集成霍尔传感器测量圆形线圈和亥姆霍兹线圈的磁场

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简述圆线圈与亥姆霍兹线圈轴线上磁场的测量

简述圆线圈与亥姆霍兹线圈轴线上磁场的测量

简述圆线圈与亥姆霍兹线圈轴线上磁场的测量一、前言圆线圈和亥姆霍兹线圈是常用的实验室磁场测量装置,它们能够产生均匀的磁场,并且在轴线上的磁场分布也比较稳定。

测量轴线上磁场是这两种线圈最常见的应用之一。

本文将详细介绍如何测量圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场。

二、测量原理测量轴线上的磁场需要使用霍尔元件来进行测量。

霍尔元件是一种基于霍尔效应工作的元件,它能够感受到垂直于其表面的磁场,并且产生电压信号输出。

通过将霍尔元件放置在轴线上,可以得到该位置处的磁场大小。

三、圆线圈轴向磁场测量方法1. 实验装置实验中需要使用一个直径为D的圆形导体制成的线圈,通过通电使其产生一个轴向均匀磁场。

同时,在轴向位置放置一个霍尔元件来进行测量。

2. 实验步骤(1)将电源接入导体制成的线圈,并调整电流大小使得在轴向位置产生一个均匀的磁场。

(2)将霍尔元件放置在轴向位置,并连接到万用表上。

(3)读取万用表显示的电压值,即为该位置处的磁场大小。

四、亥姆霍兹线圈轴向磁场测量方法1. 实验装置实验中需要使用两个相同的半径为R、匝数为N的亥姆霍兹线圈,通过通电使其产生一个轴向均匀磁场。

同时,在轴向位置放置一个霍尔元件来进行测量。

2. 实验步骤(1)将两个亥姆霍兹线圈并排放置,并通过交流电源进行串联。

(2)将电流调整到合适大小,使得在轴向位置产生一个均匀的磁场。

(3)将霍尔元件放置在轴向位置,并连接到万用表上。

(4)读取万用表显示的电压值,即为该位置处的磁场大小。

五、误差分析由于实际情况中难以保证线圈和霍尔元件等设备完全精确,因此测量结果可能存在一定误差。

其中主要误差来源包括以下几个方面:1. 霍尔元件的灵敏度和非线性误差;2. 线圈的制作精度和电流稳定性;3. 测量位置的精度和环境磁场干扰。

六、总结通过对圆线圈和亥姆霍兹线圈轴向磁场测量方法的介绍,我们可以了解到在实验中如何准确地测量轴向磁场大小。

同时,在实际应用中需要注意以上误差来源,并尽可能采取措施减小误差,以保证测量结果的准确性。

3.10霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场剖析

3.10霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场剖析

3.10霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场剖析霍尔法是一种测量电器中磁场强度的方法,又称为霍尔效应。

它是利用霍尔元件来测量电流通过电器时引起的磁场强度的一种技术方法。

霍尔元件是一种半导体器件,它能够将磁场与电场相互作用所产生的电势差转换为电流信号输出。

霍尔元件的基本原理是磁场垂直于载流子运动方向,将导致载流子沿着霍尔元件的边缘方向偏移,从而形成电势差。

因此,当电流通过电器时,我们可以用霍尔元件来测量电器中的磁场强度。

本文将介绍在实验室中如何应用霍尔法来测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场强度。

在这两种线圈中,磁场的分布和大小是非常重要的参数。

圆线圈是由半径为R的导线匝数为N的同轴圆柱,通过其形成的一种线圈。

圆线圈的磁场分布是关于线圈轴对称的,具有最大值Br=μ0NI/2R和最小值Bθ=μ0NI/2。

其中μ0是真空磁导率,I是电流。

亥姆霍兹线圈是由两个同轴圆柱组成的线圈,它们具有相同的半径R、匝数N和电流方向,但是方向相反。

这两个线圈之间的距离为R,这种线圈的特点是有一均匀磁场分布。

这种线圈的磁场大小和磁场分布可以用B=μ0NI/2R来描述。

在测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场时,我们首先需要将线圈从电源中分离出来,然后将线圈的两端连接到一个恒流源。

在保持电流不变的情况下,我们需要确定测量霍尔元件的位置。

霍尔元件应该位于线圈轴线附近,并且应该垂直于轴线方向。

在每个位置上,我们可以测量霍尔元件输出的电势差并计算出磁场强度。

如果我们希望测量圆线圈的磁场分布,我们需要沿着圆线圈的半径方向调整霍尔元件的位置。

在实验中,我们可以使用霍尔元件和数字万用表来测量电势差和电流。

我们还需要一个可调电源来提供恒定的电流。

在实验中,我们需要注意以下几点:1.在测量时需要保持电流稳定,避免产生噪声影响测量结果。

2.在测量磁场分布时,需要多次测量并取平均值,以提高测量精度。

3.在测量位置选择上需要谨慎选择,以保证测量精度。

大学物理实验用霍尔法测直流线圆圈与亥姆霍兹线圈磁场[总结]

大学物理实验用霍尔法测直流线圆圈与亥姆霍兹线圈磁场[总结]

用霍尔法测直流线圆圈与亥姆霍兹线圈磁场1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究载流导体在磁场中受力性质时发现了一种电磁现象,此现象称为“霍尔效应”。

半个多世纪以后,人们发现半导体也有霍尔效应,而且比导体强得多。

随着半导体物理学的迅猛发展,霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。

由高电子迁移率的半导体制成的霍尔传感器已广泛用于磁场测量。

近些年霍尔效应实验不断有新发现。

1980德国的冯·克利青、多尔达和派波尔发现了量子霍尔效应,它不仅可作为一种新型的二维电阻标准,还可改进一些基本常量的测量精度,是当代凝集态物理学和磁学中最惊异的进展之一。

克利青教授也应此项发现荣获1985年的诺贝尔物理学奖金。

目前霍尔传感器典型的应用有:磁感应强度测量仪(又称“特斯拉计”),霍尔位置检测器,无触点开关;霍尔转速测定仪,电功率测量仪等。

在工业、国防、科研中都需要对磁场进行测量,测量磁场的方法有不少,如冲击电流计法、霍耳效应法、核磁共振法、天平法、电磁感法等等,本实验介绍“霍尔效应法测磁场的方法,它具有测量原理简单,测量方法简便及测试灵敏度较高等优点。

【实验目的】1. 了解用霍尔效应法测量磁场的原理,掌握FB5 11型磁场实验仪的使刚方法。

2. 了解载流圆线圈的径向磁场分布情况。

3. 测量载流圆线圈和亥姆霍兹线圈的轴线上的磁场分布。

4. 两平行线圈的间距改变为d=R /2和d=2R 时,测定其轴线上的磁场分布。

【实验原理】1.载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场(1)载流圆线圈磁场一半径通以直流电流I 的圆线圈,其轴线上磁场强度的表达式为:2/322200)(2X R R I N B +⋅⋅⋅⋅=μ (1)式中0N 为圆线圈的匝数,x 为轴上某一点到圆心'O 的距离,70104-⨯=πμH /m ,磁场分布图如图1所示。

图 1 图 2本实验取0N =400匝,I =0.400A ,R =0.100m,圆心'O 处X =0,可算得磁感应强度为:B=1.0053×310-T 。

集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场实验报告

集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场实验报告

集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场实验报告实验报告一、实验目的本实验旨在通过使用集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场,加深对磁场基本概念及测量方法的理解,掌握霍尔效应原理及应用。

二、实验原理1.霍尔效应原理霍尔效应是指当电流垂直于外磁场方向通过半导体时,在垂直于电流和磁场的方向上会产生电动势的现象。

霍尔效应的原理可由下式表示:V_H = K_H * I * B其中,V_H为霍尔电压,K_H为霍尔系数,I为工作电流,B为磁感应强度。

2.圆线圈磁场分布通电线圈的磁场分布可用毕奥-萨伐尔定律描述。

对于圆线圈,其轴线上的磁感应强度可由下式计算:B = (μ₀I) / (2R) * [cos(θ₁) - cos(θ₂)]其中,μ₀为真空磁导率,I为线圈电流,R为线圈半径,θ₁和θ₂为线圈两端与轴线上某点的连线与线圈平面法线的夹角。

3.亥姆霍兹线圈磁场分布亥姆霍兹线圈是由两个相同线圈平行放置,通以同向电流构成。

在两线圈中心连线上的中点附近,磁场可近似看作均匀。

其磁感应强度可由下式计算:B = (8μ₀NI) / (5√5a)其中,N为线圈匝数,a为两线圈间距。

三、实验步骤与记录1.准备工作(1)将集成霍尔传感器、电流表、电压表、圆线圈、亥姆霍兹线圈、直流电源等连接成实验电路。

(2)检查实验装置连接是否正确,确保电源接地良好。

(3)预热集成霍尔传感器5分钟。

2.测量圆线圈磁场分布(1)将集成霍尔传感器放置在圆线圈轴线上,调整传感器位置,记录传感器与线圈中心的距离。

(2)通入不同大小的电流,记录电流值及对应的霍尔电压值。

(3)改变传感器与线圈中心的距离,重复步骤(2)。

(4)根据实验数据绘制圆线圈轴线上的磁感应强度分布曲线。

3.测量亥姆霍兹线圈磁场分布(1)将集成霍尔传感器放置在亥姆霍兹线圈中心连线上,调整传感器位置,使其位于两线圈中心连线的中点附近。

(2)通入不同大小的电流,记录电流值及对应的霍尔电压值。

亥姆霍兹线圈的测量磁场

亥姆霍兹线圈的测量磁场

(9) (10)
式中: K H 称为元件的灵敏度,它表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流
下的霍尔电势大小,其单位是[ mV / mAT ],一般要求 K H 愈大愈好。由于金属的电子浓度(n)
很高,所以它的 RH 或 K H 都不大,因此不适宜作霍尔元件。此外元件厚度 d 愈薄, K H 愈高, 所以制作时,往往采用减少 d 的办法来增加灵敏度,但不能认为 d 愈薄愈好,因为此时元件 的输入和输出电阻将会增加,这对霍尔元件是不希望的。
图 3 亥姆霍兹线圈磁场测试架
图 4 型亥姆霍兹线圈磁场测试架面板 2.主要技术性能 (1)环境适应性:工作温度 5~35℃;相对湿度 25~85%。
图 5 亥姆霍兹线圈磁场测量仪面板 (2)亥姆霍兹线圈架
(2)亥姆霍兹线圈
亥姆霍兹线圈是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈,。两线圈内的电流方向一致,大小 相同。线圈之间距离 d 正好等于圆形线圈的半径 R。这种线圈的特点是能在其公共轴线中点 附近产生较广的均匀磁场区,故在生产和科研中有较大的实用价值,也常用于弱磁场的计量 标准。
设 z 为亥姆霍兹线圈中轴线上某点离中心点 O 处的距离,则亥姆霍兹线圈轴线上任一点 的磁感应强度为
(1)
式中 N0 为圆线圈的匝数,X 为轴上某一点到圆心 0 的距离。
μ0 = 4π ×10−7 H/m,它的分布图如图 1 所示。
图 1 单个圆环线圈磁场分布
图 2 亥姆霍兹线圈磁场分布
本实验取 N0 =500 匝,I=500mA,R=110mm,圆心 O 处 X=0,可算得圆电流线圈磁感应强
度 B=1.43mT。
ISB d
=
RH
ISB d
(8)
即霍尔电压VH (A、B 问电压)与 Is、B 的乘积成正比,与霍尔元件的厚度成反比,比例

[整理]圆线圈与亥姆霍兹线圈轴线上磁场的测量

[整理]圆线圈与亥姆霍兹线圈轴线上磁场的测量

圆线圈与亥姆霍兹线圈轴线上磁场的测量加灰色底纹部分是预习报告必写部分圆线圈和亥姆霍兹线圈磁场描绘是一般综合性大学和工科院校物理实验教学大纲中重要实验之一。

通过该实验可以使学生学习并掌握对弱磁场的测量方法,验证磁场的迭加原理,按教学要求描绘出磁场的分布图。

本实验仪器选用先进的玻莫合金磁阻传感器,测量圆线圈和亥姆霍兹线圈磁场。

该传感器与传统使用的探测线圈、霍尔传感器相比,具有灵敏度高、抗干扰性强、可靠性好及便于安装等诸多优点,可用于实验者深入研究弱磁场和地球磁场等,是描绘磁场分布的最佳升级换代产品。

【实验目的】1. 了解和掌握用一种新型高灵敏度的磁阻传感器测定磁场分布的原理;2. 测量和描绘圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布,验证毕—萨定理; 【实验仪器】1.516FB 型磁阻传感器法磁场描绘仪(见图5)套(共2件):2.仪器技术参数:① 线圈有效半径:cm 0.10R =,单线圈匝数: 匝100N =; ② 数显式恒流源输出电流:mA 0.199~0连续可调;稳定度为字1%2.0±;③ 数显式特斯拉计:μT 1 ,μT 1999~0 2,μT 1.0 ,μT 9.199~0 1分辨率量程分辨率量程;④ 测试平台:mm 160300⨯;⑤ 交流市电输入: Hz 50 %,10V 220AC ±。

【实验原理】 1. 磁阻效应与磁阻传感器:物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。

对于铁、钴、镍及其合金等磁性金属,当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时,电阻几乎不随外加磁场变化;当外加磁场偏离金属的内部磁化方向时,此类金属的电阻减小,这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。

磁阻传感器由长而薄的坡莫合金(铁镍合金)制成一维磁阻微电路集成芯片(二维和三维磁阻传感器可以测量二维或三维磁场)。

它利用通常的半导体工艺,将铁镍合金薄膜附着在硅片上,如图1所示。

薄膜的电阻率)(θρ依赖于磁化强度M 和电流I 方向间的夹角θ,具有以下关系式: θρ-ρ+ρ=θρ⊥⊥2cos )()(∥ (1)其中//ρ、⊥ρ分别是电流I 平行于M 和垂直于M 时的电阻率。

大学物理实验用霍尔法测直流线圆圈与亥姆霍兹线圈磁场

大学物理实验用霍尔法测直流线圆圈与亥姆霍兹线圈磁场
设P型样品的载流子浓度为p,宽度为 ,厚度为d,通过样品电流, ,则空穴的速度 代入(3)式有:
(4)
上式两边各乘以∞,便得到:
(5)
其中 上称为霍尔系数,在应用中一般写成:
(6)
比例系数 称为霍尔元件的灵敏度,单位为mV/( )。一般要求 愈大愈好。 与载流子浓度p成反比,、半导体内载流子浓度远比金属载流子浓度小,所以都用半导体材料作为霍尔元件, 与材料片厚d成反比,为了增大 值,霍尔元件都做得很薄,一般只有0.2mm厚。
2.用霍尔效应测磁场的原理
霍尔元件的作用如图3所示.若电流I流过厚度为d的半导体薄片,且磁场B垂直作用于该半导体,则电子流方向由于洛伦兹力作用而发生改变,该现象称为霍尔效应,在薄片两个横向面a、b之间与电流I,磁场垂直方向产生的电势差称为霍尔电势。
霍尔电势差是这样产生的:当电流, 通过霍尔元件(假设为P型)时,空穴有一定的漂移速度v,垂直磁场对运动电荷产生一个洛伦兹力
3.把上述两个圆电流线圈的间距分别调到d=R/2,和d=2R,重复步骤2,并将测量数据记录到表3,在同一方格纸上画出B—X曲线。
4.测量圆电流线圈沿径向的磁场分布。按实验内容2的要求,固定探头方向与圆电流轴线D的夹角为0°,径向移动探头,每移动1.0cm测量一个数据,按一个方向测到边缘为止,记录数据并作出磁场分布B—X曲线图。
(2)
式中g为电子电荷,洛仑兹力使电荷产生横向的偏转,由于样品有边界,所 以偏转的载流子将在边界积累起来,产生—个横向电场E,直到电场对载流子的作用力 q·E与磁场作用的洛仑兹力相抵消为止,即
(3)
这时电荷在样品中流动时不再偏转,霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。
如果是N型样品,则横向电场与前者相反,所以N型样品和P型样品的霍尔电势差有不同的符号,据此可以判断霍尔元件的导电类型。

3.10霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈地磁场

3.10霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈地磁场

3.10霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。

1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象,故称霍尔效应。

后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器,但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。

随着半导体材料和制造工艺的发展,人们又利用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到实用和发展,现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。

在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。

近年来,霍尔效应实验不断有新发现。

1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性,在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应,这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。

目前对量子霍尔效应正在进行深入研究,并取得了重要应用,例如用于确定电阻的自然基准,可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。

在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中,霍尔效应及其元件是不可缺少的,利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。

【实验目的】1、测量单个通电圆线圈中磁感应强度;2、测量亥姆霍兹线圈轴线上各点的磁感应强度;3、测量两个通电圆线圈不同间距时的线圈轴线上各点的磁感应强度;4、测量通电圆线圈轴线外各点的磁感应强度。

【实验仪器】DH4501N型三维亥姆霍兹线圈磁场实验仪一套【实验原理】1霍尔效应霍尔效应从本质上讲,是运动的带电粒图3-10-1子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。

当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积,从而形成附加的横向电场。

如右图3-10-1所示,磁场B位于Z的正向,与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流Is(称为工作电流),假设载流子为电子(N型半导体材料),它沿着与电流Is相反的X负向运动。

由于洛仑兹力f L作用,电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转,并使B 侧形成电子积累,而相对的A 侧形成正电荷积累。

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实验报告
班级: 姓名: 学号:
一、实验名称
集成霍尔传感器测量圆形线圈和亥姆霍兹线圈的磁场
二、实验目的
1、掌握霍尔效应原理测量磁场;
2、测量单匝载流原线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布。

三、实验仪器
亥姆霍兹线圈磁场测定仪、包括圆线圈和亥姆霍兹线圈平台(包括两个圆线圈、固定夹、不锈钢直尺等)、高灵敏度毫特计和数字式直流稳压电源。

四、实验原理
1、圆线圈的磁场
根据毕奥—萨伐尔定律,载流线圈在轴线上某点的磁感应强度为:
NI x R R
B 2
322
20)
(2+=
μ
式中I 为通过线圈的电流强度,R 为线圈平均半径,x 为圆心到该点的距离,N 为线圈的匝数,A m T /1047
0⋅⨯=-πμ,为真空磁导率。

因此,圆心处的磁感应强度为
NI
R
B 20
μ=
2、亥姆霍兹线圈的磁场
亥姆霍兹线圈:两个半径和匝数完全相同的线圈,其轴向距离等于线圈的半径。

这种线圈的特点是当线圈串联连接并通以稳定的直流电后,就可在线圈中心区域内产生较为均匀性较好的磁场,因而成为磁测量等物理实验的重要组成部件,与永久磁铁相比,亥姆霍兹线圈所产生的磁场在一定范围内具有一定的均匀性,且产生的磁场具有一定的可调性,可以产生极微弱的磁场直至数百高斯的磁场,同时在不通电的情况下不会产生环境磁场。

亥姆霍兹线圈如图所示,是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈,两线圈内电流方向一致,大小相同,线圈之间距离d 正好等于圆形线圈的半径R 。

设z 为亥姆霍兹线圈中轴线上某点离中心点O
处的距离,根据毕奥—萨伐尔定律及磁
场叠加原理可以从理论上计算出亥姆霍兹线圈轴上任意一点的磁感应强度为

⎬⎫⎩⎨⎧-++++⋅⋅⋅='--232
2232220]z 2([]z 2([21))R R R R R I N B μ
而在亥姆霍兹线圈上中心O 处的磁感应强度'
B 为
R I
N B ⋅⋅=
02
3
'
058μ 当线圈通有某一电流时,两线圈磁场合成如图 可看出,两线圈之间轴线上磁感应强度在相当大的范围内是均匀的。

3、测量亥姆霍兹线圈磁场的方法——霍尔效应法
直接测量,设备简单,操作容易,适用于弱磁场和非均匀磁场的测量,霍尔探头经定标后可直接显示磁感应强度值。

五、实验步骤
1、载流圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上各点磁感应强度的测量
(1)先按要求将各导线连接好,直流稳压电源中数字电流表已串接在电源的一个输出端,测量电流I=100 mA 时,单线圈a 轴线上各点磁感应强度a B ,每隔1.00 cm 测量一个数据。

实验中,随时观察毫特斯拉计探头是否沿线圈轴线移动。

每测量一个数据,必须先在直流电源输出电路断开(I=0)调零后,才测量和记录数据。

将测得数据填入表1中。

(2)用理论公式计算圆线圈中轴线上各点的磁感应强度,将计算结果填入表1中并与实验测量结果进行比较。

(3)在轴线上某点转动毫特斯拉计探头,观察一下该点磁感应强度测量值的变化规律,并判断该点磁感应强度的方向。

(4)将线圈a 和线圈b 之间的距离d 调整到d=10.00 cm ,这时,组成一个亥姆霍兹线圈。

取电流值I=100 mA ,分别测量两线圈单独通电时,轴线上各点的磁感应强度值a B 和b B ,然后将亥姆霍兹线圈在通同样电流I=100mA ,在轴线上的磁感应强度值b a B +,将测量结果填入表2中。

证明在轴线上的点b a b a B B B +=+,即载流亥姆霍兹线圈轴线上任一点磁感应强度是两个载流单线圈在该点上产生的磁感应强度之和。

(5)分别把亥姆霍兹线圈间距调整为2
R
d =
和R d 2=,与步骤(4)类似,测量在电流为I=100mA 时轴线上各点的磁感应强度值,将测量结果分别填入表3和表4中。

(6)作间距2
R
d =
,R d =,R d 2=时,两个线圈轴线上磁感应强度B 与位置z 之间关系图,即B-z 图,验证磁场叠加原理。

2、载流圆线圈通过轴线平行面上的磁感应线分布的描绘
2
R 2
R
R
R
B
把一张坐标纸黏贴在包含线圈轴线的水平面上,可自行选择恰当的点,把探测器底部传感器对准此点,然后亥姆霍兹线圈通过I=100mA 电流。

转动探测器,观测毫特斯拉计的读数值,读数值为最大时传感器的法线方向,即为该点的磁感应强度方向。

比较轴线上的点与远离轴线点磁感应强度方向变化情况。

近似画出载流亥姆霍兹线圈磁感应线分布图。

3、注意事项
(1)接好电路后,打开电源预热10min 后才能进行实验。

(2)每测量一点磁感应强度值时应断开线圈电流(路),在电流为零时调探测器为零,然后接通线圈电流(路)进行测量和读数。

调零的作用是抵消地磁场的影响及其他不稳定因素的补偿。

(3)注意平台上的标度尺不要压在载流线圈的轴线上,标度尺应平行于平台的中轴线并与平台中轴线距离为1.00 cm 。

(4)测量时,探测器的探测孔朝下并与待测点对应,并注意探测器本身的尺寸。

(5)在测量亥姆霍兹线圈磁场B 时,必须串联两线圈里的电流。

六、记录数据、表格
表1 单线圈轴线上磁场感应强度
位置/cm -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 测量值
0.123 0.142 0.166 0.190 0.214 0.242 0.264 0.287 0.300 0.309 理论值 百分误差 位置/cm +1 +2 +3 +4 +5 +6 +7 +8 +9 测量值
0.307 0.298 0.280 0.257 0.233 0.206 0.181 0.159 0.137 理论值 百分误差
表2 亥姆霍兹线圈轴线上磁感应强度
位置/cm -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 单线圈磁场a B 0.259 0.280 0.297 0.308 0.310 0.305 0.287 0.266 0.240 0.217 单线圈磁场b B
0.062 0.072 0.082 0.096 0.111 0.130 0.150 0.172 0.196 0.223 b a B B +
亥姆霍兹线圈的磁场B
0.320 0.355 0.384 0.409 0.425 0.437 0.440 0.442 0.442 0.444 位置/cm +1 +2 +3 +4 +5 +6 +7 +8 +9 单线圈磁场a B 0.191 0.167 0.144 0.126 0.109 0.095 0.081 0.069 0.061 单线圈磁场b B
0.250 0.273 0.294 0.308 0.312 0.308 0.294 0.274 0.253 b a B B +
亥姆霍兹线圈的磁场B
0.448
0.445
0.444
0.437
0.425
0.405
0.381
0.346
0.314
两线圈间距d=10 cm 。

七、结果处理、作图作图:
八、思考题
预习思考题:
1、为什么在实验中每测量一点的磁感应强度之前必须调零?
答:在实验中,测量坐标板上的每一点由于所处的环境不同,所受到周围环境的电磁波大小就有一个差异。

因为我们在实验中主要是研究在该点由这个线圈所激发的磁场的磁感应强度是多少,所以绝对有这个必要在测量每一点之前调零来排除周围环境的电磁波的影响。

2、在测量磁感应强度时,如何放置探测器探头以确保测量值是该处的磁感应强度的大小?
答:左右、上下、角度、仰角均微微移动,读到最大值,法线方向即磁场方向。

操作后思考题:
1、本实验采用什么原理测量磁场?
答:线性霍尔基于霍尔效应,将感应的磁场强度转化为相应的输出电压,使用者可由电压得出磁场强度,线性霍尔的灵敏度和感应范围不同型号不同。

2、亥姆霍兹线圈的磁场分布有什么特点?
答 在一个通电圆圈中,其磁场分布根据毕奥-萨伐尔定律,在过圆心而且垂直于线圈
平面的轴线上距离圆心X 处,磁场大小为NI x R R
B 2
3
22
20)
(2+=
μ,其中I 为电流大小 R 为圆
圈半径0μ为一个常数。

亥姆霍兹线圈是两个彼此平行且连通的共轴圆形线圈,他的磁场分布是两个通电圆圈磁场的叠加。

半径和两个圆圈的距离不同,叠加的结果也不同。

两个线圈之外是逐渐减弱的。

但是两个线圈之间可能是中间最弱,也可以是中间最强,还可以是匀强磁场。

3、若将两线圈通以相反方向的电流,则在两线圈内部和外部的轴线上的磁场将会怎样分布?
答:其内部磁场将会相互抵消,而外部磁场则维持跟原来一样。

4、MATLAB 是一种用于算法开发、数据可视化、数据分析以及数值计算的高级技术计算语言和交互式环境。

使用MA TLAB ,您可以较使用传统的编程语言(如C 、C++和Fortran )更快的解决技术计算问题。

您能用MATLAB 快速绘制出亥姆霍兹线圈磁场的空间分布吗?
答:很遗憾,不会→_→。

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