微电子工艺基础污染控制和芯片制造基本工艺
芯片制造工艺流程
芯片制造工艺流程芯片制造工艺流程是指将芯片设计图纸转化为实际可用的芯片产品的一系列工艺步骤。
芯片制造工艺流程包括晶圆制备、光刻、薄膜沉积、离子注入、蚀刻、清洗和封装等环节。
下面将详细介绍芯片制造的工艺流程。
1. 晶圆制备芯片制造的第一步是晶圆制备。
晶圆是以硅为基材制成的圆形片，是芯片制造的基础材料。
晶圆的制备包括原料准备、熔炼、拉晶、切割和抛光等工艺步骤。
晶圆的质量和表面平整度对后续工艺步骤有着重要影响。
2. 光刻光刻是芯片制造中的关键工艺步骤，用于将设计图案转移到晶圆表面。
光刻工艺包括涂覆光刻胶、曝光、显影和清洗等步骤。
在曝光过程中，使用光刻机将设计图案投射到光刻胶上，然后经过显影和清洗，将图案转移到晶圆表面。
3. 薄膜沉积薄膜沉积是将各种材料的薄膜沉积到晶圆表面，用于制备导电层、绝缘层和其他功能层。
常用的薄膜沉积工艺包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和溅射等。
这些工艺可以制备出不同性质的薄膜，满足芯片设计的要求。
4. 离子注入离子注入是将掺杂剂注入晶圆表面，改变晶体的导电性能。
离子注入工艺可以制备出n型和p型晶体区域，用于制备晶体管和其他器件。
离子注入工艺需要精确控制注入剂的种类、能量和剂量，以确保晶体的性能满足设计要求。
5. 蚀刻蚀刻是将不需要的材料从晶圆表面去除，形成所需的结构和器件。
蚀刻工艺包括干法蚀刻和湿法蚀刻两种。
干法蚀刻利用化学气相反应去除材料，湿法蚀刻则利用腐蚀液去除材料。
蚀刻工艺需要精确控制蚀刻速率和选择性，以确保所需的结构和器件形成。
6. 清洗清洗是将制造过程中产生的杂质和残留物从晶圆表面去除，保证晶圆表面的洁净度。
清洗工艺包括化学清洗、超声清洗和离子清洗等。
清洗工艺需要严格控制清洗液的成分和温度，以确保晶圆表面的洁净度满足要求。
7. 封装封装是将晶圆切割成单个芯片，并将芯片封装在塑料封装或陶瓷封装中，形成最终的芯片产品。
封装工艺包括切割、焊接、封装和测试等步骤。
集成电路制造中的半导体器件工艺
集成电路制造中的半导体器件工艺绪论随着信息技术的飞速发展，集成电路制造技术已成为现代电子工业的核心领域。
集成电路是现代电子产品的基础，在计算机、通讯、军事和工业等领域都有着广泛的应用。
而半导体器件工艺是集成电路制造技术的基石，其质量和效率直接决定了集成电路的性能和成本。
本文将从半导体制造的基本流程、光刻工艺、薄膜工艺、化学机械抛光、多晶硅工艺和后台工艺六个方面详细介绍集成电路制造中的半导体器件工艺。
一、半导体制造的基本流程半导体芯片制造的基本流程包括晶圆制备、芯片制造和包装封装。
具体流程如下：晶圆制备：晶圆是半导体器件制造的基础，它是由高纯度单晶硅材料制成的圆片。
晶圆制备的主要过程包括矽晶体生长、切片、抛光和清洗等。
芯片制造：芯片制造主要包括传输电子装置和逻辑控制逻辑电路结构的摆放和电路组成等操作。
包装封装：芯片制造完成后，晶体管芯片需要被封装起来的保护电路，使其不会受到外界环境的影响。
光刻工艺是半导体工艺中的核心部分之一。
光刻工艺的主要作用是将图形预设于硅晶圆表面，并通过光刻胶定位的方式将图形转移到晶圆表面中，从而得到所需的电子器件结构。
光刻工艺的主要流程包括图形生成、光刻胶涂布、曝光、显影和清洗等步骤。
三、薄膜工艺薄膜工艺是半导体制造中的另一个重要工艺。
它主要通过化学气相沉积、物理气相沉积和溅射等方式将不同性质的材料覆盖在晶圆表面，形成多层结构，从而获得所需的电子器件。
四、化学机械抛光化学机械抛光是半导体工艺中的核心工艺之一。
其主要作用是尽可能平坦和光滑化硅晶圆表面，并去除由前工艺所形成的残余物和不均匀的层。
化学机械抛光的基本原理是使用旋转的硅晶圆，在氧化硅或氮化硅磨料的帮助下，进行机械和化学反应，从而达到平坦化的效果。
五、多晶硅工艺多晶硅工艺是半导体工艺中的一个重要工艺，主要是通过化学气相沉积厚度约8至12个纳米的多晶硅层。
该工艺可以用于形成电极、连接线、栅极和像素等不同的应用。
多晶硅工艺的优点是不需要特殊的工艺装备，因此较为简单。
微机电系统制造工艺综述
微机电系统制造工艺综述微机电系统（Microelectromechanical Systems，MEMS）是一种集成了微小机械、电子、光学和磁性等元件的微型系统。
它的制造工艺是一个复杂且多样化的过程，涉及到多个步骤和技术。
本文将综述微机电系统的制造工艺。
一、工艺流程微机电系统的制造工艺流程通常包括以下几个主要步骤：基片准备、薄膜沉积、光刻、腐蚀、封装和测试。
1. 基片准备：基片是微机电系统的主要载体，常用的材料包括硅、玻璃和塑料等。
在基片制备过程中，需要进行清洗、平整化和涂覆等处理，以保证后续工艺步骤的顺利进行。
2. 薄膜沉积：薄膜沉积是微机电系统制造中的关键步骤之一。
常用的薄膜沉积方法有化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和溅射等。
通过这些方法可以在基片上沉积出具有特定功能的薄膜层，如金属、氧化物和聚合物等。
3. 光刻：光刻是微机电系统制造中的关键技术之一。
它通过光敏胶的光化学反应将图案转移到基片上，形成所需的结构和形状。
常用的光刻技术包括接触式光刻和投影光刻。
4. 腐蚀：腐蚀是微机电系统制造中的重要步骤之一。
通过化学腐蚀或物理腐蚀的方式，可以去除不需要的材料，形成所需的结构和形状。
常用的腐蚀方法有湿腐蚀、干腐蚀和等离子体腐蚀等。
5. 封装：封装是将微机电系统芯片封装在外部保护壳中的过程。
封装可以提供保护、连接和传感等功能。
常用的封装方法包括焊接、粘接和翻转芯片封装等。
6. 测试：测试是微机电系统制造中的最后一步，用于验证芯片的性能和可靠性。
常用的测试方法包括电学测试、力学测试和光学测试等。
二、工艺技术微机电系统制造中常用的工艺技术包括：纳米制造技术、表面微结构技术、微流控技术和微传感技术等。
1. 纳米制造技术：纳米制造技术是微机电系统制造中的前沿技术之一。
它利用纳米尺度的工具和材料进行加工和制造，实现微米和纳米级别的结构和器件。
常用的纳米制造技术包括扫描探针显微镜（SPM）、电子束曝光和离子束刻蚀等。
微电子制造工艺流程解析
微电子制造工艺流程解析微电子制造工艺流程是指通过一系列的加工步骤，将原材料转化为微小电子器件的过程。
在这个过程中，需要经过晶圆制备、薄膜沉积、光刻、蚀刻、离子注入等关键步骤，以及其他一些辅助性的工艺步骤。
本文将对微电子制造工艺流程进行详细解析。
一、晶圆制备晶圆制备是微电子制造中的第一步，主要是通过硅材料生长来制备晶圆。
晶圆一般使用单晶硅材料，它具有良好的电性能和机械性能，适合作为微电子器件的基底。
在这一步骤中，需要对硅材料进行去杂、融化、再结晶、拉晶等加工过程，最终得到高质量的单晶硅晶圆。
二、薄膜沉积薄膜沉积是微电子制造中的重要步骤，通过在晶圆表面沉积薄膜来控制电子器件的性能和功能。
常用的薄膜沉积技术包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)等。
这些技术可以在晶圆表面沉积各种功能性薄膜，如硅氧化物、金属、半导体等。
三、光刻光刻是一种重要的微电子制造工艺，通过光照和显影的方式，在薄膜表面形成微细的图案。
这个图案将作为后续工艺步骤中蚀刻、离子注入等的参考依据。
光刻通常使用光刻胶来实现，根据需要选择合适的光源和掩膜，通过光刻曝光机进行精确的图案转移。
四、蚀刻蚀刻是一种去除不需要的材料的工艺步骤，通常将薄膜表面的某些区域通过化学或物理方式进行选择性地去除。
常见的蚀刻方式有湿蚀刻和干蚀刻两种。
湿蚀刻使用化学液体进行腐蚀，而干蚀刻则是利用等离子体来实现。
通过蚀刻，可以形成微细的结构，如通道、线路等。
五、离子注入离子注入是一种将外部离子引入器件材料中的工艺步骤。
通过加速器将离子加速到高速，并射入目标材料中，从而改变其电学或物理特性。
离子注入可以用于掺杂、形成pn结、获得特定的电子特性等。
具体的离子注入方式包括浸没注入、离子束注入等。
以上所述的晶圆制备、薄膜沉积、光刻、蚀刻和离子注入等工艺步骤只是微电子制造流程中的一部分，整个流程还包括清洗、测试、封装、探针测试等其他步骤。
每个步骤都需要精细的设备和技术支持，以确保最终制造出的微电子器件具有稳定的性能和可靠的品质。
芯片制造工艺流程9个步骤
芯片制造工艺流程9个步骤芯片制造是现代科技进步的基石之一，通过精密的工艺流程，能够将微小而复杂的电路集成在一个小小的芯片上。
下面将介绍芯片制造的9个关键步骤。
1. 掩膜设计掩膜设计是芯片制造的第一步，也是最关键的一步。
在这个步骤中，设计师将根据芯片功能要求，使用专业软件进行电路设计。
通过设计软件，设计师可以确定各个元件的位置和布局，以及电路的连接方式。
2. 掩膜制作一旦芯片的掩膜设计完成，就需要将设计图制作成实际的掩膜。
这个过程需要使用高精度的光刻机，将设计图案转移到掩膜上。
掩膜制作的质量将直接影响到后续步骤的精度和质量。
3. 晶圆制备晶圆是芯片制造的基础材料，通常使用硅作为晶圆材料。
在这一步骤中，需要将晶圆进行多次的研磨和清洗，以确保晶圆表面的平整度和无尘净度，为后续的工艺步骤做好准备。
4. 掩膜对准和曝光一旦晶圆准备好，就需要将掩膜和晶圆进行对准，并利用光刻机进行曝光。
光刻机会通过控制光源的强度和半导体材料的曝光时间，将掩膜上的图案转移到晶圆表面上。
5. 电路刻蚀刻蚀是芯片制造中的一项关键工艺，它能够去除晶圆表面不需要的材料，留下所需的电路结构。
刻蚀可以使用化学蚀刻或物理蚀刻的方法，根据不同的需求选择不同的刻蚀方式。
6. 沉积和腐蚀在芯片制造过程中，需要对电路进行沉积和腐蚀。
沉积是将所需的材料沉积到晶圆表面，以形成电路结构；腐蚀则是通过化学反应去除多余的材料。
7. 电路形成电路形成是芯片制造的重要步骤之一，通过化学或物理方法，将电路结构形成在晶圆表面。
这一步骤需要高精度的设备和工艺控制，确保电路结构的准确性和可靠性。
8. 封装和测试一旦电路结构形成，就需要对芯片进行封装和测试。
封装是将芯片封装在塑料封装或陶瓷封装中，以保护芯片并方便安装和连接。
测试是对芯片进行功能和可靠性测试，确保芯片的质量和性能。
9. 包装和验证最后，芯片需要进行包装和验证。
包装是将封装好的芯片放入适当的包装盒中，以便运输和存储。
微电子制造的基本原理与工艺流程
微电子制造的基本原理与工艺流程一、微电子制造的定义微电子制造是指设计、加工和制造微电子器件和微电子系统的过程。
它是现代信息技术和通信技术的基础，也是现代工业制造的重要组成部分。
二、微电子制造的基本原理1. 半导体材料的特性半导体材料是微电子器件的基础材料，具有良好的导电性和隔离性。
在半导体中掺杂少量杂质或者改变其温度、光照等物理性质可以改变其导电性。
半导体器件就是利用这种变化制作的。
2. 器件结构的设计微电子器件的结构设计是制造的重要一环。
器件结构包括电极、栅、控制信号输入端等。
这些结构的设计要考虑各方面的因素，如器件应用场合、功率、尺寸等因素。
3. 制造工艺的选择制造工艺是微电子制造的基础，是将器件结构设计转化为实际产品的过程。
制造工艺包括硅片切割、形成电极和栅、掺杂和扩散、制造成品等多个环节。
三、微电子制造的工艺流程1. 半导体材料制备半导体材料是微电子制造的基础，其制备是微电子制造的第一步。
半导体材料制备的过程主要包括单晶生长、多晶生长、分子束外延、金属有机化学气相沉积等多种方法。
2. 硅片制备硅片是微电子制造的中间产品，它是各种微电子器件的基础。
硅片制备的过程包括硅棒制备、硅棒切割、圆片抛光等环节。
3. 电极和栅制造电极和栅是微电子器件的重要组成部分，制造电极和栅主要通过光刻和蚀刻技术实现。
光刻是一种通过光照形成光阻图形的技术，蚀刻是一种将光刻后形成的光阻图形转化为实际器件的技术。
4. 掺杂和扩散掺杂和扩散是将杂质引入半导体材料中，从而改变其电学性质的过程。
其中，掺杂是将杂质引入半导体中，扩散是将杂质在半导体中扩散开的过程。
这些过程可以通过化学气相沉积、物理气相沉积等方式实现。
5. 制造成品制造成品是微电子制造的最后一步。
成品制造包括器件组装和测试等环节。
器件组装是将各个器件按照要求组装在一起的过程，测试则是对器件进行性能测试的过程。
总之，微电子制造是一项复杂而精密的工艺，它采用了多种制造工艺和技术，涉及到多个环节。
微电子工艺的流程
微电子工艺的流程一、工艺步骤1. 材料准备：微电子工艺的第一步是准备好需要的材料，这些材料包括硅片、硼化硅、氧化铝、金属等。
其中，硅片是制造半导体芯片的基本材料，它具有优良的导电性和导热性能，而硼化硅和氧化铝则用于作为绝缘层和保护层。
金属材料则用于连接不同的电路元件。
2. 清洗：在进行下一步的工艺之前，需要对硅片进行清洗，以去除表面的杂质和污垢。
常用的清洗方法包括浸泡在溶剂中、超声波清洗等。
清洗后的硅片表面应平整光滑，以便后续的工艺步骤能够顺利进行。
3. 刻蚀：刻蚀是微电子工艺中的重要步骤，它用于在硅片表面上形成需要的电路图案。
刻蚀一般采用化学法或物理法，化学法包括湿法刻蚀和干法刻蚀，物理法包括离子束刻蚀、反应离子刻蚀等。
刻蚀后，硅片表面将形成不同深度和形状的电路结构。
4. 清洗：刻蚀后的硅片需要再次进行清洗，以去除刻蚀产生的残留物，并保证表面的平整度和清洁度。
清洗一般采用流动水冲洗、超声波清洗等方法。
5. 沉积：沉积是在硅片表面上沉积一层薄膜来形成电路元件或连接线的工艺步骤。
常用的沉积方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、离子束沉积等。
沉积后，硅片表面将形成具有特定性能和功能的导电膜或绝缘膜。
6. 光刻：光刻是将需要的电路图案投射在硅片表面上的工艺步骤。
光刻过程中，先在硅片表面涂上感光胶，然后利用光刻机将光阴影形成在感光胶上，最后用化学溶液溶解感光胶，形成需要的电路结构。
光刻过程需要高精度的设备和技术支持。
7. 离子注入：离子注入是将控制的离子注入硅片表面形成电子器件的重要工艺步骤。
通过控制注入的离子种类、注入能量和注入剂量，可以形成不同性能和功能的电子器件。
离子注入是微电子工艺中的关键技术之一。
8. 清洗和检测：在工艺步骤完成后，硅片需要再次进行清洗和检测，以确保电路结构和性能符合要求。
清洗和检测一般采用高精度的设备和技术支持，包括扫描电子显微镜、原子力显微镜等。
二、工艺参数和设备微电子工艺需要严格控制各种工艺参数，包括温度、压力、流量、时间等。
微电子10-si片制造中的污染控制
护清洁。
净化间布局 由早期的舞厅式布局到了现在的间格和夹 层布局。
早期净化间的舞厅式布局来自净化间间格和夹层的概念
气流原理 为了实现净化间的超净环境，气流种类是关键的。 层状气流意味着气流是平滑的，无湍流气流模式（见图）。
空气过滤 图是空气过滤系统的简化图。
金属杂质导致了半导体杂质中器件成品率的减少， 包括氧化物－多晶硅栅结构中的结构性缺陷。 额外的问题包括pn结上泄露电流的增加以及少数载 流子寿命的减少。 可动离子沾污（MIC）能迁移到栅结构的氧化硅界 面，改变开启晶体管所需的阈值电压（见图）。 由于它们的性质活泼，金属离子可以在电学测试和 运输很久以后沿着器件移动，引起器件在使用期间 失效。 半导体制造的一个主要目标是减少与金属杂质和 MIC的接触。
温度和湿度 对硅片加工设备温度和湿度的设定 有特别的规定。一个1级0.3um净化间温度控制 的例子是68％±0.5°F。相对湿度（RH）很重要， 因为它对侵蚀有贡献。典型的RH设定为40％ ±10％。
静电释放 多数静电释放（ESD）可以通过合理 运用设备和规程得到控制。主要的ESD控制方法 有：
•静电消耗性的净化间材料 •ESD接地 •空气电离
水
为了制造半导体，需要大量的高质量、超纯去离子（DI）水 （UPW）。据估计在1条现代的200nm工艺线中，制造每个 硅片的去离子水消耗量达到2000加仑。
超纯去离子水中不允许的沾污有： •溶解离子 •有机材料 •颗粒 •细菌 •硅土 •溶解氧
图展示了水中的各种颗粒及其尺寸
自然氧化层引起的另一个问题在于金属导体的接触区。接触 使得互连与半导体器件的源区及漏区保持电学连接。如果有 自然氧化层存在，将增加接触电阻，减少甚至可能阻止电流 流过（见图）。
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源
3、空气的净化
（1）空气级别表示 一般城市的空气中通常包含烟、雾、气。每立方
英尺有多达五百万个颗粒，所以是五百万级。
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源
3、空气的净化
（1）空气级别表示
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源
一、芯片制造中的污染源
1、半导体器件的污染物 2、污染来源 3、空气的净化
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源
2、污染来源
主要的污染源有： （1）空气 （2）厂务设备 （3）洁净室工作人员 （4）工艺使用水 （5）工艺化学溶液 （6）工艺化学气体 （7）静电
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设
第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设
第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设
第3章 污染控制、芯片制造基本工艺
概述
二、洁净室的建设
1、洁净室要素
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述
二、1、洁洁净净室室要的素建设
1、半导体器件的污染物 b 金属离子*
少量的掺杂物可实现我们希望的效果,但遗憾的是 在晶片中出现的极少量的具有电性的污染物也会改 变器件的典型特征，改变它的工作表现和可靠性参 数。
可以引起上述问题的污染物称为可移动离子污 染物 （MICs）。它们是在材料中以离子形态存在 的金属离子。而且，这些金属离子在半导体材料 中具有很强的可移动性。
钠是在未经处理的化学品中最常见的可移动离子 污染物，同时也是硅中移动性最强的物质。因此 ，对钠的控制成为硅片生产的首要目标。
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源
1、半导体器件的污染物 C 化学品
在半导体工艺领域第三大主要的污染物是不需要 的化学物质。工艺过程中所用的化学品和水可能会 受到对芯片工艺产生影响的痕量物质的污染。它们 将导致晶片表面受到不需要的刻蚀，.器件上生成 无法除去的化合物，或者引起不均匀的工艺过程。 氯就是这样一种污染物，它在工艺过程中用到的化 学品中的含量受到严格的控制。
概述
二、洁净室的建设
1、洁净室要素
（1）净化空 气方法的 选择是洁 净室设计 的首要问 题。
（2）洁净室的所有建 造材料都由不易脱 落的材料建造。不 锈钢材料就广泛地 被用于制造工作台 。
（3）九种控制外界污 染的技术
1. 板垫 2. 更衣区 3 空气压力 4. 空气淋浴器 5. 维修区 6. 双层门进出通道 7. 静电控制 8. 净鞋器 9. 手套清洗器
2、人员产生的污染（**） 3、工艺用水（**） 4、工艺化学品 5、化学气体 6、设备 7、洁净室的物质和供给
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二、洁பைடு நூலகம்室的建设
一、芯片制造中的污染源 二、洁净室的建设 三、硅片清洗 四、芯片制造基本工艺概述 五、工艺良品率
*
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述
一、芯片制造中的污染源
1、半导体器件的污染物 2、污染来源 3、空气的净化
*
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源
1、半导体器件的污染物
3、空气的净化
（1）空气级别表示
因为 209E 以 0.5 微米的 颗粒定义洁净度，而成功的 晶圆加工工艺要求更严格的 控制，所以工程技术人员工 程师们致力于减少10级和1级 环境中0.3 微米颗粒的数量 。Semetech/Jessi 建议： 64 兆内存加工车间为 0.1 级，256 兆内存为 0.01 级 。
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源
1、半导体器件的污染物
d 细菌
细菌是第四类的主要污染物。细菌是在水的系统 中或不定期清洗的表面生成的有机物。细菌一旦在 器件上形成，会成为颗粒状污染物或给器件表面引 入不希望见到的金属离子。
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源
微电子工艺基础污染控 制和芯片制造基本工艺
2020年7月12日星期日
第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概 述
本章（3学时）目标：
1、列出至少三种在芯片厂中尽量减少人员污染的技术 2、掌握晶片的清洗技术 3、重点理解一号和二号溶液的使用方法 4、鉴别和解释四种基本的芯片生产工艺
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述
一、芯片制造中的污染源 二、洁净室的建设 三、硅片清洗 四、芯片制造概述 五、工艺良品率
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述
二、洁1、净洁净室室的要素建设
2、人员产生的污染（**） 3、工艺用水（**） 4、工艺化学品 5、化学气体 6、设备 7、洁净室的物质和供给
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺
一、芯片制造中的污染源
1、半导体器件的污染物 2、污染来源 3、空气的净化
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源
3、空气的净化
（1）空气级别表示
美国联邦标准209E 规定空气质量由区域中空气级别 数来表示。标准按两种方法设定，一是颗粒大小，二 是颗粒密度。 区域中空气级别数是指在一立方英尺 中所含直径为 0.5 微米或更大的颗粒总数。联邦标 准209E规定最小洁净度可到一级。
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源
3、空气的净化
（1）空气的净化方法
洁净室的设计是要使生产免污染晶圆的能力更完整化。设 计时的主要思路是保持加工车间中空气的洁净。
共有四种不同的洁净室设计方法：
洁净工作台 隧道型设计 完全洁净室 微局部环境
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概 述
污染物可归纳为以下四类, 分别是： a 微粒 b 金属离子 c 化学物质 d 细菌
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源
1、半导体器件的污染物 a 微粒
由经验所得出的法则是微粒的大小要小于器件上最 小的特征图形尺寸的1/10倍。
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第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源