效果不好,引弧及其他一些控制功能差。
IGBT逆变焊机电源大都采用交流-直流-交流-直流(AC-DC-AC-DC)变换的方法。
50Hz 交流电经全桥整流变成直流,再经过IGBT逆变,将直流电逆变成20~30kHz的中频矩形波,中频变压器降压,经过二次整流后输出,成为稳定的直流,输出波形好,通过PWM脉宽调制或移相控制IGBT逆变器的导通时间,改变输出的大小。
供电弧使用,引弧及焊接电流易于控制。
2、可控硅整流焊机体积大,较为笨重,不便于搬运和移动,而IGBT焊机由于逆变频率高达20~30kHz,所以变压器体积小,重量轻,易于搬运。
3、逆变焊机比可控硅整流焊机省电约30%左右。
4、IGBT逆变焊机控制及主电路较为简单,所以可靠性高,故障点少,易于维修。
5、IGBT控制技术已经非常成熟,是新一代逆变器的主流器件。
但由于焊机电源的工作条件恶劣,频繁的处于短路、燃弧、开路交替变化之中,因此IGBT逆变式整流焊机电源的工作可靠性问题成为最关键的问题,也是用户最关心的问题。
6、对电网电压的波形影响:电焊机是非线性用电设备。
可控硅整流焊机的谐波产生的原因是由于整流本身有一个阀电压,在小于阀电压时,电流为零(如图所示)。
为了提供平稳的直流电源输出,在电焊机中加入了储能元件(滤波电容和滤波电感),从而使阀电压提高,加激了谐波的产生量。
为了控制焊机的输出电压和电流,在焊机中使用了可控硅,这使得电焊机的谐波污染更严重,而且谐波的次数比较低。
IGBT逆变焊机,在交流变直流过程中产生的谐波与上述的可控硅整流焊机一样,它在直流逆变成交流时又有逆变波形反射到交流电流,因此IGBT逆变焊机产生的谐波分量不仅有低次谐波,还有高次谐波(如图所示)。
电力电子技术的发展趋势及应用

电力电子技术的发展趋势及应用半导体的出现成为20世纪现代物理学的一项最重大的突破,标志着电子技术的诞生。
而由于不同领域的实际需要,促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展,其中一个分支即是以集成电路为代表的微电子器件,而另一类就是电力电子器件,特点是功率大、快速化。
自20世纪五十年代末第一只晶闸管问世以来,电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台,以此为基础开发的可控硅整流装置,是电气传动领域的一次革命,使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子的诞生。
电子电力技术包括电力电子器件、变流电路和控制电路3部分,是以电力为处理对象并集电力、电子、控制三大电气工程技术领域之间的综合性学科。
电力技术涉及发电、输电、配电及电力应用,电子技术涉及电子器件和由各种电子电路所组成的电子设备和系统,控制技术是指利用外加的设备或装置使机器设备或生产过程的某个工作状态或参数按照预定的规律运行。
电力电子器件是电力电子技术的基础,电力电子器件对电能进行控制和转换就是电子电力技术的利用。
在21世纪已经成为一种高新技术,影响着人们生活的各种领域,因此对对电子电力技术的研究具有时代意义。
传统电力电子技术是以低频技术处理的,现代电力电子的发展向着高频技术处理发展。
其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代,在不断的发展中促进了现代电力电子技术的广泛应用。
电力电子技术在1947年晶体管诞生开始形成,接着1956的晶闸管的出现标志电力电子技术逐渐形成一门学科开始发展,以功率MOS-FET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件的出现,表明已经进入现代电子电力技术发展时代。
1.整流器时代在60年代到70年代被称为电力电子技术的整流时代。
该期间主要是大功率硅整流管和晶闸管的开发与应用。
1948年的晶体管的出现引发了电子工业革命,半导体器件开始应用与通信领域,1957年,晶闸管的诞生扩展了半导体器件功率控制范围,属于第一代电力电子器件。
电气试题(技术员使用)含答案.docx

电气试题(技术员使用)一、填空题:1、电流互感器与继电器常用接线方式有(星形接线)、(不完全星形接线)、(两相电流差接线)、三角形接线。
2、在实际运行中,消弧线圈应避免出现(全补偿)方式,以免出现(谐振)现象。
3、低温对SF6断路器尤为不利,因为当温度低于SF6气体在某一使用压力下的(临界)温度时,SF6气体将(液化),从而降低了绝缘和灭弧能力,使断路器的额定开断电流下降。
4、在阻、容、感串联电路中,只有(电阻)是消耗电能,而(电感)和(电容)只是进行能量变换。
5、SF6的缺点是:它的电气性能受电场均匀程度及(水分),(杂质)影响特别大。
6、变压器油在变压器中起(绝缘)、(灭弧)和(冷却)作用。
变压器油枕的作用(调节)油量、(延长油的)使用寿命。
油枕的容积一般为变压器总量的(十分之一)。
7、电压互感器二次负载愈大,则(变比误差)和(角误差)愈大。
8、变压器的调压分接头装置都装在高压侧原因是高压侧线圈中流过的(电流小), 分接装置因接触电阻引起的(发热量小)9、高压电动机的绝缘电阻,每1伏工作电压不应低于1MQ,绕线式电动机的转子绕组绝缘电阻不应低于亶MQ。
10、促使绝缘材老化的主要原因,在低压设备中是(发热),在高压设备中是(局部放电)。
11、直流电动机根据励磁方式可分为(他励)、(并励)、(串励)、复励)四种类型。
12、丫-△形降压启动是指电动机启动时,把定子绕组接成(星形),以降低启动电压,降制启动电流,待电动机启动后,再把定子绕组改接成(三角形),使电动机全压动行,这种启动方法适用于在正常动行时定子绕组作(三角形)连接的电动机。
13、变压器除了可以改变交变电压、(交变电流)之外还可以用来变换(阻抗)和改变(相位)。
14、电刷按其材质不同,分为(石墨电刷)、(电化石墨电刷)、和(金属石墨电刷)等三类。
15、晶闸管又叫(可控硅),其管芯是由四层半导体材料组成,具有(3n)个PN 结。
16、使直流电动机实现反转的方法有:改变(磁通)的方法、改变(电枢电流)的方法。
整流柜详述

4) 可控硅的动态参数 所谓动态参数是指可控硅处在状态变换过程中的参数。
下面主要介绍du/dt 、di/dt、tgt 和tq这四个参数。 (a) 断态电压临界上升率du/dt
du/dt是指在额定结温和门极断路时,可控硅保持断态所 能承受的最大主电压上升率。使用时实际电压上升率必须 小于此值。 (b) 通态电流临界上升率di/dt
南京南瑞集团公司 国电自动化研究院
UAK
iA
UA
IA
0.9
iT
0
td
tr
t
tgt
ug 20us
UG
0.1
0
t
图2 门极控制开通时间tgt
t2 t3 t4 t5
0
t1
t
Δt
tq
图3 可控硅换相关断时间tq
南京南瑞集团公司 国电自动化研究院
普通可控硅的开通时间约为几至几十微妙。为了减小 开通时间和保证可控硅触发导通时刻的正确,可采用实际 触发电流比规定触发电流大3-5倍,且前沿陡峭的强触发方 式。 (d) 电路换向关断时间tq
成为图4(a)所示的三相全波全控整流电路。可控硅元件都要靠 触发换流,并且一般要求触发脉冲的宽度应大于600,但小于1200, 一般取800-1000,即所谓“宽脉冲触发”。这样才能保证整流电路刚 投入之际,例如共阴极组的某一元件被触发时,共阳极组的前一 元件的触发信号依然存在,共阴极组与共阳极组各有一元件同时 处在被触发状态,才能构成电流的通路。
IH是指可控硅导通后,由较大的通态电流降至刚能保持元 件通态所必须的最小通态电流。当电流小于IH时,可控硅 即从通态转化为关断状态。 (c) 掣住电流IL
IL是指可控硅刚从断态转入通态并移去触发信号后,能 维持通态所需的最小主电流 。掣住电流IL的数值与工作条 件有关,通常IL约为IH的2-4倍。
可控硅整流装置工作原理及保护措施论文

可控硅整流装置的工作原理及保护措施摘要:在整流装置过载或输出短路时,保护措施能起到安全保护功能,归结为限流保护和过电流保护。
这两种保护是否可靠,直接影响控硅整流装置的质量,代表着控硅整流装置的水平。
本文主要介绍了相控可控硅整流装置的控制原理,及限流、过电流保护在相控可控硅整流充电装置的应用。
关键词:可控硅整流装置开环控制闭环控制限流与过电流保护中图分类号: u264.3+71 文献标识码: a 文章编号:1 概述相控整流充电装置不论在电力系统还是在现代工业的各行各业中已得到广泛应用。
例如在电力系统中,即可作为系统控制、保护的工作电源,又可作为蓄电池的充电装置。
可控硅整流装置要安全运行,必须有可靠的保护措施。
在整流装置过载或输出短路时,保护措施能起到安全保护功能,归结为限流保护和过电流保护。
这两种保护是否可靠,直接影响控硅整流装置的质量,代表着控硅整流装置的水平。
2 可控硅整流装置的控制原理可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个pn 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。
可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
可控硅整流就是利用可控硅整流元件把交流电变换成大小可调的直流电。
以单相全桥为例,可控硅整流装置的输出电压ud与可控硅控制角α之间的关系如下式:ud=0.9uz1cosαud:可控硅整流装置输出电压;uz1:整流变压器二次侧线电压;α:可控硅控制角由上式可以看出,可控硅整流装置的输出电压与可控硅控制角α有关。
α实际上由控制电压uy决定.即当uy增加时,α增大,则ud减小;当uy减小时,α减小,ud增大。
电力半导体技术及变流技术

电力半导体技术
第三章 晶闸管整流电路
一、整流装置的常用参数: 1、α-控制角:在一个电周期内,整流桥各可控硅在过了其自然换向点后 才承受正向电压,规定此时α=0。改变α,可以控制整流装置的输出电压。 2、Ud-输出直流电压平均值 3、U2-输入交流电压有效值 4、IT-可控硅额定通态平均电流 5、Id-整流装置额定输出电流平均值
快速熔断器简称快熔,用于短路保护。当电流超过其额定电流4倍时, 动作时间在0.1s以内(具体数据以样本手册为准)。注意:快熔额定电流指 的是电流有效值,而可控硅的参数IT是指电流平均值。两者并不一致(见 可控硅容量选择一节)。但通常取快熔额定电流=IT,此时快熔容量约为 可控硅容量的2/3。 3、过压吸收:
27
电力半导体技术
第四章 双向晶闸管调压电路
三、典型调压电路 3、其它调压电路
其它调压电路还有:YN接三相调压电路、串联负载角接三相调压 电路、晶闸管角接三相调压电路等。
28
13
电力半导体技术
第二章 IGBT
四、逆变主电路
IGBT由于可关断特性,与晶闸管 比较,更加适合用于逆变电路。 以往采用晶闸管作为逆变器功率 器件时,须附加换流电路才可实 现逆变,电路较为复杂,现在变 频器已大量采用IGBT作为逆变器 功率器件。
1、IGBT导通顺序:
123234 345 456 561 612
8
电力半导体技术
第一章 晶闸管
三、晶闸管触发 晶闸管的触发电流波形对晶闸管的运行特别是对其开关过渡过程有很
大的影响。理想的触发电流波形应满且如下要求。 1、触发脉冲前沿
对于大功率晶闸管,为了减少开通时间,满足电流变化率的要求,或 者在串并联电路中,为缩小开通时间的分散性,都应采用强触发脉冲。 当触发脉冲的IGT=5-6倍时,元件的开通性能有明显的改善。 2、触发脉冲宽度
可控硅整流技术(V1.0)

1.3 整流原理 以三相整流电路为例, 以三相整流电路为例, 1.3.1 带电阻负载的三相半波全控整流 1.3.2 带电感性负载的三相半波可控整流 1.3.3三相全波半控整流电路 1.3.3三相全波半控整流电路
1.3 整流原理 1.3.4 三相全波全控整流电路 特点: 特点 宽脉冲触发或双脉冲触发 同一桥臂上相差180 180度 同一桥臂上相差180度 不同桥臂上相差120 120度 不同桥臂上相差120度 阳极1 阳极1,3,5最高点导通 阴极4 阴极4,6,2最低点导通
1.2 主要参数
1.2.3 可控硅的门极参数 (a) 门极触发电流 GT 门极触发电流I (b) 门极触发电压 GT 门极触发电压U 1.2.4可控硅的动态参数 可控硅的动态参数 (a) 断态电压临界上升率 断态电压临界上升率du/dt (b) 通态电流临界上升率 通态电流临界上升率di/dt (c) 门极控制开通时间 gt 门极控制开通时间t (d) 电路换向关断时间 q 电路换向关断时间t 1.2.5 可控硅的额定结温 jM 可控硅的额定结温T
1.2 主要参数 应用范围: 应用范围: 电压/电流额定值最高的 电流额定值最高的SCR,其次 其次GTO 电压 电流额定值最高的 其次 工作频率最高MOSFET,SIT,SITH,最低 最低 工作频率最高 SCR
1.3 整流原理 交流-----直流,整流(Rectifier) 直流,整流 交流 直流 直流-----交流,逆变 交流, 直流 交流 逆变(Inverter) 直流-----直流,斩波器 直流, 直流 直流 斩波器(Chopper) 交流---交流 周期变换器(Cycle converter) 交流, 交流 交流,周期变换器 AC-DC-AC(如,变频器,UPS,开关电源 如 变频器, ,开关电源)
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
半导体变流技术与可控硅整流装置钢板总厂热卷板检修车朱广永一. 概述半导体变流技术是近代工业发展到半导体时代最典型的技术之一,他不仅在发电机励磁系统方面得到广泛的应用,在冶金、化工、机械制造、交通运输等各方面都得到广泛的应用。
可以说,现代生活、生产无处不存在变流技术。
半导体变流技术是现代励磁系统最基本的技术之一。
在发电机励磁系统上他不仅取代了传统的直流励磁机,而且在励磁调节方面取代了传统的磁放大器、相复励变压器和整流器,甚至在灭磁方面也部分取代了磁场断路器和灭磁电阻的作用。
现代发电机励磁系统中,从电源的变换到发电机励磁能量的提供,无处不存在变流技术的应用。
本课程主要就半导体变流技术的几种典型应用和具体电路进行分析。
另外还利用一定的篇幅根据整流装置在现场的应用介绍一些装置的故障判断和处理方法。
二. 变流技术的种类单相半波整流单相全波整流不可控整流单相桥式整流单相整流单相半波可控整流单相桥式半控整流可控整流单相桥式全控整流半导体变流三相零式整流不可控整流三相桥式整流三相整流三相半控桥可控整流三相全控桥上面的分类只是按照应用最多的情况进行的分类,实际应用中远较上面的要多。
比如六相整流、十二相整流等等。
由于这些电路在励磁系统中应用的较少,我们在分类时就没有将他们列入。
实际上,在早期的模拟式自动励磁调节器的电压测量回路中,为了保证测量电压的纹波系数,六相和十二相整流电路应用的还是很普遍的,只是现代微机励磁调节器采用交流电压采样方式以后,对测量电压的纹波要求相对降低了而不怎么采用了。
三. 单相整流电路 3.1单相半波整流电路单相半波整流电路接线图及波形图见图一单相半波整流是半导体变流技术中最基本的电路。
他是利用半导体二极管的单向导电性,将交流电转换为直流电最基本的方法。
由于二极管的单向导电性,变压器二次电压只有正方向电流才能够通过二极管而施加到负载上,而负方向由于二极管的阻断作用而不能施加到负载上,因此,负载上获得的平均电压仅为变压器二次电压的一半。
由于存在二极管导通压降和变压器二次绕组的压降,故电路中:245.0U U d =由于在电路的输出侧装有滤波电容器,负载上的最高电压将可以达到变压器二次电压的峰值电压,即22u u d =;同时,由于电容器的放电作用,在变压器二次电压下降时,负载上的电压并不随二次电压下降而下降,而是由电容器的放电曲线所决定。
单相半波整流电路的波形图见图一(b )。
图中:兰色曲线为变压器二次电压,红色曲线为无滤波电容器时的整流输出电压,棕色曲线为有滤波电容器时负载上的电压。
当整流二极管换为可控硅,电路变化为可控单相整流电路时,负载上的平均整流电压由:2cos 145.0)(sin 22122αωωππα+==⎰U t td U U d 决定。
式中:U 2——变压器二次绕组电压的有效值;α——移相角。
由式可以看出,当α改变时,负载上获得的平均整流电压会有不同的值。
3.2 单相全波整流单相全波整流电路接线图及波形图见图2。
在变压器副边电压的正半周,二极管D1处于正向偏置而D2处于反向偏置状态,D1在正向电压的作用下导通,D2在反向电压的作用下截止,负载上获得e21电压;在变压器副边电压的负半周,二极管D1处于反向偏置状态,而D2处于正向偏置状态,D2在正向电压的作用下导通,D1在反向电压的作用下截止,负载上获得e22电压。
负载上的电压波形如图2b中棕色曲线。
与单相半波整流电路相比,全波整流的输出要多一个波,因此,输出电压也较半波要高一倍,故: U d=0.9U2与单相半波一样,在有滤波电容器时,负载上的最高电压为变压器二次电压的峰值,使用中应当特别注意。
3.3单相桥式整流单相桥式整流是实际应用最多的单相整流电路。
电路接线见图3。
在电路中,四只整流管组成桥式整流。
在变压器二次电压的正半周,电流通过D1→Rfz→D2→W2形成通路,而在负半周,电流通过D3→Rfz→D4→W2形成通路,负载上电压波形见图3(b)棕色曲线。
与全波整流一样,桥式整流电路的平均输出电压:U d=0.9U2当有滤波电容器时,负载上的最高电压为变压器二次电压的峰值。
当整流管换为可控硅时,桥式整流可以很方便地变换为可控整流。
单相桥式可控整流电路的输出电压由:2cos 19.02α+=U U d 决定。
当可控整流桥接入感性负载时,由于电感电流不能突变,在可控硅关断期内,必须在负载两端接入续流二极管以保持电感电流的通路,以防止可控硅关断时在电感负载两端产生危险的过电压和可控硅能够换相导通。
四. 三相整流电路三相整流电路是励磁系统最基本的变流技术之一。
现代发电机自励励磁系统几乎全部采用三相整流电路来解决励磁系统的功率部分。
根据应用场合的不同,三相整流电路分为三相零式、三相半控桥、三相全控桥、多相整流等多种电路形式。
三相整流不仅输出波形的纹波小,而且输出电压等级高、电流大,特别适合于大功率整流的场合。
4.1三相零式(半波)整流三相零式整流是多相整流电路的基础电路,可以说,其他多相整流电路是三相零式整流电路的叠加,掌握这一部分是解决其他多相整流电路的基础,应当引起足够的重视。
三相零式整流电路的接线图和波形图见图4。
由图4可以看出,在ωt1~ωt2时段,u2a 为正,u2b 、u2c 均低于u2a ,D1受正向电压而导通,D2、D3元件关断;在ωt2~ωt3时段,u2b 电压上升u2a 下降,而u2c 则处于最低电压,故D2导通,D1、D3关断;在ωt2~ωt3时段,u2c 上升为最高值,其他两相电压则下降到较低的值,故此时轮换到D3导通而D1、D2关断。
负载上获得的电压如图4b 中兰线所示波形。
整流电压Ud 与变压器二次电压的关系有:U d=1.17U 2当整流元件换为可控硅时,整流电压Ud 与变压器二次电压的关系有:U d =1.17U 2cos α 负载上的电流与变压器二次绕组间电流关系有:I 2=0.59I d 负载功率与变压器容量的关系有:d dd P I U U I S 5.117.1359.03222=== 这里需要说明,当可控整流电路的负载为电感元件时,要注意在电感两端并联续流二极管,以保持电流的连续通路和可控硅的可靠换相。
上面的半波整流电路称为共阴极三相零式电路,他的输出为正电压。
在实际应用中,为了获得负电压,可以将整流元件的阳极作为公共极而输出,称为共阳极三相零式电路。
电路的分析方法与共阴极三相零式电路一样,只是要注意电压的极性应相反。
从前面的分析可知,三相零式整流只是利用了变压器二次电压的相电压,相对利用变压器二次线电压的三相全波整流来说输出电压也较低。
此种方式在冶金系统用的更多一些,而在电力系统应用较少。
共阴极电路和共阳极电路组合以后,可以形成具有正、负极性输出的整流电源,也可以提高整流输出电压。
4.2 三相桥式整流三相桥式整流是电力系统特别是发电机励磁系统应用最多的方式。
在三相桥式整流方式下,他充分利用了变压器的二次线电压,不仅提高了整流装置的输出电压水平,还大大降低了整流变压器的二次电流和损耗。
三相桥式整流的电路图和波形图见图5。
与三相零式整流电路不同的是,三相桥式整流是以线电压为基础进行分析的。
如图所示,在ωt1~ωt2区间,D1、D6承受的电压最高,电流通过a →D1→Rfz →D6→b →变压器a 、b 相副绕组形成闭环通路;在ωt2~ωt3区间,D1、D2承受的电压最高,电流通过a →D1→Rfz →D2→c →变压器a 、c 相绕组形成闭环通路,整流元件D6、D2在ωt2点换相;在ωt3点,a 相电压下降而b 相电压上升且高于a 相电压,电流由D1换到D3,在ωt3~ωt4区段形成D3→Rfz →D2→变压器b 、c 相绕组的闭环通路;在ωt4点,再次由D2换流到D4,在ωt4~ωt5区段形成D3→Rfz →D4→变压器b 、a 相绕组的闭环通路;以下类推。
负载上的电压波形见图5b 兰色曲线。
三相整流元件的导通换流顺序如下:三相桥式整流电路的整流电压与变压器二次电压的关系为:Ld U U 235.1式中:U 2L ——整流变压器二次线电压三相桥式整流电路的整流输出电流与变压器二次绕组电流的关系为:d I I 817.02= 变压器与整流功率的关系为:d d dP I U I U S 05.1817.024.333222=⨯== 4.3 三相半控桥式整流三相半控桥式整流是在三相桥式整流电路的基础上,改变其中一组整流元件为可控硅的整流电路。
电路的工作原理与三相桥式整流电路完全一样,所不同的是使用可控硅以后,整流元件的换流不是在自然换流点,而是在触发点换流。
电路接线图及换流情况见图6。
三相半控桥式整流电路在控制角为00时的输出波形与三相半波整流时完全一致;控制角在0≤α≤600范围内,每个周波有6个波头,而在600≤α≤1800范围内,每个周期只有三个波头,且波形之间有间距;α=600时波形刚好连续。
α<600时每个周期的六个波头中三个相互间隔的波头为可控波,三个间隔的波头为二极管整流波。
结合前面对三相整流桥的分析可以看出:1)α=00时,三相半控桥的输出和波形与三相整流桥的波形完全一致。
2)α≤600时,三相半控桥波形为六个连续波;α>600时只有三个波且不连续,其整流电压与变压器副绕组之间的关系为:)cos 1(2232απ+=L d U U 由于三相半控桥在α为不同角度时输出波形有较大的区别,因此,整流电压与变压器二次电压不能维持一个固定的比例关系。
α=00时,35.12=ld U U ;α=900时,675.02=L d U U 。
3)通过整流元件和变压器二次绕组的电流由于α角的不同而有较大的差别,他需要按α角的区段进行分析。
⑴在00≤α≤600区段内波形连续的情况下,通过整流元件的电流为:))2cos 1(433(21αππ++=Mscr I I 因 )cos 1(23)cos 1(2232απαπ+=+==M l fz d d I R U R U I 故 )]2cos 1(433[21)cos 1(32αππαπ+++=Id Iscr ⑵在00≤α≤600区段内波形连续的情况下,通过变压器副绕组的电流:)2cos 1(433[12αππ++=MI I 将)cos 1(32απ+=M I 代入式中,得:)2cos 1(433[1)cos 1(322αππαπ+++=d I I ⑶在600≤α≤1800区段内波形不连续的情况下,通过整流元件的电流为:)42sin 2(21ααππ+-=MI Iscr 则:)42sin 2(21)cos 1(32ααππαπ+-+=d scr I I⑷在600≤α≤1800区段内波形不连续的情况下,通过变压器副绕组的电流为:)42sin 2(12ααππ+-=MI I将I M 代入式中得:)42sin 2(1)cos 1(322ααππαπ+-+=d I I4.4三相全控桥整流电路三相全控桥整流电路是发电机自并励励磁系统应用最多的电路。