电子线路第四版线性部分 谢嘉奎 复习资料

I = I S (e
V VT
− 1)
正偏时： 反偏时：
I ≈ I Se
V VT
I ≈ − IS
VT = kT q
其中：热电压 Is 约增加一倍。 10℃，
7、硅 PN 结：VD（on）=0.7V 锗 PN 结：VD（on）=0.3V 8、PN 结的击穿特性：热击穿（二极管损坏，不可恢复） ，齐纳击穿 （可恢复） 。
Ro 越小，RL 对 Av 影响越小。
Avs =
源电压增益：
vo v v Ri = o ⋅ i = Av vs vi vs Rs + Ri
Ri 越大，RS 对 Avs 影响越小。 （2）电流放大器：
Ai =
电流增益：
io ii
ion io ion R = ⋅ = Ai (1 + L ) ii ii io Ro
36、负反馈对放大器性能影响主要表现为： （1）降低增益 （2）减小增益灵敏度(或提高增益稳定性) （3）改变电路输入、输出电阻 （4）减小频率失真(或扩展通频带) （5）减小非线性失真 （6）噪声性能不变（信噪比不变） 37、基本放大器引入负反馈的原则： （1）在电路输出端： 若要求电路 vo 稳定或 Ro 小，应引入电压负反馈。 若要求电路 io 稳定或 Ro 大，应引入电流负反馈。 （2）在电路输入端： 若要求 Ri 大或从信号源索取的电流小， 引入串联负反馈。
若要求 Ri 小或从信号源索取的电流大， 引入并联负反馈。 （3）反馈效果与信号源内阻 RS 的关系： 若电路采用 RS 较小的电压源激励，应引入串联负反馈。 若电路采用 RS 较大的电流源激励，应引入并联负反馈。 38、深度负反馈条件：将 T >> 1 或 F >> 1 称为深度负反馈条件。 39、深度负反馈条件下 Avf 的估算： （1）根据反馈类型确定 kf 含义，并计算 kf 若串联反馈：将输入端交流开路 若并联反馈：将输入端交流短路 （2）确定 Afs(= xo / xs) 含义，并计算 Afs = 1 / kf （3）将 Afs 转换成 Avfs = vo / vs
40、 虚短虚断： 虚短路不能理解为两输入端短接， 只是 (v– - v+) 的 值小到了可以忽略不计的程度。实际上，运放正是利用这个极其微小
的差值进行电压放大的。同样，虚断路不能理解为输入端开路，只是 输入电流小到了可以忽略不计的程度。 41、重点
42、反向放大器：
二、计算题
1、第一章：习题 1-13
α = I cn I E ≈ I c I E ≤ 1
IC ≈ α IE
β=
β α α= 1+ β 1−α
（ 1 + β）I CBO = β I B + I CEO ≈ β I B IC = β I B +
I E = (1 + β ) I B
15、三极管的三种组态：
16、混合Π型小信号电路模型：
rb′e =
30、集成运放性能特点： Av 很大：(104 ~ 107 或 80 ~ 140 dB) Ri 很大：(几 kΩ~ 105 MΩ) Ro 很小：(几十Ω) 静态输入、输出电位均为零。
31、三种组态电路中，共基电路频率特性最好、共发最差。 32、反馈放大器：将放大器输出信号的一部分或全部，通过反馈网络 回送到电路输入端，并对输入信号进行调整，所形成的闭合回路即反 馈放大器。 33、（重点）反馈放大器组成框图：
vo = −
反向放大器：
Rf vs R1
Rf R )vs = (1 + f )v+ R1 R1
vo = (1 +
同向放大器：
（2）加减法器：习题 6-1
9、PN 结的电容特性：势垒电容、扩散电容。 10、三极管内部结构特点：发射区掺杂浓度大；基区薄；集电结面积 大。 11、三极管的工作状态及其外部工作条件： 放大模式：发射结正偏，集电结反偏； 饱和模式：发射结正偏，集电结正偏； 截止模式：发射结反偏，集电结反偏。 12、三极管工作在放大模式下： 对 NPN 管各极电位间要求：Ve<Vb<Vc 对 PNP 管各极电位间要求：Ve>Vb>Vc 例：测得某三极管的三个极的电压分别为 U1=10V，U2=3V， U3=2.3V，请判断此三极管的类型、工作状态、并指出其 B C E 极。 解：电压值都为正，可判断为 NPN 管；假设三极管工作在放大状 态，根据电位间要求：Ve<Vb<Vc，可判断 U1=10V 为 C 极电压， U2-U3=0.7V，可判断 U2=3V 为 B 极电压；U3=2.3V 为 E 极电压；且 UCE=10-2.3=7.7V>0.3V,由此可判断此三极管为 NPN 型三极管，且工 作在放大状态，假设成立。 13、三极管静态工作点：IBQ、TCQ、VCEQ 14、公式：
Ain =
短路电流增益：
Ro 越大，RL 对 Ai 影响越小。
Ais =
源电流增益：
io i RS i = o ⋅ i = Ai is ii is RS + Ri
Ri 越小，RS 对 Ais 影响越小。
Ag =
（3）互导放大器：互导增益：
io vi
Ar =
（4）互阻放大器：互阻增益： 24、理想放大器性能特点：
开环增益： 反馈系数： 闭环增益： 反馈深度： 环路增益：
A = xo / xi′
kf = xf / xo Af = xo / xi
= xo A A x / x′ = = o i = xi′ + xf 1 + xf / xi′ 1 + Akf F
F = 1 + Akf = 1 + T
T = xf / xi′ = Akf
申明：本复习资料仅作为考试参考，不代表百分百会考本资料上的内 容。 一、选择填空题 1、本征半导体：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 2、本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。 3、N 型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。 4、P 型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。 5、PN 结的基本特性：单向导电性（即正向导通，反向截止） 。除了 单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。 6、PN 结的伏安特性方程式：
反馈深度 F(或环路增益 T )是衡量反馈强弱的一项重要指标。 其值直 接影响电路性能。 34、判断反馈类型 — 采用短路法： 判断电压与电流反馈：假设输出端交流短路，若反馈信号消失， 则为电压反馈；反之为电流反馈。 电压反馈使得输出电阻减小，电流反馈使得输出电阻增大。 判断串联与并联反馈：假设输入端交流短路，若反馈作用消失， 则为并联反馈；反之为串联反馈。 串联反馈使得输入电阻增大，并联反馈使得输入电阻减小。 35、几个例题：
19、金属-氧化物-半导体场效应管：
20、增强型 MOS 管特性小结：
21、MOSFET 的特性曲线：
22、放大器性能的主要指标有：输入电阻 Ri 、输出电阻 Ro、增益 A。 23、小信号放大器四种电路模型：
（1）电压放大器：
Av =
电压增益：
vo vi
Avt =
开路电压增益：
vot vo vot R = ⋅ = Av (1 + o ) vi vi vo RL
2、第二章：习题 2-12
3、第三章： （1）习题 3-6
（2）习题 3-11
4、第四章： （1）习题 4-15 共发型放大器：
（2）习题 4-19 共基型放大器：
（3）习题 4-20 共集型放大器：
（4）习题 4-35 差分放大器：
五、第六章 （1）反向放大器、同向放大器的计算记公式就可以了。
∂vB′E ∂iB
=
Q
∂iE ∂vB′E ⋅ ∂iB ∂iE
= (1 + β )re = (1 + β )
Q
26 I CQ
rce 三极管输出电阻，数值较大。RL<< rce 时，常忽略。
VA 为厄尔利电压。 题目中若给出 VA， 需计算 rce， 若没有给出， 忽略 rce。 17、相关例题见第二章 PPT 34 36 37 38 41 43 页。 18、结型场效应管的特性小结：
vo ii
考试有可能会告诉你 Ri R0 的大小，让我们选择放大器的类型。 25、放大器的失真：
26、差分放大器的特点：抑制共模信号，放大差模信号。 27、差放性能指标归纳总结：
28、理想差放特点：输入电阻 Ri 无穷大，输出电阻 R0 无穷小，共模 抑制比无穷大。 29、（了解）镜像电流源电路：