材料物理专业《材料分析测试方法A》作业
材料分析测试方法或研究方法试题及答案2【VIP专享】

3.衍射线在空间的方位取决于什么?而衍射线的强度又取决于什么?
答:衍射线在空间的方位主要取决于晶体的面网间距,或者晶胞的大小。衍射 线的强度主要取决于晶体中原子的种类和它们在晶胞中的相对位置。
4.罗伦兹因数是表示什么对衍射强度的影响?其表达式是综合了哪几方面考
虑而得出的? 答:罗仑兹因数是三种几何因子对衍射强度的影响,第一种几何因子表示
衍射的晶粒大小对衍射强度的影响,罗仑兹第二种几何因子表示晶粒数目对 衍射强度的影响,罗仑兹第三种几何因子表示衍射线位置对衍射强度的影响。
对全部高中资料试卷电气设备,在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验;通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关,通系电1,力过根保管据护线生高0不产中仅工资2艺料22高试2可中卷以资配解料置决试技吊卷术顶要是层求指配,机置对组不电在规气进范设行高备继中进电资行保料空护试载高卷与中问带资题负料2荷试2,下卷而高总且中体可资配保料置障试时2卷,32调需3各控要类试在管验最路;大习对限题设度到备内位进来。行确在调保管整机路使组敷其高设在中过正资程常料1工试中况卷,下安要与全加过,强度并看工且25作尽52下可22都能护可地1关以缩于正小管常故路工障高作高中;中资对资料于料试继试卷电卷连保破接护坏管进范口行围处整,理核或高对者中定对资值某料,些试审异卷核常弯与高扁校中度对资固图料定纸试盒,卷位编工置写况.复进保杂行护设自层备动防与处腐装理跨置,接高尤地中其线资要弯料避曲试免半卷错径调误标试高方中等案资,,料要编试求5写、卷技重电保术要气护交设设装底备备置。4高调、动管中试电作线资高气,敷料中课并设3试资件且、技卷料中拒管术试试调绝路中验卷试动敷包方技作设含案术,技线以来术槽及避、系免管统不架启必等动要多方高项案中方;资式对料,整试为套卷解启突决动然高过停中程机语中。文高因电中此气资,课料电件试力中卷高管电中壁气资薄设料、备试接进卷口行保不调护严试装等工置问作调题并试,且技合进术理行,利过要用关求管运电线行力敷高保设中护技资装术料置。试做线卷到缆技准敷术确设指灵原导活则。。:对对在于于分调差线试动盒过保处程护,中装当高置不中高同资中电料资压试料回卷试路技卷交术调叉问试时题技,,术应作是采为指用调发金试电属人机隔员一板,变进需压行要器隔在组开事在处前发理掌生;握内同图部一纸故线资障槽料时内、,设需强备要电制进回造行路厂外须家部同出电时具源切高高断中中习资资题料料电试试源卷卷,试切线验除缆报从敷告而设与采完相用毕关高,技中要术资进资料行料试检,卷查并主和且要检了保测解护处现装理场置。设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况,然后根据规范与规程规定,制定设备调试高中资料试卷方案。
(完整word版)材料物理性能A试卷答案及评分标准

材料物理性能A 试卷答案及评分标准一、是非题(1分×10=10分)1√;2×;3×;4√;5×;6√;7√;8√;9√;10×。
二、名词解释(3分×6=18分,任选6个名词。
注意:请在所选题前打“√”)1、磁后效应:处于外电场为H0的磁性材料,突然受到外磁场的跃迁变化到H1,则磁性材料的磁感应强度并不是立即全部达到稳定值,而是一部分瞬时到达,另一部分缓慢趋近稳定值,这种现象称为磁后效应。
2、塑性形变:是指在超过材料的屈服应力作用下产生形变,外应力移去后不能恢复的形变。
无机材料的塑性形变,远不如金属塑性变形容易。
3、未弛豫模量:测定滞弹性材料的形变时,如果测量时间小于τε、τσ,则由于随时间的形变还没有机会发生,测得的是应力和初始应变的关系,这时的弹性模量叫未驰豫模量。
4、介质损耗:由于导电或交变场中极化弛豫过程在电介质中引起的能量损耗,由电能转变为其他形式的能,统称为介质损耗。
5、光频支振动:光频支振动:格波中频率甚高的振动波,质点间的位相差很大,邻近质点的运动几乎相反时,频率往往在红外光区,称为“光频支振动”。
6、弹性散射:散射前后,光的波长(或光子能量)不发生变化的散射。
7、德拜T3定律:当温度很低时,即T<<θD,c v=1939.7(T/θD)3j.K-1.mol-1,即当T→0 K时,c v∝T3→0。
8、BaTiO3半导体的PTC现象:价控型BaTiO3半导体在晶型转变点附近,电阻率随温度上升发生突变,增大了3~4个数量级的现象。
三、简答题(5分×5=25分,任选5题。
注意:请在所选题前打“√”)1、(1)构成材料元素的离子半径;(2)材料的结构、晶型;(3)材料存在的内应力;(4)同质异构体。
2、(1)透过介质表面镀增透膜;(2)将多次透过的玻璃用折射率与之相近的胶将它们黏起来,以减少空气界面造成的损失。
材料分析测试技术A卷

材料分析测试技术A卷一、选择题(每题1分,共15分)1、X射线衍射方法中,最常用的是()A.劳厄法 B.粉末多晶法 C.转晶法2、已知X射线定性分析中有三种索引,已知物质名称可以采用()A.哈式无机相数值索引B.无机相字母索引C.芬克无机数值索引3、电子束与固体样品相互作用产生的物理信号中能用于测试1nm厚度表层成分分析的信号是()A. 背散射电子B.俄歇电子C.特征X射线4、测定钢中的奥氏体含量,若采用定量X射线物相分析,常用的方法是()A.外标法B.内标法C.直接比较法D.K值法5、下列分析方法中分辨率最高的是()A.SEMB.TEMC. 特征X射线6、表面形貌分析的手段包括()A.SEMB.TEMC.WDSD. DSC7、当X射线将某物质原子的K层电子打出去后,L层电子回迁K 层,多余能量将另一个L层电子打出核外,这整个过程将产生()A.光电子B.二次电子C.俄歇电子D.背散射电子8、透射电镜的两种主要功能()A.表面形貌和晶体结构B.内部组织和晶体结构C.表面形貌和成分价键D.内部组织和成分价键9、已知X射线光管是铜靶,应选择的滤波片材料是()A.CoB.NiC.FeD.Zn10、采用复型技术测得材料表面组织结构的式样为()A.非晶体样品B.金属样品C.粉末样品D.陶瓷样品11、在电子探针分析方法中,把X射线谱仪固定在某一波长,使电子束在样品表面扫描得到样品的形貌相和元素的成分分布像,这种分析方法是()A.点分析B.线分析C.面分析12、下列分析测试方法中,能够进行结构分析的测试方法是()A.XRDB.TEMC.SEMD.A+B13、在X射线定量分析中,不需要做标准曲线的分析方法是()A.外标法B. 内标法C. K值法14、热分析技术不能测试的样品是()A.固体B.液体C.气体15、下列热分析技术中,()是对样品池及参比池分别加热的测试方法A.DTAB.DSCC.TGA二、填空题(每空1分,共20分)1、由X射线管发射出来的X射线可以分为两种类型,即和。
材料分析测试技术习题及答案

第一章一、选择题1.用来进行晶体结构分析的X射线学分支是()A.X射线透射学;B.X射线衍射学;C.X射线光谱学;D.其它2. M层电子回迁到K层后,多余的能量放出的特征X射线称()A.Kα;B. Kβ;C. Kγ;D. Lα。
3. 当X射线发生装置是Cu靶,滤波片应选()A.Cu;B. Fe;C. Ni;D. Mo。
4. 当电子把所有能量都转换为X射线时,该X射线波长称()A.短波限λ0;B. 激发限λk;C. 吸收限;D. 特征X射线5.当X射线将某物质原子的K层电子打出去后,L层电子回迁K层,多余能量将另一个L层电子打出核外,这整个过程将产生()(多选题)A.光电子;B. 二次荧光;C. 俄歇电子;D. (A+C)二、正误题1. 随X射线管的电压升高,λ0和λk都随之减小。
()2. 激发限与吸收限是一回事,只是从不同角度看问题。
()3. 经滤波后的X射线是相对的单色光。
()4. 产生特征X射线的前提是原子内层电子被打出核外,原子处于激发状态。
()5. 选择滤波片只要根据吸收曲线选择材料,而不需要考虑厚度。
()三、填空题1. 当X射线管电压超过临界电压就可以产生X射线和X射线。
2. X射线与物质相互作用可以产生、、、、、、、。
3. 经过厚度为H的物质后,X射线的强度为。
4. X射线的本质既是也是,具有性。
5. 短波长的X射线称,常用于;长波长的X射线称,常用于。
习题1.X射线学有几个分支?每个分支的研究对象是什么?2.分析下列荧光辐射产生的可能性,为什么?(1)用CuKαX射线激发CuKα荧光辐射;(2)用CuKβX射线激发CuKα荧光辐射;(3)用CuKαX射线激发CuLα荧光辐射。
3.什么叫“相干散射”、“非相干散射”、“荧光辐射”、“吸收限”、“俄歇效应”、“发射谱”、“吸收谱”?4.X射线的本质是什么?它与可见光、紫外线等电磁波的主要区别何在?用哪些物理量描述它?5.产生X射线需具备什么条件?6.Ⅹ射线具有波粒二象性,其微粒性和波动性分别表现在哪些现象中?7.计算当管电压为50 kv时,电子在与靶碰撞时的速度与动能以及所发射的连续谱的短波限和光子的最大动能。
材料分析报告测试技术习题及问题详解

第一章一、选择题1.用来进行晶体结构分析的X射线学分支是()A.X射线透射学;B.X射线衍射学;C.X射线光谱学;D.其它2. M层电子回迁到K层后,多余的能量放出的特征X射线称()A.Kα;B. Kβ;C. Kγ;D. Lα。
3. 当X射线发生装置是Cu靶,滤波片应选()A.Cu;B. Fe;C. Ni;D. Mo。
4. 当电子把所有能量都转换为X射线时,该X射线波长称()A.短波限λ0;B. 激发限λk;C. 吸收限;D. 特征X射线5.当X射线将某物质原子的K层电子打出去后,L层电子回迁K层,多余能量将另一个L 层电子打出核外,这整个过程将产生()(多选题)A.光电子;B. 二次荧光;C. 俄歇电子;D. (A+C)二、正误题1. 随X射线管的电压升高,λ0和λk都随之减小。
()2. 激发限与吸收限是一回事,只是从不同角度看问题。
()3. 经滤波后的X射线是相对的单色光。
()4. 产生特征X射线的前提是原子内层电子被打出核外,原子处于激发状态。
()5. 选择滤波片只要根据吸收曲线选择材料,而不需要考虑厚度。
()三、填空题1. 当X 射线管电压超过临界电压就可以产生 X 射线和 X 射线。
2. X 射线与物质相互作用可以产生 、 、 、 、 、 、 、 。
3. 经过厚度为H 的物质后,X 射线的强度为 。
4. X 射线的本质既是 也是 ,具有 性。
5. 短波长的X 射线称 ,常用于 ;长波长的X 射线称 ,常用于 。
习题1. X 射线学有几个分支?每个分支的研究对象是什么?2. 分析下列荧光辐射产生的可能性,为什么?(1)用CuK αX 射线激发CuK α荧光辐射;(2)用CuK βX 射线激发CuK α荧光辐射;(3)用CuK αX 射线激发CuL α荧光辐射。
3. 什么叫“相干散射”、“非相干散射”、“荧光辐射”、“吸收限”、“俄歇效应”、“发射谱”、“吸收谱”?4. X 射线的本质是什么?它与可见光、紫外线等电磁波的主要区别何在?用哪些物理量描述它?5. 产生X 射线需具备什么条件?6. Ⅹ射线具有波粒二象性,其微粒性和波动性分别表现在哪些现象中?7. 计算当管电压为50 kv 时,电子在与靶碰撞时的速度与动能以及所发射的连续谱的短波限和光子的最大动能。
材料分析测试方法A教学大纲

《材料分析测试方法A》课程教学大纲课程英文名称:Materials Analysis Techniques (A)课程编号:113990090课程类别:专业课课程性质:必修课学分:4学时:64(其中:讲课学时:48 实验学时:16 上机学时: )适用专业:材料物理开课部门:材料科学与工程学院一、课程教学目的和课程性质材料分析测试方法(A)是为材料物理本科专业学生开设的专业必修课之一。
材料分析测试方法是关于材料成分、结构、微观形貌、缺陷等方面的现代分析测试技术及其有关理论基础的科学。
现代分析测试方法在材料生产过程中原材料的检测、产品质量监控以及新材料的研究与开发等方面具有重要的作用,它们既是材料分析测试的手段,也是材料科学研究必不可少的方法,是材料物理专业学生必备的专业知识之一。
通过本课程的教学,使学生系统地了解材料现代主要分析测试方法的基本原理、仪器设备、样品制备及应用,掌握常见分析测试技术所获信息的解释和分析方法,使学生能够独立(或与专业分析测试人员一起)拟定材料分析测试方案,进行材料分析和研究工作,为学生毕业后从事材料生产、检测、研发以及进一步深造打下良好的基础。
本课程的总体要求是,学生通过本课程的学习,能够:1.掌握电磁辐射、电子束和离子束等探针信号与物质的相互作用所产生的信息及根据这些信息建立的分析测试方法;2.掌握X射线衍射分析、电子衍射分析、透射电子显微分析、扫描电子显微分析、电子探针显微分析、紫外可见吸收光谱分析、红外吸收光谱分析和热分析的基本原理、仪器设备、样品制备、主要功能、测试结果的分析方法和应用;3.熟悉俄歇电子能谱分析、X射线光电子能谱分析的基本原理、仪器设备、样品制备、主要功能和应用;4.了解紫外光电子能谱分析、拉曼光谱分析、扫描探针显微分析、原子吸收光谱分析、原子发射光谱分析、原子荧光光谱分析、分子荧光光谱分析、核磁共振谱分析、穆斯堡尔谱分析、X射线荧光光谱分析、电子自旋共振谱分析、场离子显微分析、原子力显微分析、质谱和二次离子质谱分析等方法的基本原理、主要功能和应用。
材料分析测试技术作业

第三章 X 射线衍射强度6.,用Cu K αX 射线得到W(bcc)的Debye —Scherrer 图形,最初的4根线条的位置如下:衍射线 θ1 20.3︒2 29.2︒3 36.7︒4 43.6︒请标出各X 射线的干涉指数(由式(2.19)和附录16确定),然后计算各衍射线的积分强度。
已知:2d sin θ=λ,d=a,λ=0.1542nm,wa=0.31648nmW 为体心立方结构,F=2f W;θ1= 20.3︒,θ2= 29.2︒,θ3= 36.7︒θ4= 43.6︒,sin θ2=4aλ22222(h+k+l)解: sin 20.3 =0.15420.3164822222(h+k+l)4* {h k l}={1 1 0}sin 29.22=0.15420.3164822222(h+k+l)4* {h k l}={2 0 0} sin 36.72=0.15420.3164822222(h+k+l)4* {h k l}={2 1 1}sin 43.62=0.15420.3164822222(h+k+l)4* {h k l}={2 2 0}1sin =2.25θλ 查附表3(p284)→1f =58.5, 21F =136892sin =3.16θλ查附表3(p284)→2f =51.73, 22F =107043sin =3.88θλ查附表3(p284)→3f =46.9 23F =87983sin =4.47θλ查附表3(p284)→4f =43.47 24F =7559由{h k l}查附录5(p285):1P =12,2P =6,3P =24,4P =12,(注{2 1 1}包含(1 1 2),故可用(1 1 2)代替{2 1 1}) 根据θ查附录6(p285):212111+cos 2=sin cos θθθ13.97,222221+cos 2=sin cos θθθ 6.135232331+cos 2=sin cos θθθ 3.777,242441+cos 2=sin cos θθθ 2.911根据公式:I 相对=22-221+cos 2=P ()()sin cos M I F A e θθθθ相对 取θ=20.3︒时,取1I 相对=10,(粗略计算可忽略-2()M A e θ)22-21121122-22222221+cos 2P ()()sin cos 10=1+cos 2P ()()sin cos MMF A e I F A e θθθθθθθθ相对,2I 相对=1.7222-21121122-23322331+cos 2P ()()sin cos 10=1+cos 2P ()()sin cos MMF A e I F A e θθθθθθθθ相对,3I 相对=3.4822-21121122-24422441+cos 2P ()()sin cos 10=1+cos 2P ()()sin cos MMF A e I F A e θθθθθθθθ相对,4I 相对=1.15最后将{h k l}、θ、sin θλ、w f 、2F 、P 、221+cos 2()sin cos θθθ、计算的强度等整理成如下表:。
材料分析和测试方法课后练习答案部分.doc

材料分析和测试方法课后练习答案部分第一章x光物理基础2。
如果x光管的额定功率是1.5千瓦,当管电压是35KV时,最大允许电流是多少?回答:1.5KW/35KV=0.043A。
4.为了使铜靶的Kβ线性透射系数为Kα线性透射系数的1/6,计算滤波器的厚度。
回答:由于x光管是铜靶,所以选择镍作为过滤材料。
查找表:μ mα=49.03cm2/g,μ mβ=290cm2/g,公式为,因此:,t=8.35um t6.用钼靶X射线管激发铜的荧光X射线辐射所需的最低管电压是多少?激发的荧光辐射的波长是多少?回答:EVk=hc/λVk=6.626×10-2。
如果x光管的额定功率是1.5千瓦,当管电压是35KV时,最大允许电流是多少?回答:1.5KW/35KV=0.043A。
4.为了使铜靶的Kβ线性透射系数为Kα线性透射系数的1/6,计算滤波器的厚度。
回答:由于x光管是铜靶,所以选择镍作为过滤材料。
查找表:μ mα=49.03cm2/g,μ mβ=290cm2/g,公式为,因此:,t=8.35um t6.用钼靶X射线管激发铜的荧光X射线辐射所需的最低管电压是多少?激发的荧光辐射的波长是多少?回答:EVk=hc/λVk=6.626×10:相干散射、非相干散射、荧光辐射、吸收极限、俄歇效应A: ⑴当x射线穿过物质时,物质原子的电子在电磁场的作用下会产生受迫振动,受迫振动会产生与入射光频率相同的交变电磁场。
这种散射被称为相干散射,因为散射线的波长和频率与入射光线的波长和频率相同,相位固定,并且相同方向的散射波满足相干条件。
⑵当χ射线被电子或结合力小的自由电子散射时,可以得到比入射χ射线波长更长的χ射线,且波长随散射方向的不同而变化。
这种散射现象被称为非相干散射。
⑶具有足够能量的χ射线光子从原子内部发射出一个K电子。
当外层电子填满K空位时,K射线将向外辐射。
这种辐射过程是由χ射线光子激发原子引起的,称为荧光辐射。
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材料物理专业《材料分析测试方法A 》作业第一章 电磁辐射与材料结构一、教材习题1-1 计算下列电磁辐射的有关参数:(1)波数为3030cm -1的芳烃红外吸收峰的波长(μm );(2)5m 波长射频辐射的频率(MHz );(3)588.995nm 钠线相应的光子能量(eV )。
1-3 某原子的一个光谱项为45F J ,试用能级示意图表示其光谱支项与塞曼能级。
1-5 下列原子核中,哪些核没有自旋角动量?12C 6、19F 9、31P 15、16O 8、1H 1、14N 7。
1-8 分别在简单立方晶胞和面心立方晶胞中标明(001)、(002)和(003)面,并据此回答:干涉指数表示的晶面上是否一定有原子分布?为什么?1-9 已知某点阵∣a ∣=3Å,∣b ∣=2Å,γ = 60︒,c ∥a ×b ,试用图解法求r *110与r *210。
1-10 下列哪些晶面属于]111[晶带?)331(),011(),101(),211(),231(),132(),111(。
二、补充习题1、试求加速电压为1、10、100kV 时,电子的波长各是多少?考虑相对论修正后又各是多少?第二章 电磁辐射与材料的相互作用一、教材习题2-2 下列各光子能量(eV )各在何种电磁波谱域内?各与何种跃迁所需能量相适应?1.2×106~1.2×102、6.2~1.7、0.5~0.02、2×10-2~4×10-7。
2-3 下列哪种跃迁不能产生?31S 0—31P 1、31S 0—31D 2、33P 2—33D 3、43S 1—43P 1。
2-5 分子能级跃迁有哪些类型?紫外、可见光谱与红外光谱相比,各有何特点?2-6 以Mg K α(λ=9.89Å)辐射为激发源,由谱仪(功函数4eV )测得某元素(固体样品)X 射线光电子动能为981.5eV ,求此元素的电子结合能。
2-7 用能级示意图比较X 射线光电子、特征X 射线与俄歇电子的概念。
二、补充习题1、俄歇电子能谱图与光电子能谱图的表示方法有何不同?为什么?2、简述X 射线与固体相互作用产生的主要信息及据此建立的主要分析方法。
第三章 粒子(束)与材料的相互作用一、教材习题3-1 电子与固体作用产生多种粒子信号(教材图3-3),哪些对应入射电子?哪些是由电子激发产生的?图3-3 入射电子束与固体作用产生的发射现象3-2 电子“吸收”与光子吸收有何不同?3-3 入射X 射线比同样能量的入射电子在固体中穿入深度大得多,而俄歇电子与X 光电子的逸出深度相当,这是为什么?二、补充习题1、简述电子与固体作用产生的信号及据此建立的主要分析方法。
第四章 材料分析测试方法概述一、教材习题4-11 试为下述分析工作选择你认为恰当的(一种或几种)分析方法(1)钢液中Mn 、S 、P 等元素的快速定量分析;(2)区别FeO 、Fe 2O 3和Fe 3O 4;(3)测定Ag 的点阵常数;(4)测定高纯Y 2O 3中稀土杂质元素质量分数;(5)砂金中含金量的检测:(6)黄金制品中含金量的无损检测;(7)几种高聚物组成之混合物的定性分析与定量分析;(8)推断分子式为C 8H 10O 的化合物之结构;(9)某薄膜(样品)中极小弥散颗粒(直径远小于1μm)的物相鉴定;(10)验证奥氏体(γ)转变为马氏体(α)的取向关系(即西山关系):γα)111//()011(,γα]110//[]001[。
(11)淬火钢中残留奥氏体质量分数的测定;(12)镍-铬合金钢回火脆断口晶界上微量元素锑的分布(偏聚)的研究;(13)淬火钢中孪晶马氏体与位错马氏体的形貌观察;(14)固体表面元素定性分析及定量分析;(15)某聚合物的价带结构分析;(16)某半导体的表面能带结构测定。
二、补充习题(可在本门课程大部门内容讲完之后做)1、假若你采用高温固相法合成一种新的尖晶石,最后你得到了一种白色固体。
如果它是一种新的尖晶石,你将如何测定它的结构、组成和纯度。
2、假若你采用水热法制备TiO 2纳米管,最后你得到了一种白色固体,你将如何观察它的形貌?如何测定它的颗粒尺寸、大小、结构、组成和纯度。
3、假若你采用溶液插层等方法制备层状硅酸盐/聚合物纳米复合材料,最后你得到了一种块体材料,你将如何表征它的结构?第五章 X 射线衍射分析原理一、教材习题5-2 “一束X 射线照射一个原子列(一维晶体),只有镜面反射方向上才有可能产生衍射”,此种说法是否正确?5-3 辨析概念:X 射线散射、衍射与反射。
5-4 某斜方晶体晶胞含有两个同类原子,坐标位置分别为:(43,43,1)和(41,41,21),该晶体属何种布拉菲点阵?写出该晶体(100)、(110)、(211)、(221)等晶面反射线的F 2值。
5-7 金刚石晶体属面心立方点阵,每个晶胞含8个原子,坐标为:(0,0,0)、(21,21,0)、(21,0,21)、(0,21,21)、(41,41,41)、(43,43,41)、(43,41,43)、(41,43,43),原子散射因子为f a ,求其系统消光规律(F 2最简表达式),并据此说明结构消光的概念。
5-8 “衍射线在空间的方位仅取决于晶胞的形状与大小,而与晶胞中的原子位置无关;衍射线的强度则仅取决于晶胞中原子位置,而与晶胞形状及大小无关”,此种说法是否正确? 5-9 Cu K α射线(nm K 154.0=αλ)照射Cu 样品。
已知Cu 的点阵常数a =0.361nm ,试分别用布拉格方程与厄瓦尔德图解法求其(200)反射的θ角。
二、补充习题1、简述布拉格公式2d HKL sin θ=λ中各参数的含义,以及该公式有哪些应用?2、简述影响X 射线衍射方向的因素。
3、简述影响X 射线衍射强度的因素。
4、多重性因子的物理意义是什么?某立方系晶体,其{100}的多重性因数是多少?如该晶体转变成四方晶系,这个晶面族的多重性因子会发生什么变化?为什么?第六章 X 射线衍射方法教材习题:6-1 Cu K α辐射(λ=0.154nm )照射Ag (f .c .c )样品,测得第一衍射峰位置2θ=38︒,试求Ag 的点阵常数。
(注:面心立方f .c .c )6-2 试总结德拜法衍射花样的背底来源,并提出一些防止和减少背底的措施。
6-3 图题6-1为某样品德拜相(示意图),摄照时未经滤波。
已知1、2为同一晶面衍射线,3、4为另一晶面衍射线,试对此现象作出解释。
图题6-16-4 粉末样品颗粒过大或过小对德拜花样影响如何?为什么?板状多晶体样品晶粒过大或过小对衍射峰形影响又如何?6-5 试从入射光束、样品形状、成相原理(厄瓦尔德图解)、衍射线记录、衍射花样、样品吸收与衍射强度(公式)、衍射装备及应用等方面比较衍射仪法与德拜法的异同点。
第七章 X 射线衍射分析的应用一、教材习题7-4 A-TiO 2(锐钛矿)与R-TiO 2(金红石)混合物衍射花样中两相最强线强度比5.122=--TiO R TiO A I I 。
试用参比强度法计算两相各自的质量分数。
(提示:假若采用的Cu K α辐射,查有关数据手册,R -TiO 2用d=0.325nm 线条,4.3232=--TiO R O Al K α;A -TiO 2用d =0.351nm 线条,3.4232=--TiO A O Al K α)7-5 某淬火后低温回火的碳钢样品,不含碳化物(经金相检验)。
A (奥氏体)中含碳1%,M (马氏体)中含碳量极低。
经过衍射测得A 220峰积分强度为2.33(任意单位),M 211峰积分强度为16.32。
试计算该钢中残留奥氏体的体积分数(实验条件:Fe K α辐射,滤波,室温20℃。
α-Fe 点阵参数a =0.2866nm ,奥氏体点阵参数a =0.3571+0.0044w c ,w c 为碳的质量分数)。
(提示:解题方法一,查标准YB/T 5338-2006钢中残余奥氏体定量测定 X 射线衍射仪法,可得强度因子G ,然后进行计算;解题方法二,根据衍射强度理论,计算强度因子G 。
) 7-6 某立方晶系晶体德拜花样中部分高角度线条数据如下表所列。
试用“a -cos 2θ”的图解外(提示:设所用X 射线为Cu 靶的K α1辐射,λ=0.15406nm 。
)7-7 按上题数据,应用最小二乘法(以cos 2θ为外推函数)计算点阵常数值(准确到4位有效数字)。
二、补充习题1、X 射线衍射物相定性分析原理、一般步骤及注意事项。
2、化学分析表明,一种氢氧化铝试样中含有百分之几的Fe 3+杂质。
Fe 3+离子将会对粉末XRD图带来什么影响,如果它以(a )分离的氢氧化铁相存在,(b )在A1(OH)3晶体结构中取代Al 3+。
第八章 透射电子显微分析一、教材习题8-1 电子衍射分析的基本公式是在什么条件下导出的?公式中各项的含义是什么? 8-4 单晶电子衍射花样的标定有哪几种方法?9-2 透射电子显微镜中物镜和中间镜各处在什么位置,起什么作用?9-3 试比较光学显微镜成像和透射电子显微镜成像的异同点。
9-4 简述选区衍射原理及操作步骤。
9-7什么是明场像?什么是暗场像?9-8试分析复型样品的成像原理。
为什么要以倾斜方向给复型“投影”重金属?9-9什么是衍射衬度?它与质厚衬度有什么区别?二、补充习题1、简述透射电镜对分析样品的要求。
2、说明如何用透射电镜观察超细粉末的尺寸和形态?如何制备样品?3、简述用于透射电镜分析的晶体薄膜样品的制备步骤。
4、分析电子衍射与X射线衍射有何异同?5、萃取复型可用来分析哪些组织结构?得到什么信息?第九章扫描电子显微分析与电子探针一、教材习题10-2为什么扫描电镜的分辨率和信号的种类有关?试将各种信号的分辨率高低作一比较。
10-3二次电子像的衬度和背散射电子像的衬度各有何特点?10-4试比较波谱仪和能谱仪在进行微区化学成分分析时的优缺点。
10-5为什么说电子探针是一种微区分析仪?二、补充习题1、二次电子像景深很大,样品凹坑底部都能清楚地显示出来,从而使图像的立体感很强,其原因何在?2、要分析钢中碳化物成分和基体中碳含量,应选用什么仪器?为什么?3、要在观察断口形貌的同时,分析断口上粒状夹杂物的化学成分,选用什么仪器?怎样操作?4、电子探针仪如何与扫描电镜和透射电镜配合进行组织结构与微区化学成分的同位分析?5、举例说明电子探针的三种工作方式(点、线、面)在显微成分分析中的应用。
第十章紫外、可见吸收光谱法一、教材习题12-1丙酮在乙醇中于366nm处的摩尔吸收系数为2.75L·cm-1·mol-1。
使用1.5cm样品池,若透光率大于10%且小于90%,试计算可以使用的丙酮浓度范围。