IGBT驱动板简介
简述IGBT的主要特点和工作原理

简述IGBT的主要特点和工作原理一、简介IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor,是一种复合全控电压驱动功率半导体器件。
由BJT(双极晶体管)和IGFET(绝缘栅场效应晶体管)组成。
IGBT兼有MOSFET 的高输入阻抗和GTR 的低导通压降的优点。
GTR 的饱和电压降低,载流密度大,但驱动电流更大。
MOSFET的驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT结合了以上两种器件的优点,驱动功率小,饱和电压降低。
非常适合用于直流电压600V及以上的变流系统,如交流电机、逆变器、开关电源、照明电路、牵引驱动等领域。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极晶体管)和FWD(续流二极管)通过特定的电路桥封装而成的模块化半导体产品。
封装后的IGBT模块直接应用于逆变器、UPS不间断电源等设备。
IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。
一般IGBT也指IGBT模块。
随着节能环保等理念的推进,此类产品将在市场上越来越普遍。
IGBT是能量转换和传输的核心器件,俗称电力电子器件的“CPU”,广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源设备等领域。
二、IGBT的结构下图显示了一种N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构。
N+区称为源极区,其上的电极称为源极(即发射极E)。
N基区称为漏区。
器件的控制区为栅极区,其上的电极称为栅极(即栅极G)。
沟道形成在栅区的边界处。
C 极和E 极之间的P 型区域称为子通道区域。
漏极区另一侧的P+ 区称为漏极注入器。
它是IGBT独有的功能区,与漏极区和子沟道区一起构成PNP双极晶体管。
它充当发射极,将空穴注入漏极,进行传导调制,并降低器件的通态电压。
《N沟道增强型绝缘栅双极晶体管》IGBT的开关作用是通过加正栅电压形成沟道,为PNP(原NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。
反之,加反向栅压消除沟道,切断基极电流,就会关断IGBT。
大功率IGBT模块及驱动电路综述

大功率IGBT模块及驱动电路综述摘要:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,为世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品,具有高频率,高电压,大电流,易于开关等优良性能。
IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品。
随着节能环保等理念的推进,此类产品在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
应用产品如风力发电变频器、光伏逆变器、轨道交通牵引变流器、电动汽车电机控制及充放电控制等。
关键词:大功率;IGBT模块;驱动电路引言随着轨道交通事业的飞速发展,以高压大功率IGBT模块为核心的电能变换装置在轨道交通领域得到了较为广泛的应用。
由于IGBT模块工作电压高、功率大,在快速开关状态下会对外产生严重的电磁干扰,严重影响周围电子设备的正常工作。
从研究电磁兼容性的角度,进行电磁辐射和干扰的仿真分析主要是为了研究辐射干扰对外产生的大小、机理及耦合路径并研究设计抑制干扰的措施。
1、电动车用大功率IGBT模块测试方案以新能源汽车应用IGBT模块为例,电动控制系统的IGBT模块成本约占整车成本10%,车载空调控制系统及充电系统同样用到IGBT模块。
IGBT的芯片研发、模块封装、模块应用都需要有高性能的测试设备来保证产品质量。
艾德克斯电子致力于“功率电子”产品为核心的产业测试解决方案的研究,也为IGBT模块提供大功率高精度测试方案。
图1、图2分别显示了典型IGBT的栅极驱动电路和基于艾德克斯的设备测试方案的示意图。
如图1所示,IGBT的端子为C:集电极、G:栅极、E:发射极,一般在G和E之间接入-15V~+15V范围间电压,驱动IGBT关导通或关断通过正负电压的交替,实现IGBT的导通和关断控制。
IGBT全桥驱动板

TX-DAH962/959 全桥4单元驱动板产品特点•四单元驱动板,可驱动300A/1200V或600A/600V的四只IGBT。
•短路时软关断保护,PWM信号封锁。
•板上留有用户参数设置位置,可根据需要设定IGBT的短路阈值、保护盲区时间、软关断的斜率、故障后再次启动的时间,也可以直接使用缺省参数。
•兼容用户的5V和12/15V主控板系统。
•有正负两个故障信号输出,用户随意选择。
•需要用户提供三组隔离电源。
应用•逆变器、不间断电源、变频器、电焊机、伺服系统驱动特性参 数 符号测 试 条 件 最小值典型值 最大值单位控制电源电压Vc接到用户的主控板电源 516V控制电源电流 Ic1 4 mA 输入脉冲电压幅值(1)Vpwm 4.5 5 5.5 V 输入驱动电源 Vp202427VV oh14.5V 输出脉冲电压V ol-8.5V 输出最大峰值电流 Iop充电或放电峰值电流,962A/959A6/3A输出最大电荷Qout每一通道,962/9592/1 2.8/1.4μC 驱动电阻 Rg用户设置,不可过小,(典型值为厂家测试用) 1.533Ω工作频率Fop 060KHz占空比 δ0100% 最小工作脉宽 Tonmin CL=100/47nF(962/959)0.5μS0.3μS 上升延迟TrdRg=2Ω下降延迟Tfd 0.4μS 绝缘电压VISO 50Hz/1 min 3500Vrms 共模瞬态抑制 CMR30KV/μS注1:驱动板的4个输入信号,当电平为5V时可直接连接,如信号的高电平幅值Vim高于5V,应在信号输入端、即用户主控板信号输出端串连一个电阻Ri和电容Ci的并联网络,Ri使输入电流为10mA,即Ri=(Vim-5)/10mA;Ci=470pF。
工作条件环境温度符号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位工作温度Top -30 75℃存储温度Tst -40 90℃短路保护功能曲线短路保护特性参数参 数 符号 测 试 条 件 最小值典型值 最大值 单位 保护动作阈值(1) Vn用户设置,典型值为缺省值 9.5V保护盲区(2)Tblind Vp=24V时,用户设置,最小值为缺省值 1.2μS软关断时间(3)Toff Vp=24V时,用户设置,最小值为缺省值4μS故障后再启动时Trst Vp=24V时,用户设置,典型值为缺省值 1.110mS间(4)故障信号延迟 Talarm0.4μS故障信号输出电Ialarm正负2个报警信号输出均 1015mA流注:(以下阻容元件的调整方法均详见后面的“参数设置说明”)1.触发过流保护动作时的集电极对发射极的饱和电压。
IGBT板

IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
目录1基本简介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点igbt,驱动功率小而饱和压降低。
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
如图所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N+区称为源区,附于其上的电极称为源极(即发射极E)。
P+区称为漏区。
器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极(即门极G)。
沟道在紧靠栅区边界形成。
在C、E两极之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。
而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。
附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极C)。
车规级IGBT简介演示

车规级IGBT简介演示汇报人:2023-12-12•IGBT简介•车规级IGBT•国内外IGBT发展现状及趋势目录•车规级IGBT的未来发展方向•车规级IGBT的挑战与对策•车规级IGBT的应用案例01 IGBT简介IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管,是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(IGFET)组成。
它兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,既可以作为高输入阻抗的MOS型器件,也可以作为低导通压降的GTR器件。
IGBT定义IGBT的工作原理是通过控制输入极MOSFET的栅极电压来控制开断,其结构中栅极电压决定了IGBT的通断。
当栅极电压为高电平时,MOSFET内的沟道形成,电子从源极流入,经过沟道到漏极,形成电流,IGBT导通。
当栅极电压为低电平时,MOSFET内的沟道消失,电子无法形成电流,IGBT关断。
IGBT工作原理IGBT被广泛应用于电力电子装置中,包括电动汽车、电力机车、新能源发电等领域。
在电力机车中,IGBT用于牵引和辅助电源系统。
在电动汽车中,IGBT用于驱动电机、电池管理和充电系统等。
在新能源发电领域,IGBT用于太阳能和风能发电系统中的逆变器、DC/DC 转换器和AC/DC转换器等。
IGBT主要应用领域02车规级IGBT车规级IGBT是一种半导体元器件,专为汽车应用而设计,具有高效能、高可靠性和高安全性。
背景随着新能源汽车市场的不断扩大,车规级IGBT的需求也日益增长。
这种元器件已成为电动汽车、混合动力汽车和燃油汽车等车辆中不可或缺的一部分。
车规级IGBT具有高效的电能转换能力,能够提高车辆的能源利用效率,从而增加续航里程。
高效能高可靠性高安全性车规级IGBT能够在恶劣的工作环境下保持稳定的性能表现,如高温、低温、高湿和颠簸等。
车规级IGBT的设计注重安全性能,能够在发生故障时快速切断电源,保护车辆和乘客的安全。
IGBT驱动简介

价格 350 800
CONCEPT驱动器命名规则
常见IGBT驱动
v 可编程驱动器
名称 AVC ???
厂家 青铜剑 INPOWER
价格 ?
???
IGBT与驱动器的连接
v 导线连接
IGBT与驱动器的连接
v 即插即用型
2SP0115T
2QP15A17K-Q
IGBT与驱动器的连接
v 即插即用型
6SD312EI
以英飞凌FF400R12KS4为例
FF 400
FZ:一单元模块 400:额定电流 FF:半桥模块 F4:四单元模块 FS:六单元模块 FP:七单元模块 FD/DF:斩波模块
R
R:逆导型 S:快速二极管
12 KS4
12:×100 =额定电压
17: 25: 33: 45: 65:
KS:短拖尾高频型
KE :低饱和压降型
IGBT模块及驱动简介
邱勉为 2012.2.6
目录
IGBT简介 IGBT驱动简介
IGBT和MOSFET的区别
v IGBT
v MOSFET
IGBT和MOSFET的区别
IGBT和MOSFET的区别
IGBT和MOSFET的区别
IGBT和MOSFET主要特性差异
电压
电流
频率
IGBT
600-6.5kV
EconoPACK+
英飞凌、富士、 赛米控
1200-1700V
225-450A
PrimePACK 英飞凌、富士 1200-1700V 450-1400A
IHM
英飞凌、富士、 三菱、ABB
1200-6500V
400-3600A
常见IGBT封装形式
IGBT模块驱动技术及应用

二、IGBT驱动与保护
驱动线
IGBT驱动线在设计过程中,尽量设计短,并双绞。
二、IGBT驱动与保护
结温
高结温将有助于减少在高杂散电感条件下的震荡
二、IGBT驱动与保护
二、IGBT驱动与保护
Vce尖峰
Vce尖峰电压由IGBT关断过程中杂散电感及二极管反向恢复产生。
L=85nH
L=185nH
衡IGBT的通态损耗和开关损耗。
一、IGBT基本原理
(2)非穿通(NPT)型IGBT
与PT型IGBT不同,NPT型IGBT以掺杂的N-
栅极
发射极
基区为衬底,P掺杂发射区设计的很薄,没有
PT型IGBT的N型缓冲区,这样在阻断状态,电
场只在N型衬底内存在。因为电场不再“穿
通”N型衬底,因此被称为“非穿通”型IGBT。
针对感性负载,为了防止过压,IGBT需要
并联一个续流二极管给电流提供续流回路。RC
N+
P
IGBT并不是简单的在外部并联一个半导体二极
管,而是在半导体内部实现了一个二极管,主
N-基区
(衬底)
要用于谐振电路、硬开关电路中。
N场终止层
P
N
集电极
P
一、IGBT基本原理
英飞凌IGBT
二、IGBT驱动与保护
IGBT模块驱动技术及应用
一、IGBT基本原理
目
录
二、IGBT驱动与保护
三、双脉冲测试
四、安全工作区
一、IGBT基本原理
1. IGBT基本介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)绝缘栅双极型晶体管
IGBT之父:Jayant Baliga(贾杨.巴利加)教授(20世纪80年代发明)
IGBT的简介及IGBT在驱动方面的应用

IGBT的简介及IGBT在驱动方面的应用尚彤华北电力大学研电1302班学号:1132201006The introduction of the IGBT and its application in motor drivingNorth China Electric Power UniversityABSTRACT: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), insulated gate bipolar transistor, is a BJT (bipolar transistor) and MOS (insulated gate FET) composite full-controlled voltage-driven power semiconductor devices, both MOSFET GTR high input impedance and low conduction voltage drop of both worlds. GTR saturated pressure drop, the carrier density, but the drive current is larger; MOSFET drive power is small, fast switching speed, but the conduction voltage drop large carrier density. IGBT combines the advantages of these two devices, drive power is small and saturated pressure drop. Very suitable for DC voltage of 600V and above converter systems such as AC motor, inverter, switching power supply, electric lightingKEY WORDS:IGBT, full-controlled, motor, inverter摘要: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
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IGBT驱动板的基础知识
一类短路的特征为IGBT在开通后,通过IGBT的短路电流急速上升达到饱和电流(大概4-6倍 额定电流,倍数受到温度影响),同时IGBT的CE电压达到母线电压,此时瞬时功耗极大,此 为一类短路。出现的条件:某相的输出与+或者-极之间有一段极端的导线短路,或者某相的 半桥击穿短路。这两种情况的同一个特征就是短路线的电感非常低。
驱动板使用时的注意事项
二、防静电措施 CONCEPT门极驱动器基于高度集成的专用集成电路芯片组。 这些芯片组分别基于双极和CMOS 技术设计而成。它们仅提供有限的静电防护功能。 因此,必须强制执行适当的防静电处理,以确保产品能够正常工作并获得高可靠性。 整体防静电保护需要从来料检验开始,直到最终装配,包括所有的中间环节,以防
IGBT驱动板的基础知识
目前市面上成型的驱动板多为光纤驱动板,此种驱动板针对不同厂家的同类IGBT、同 一厂家的不同IGBT已经进行了电阻适配,方便了使用与维护。需要注意的是,同一类 型的驱动板对不同类型的IGBT是不通用的,在实际使用时注意驱动板与IGBT的匹配。
IGBT驱动板的基础知识
门极电阻可以根据实际需要而进行调整,因此可以针对系统需求自行调整电阻配置。 需要注意的是开关电阻直接影响IGBT的开关速度,也直接影响IGBT的开关损耗,电阻 越大,损耗越大。其中开通电阻对于开通损耗的影响很明显,因此一般越小越好,而 关断电阻对关断损耗影响不大,为了短路保护,可适当放大阻值。
IGBT驱动板的基础知识
二类短路 除了一类短路外,IGBT还有可能遭受二类短路情况的考验,二类短路的特征为IGBT短路电流快速 上升,但IGBT不进入退保和即关断,此时IGBT两端电压会由于系统内杂散电感的影响而出现电压 尖刺。二类短路其实是IGBT的一种极限关断行为,在关断时短路电流越大,电压尖刺越高,当峰值 电压超过IGBT耐压极限时,IGBT就会由于过压损坏。
IGBT驱动板的基础知识
短路保护功能原理 IGBT开通后,短路导致CE之间电压升高到母线电压,即上图红圈所示点处,高压通过图中红色箭 头路径为Ca2充电,当Ca2两端电压达到一定的阈值之后,图中绿圈所示的VCE2收到信号,芯片进 行短路保护动作自行关断IGBT,同时将短路状态信号反馈到一次侧。 一类短路保护原理简单,实现也容易。
IGBT驱动板的基础知识
二次侧电源:上图蓝圈所示,一次侧直流电源经过逆变,然后通过变压器为二次侧提 供交流电,变压器二次侧的交流电通过整流桥以及滤波电容为二次侧提供稳定的直流 电压,该直流电压一般在25-30V左右,即开通正压与关断负压的绝对值之和。电源的 稳定是整个驱动板正常工作的基础。
IGBT驱动板的基础知识
单通道峰值输出电流,单位为A 单通道平均输出功率,单位为W 驱动器系列,SC代表驱动核,SP 代表即插即用型驱动板
通道数,2通道
常用驱动板编号含义
即插即用驱动板命名规则
驱动板使用时的注意事项
一、型号匹配 1、驱动板与IGBT的电压等级保证一致。 2、驱动板小类别与IGBT型号一致,即插即用型驱动板后缀带有所驱动 IGBT型号,使用前注意检查型号匹配,如果暂时没有同型号驱动板可用, 可以根据配置表将其他型号驱动板改为所需型号。
IGBT驱动板的基础知识
二类短路发生的情况一般出现在电机或者电抗器绝缘击穿时,此时短路线的电感很大,因此短路电流上升缓慢。不 仅仅是二类短路关断时,即便是在系统正常运行状态下的正常关断行为也会产生关断尖刺,只是正常关断行为产生 的电压尖刺较小,不会造成损害。降低二类短路最根本的解决办法是系统的布局与机械结构设计要达到实现回路最 小面积的目的,这样系统内的杂散电感最小,基础原则为尽可能用叠层的措施、对于不能叠层的部分采用宽、扁、 短的设计。二类短路相对一类短路保护难度更大,保护也更有必要。
对于0435驱动板,电源与信号传输被集成到了一个模块中,信号传输通过电磁方式。 而对于光纤驱动板,例如常用的1SD536F2或者1SP0635,电源与信号传输是分开的。 例如上图中蓝圈所示为电源部分的变压器,而红圈所示部分为光纤传输用的光纤头。 信号是通过光脉冲进行传输的。
IGBT驱动板的基础知识
IGBT驱动板的基础知识
为了实现驱动板的功能,驱动板一般由电源、信号接收、电位隔离、信号传输、驱动 执行、器件保护、状态反馈等7大部分组成,现以常用的0435驱动板所用的0435驱动 核为例,讲解各部分功能与实现的原理。
IGBT驱动板的基础知识
一、电源 分为两部分:一次侧电源、二次侧电源 一次侧电源:上图蓝圈所示,控制系统或者开关电源,如PIB或者QP320,通过排线或者双绞线为 控系统提供稳定的直流电,目前多为15V,以供控制板自身用电并通过变压器为二次侧(强电侧) 提供电源。
IGBT驱动板的基础知识
五、驱动执行 二次侧芯片在收到一次侧传递的开关信号(变压器或者光脉冲)之后,通过分别控制门极开通 (GH)、关断(GL)引脚处的的Mosfet的开关来控制门极电压为电源高电平或者电源低电平,进 而控制IGBT的开关动作。这也是二次侧电源电压与门极开关电压绝对值之和相等的原因。
IGBT驱动板的基础知识
三、电位隔离 由于一次侧与二次侧、不同的二次侧之间具有不同的电位,因此驱动板必须要具有可靠的电位隔离措施。 电源通过隔离变压器进行隔离(蓝圈),不同的二次侧之间通过独立的变压器以及充足的电气间隙与爬电距离进行隔离(红圈)。 类似0435的电磁的信号传输方式,信号的电位隔离也是通过变压器(蓝圈),而类似1SD536F2之类的光纤驱动板,信号的隔离通过光信 号(黄圈)实现。而对于电压更高的产品,例如3300V三电平,板载的隔离已经不满足需求了,因此需要配置专用的隔离模块。
止对门极驱动器可能造成的损坏。 使用时关键要采取防静电措施: 1、包装材料必须符合防静电标准 2、直接接触门极驱动器的员工,需要佩戴防静电手腕带或接地的金属带防静电手腕带 3、工作场所,特别是桌子、椅子和临时存放台,以及工具特别是焊接设备、螺丝刀等都必须符合
防,0435驱动板是双通道驱动板,可以同时驱动两个或者两组并联IGBT,因此 其信号接收端共有两个,分别对应两个或者两组并联的IGBT。这个端口负责接收控制系统发出的驱 动信号,高电平代表开,低电平代表关,工作模式均为施密特触发方式,即仅响应开关的上升/下 降的跳变沿,而不响应常高或者常低的状态。这一点在短路保护时有一定的作用。
IGBT驱动板的基础知识
而对于0635之类的光纤型驱动板而言,故障信号则要通过光信号来表达。这类驱动板 除了电源欠压及一类短路外,往往还有一个握手协议状态反馈,在每次开通或关断指 令收到后,驱动板将向控制系统反馈一个700ns的脉冲,表示已收到开关信号。但该脉 冲容易触发短路保护误动作,因此该信号往往需要滤除。
IGBT驱动板的基础知识
七、状态反馈 在驱动板工作过程中,二次侧会将其工作及时反馈给一次侧,以便控制系统检测IGBT工装状态,进行相应的控制动 作。 目前状态反馈的主要内容为故障状态反馈,包括电源欠压和一类短路,即将驱动板发生故障的信号及时传递给一次 侧。0435驱动板在发生故障后,状态输出引脚(上图蓝圈)将会转为低阻抗,持续到阻断时间(可调)结束。
IGBT驱动板的基础知识
开关电阻的作用原理:IGBT的门极实际上是一个Mosfet开关,是用电压信号控制门极开关, 门机上有一个门极电容(IGBT内部或者板载的),随着这个电容上的电压的变化,IGBT进行 相应的动作。开关电阻与门极电容串联形成RC充放电电路,因此可以通过调节门极电阻来调 节RC充放电时间,进而控制IGBT开关速度。开通电阻小,开通快;关断电阻大,关断慢。
课程目标
通过本课程, 1 、以典型驱动板为例详细讲解 驱动板的各项功能和基础知识。 2、介绍常用IGBT驱动板的编号 含义。 3、驱动板使用时的注意事项。
IGBT驱动板的基础知识
驱动板作为控制系统与开关器件之间重要的中间环节,承担着接收控制系统控制指令、 传输控制命令、确保开关器件IGBT执行正确的开关动作、保护开关器件以及回馈 IGBT工作状态的任务。
开通电阻对开通时间的影响
开通电阻为3欧姆 开通电阻为5欧姆
关断电阻对关断时间的影响
驱动电阻为2欧姆, 关断时间1.64us
驱动电阻为4.7欧姆, 关断时间3.56us
常用驱动板编号含义
驱动核命名规则
电压等级,1700V
运行温度,对不同驱动核含义不同 第二代驱动器 隔离技术 T:变压器方式 V:普通光纤头 S:ST光纤头
IGBT驱动板的基础知识
六、器件保护 保护功能主要是电源监控和短路保护,短路保护又分为一类和二类短路保护。 电源保护功能针对的是电源欠压,当驱动板一次侧或者二次侧电源发生欠压时,故障 信号通过状态反馈引脚或者光信号反馈给一次侧或者控制系统,直到欠压故障消失。
IGBT驱动板的基础知识
短路保护 驱动板都具有一类短路功能,当IGBT发生一类短路后,驱动板可以在不受到控制系统 控制的情况下自行关断IGBT,及时保护IGBT防止因功耗过大(短路峰值损耗在兆瓦级) 而损坏。
IGBT驱动板的基础知识
当确有故障发生时,驱动板会反馈一个大概9μs左右的脉冲信号,传递故障信号。因此 光纤驱动板的故障信号是通过光的消失时间来表达的。
IGBT驱动板的基础知识
八、驱动板开通、关断电阻 大部分驱动板都具有独立可调的开通、关断电阻(有些在门极板上),该电阻的作用 在于调节IGBT的开通、关断速度,一般采用大功率插件电阻或者小功率贴片电阻多并 联。
IGBT驱动板的基础知识
四、信号传输 途中蓝圈所示,控制系统的信号(跳变沿)被接收后,一次侧的芯片将接收到的信号 通过变压器传递给二次侧进行执行。光纤类驱动板则是通过光纤中光信号的有无来传 递
IGBT驱动板的基础知识
上两图为0435驱动板一次侧信号(2通道)的开关对应驱动板二次侧(1通道)的开关 执行情况。