试题标准答案模版A4-数字集成电路设计A答案[1]
(完整版)数字电路试题及参考答案
《数字电路》试卷及答案一、【单项选择题】(本大题共20小题，每小题2分，共40分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在答题卷相应题号处。
1、对于钟控RS触发器，若要求其输出“0”状态不变，则输入的RS信号应为（ A ）。
[A] RS=X0 [B] RS=0X [C] RS=X1 [D] RS=1X2、以下各电路中，（ B ）可以产生脉冲定时。
[A] 多谐振荡器[B] 单稳态触发器[C] 施密特触发器[D] 石英晶体多谐振荡器3、下列逻辑电路中为时序逻辑电路的是（ C ）。
[A] 变量译码器[B] 加法器[C] 数码寄存器[D] 数据选择器4、同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者（ B ）。
[A] 没有触发器[B] 没有统一的时钟脉冲控制[C] 没有稳定状态[D] 输出只与内部状态有关5、当用专用输出结构的PAL设计时序逻辑电路时，必须还要具备有（ A ）。
[A] 触发器[B] 晶体管[C] MOS管[D] 电容6、能将输出端直接相接完成线与的电路有（ C ）。
[A] TTL与门[B] 或门[C] 三态门[D] 三极管非门7、TTL与非门的多余脚悬空等效于（ A ）。
[A] 1 [B] 0 [C] Vcc [D] Vee8、以下哪一条不是消除竟争冒险的措施（ B ）。
[A] 接入滤波电路[B] 利用触发器[C] 加入选通脉冲[D] 修改逻辑设计9、主从触发器的触发方式是（ D ）。
[A] CP=1 [B] CP上升沿[C] CP下降沿[D] 分两次处理10、组合型PLA是由（ A ）构成。
[A] 与门阵列和或门阵列[B] 一个计数器[C] 一个或阵列[D] 一个寄存器11、下列四个数中，最大的数是（ B ）。
[A] (AF)16[B] (001010000010)8421BCD[C] (10100000)2[D] (198)1012、触发器有两个稳态，存储8位二进制信息要（ B ）个触发器。
(完整版)数字电路基础考试题(附参考答案)
数字电子技术-考试复习题一、单项选择题1．(195)H 表示（ D ）。
(a) 二进制数 (b) 十进制数 (c)八进制数 (d) 十六进制数2．在TTL 门电路中，能实现“线与”的门电路是（ B ） (a) 与非门 (b) 集电极开路门 (c) 或非门 (d) 或非门3．用不同数制的数字来表示2007，位数最少的是 。
(a) 十六进制数 (b) 十进制数 (c) 八进制数 (d) 二进制数 4．十进制数36转换为十六进制数，结果为 。
（a ）26 （b ）24 （c ）22 （d ）20 5．8421BCD 码10000111表示的十进制数是 。
（a ） 131 （b ） 103 （c ） 87 （d ） 13 6．A/D 转换输出的二进制代码位数越多，其转换精度（ ） (a) 越高 (b) 越低 (c) 不变 (d) 无法确定 7．下列逻辑表示式正确的是（ ） (a) 1=++B A B A (b)B A B A A +=+(c)B A B A B A AB +=+ (d) B A AB +=8. 下列电路中，属于时序逻辑电路的是( ). (a) 数据选择器 (b) 编码器 (c) 计数器 (d) 译码器 9. 由8位寄存器组成的扭环移位寄存器可以构成 进制计数器。
(a) 4 (b) 8 (c) 16 (d) 无法确定10. 555集成定时器构成的单稳态触发器，其暂态时间t W ≈________。
(a) 0.7RC (b) RC (c) 1.1RC (d) 1.4RC11．十进制数24转换为二进制数，结果为 。
（a ）10100 （b ）10010 （c ）01100 （d ）1100012． (a) 13． (c) 14． (c) 15． (d) 12．=O )275(( )D ， 。
（a ）275 (b) 629 (c) 2750 (d) 220013．三态门的第三态是 。
（a ）低电平 （b ）高电平（c ） 高阻 （d ） 任意电平 14．具有8个触发器的二进制异步计数器最多可能有 种状态。
集成电路设计岗位招聘笔试题与参考答案(某大型集团公司)
招聘集成电路设计岗位笔试题与参考答案(某大型集团公司)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、在集成电路设计中，以下哪种类型的设计通常负责处理数字逻辑功能？A、模拟集成电路B、数字集成电路C、混合信号集成电路D、射频集成电路2、以下哪种技术用于在集成电路设计中实现晶体管间的连接？A、光刻技术B、蚀刻技术C、键合技术D、离子注入技术3、在CMOS工艺中，P型MOSFET的阈值电压通常会随着温度的升高而：A. 增加B. 减少C. 不变D. 先增加后减少4、下列哪一项不是减少互连延迟的有效方法？A. 使用更细的金属线B. 使用更高介电常数的绝缘材料C. 减少金属层之间的距离D. 使用铜代替铝作为互连线材料5、集成电路设计中，以下哪种工艺主要用于制造CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑电路？A. 双极型工艺B. 金属氧化物半导体工艺C. 双极型/金属氧化物半导体混合工艺D. 双极型/CMOS混合工艺6、在集成电路设计中，以下哪个参数通常用来描述晶体管的开关速度？A. 饱和电压B. 输入阻抗C. 开关时间D. 集成度7、在集成电路设计中，用于描述电路逻辑功能的硬件描述语言不包括以下哪一种？A. VerilogB. VHDLC. C++D. SystemVerilog8、下列选项中，哪一个不是ASIC（专用集成电路）设计流程中的一个阶段？A. 逻辑综合B. 布局布线C. 系统集成D. 物理验证9、以下哪种工艺技术通常用于制造高性能的集成电路？A. 混合信号工艺B. CMOS工艺C. GaN（氮化镓）工艺D. BiCMOS工艺二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、在CMOS工艺中，关于阱（well）的概念，下列说法正确的有：A. NMOS晶体管通常位于P型阱中B. PMOS晶体管通常位于N型阱中C. N阱用于隔离不同区域的晶体管，防止电流泄露D. P阱可以与N阱共存于同一层硅片上而不会相互影响2、关于集成电路版图设计中的DRC（Design Rule Check）规则，下列哪些陈述是正确的？A. DRC规则是为了确保电路性能优化B. DRC规则定义了最小特征尺寸、最小间距等制造限制C. 违反DRC规则可能会导致制造缺陷，如短路或开路D. DRC规则在所有半导体制造工艺中都是相同的3、关于集成电路设计，以下哪些是典型的电路设计类型？（）A、模拟电路设计B、数字电路设计C、混合信号电路设计D、射频电路设计E、光电子电路设计4、在集成电路设计中，以下哪些因素会影响电路的功耗？（）A、晶体管的工作状态B、电源电压C、电路的复杂度D、芯片的温度E、外部负载5、在集成电路设计过程中，下列哪些技术用于提高电路的性能？A. 使用更先进的制程技术B. 优化电路布局减少信号延迟C. 增加电源电压以提升速度D. 减少电路层数降低制造成本E. 应用低功耗设计方法6、下列哪些是实现CMOS逻辑门时需要考虑的关键因素？A. 输入电平的阈值B. 输出驱动能力C. 功率消耗D. 静态电流消耗E. 电路的工作频率7、以下哪些技术或方法属于集成电路设计中的模拟设计领域？（）A. 信号处理算法B. 逻辑门电路设计C. 模拟电路仿真D. 功耗分析E. 版图设计8、在集成电路设计中，以下哪些步骤是进行版图设计的必要阶段？（）A. 电路原理图设计B. 布局规划C. 逻辑分割D. 布局布线E. 版图检查9、在CMOS工艺中，影响MOSFET阈值电压的因素有哪些？A. 氧化层厚度B. 衬底掺杂浓度C. 栅极材料类型D. 源漏区掺杂浓度E. 温度F. 器件尺寸三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、集成电路设计岗位的工程师需要具备扎实的数学基础和电子工程知识。
数字集成电路考题(2012)
集成电路考题一、填空题1、世界上第一个自动计算器是1832年。
2、Jack Kilby 提出IC 设想-—集成电路，由此获得诺贝尔奖,标志着数字时代的来临。
3、集成电路的发展按摩尔定律发展变化。
4、数字电路噪声进入的途径有电感耦合、电容耦合、电源和地的干扰。
5、N 型半导体的多子是自由电子，少子是空穴.6、P 型半导体的多子是空穴,少子是自由电子.7、二极管电流D I 与电压D V 的关系表达式为)1(/-=ΦT D V S D e I I 。
8、二极管的反向击穿类型有齐纳击穿和雪崩击穿。
9、互连线电容模型可用平行板电容模型等效，导线总电容的公式为10、互连线电容模型可用微带线模型等效，由平面电容和边缘电容构成。
11、导体为均匀的绝缘介质包围，可知一条导线的电容C 与电感L 的关系为u CL ε=。
12、CMOS 反相器噪声容限的定义有L NM 低电平噪声容限和H NM 高电平噪声容限.13、CMOS 反相器电路总功耗分为三部分,分别为dyn P 由充放电电容引起的动态功耗、dp P 直流通路电容引起的功耗、stat P 静态功耗。
14、静态CMOS 门由上拉网络PUN 和下拉网络PDN 构成。
15、CMOS 互补逻辑实现一个N 输入逻辑门所需MOS 管的个数为2N 个。
16、伪NMOS 逻辑实现一个N 输入逻辑门所需MOS 管的个数为N+1个。
17、动态逻辑实现一个N 输入逻辑门所需MOS 管的个数为N+2个。
18、动态逻辑电路工作过程分为预充电和求值两个阶段。
19、时序电路中与寄存器有关的参数分别为建立时间、维持时间、传播时间。
20、对于时钟偏差不敏感的触发器为Clocked CMOS （或为时钟控制CMOS ）。
21、2C CMOS 实现一个N 输入逻辑门所需MOS 管的个数为N+2个。
2223、半定制的电路设计方法分别是以单元为基础的设计方法和以阵列为基础的设计方法。
二、简答题1、画出双阱CMOS电路工艺顺序简化图.（P31)2、二极管的电流受工作温度的双重影响。
《数字集成电路》期末试卷(含答案)
浙江工业大学 / 学年第一学期 《数字电路和数字逻辑》期终考试试卷 A姓名 学号 班级 任课教师一、填空题（本大题共10小题，每空格1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1．十进制数（68）10对应的二进制数等于 ；2．描述组合逻辑电路逻辑功能的方法有真值表、逻辑函数、卡诺图、逻辑电路图、波形图和硬件描述语言（HDL ）法等，其中 描述法是基础且最直接。
3．1A ⊕可以简化为 。
4．图1所示逻辑电路对应的逻辑函数L 等于 。
A B L≥1&CYC图1 图25．如图2所示，当输入C 是（高电平，低电平） 时，AB Y =。
6．两输入端TTL 与非门的输出逻辑函数AB Z =，当A =B =1时，输出低电平且V Z =0.3V ，当该与非门加上负载后，输出电压将(增大，减小) 。
7．Moore 型时序电路和Mealy 型时序电路相比， 型电路的抗干扰能力更强。
8．与同步时序电路相比，异步时序电路的最大缺陷是会产生 状态。
9．JK 触发器的功能有置0、置1、保持和 。
10．现有容量为210×4位的SRAM2114，若要将其容量扩展成211×8位，则需要 片这样的RAM 。
二、选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
11．十进制数（172）10对应的8421BCD 编码是 。
【 】A ．（1111010）8421BCDB ．（10111010）8421BCDC ．（000101110010）8421BCD D ．（101110010）8421BCD12．逻辑函数AC B A C B A Z +=),,(包含 个最小项。
【 】A ．2B ．3C ．4D ．513．设标准TTL 与非门AB Z =的电源电压是+5V ，不带负载时输出高电平电压值等于+3.6V ，输出低电平电压值等于0.3V 。
《数字集成电路》期末试卷B(含答案)
浙江工业大学 / 学年第一学期 《数字电路和数字逻辑》期终考试试卷B姓名 学号 班级 任课教师一、填空题（本大题共10小题，每空格1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1．（1011111．01）2=（ ）102．若10010110是82421BCD 码的一组代码，则它对应的十进制数是________。
3．逻辑函数B A AB F +=的反函数F =________。
4．不会出现的变量取值所对应的最小项叫做 。
5．组合逻辑电路任何时刻的稳定输出仅仅只决定于__________各个输入变量的取值。
6．描述时序逻辑电路的逻辑表达式有驱动方程、________________和输出方程。
7．1K ×4位ROM ，有 位地址输入。
8．要把模拟量转化成数字量一般要经过四个步骤，分别称为采样、保持、________、编码。
9．D/A 转换器的主要参数有 、转换时间和转换精度。
10．集成单稳态触发电路的暂稳态维持时间取决于 。
二、选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
11．若已知Y XY YZ Z Y XY +=++，判断等式=+++))()((Z Y Z Y Y X Y Y X )(+成立的最简单方法是依据 规则。
【 】A ．代入规则B ．对偶规则C ．反演规则D ．互补规则12．F (A ,B ,C )的任意两个最小项之积等于 。
【 】 A ．0 B ．1 C ．ABC D ．ABC13．+0+1A A A ⋅⋅等于 。
【 】 A ．0 B ．1 C ． A D ．A 14．将TTL 与非门正常使用时，多余的输入端应 。
【 】 A ．全部接高电平 B ．部分接高电平，部分接地 C ．全部接地 D ．部分接地，部分悬空 15． S R 触发器不具有 功能。
数字集成电路测试题
A 衬底 B 扩散区 C 有源区 D 接触孔和通孔
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提交
Inverter
单选题 1分 最符合阈值电压定义的说法是 。
A 漏端电流为1μA时的栅源电压
B 漏端电流10倍于泄露电流时的栅源电压
衬底载流子浓度和有源区载流子浓度相 C 等时的栅源电压
芯片中的金属线和PCB中的金属线一样， A 可以是多层的。
B
CMOS集成电路是在一块正方形的硅片 上制造的。
光刻机的作用是通过激光在硅片上刻画 C 集成电路版图。
光刻胶的作用是将集成电路所需的不同 D 材料层胶合在一起。
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提交
Inverter
D MOgrated Circuits2nd
提交
Inverter
单选题 1分 电路互连线上的延时td 与长度L的关系是 。
A
td L
B
td L2
C
td L3/2
D
td L3
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数字集成电路 ch1-ch4习题集
Jan M. Rabaey Anantha Chandrakasan Borivoje Nikolic
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Inverter
单选题 1分
在集成电路0.25μm工艺中，晶体管的最小沟 道长度由 决定。
A 光刻精度 B 消费者和代工厂 C 电路工程师 D 电源电压
C 无穷大的“断开”电阻和有限的“导通”电阻。
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集成电路设计原理考核试卷
4.描述模拟集成电路与数字集成电路在设计原则和实现技术上的主要区别，并给出一个实际应用中模拟集成电路的例子。
标准答案
一、单项选择题
1. B
2. B
3. D
4. D
5. B
6. D
7. C
8. C
9. B
10. D
17.在集成电路设计中，以下哪些方法可以提高电路的抗干扰能力？( )
A.采用差分信号传输
B.使用屏蔽技术
C.增加电源滤波器
D.提高工作频率
18.以下哪些类型的触发器在数字电路中常见？( )
A. D触发器
B. JK触发器
C. T触发器
D. SR触发器
19.以下哪些技术可以用于提高集成电路的数据处理速度？( )
3.以下哪些是数字集成电路的基本组成部分？( )
A.逻辑门
B.触发器
C.寄生电容
D.晶体管
4.以下哪些技术可以用于提高集成电路的频率？( )
A.减小晶体管尺寸
B.采用高介电常数材料
C.增加电源电压
D.优化互连线设计
5.在CMOS工艺中，以下哪些结构可以用来实现反相器？( )
A. PMOS晶体管
B. NMOS晶体管
11. C
12A
16. B
17. A
18. A
19. C
20. B
二、多选题
1. ABD
2. AB
3. AD
4. AB
5. AB
6. AB
7. ABCD
8. AB
9. ABCD
10. AC
11. ABC
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三、计算题（共25分，第一题10分，第二题15分）
1．已知集成电路中Al1层参数如下：单位长度电容120aF/um；单位长度电阻Ω/um。计算在该层长为12cm的导线传播延时。为减小此导线的传播延时将此导线3等分并插入2个传播延时为80ps的反相器，计算在这种情况下各层上整个导线的传播延时。
解：1)
2．将每道大题得分和总分填入得分栏中。
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.ห้องสมุดไป่ตู้
图1. 测试配置装置
解： 当R=30kΩ，
假设晶体管处于线性区。
证明该晶体管处于线性区。
四、设计题（共30分，每题10分）
1．使用互补CMOS电路实现逻辑表达式 ，当反相器的NMOS W/L=2, PMOS W/L=4时输出电阻相同，根据这个确定该网络中各个器件尺寸。
5简述静态CMOS电路的优缺点。
答：静态CMOS电路在电源的两条轨线之间电压的摆幅，即VOH=VDD，VOL=GND。由于上拉和下拉网络是互斥网络，因此电路没有静态功耗。但存在有两个主要问题：一是有N个输入的门uyao晶体管数目为2N个，大大增加了它的实现面积；二是静态CMOS门的传播延时随扇入数的增加而迅速增加。
因此，
3 考虑图3，
a．下面的CMOS晶体管网络实现什么逻辑功能反相器的NMOS W/L=4,
PMOS W/L=8时输出电阻相同，根据这个确定该网络中各个器件尺寸。
b．最初的输入模式是什么，必须采用哪一种输入才能取得最大传输延时
考虑在内部节点中的电容的影响。（给出分析过程）
图3
b. 放电——>充电；为了使延时最小，放电过程要求所有的内部电容全部放电，因此ABCDE=10101；充电过程要求所有的内部电容充电，因此ABCDE=10100；
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说明：1。标准答案务必要正确无误。
络为对偶网络。
3.CMOS反相器的输入从0上升到电源电压，分析在这个过程中各个MOS晶体管工作状态的变化、以及输出的变化，画出CMOS反相器的电压传输曲线。
答：如图所示
4.简述导线的集总RC模型和分布rc线。说明两个模型的关系。
答：集总RC模型将整个导线用一个电容和电阻来代替；分布rc线是将导线的每一段等效单位电容和单位电阻，分布rc线比较复杂，但是精度高。
2．分析图2所示电路，分析其工作原理，并给出该电路实现的逻辑功能。
（给出分析过程）
图2
解：该电路有两部分组成，左侧为以传输门，右侧为一个两器件组成的电路。当B为高电平时，传输门关闭，右侧的电路成为一个反相器， ；当B为低电平时，传输门打开，右侧的电路成为一个性能较差的同向器（右侧电路有效，但不能把强A传输过来）， 。