晶体结构与缺陷

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材料科学中的晶体结构与缺陷

材料科学中的晶体结构与缺陷

材料科学中的晶体结构与缺陷材料科学是一门研究物质性质与结构之间关系的学科。

在材料科学中,晶体结构与缺陷是一个重要的研究领域。

晶体结构是指物质中原子或离子的排列方式,而缺陷则是指晶体中存在的不完美或缺失的部分。

晶体结构与缺陷的研究对于了解材料的性质、改善材料的性能以及开发新的材料具有重要意义。

晶体结构是材料科学中的基础概念之一。

晶体是由原子、离子或分子按照一定的规则排列而成的有序固体。

晶体结构的研究可以通过X射线衍射、电子显微镜等技术手段来进行。

通过这些手段,科学家可以确定晶体中原子或离子的位置、间距以及晶体的晶格常数等参数。

晶体结构的研究不仅可以帮助我们了解材料的基本性质,还可以为设计新的材料提供理论依据。

晶体中存在着各种各样的缺陷。

缺陷可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷。

点缺陷是指晶体中原子或离子的位置发生偏移或缺失,如空位、间隙原子等。

线缺陷是指晶体中存在的一维缺陷,如位错、螺旋位错等。

面缺陷是指晶体中存在的二维缺陷,如晶界、孪晶等。

缺陷的存在对材料的性能有着重要的影响。

例如,点缺陷可以影响材料的导电性、热传导性等;线缺陷可以影响材料的机械性能;面缺陷可以影响材料的塑性变形行为。

因此,研究晶体中的缺陷对于改善材料的性能具有重要意义。

在材料科学中,晶体结构与缺陷的研究不仅限于理论模拟和实验观察,还包括对材料的制备和处理技术的研究。

通过合适的制备和处理技术,可以控制晶体的结构和缺陷,从而改善材料的性能。

例如,通过控制晶体生长条件,可以获得高质量的单晶材料;通过合适的热处理工艺,可以改善材料的机械性能;通过控制材料的成分和微观结构,可以实现材料的特定功能。

因此,晶体结构与缺陷的研究不仅对于基础科学有着重要意义,还对于应用材料科学具有重要的指导作用。

总之,晶体结构与缺陷是材料科学中的重要研究领域。

晶体结构的研究可以帮助我们了解材料的基本性质,缺陷的研究可以改善材料的性能。

通过合适的制备和处理技术,可以控制晶体的结构和缺陷,从而实现材料的特定功能。

晶体结构与缺陷

晶体结构与缺陷

晶体结构与缺陷晶体是一种有着高度有序排列的原子、离子或分子的固体材料。

晶体的结构对其性质和应用具有重要影响,而缺陷则是晶体中不完美的部分。

本文将探讨晶体结构、晶格缺陷和它们在材料中的影响。

一、晶体结构晶体结构是指晶体中原子、离子或分子的排列方式。

晶体的结构可以通过晶体学方法(如X射线衍射)来表征。

根据晶体的结构特征,可以将晶体分为多种类型,包括立方晶系、正交晶系、单斜晶系等。

晶体结构的基本单位是晶胞,晶胞由晶体中最小的重复单元构成。

在晶体结构中,晶胞有各种不同的排列方式,例如简单立方晶胞、面心立方晶胞和体心立方晶胞。

这些不同的排列方式导致了不同类型的晶体结构。

二、晶格缺陷晶格缺陷是指晶体中原子、离子或分子位置的非理想性质。

晶格缺陷可以通过外部环境和材料制备过程中的条件引入。

晶格缺陷可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三类。

1. 点缺陷点缺陷是指晶体中少数几个原子、离子或分子的位置与理想排列位置有所偏离。

最常见的点缺陷是空位缺陷和杂质缺陷。

空位缺陷是指晶体中某个位置上的原子或离子缺失,而杂质缺陷是指原子或离子被其他类型的原子或离子替代。

点缺陷可以对晶体的性质和行为产生重要影响。

例如,在半导体材料中,控制杂质缺陷的浓度可以改变材料的电导率。

在金属材料中,点缺陷可以影响金属的硬度、延展性和热导率等物理性能。

2. 线缺陷线缺陷是指晶体中沿某个方向出现的缺陷线。

常见的线缺陷包括位错和螺旋位错。

位错是晶体中原子排列顺序的偏移,而螺旋位错则是沿某个方向上原子排列的扭曲。

线缺陷可以导致晶体的塑性变形和断裂行为。

位错的运动可以使晶体发生滑移,从而导致材料的塑性变形。

而螺旋位错则可以在晶体中形成螺旋状的断裂。

3. 面缺陷面缺陷是指晶体中的平面缺陷。

最常见的面缺陷是晶界和孪晶。

晶界是两个晶粒之间的界面,它们的晶体结构可能有所不同。

孪晶是指两个对称的晶体结构在某个面上镜面对称的结合。

面缺陷可以对晶体的物理性能产生重要影响。

晶界可以影响晶体的弹性模量和导电性能。

第二章-晶体结构与晶体中的缺陷

第二章-晶体结构与晶体中的缺陷
• 层间结合力强,水分子不易进入层间,与水拌和体积不膨 胀,泥料可塑性差(黏土-水系统解释)。
• 层内力远远大于层间力,容易形成片状解理。
• ⑷ 蒙脱石结构
• 单元层间:范德华力,弱。 • [SiO4]4-中的Si4+被Al3+取代(
同晶取代)为平衡电价,吸 附低价正离子,易解吸,使 颗粒荷电,因此使陶瓷制品 因带某些离子具有放射性。 • 性质: • 加水体积膨胀,泥料可塑性 好。
因子看,A位离子越大, B位离子才能较大。
理想立方钙钛矿结构中离子的位置
§2.2 硅酸盐晶体结构
一、硅酸盐结构特点与分类 硅酸盐是数量极大的一类无机物。硅酸盐晶体可以 按硅(铝)氧骨干的形式分成岛状结构、组群状结 构、链状结构、层状结构和架状结构。它们都具有 下列结构特点: 1)结构中Si4+之间没有直接的键,而是通过O2-连接 起来的 2)结构是以硅氧四面体为结构的基础 3)每一个O2-只能连接2个硅氧四面体 4)硅氧四面体间只能共顶连接,而不能共棱和共面 连接
陶瓷材料如MgO,CaO, NiO,
CoO,MnO和PbO等都形成
该结构。岩盐型结构还是若干
复杂层状化合物结构的一部分。
根据鲍林静电价规则,
S=Z/n NaCl: 每一个Na+静电键强度是 1/6。正负离子的配位数相等, 都是6。因此键强度总和达到氯 离子的价电荷数(6x(1/6)=1) MgO: 阳离子Mg2+的静电键强 度是2/6 ,键强度总和等于氧离子 O2-的电价6x(2/6)=2
缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期 性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体:存在着各种各样的结构的不完 整性。
晶体结构缺陷的类型

第一章 晶体结构与晶体中的缺陷

第一章  晶体结构与晶体中的缺陷

第一章晶体结构与晶体中的缺陷一、名词解释1.正尖晶石与反尖晶石;2.弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;3.刃位错与螺位错;4.固溶体;5.非化学计量化合物:二、填空与选择2.在硅酸盐结构分类中,下列矿物Ca[Al2Si2O8];CaMg[Si2O6];β-Ca2SiO4和Mg3[Si4O10](OH)2,分别属于;;;和四类。

3.在负离子作立方密堆的晶体中,为获得稳定的晶体结构,正离子将所有八面体空隙位置填满的晶体有,所有四面体空隙均填满的晶体有,填满一半八面体空隙的晶体有,填满一半四面体空隙的晶体有。

4.在尖晶石(MgAl2O4)型晶体中,O2-作面心立方最紧密堆积,Mg2+填入了;金红石晶体中,所有O2-作稍有变形的六方密堆,Ti4+填充了。

(A全部四面体空隙;B 全部八面体空隙;C四面体空隙的半数;D八面体空隙的半数;E四面体空隙的八分之一;F八面体空隙的八分之一)5.构成层状硅酸盐的[Si2O5]片中的Si4+,通常被一定数量的Al3+所取代,为满足鲍林第二规则(静电价规则),在层状结构中结合有(OH)-离子和各种二价正离子或三价正离子。

这种以Al3+取代Si4+的现象,称为。

( A同质多晶(同质多象);B类质同晶;C有序-无序转化;D同晶置换(同晶取代))6.高岭石与蒙脱石属于层状硅酸盐结构,前者的结构特征是,后者的结构特征是。

(A二层型三八面体结构;B三层型三八面体结构;C二层型二八面体结构;D 三层型二八面体结构)7.在石英的相变中,属于重建型相变的是,属于位移式相变的是。

(A α-石英→α-鳞石英;B α-石英→β-石英;C α-鳞石英→α-方石英;D α方石英→β-方石英)8.晶体结构中的热缺陷有和二类。

9.CaO掺杂到ZrO2中,其中置换了。

由于电中性的要求,在上述置换同时产生一个空位。

以上置换过程可用方程式表示。

10.由于的结果,必然会在晶体结构中产生"组分缺陷",组分缺陷的浓度主要取决于:和。

晶体的结构和晶格缺陷

晶体的结构和晶格缺陷

晶体的结构和晶格缺陷晶体是具有规则、有序排列的原子、离子或分子的物质。

它们在自然界中广泛存在,包括矿物、金属、合金等。

晶体的结构和晶格缺陷对其性质和应用起着至关重要的作用。

晶体的结构是由周期性排列的结构单元(晶胞)组成的。

晶胞是晶体的最小重复单元,通过平移操作可以生成整个晶体。

晶体结构可以分为两类:晶体属于晶胞内原子、离子或分子之间具有长程有序排列的晶体称为晶态;而在晶胞内部分子之间没有长程有序排列的晶体则称为非晶态。

晶体的结构具有高度的有序性,可以通过X射线衍射等技术进行解析。

晶体的结构决定了其物理、化学性质以及机械性能。

不同原子或离子之间的键合方式和键长决定了晶体的硬度、熔点和导电性等。

晶格缺陷是晶体结构中的缺陷,它们可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三类。

点缺陷是晶胞内单个原子、离子或分子的缺失或替代。

最常见的点缺陷包括空位、间隙原子和替位原子。

空位是晶胞中缺少一个原子,它会导致晶体特定的电学、热学和光学性质发生改变。

间隙原子是晶胞中多余的原子,它会引起晶体的固溶度变化。

替位原子则是晶胞中某个原子被另一种原子替代,这种缺陷会对晶体的磁性和电性产生重要影响。

线缺陷是沿着晶体中一维方向分布的缺陷。

最常见的线缺陷是位错,位错是晶体中原子、离子或分子排列出错的地方。

位错会导致晶体的机械性质发生变化,如增加晶体的可塑性和延展性,降低其硬度和强度。

面缺陷是沿着晶体中二维方向分布的缺陷。

最常见的面缺陷包括晶面偏差、晶界和孪晶等。

晶面偏差是晶格平面相对于理想晶体位置的偏移,它会影响晶体的表面形貌和晶体的性质。

晶界是两个或多个晶粒之间的界面,它是晶体内部结构的交界处。

孪晶是两个不同晶方向生长的晶体在晶界处错配而结合形成的缺陷,它会降低晶体的机械性能。

晶格缺陷在物质的制备和改性过程中起着重要作用。

通过控制晶格缺陷,可以调节晶体的性质和应用。

在材料科学领域,研究晶体中的缺陷可以提高材料的力学性能、电学性能和化学稳定性等。

第二章晶体构与晶体中的缺陷

第二章晶体构与晶体中的缺陷

第二章 晶体结构与晶体中的缺陷1、证明等径圆球面心立方最密堆积的空隙率为25.9%。

解:设球半径为a ,则球的体积为4/3πa 3,求的z=4,则球的总体积(晶胞)4×4/3πa 3,立方体晶胞体积:33216)22(a a =,空间利用率=球所占体积/空间体积=74.1%,空隙率=1-74.1%=25.9%。

2、金属镁原子作六方密堆积,测得它的密度为1.74克/厘米3,求它的晶胞体积。

解:ρ=m/V =1.74g/cm 3,V=1.37×10-22。

3、 根据半径比关系,说明下列离子与O 2-配位时的配位数各是多少? 解:Si 4+ 4; K + 12; Al 3+ 6; Mg 2+ 6。

4、一个面心立方紧密堆积的金属晶体,其原子量为M ,密度是8.94g/cm 3。

试计算其晶格常数和原子间距。

解:根据密度定义,晶格常数)(0906.0)(10906.094.810023.6/(43/13/183230nm M cm M M a =⨯=⨯⨯=- 原子间距= )(0641.02/0906.0)4/2(223/13/1nm M M a r ==⨯=5、 试根据原子半径R 计算面心立方晶胞、六方晶胞、体心立方晶胞的体积。

解:面心立方晶胞:3330216)22(R R a V ===六方晶胞(1/3):3220282/3)23/8()2(2/3R R R c a V =•••=•= 体心立方晶胞:333033/64)3/4(R R a V ===6、MgO 具有NaCl 结构。

根据O 2-半径为0.140nm 和Mg 2+半径为0.072nm ,计算球状离子所占据的体积分数和计算MgO 的密度。

并说明为什么其体积分数小于74.05%?解:在MgO 晶体中,正负离子直接相邻,a 0=2(r ++r -)=0.424(nm)体积分数=4×(4π/3)×(0.143+0.0723)/0.4243=68.52%密度=4×(24.3+16)/[6.023×1023×(0.424×10-7)3]=3.5112(g/cm 3)MgO 体积分数小于74.05%,原因在于r +/r -=0.072/0.14=0.4235>0.414,正负离子紧密接触,而负离子之间不直接接触,即正离子将负离子形成的八面体空隙撑开了,负离子不再是紧密堆积,所以其体积分数小于等径球体紧密堆积的体积分数74.05%。

第一章晶体的结构及晶体中的缺陷

第一章晶体的结构及晶体中的缺陷

ˆn c ˆn ˆh s
I
s
在晶体中反轴 对应的操作是先绕(轴)线旋转α度,然后再通过线上 (中心)点进行倒反(或先倒反再旋转),即能产生等价图形。这种连续性 操作的符号为 “ L( ) I ”, 其中“ ”为倒反, “L( )” 为旋转.
由此可知, 与Sn都属于复合对称操作,且都由旋转与另一相连的操 作组合而成。
小角度晶界: 晶粒位向差小于10度的晶界。其结构为位 错列,又分为对称倾侧晶界和扭转晶界。
5、晶界能
Gb W= ( A0 ln 0 ) 4 (1 ) b A0 1+ ln( ) 2r0 G 剪切模量;--失配度; b --柏氏矢量;
--泊松比; r0 与位错线有关的一个
除了对称元素和对称操作的符号和名称的不完全相同外,晶体的宏观 对称性与有限分子的对称性最本质的区别是:晶体的点阵结构使晶体 的宏观对称性受到了限制,这种限制主要表现在两方面: 在晶体的空间点阵结构中,任何对称轴(包括旋转轴、反轴以及以后 介绍的螺旋轴)都必与一组直线点阵平行,与一组平面点阵垂直(除 一重轴外);任何对称面(包括镜面及微观对称元素中的滑移面)都必 与一组平面点阵平行,而与一组直线点阵垂直。 晶体中的对称轴(包括旋转轴,反轴和螺旋轴)的轴次n并不是可以有 任意多重,n仅为1,2,3,4,6,即在晶体结构中,任何对称轴或轴性 对称元素的轴次只有一重、二重、三重、四重和六重这五种,不可 能有五重和七重及更高的其它轴次,这一原理称为“晶体的对称性 定律”。 所以,综合前面的讨论,由于点阵结构的限制,晶体中实际存在 的独立的宏观对称元素总共只有八种,见表2
1.3准晶体 准晶体是1984年科学家发现的一种新的物 质聚集形态。一种介于晶体和非晶体之间的

理解物质的晶体结构和晶格缺陷

理解物质的晶体结构和晶格缺陷

理解物质的晶体结构和晶格缺陷晶体结构是物质内部有序排列的一种形态。

物质的晶体结构对其性质和应用有着重要影响。

同时,晶格缺陷是晶体中不完美的区域,对晶体的性质和行为产生显著影响。

本文将探讨晶体结构的基本特征和晶格缺陷的类型以及其对物质性质的影响。

一、晶体结构的基本特征晶体结构的基本特征包括晶体晶格、晶胞和晶格常数。

晶体晶格是指晶体中重复出现的空间网状结构,其由原子、离子或分子组成。

晶胞是晶体中最小重复单元,通常是一个几何图形。

晶格常数则是描述晶格的参数,反映着晶体内部原子排列的距离和方向。

不同晶体具有不同的晶体结构类型,常见的有离子晶体、共价晶体和金属晶体。

离子晶体由正负电荷的离子通过电静力吸引力形成,典型的例子是氯化钠。

共价晶体是由共用电子键将原子结合在一起,如金刚石。

金属晶体则由金属原子通过金属键结合,典型的例子是铜。

二、晶格缺陷的类型晶格缺陷是晶体内部不完美的区域,可能是由于原子或离子在晶体结构中的位置不正常或缺失导致的。

常见的晶格缺陷包括点缺陷、线缺陷和面缺陷。

点缺陷是指晶格中某些点位置发生了改变,比如原子偏离了理想位置或者被替代。

点缺陷可以分为点位错、空位和固溶体三种类型。

点位错是晶体中原子位置发生偏移或旋转导致的缺陷,它会使晶体中的原子排列出现错位。

空位是晶体中某个位置没有被原子占据的缺陷,导致晶格中的空隙。

固溶体是指晶格中某些原子被替代为其他原子。

线缺陷是指晶格中存在一维缺陷,如位错和螺旋走错。

位错是指晶体中原子面或者原子排列出现偏差,它可以是线性或螺旋状的。

螺旋走错是晶体中原子沿着一个螺旋线排列,而不是按照理想的平行方式。

面缺陷是指晶格中存在二维缺陷,如晶界、取向沟槽和堆垛层错。

晶界是不同晶粒之间的交界面,其原子排列比较杂乱。

取向沟槽是晶体中沿着特定方向原子排列比较紊乱的缺陷。

堆垛层错则是晶体中原本平行的晶面在某些位置上错位。

三、晶格缺陷对物质性质的影响晶格缺陷对物质性质的影响是多方面的。

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氢分子,图中电子出现几率较大处为共价键
共价键的特性 共价键结合力的本质是电性的
共价键结合力是两个原子核对共用电子对形成的负电区域 的吸引力。
形成共价键时,组成原子的电子云发生了很大变化。
两个原子轨道发生最大重叠,使两个原子核间电子云出现 机率最大。
共价键具有饱和性 共价键具有方向性
决定了各种原子形成分子时相互结合的数 量关系,是定比定律的内在原因之一。
故而---- 材料的结合方式
材料(物质)由无数原子聚集 而成———凝聚态物理 关注对象:由无数原子聚集而 成的材料 材料的结合方式——— 原子之 间的结合方式!
1.1 材料的结合方式

原子结合能与结合力
当元素的原子相互距离为无限时,彼此间是不存在相 互作用的。使它们相互靠近时,便会发生相互作用。这种 图 2 相互作用既有吸引,也有排斥。无论采取什么方式结合, 2 吸引都是来自于异号电荷的库仑相互作用;排斥则一方面 来自同号电荷的库仑相互作用,另一方面来自于泡利不相 原 子 容原理决定的电子间相互作用。 间 力 这种相互作用能与原子间相互距离的关系见图,由图 和 势 中可见,吸引与排斥的综合作用与距离的关系存在着极小 能 值,即能量最低值。从热力学观点,能量最低的状态是稳 曲 线 定存在状态。表明当单个原子彼此靠近变成凝聚态时,在 适当的原子间距的情况下体系可处于能量最低的稳定状态, 这个能量即原子的结合能。这是宇宙间存在凝聚态物质的 理论基础。由原子间相互作用势能v,可以求出原子间作 用力f, (上图),可见在势能最小值所对应的原子间距 r0处,原子间结合力f=0,表明在这个距离时, 原子间的 吸引力与排斥力大小相等,方向相反,互相抵消,原子处 于平衡位置。
离子键实质:异号离子之间的静电引力
e

点:
金属原子 非金属原子
带正电的正离子(Cation) 静电引力 带负电的负离子(anion)
离子键
离子键的特点是没有方向性和饱和性.离子晶体 结合较强,因此破坏这种化学键需要较高的能量, 离子型晶体的熔点,硬度,强度都很高,热膨胀系 数很小,其性质主要取决于离子的性质,如离子的 电荷,离子的半径,离子的电层结构及晶体结构. 多数盐类、碱类和金属氧化物
1.1 材料的结合方式

金属键特点:
金属具有可塑性.有较大的热导率.不透明性, 有金属 光泽, 良好的延展性,导电导热性, 无饱和性和方向性。
上述假设模型叫做金属的自由电子模型,称为改性共价键理论。 对金属的许多重要性质都给予了一定的解释。但是,由于金属的自由 电子模型过于简单化,不能解释金属晶体为什么有结合力,也不能解 释金属晶体为什么有导体、绝缘体和半导体之分。随着科学和生产的 发展,主要是量子理论的发展,建立了能带理论。
1.1 材料的结合方式
1.1.1. 结合键(Bonding):组成物质整体的质点(原子、
分子或离子)间的相互作用力
结合键分类:
金属键(Metallic bonding) 化学键(Chemical bonding)离子键(Ionic bonding) 主价键primary interatomic bonds 共价键(covalent bonding) 物理键(physical bonding),次价键(Secondary bonding),亦称Van der Waals bonding 氢键(Hydrogen - bondin g) 介于化学键和范德华力之间
组成化学键的两个原子间电负性差大于1.8 时,一般 生成离子键;小于1.8 时一般生成共价键;而金属原子之 间则生成金属键。
1.1 材料的结合方式
4.范德瓦尔键(范德华力):
许多物质分子具有永久极性。 由于分子的极性,分子的一部分往往 带正电荷,而另一部分往往带负电荷, 一个分子的正电荷部位和另一个分子的 负电荷部位间,以微弱静电力相吸引, 使之结合在一起,称为范德瓦尔键。
非晶体:不呈周期性的规则排列– 短程有序 晶体与非晶体的区别:
a.根本区别:质点是否在三维空间作有规则的周期性重复
排列。
b.熔化时:晶体具有固定的熔点,而非晶体无明显熔点,只
存在一个软化温度范围(类似于玻璃)。
c. 性能:晶体具有各向异性,非晶体呈各向同性。
金属玻璃;大块非晶合金---本院(国家重点实验室)主要学术方向之一
范德瓦尔键是借助微弱的,瞬时的电 偶极矩的感应作用将原来具有稳定的原 子结构的原子或分子结合为一体的键合, 它存在于中性原子和分子之间.
特 点:
首先它是一种长程作用力,它括静电力,诱导力,和色散力. 它属于物理键,没有方向性和饱和性,比化学键的键能小1-2个 数量级。范德瓦尔键也能很大程度上改变材料的性质.
2. 离子键(电子有失有得)
当活泼金属和活泼非金属元素的原子互相接近时,前 者失去电子形成正离子,后者得到电子形成负离子。正、 负离子通过静电相互作用结合成离子型化合物。
1916年,科塞尔(Kossel)提出了离子键理论: a.当电负性小的活泼金属原子与电负性大的活泼非金属原子 相遇时,它们都有达到稳定结构的倾向,由于两个原子的电 负性相差较大,它们之间容易发生电子的得失而产生正、负 离子。 b.稳定结构,对主族元素来讲,它们生成的离子多数都具有稀 有气体结构,对于过渡元素来讲,它们的d轨道一般都处于半 充满状态。 c.原子间发生电子的转移而形成具有稳定结构的正负离子时, 从能量的角度来看,一定会有能量的吸收和放出,而且新体 系的能量一般也是最低的。 NaCl晶体中的离子排列
1.1 材料的结合方式
3. 金属键(电子有失无得)
金属原子的外层价电子数比较少(通常s,p价电子数少于 4),而金属晶体结构的配位数却很高(高于6),因此 金属晶体中各原子不可能通过电子转移或共用电子而达 到八电子层的稳定结构。 金属键是化学键的一种,主要在金属中存在。由自由电 子及排列成晶格状的金属离子之间的静电吸引力组合而 成。 由于电子的自由运动,金属键没有固定的方向,因而是 非极性键。金属键有金属的很多特性。例如一般金属的 熔点、沸点随金属键的强度而升高。其强弱通常与金属 离子半径成逆相关,与金属内部自由电子密度成正相关
3. 金属键


在金属晶体中,自由电子作穿梭运 动,它不专属于某个金属离子而为 整个金属晶体所共有。这些自由电 子与全部金属离子相互作用,从而 形成某种结合,这种作用称为金属 键。 由于金属只有少数价电子能用于 成键,金属在形成晶体时,倾向于 构成极为紧密的结构,使每个原子 都有尽可能多的相邻原子(金属晶体 一般都具有高配位数和紧密堆积结 构),这样,电子能级可以得到尽可 能多的重叠,从而形成金属键。
阵点用平行直线连接---空间格架—晶格 晶胞三维堆砌---空间点阵
同一点阵,晶胞选择方式不同—不同晶胞
选取晶胞的原则: Ⅰ)选取的平行六面体应与宏观晶体具有同样的对称性; Ⅱ)平行六面体内的棱和角相等的数目应最多; Ⅲ)当平行六面体的棱角存在直角时,直角的数目应最多; Ⅳ)在满足上条件,晶胞应具有最小的体积。
1.1 材料的结合方式
氢 键:
与电负性大的原子X(氟、氯、氧、氮等) 共价结合的氢,如与电负性大的原子Y(与 X相同的也可以)接近,在X与Y之间以氢为 媒介,生成X-H…Y形的键。这种键称为氢 键。
氢键是一种特殊的分子间的作用力,具 有比一般次价键大的键力,又称为氢 桥.

点:
具有饱和性和方向性,它可以存在分 子内或分子间,它在高分子材料中特别 重要.
注: 1. 范德华力即物理键 2. 本教材:化学键与结合键未作区分。不严谨!
1.1 材料的结合方式
1.共价键(电子无失无得)
由同类原子或电负性相差不大的原子间通过共用成键电子对形成的; 成键电子对可以由两个原子共同提供,也可以由一个原子单独提供 (后者习惯上称为配位键) 如:周期表IVA、VA、VIA族中的大多数元素 金刚石、单质硅、碳化硅等
《材料物理科学基础》
《Foundations of Materials Physics Science》
第一章 材料的结构
材料物理系 张瑞军
主要内容
1.1 材料的结合方式
1.2 晶体学基础
1.3 材料的晶体结构
1.1 材料的结合方式
本章:材料的结构 结构决定性能! 而材料的结合方式又决定其结构!-- 性能! 如:碳的两种典型结构:石墨;金刚石

1.1 材料的结合方式
1.1.2 工程材料的键性
在实际的工程材料中, 原子(或离子、分子)间相 互作用的性质,只有少数 是这四种键型的极端情况, 大多数是这四种键型的过 渡。如果以四种键为顶点, 作个四面体,就可把工程 材料的结合键范围示意在 四面体上,如图。
新材料?
1.3 晶体学基础
前一节:材料中原子之间的结合问题 本节:材料中原子之间的排列问题 主要内容
单晶体与多晶体
1. 单晶体 质点按同一取向排列。由一个核心(称为晶 核)生长而成的晶体
2. 多晶体 通常由许多不同位向的单晶体(晶粒)所组成---实际材料多如此! 3. 晶粒与晶粒之间的界面称为晶界 4.多晶体材料一般显示出各向同性——假等向性。
二.晶体的空间点阵(Space lattice)
1. 空间点阵的概念 实际晶体中,质点在空间排列方式多种多样(大阅兵编队:兵、车、飞机) 将晶体中质点(原子、分子或离子等)抽象为纯几何点(阵点 lattice point),即可得到一个由无数几何点在三维空间排列成规则的阵列 —空间点阵(space lattice),简称点阵。 特征:每个阵点在空间分布必须具有完全相同的周围环境(surrounding) 2.晶胞(Unite cells) 代表性的基本单元(最小平行六面体)small repeat entities 仍能保持点阵特征的最基本单元!
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