圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场
简述圆线圈与亥姆霍兹线圈轴线上磁场的测量
简述圆线圈与亥姆霍兹线圈轴线上磁场的测量一、前言圆线圈和亥姆霍兹线圈是常用的实验室磁场测量装置，它们能够产生均匀的磁场，并且在轴线上的磁场分布也比较稳定。
测量轴线上磁场是这两种线圈最常见的应用之一。
本文将详细介绍如何测量圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场。
二、测量原理测量轴线上的磁场需要使用霍尔元件来进行测量。
霍尔元件是一种基于霍尔效应工作的元件，它能够感受到垂直于其表面的磁场，并且产生电压信号输出。
通过将霍尔元件放置在轴线上，可以得到该位置处的磁场大小。
三、圆线圈轴向磁场测量方法1. 实验装置实验中需要使用一个直径为D的圆形导体制成的线圈，通过通电使其产生一个轴向均匀磁场。
同时，在轴向位置放置一个霍尔元件来进行测量。
2. 实验步骤（1）将电源接入导体制成的线圈，并调整电流大小使得在轴向位置产生一个均匀的磁场。
（2）将霍尔元件放置在轴向位置，并连接到万用表上。
（3）读取万用表显示的电压值，即为该位置处的磁场大小。
四、亥姆霍兹线圈轴向磁场测量方法1. 实验装置实验中需要使用两个相同的半径为R、匝数为N的亥姆霍兹线圈，通过通电使其产生一个轴向均匀磁场。
同时，在轴向位置放置一个霍尔元件来进行测量。
2. 实验步骤（1）将两个亥姆霍兹线圈并排放置，并通过交流电源进行串联。
（2）将电流调整到合适大小，使得在轴向位置产生一个均匀的磁场。
（3）将霍尔元件放置在轴向位置，并连接到万用表上。
（4）读取万用表显示的电压值，即为该位置处的磁场大小。
五、误差分析由于实际情况中难以保证线圈和霍尔元件等设备完全精确，因此测量结果可能存在一定误差。
其中主要误差来源包括以下几个方面：1. 霍尔元件的灵敏度和非线性误差；2. 线圈的制作精度和电流稳定性；3. 测量位置的精度和环境磁场干扰。
六、总结通过对圆线圈和亥姆霍兹线圈轴向磁场测量方法的介绍，我们可以了解到在实验中如何准确地测量轴向磁场大小。
同时，在实际应用中需要注意以上误差来源，并尽可能采取措施减小误差，以保证测量结果的准确性。
3.10霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场剖析
3.10霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场剖析霍尔法是一种测量电器中磁场强度的方法，又称为霍尔效应。
它是利用霍尔元件来测量电流通过电器时引起的磁场强度的一种技术方法。
霍尔元件是一种半导体器件，它能够将磁场与电场相互作用所产生的电势差转换为电流信号输出。
霍尔元件的基本原理是磁场垂直于载流子运动方向，将导致载流子沿着霍尔元件的边缘方向偏移，从而形成电势差。
因此，当电流通过电器时，我们可以用霍尔元件来测量电器中的磁场强度。
本文将介绍在实验室中如何应用霍尔法来测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场强度。
在这两种线圈中，磁场的分布和大小是非常重要的参数。
圆线圈是由半径为R的导线匝数为N的同轴圆柱，通过其形成的一种线圈。
圆线圈的磁场分布是关于线圈轴对称的，具有最大值Br=μ0NI/2R和最小值Bθ=μ0NI/2。
其中μ0是真空磁导率，I是电流。
亥姆霍兹线圈是由两个同轴圆柱组成的线圈，它们具有相同的半径R、匝数N和电流方向，但是方向相反。
这两个线圈之间的距离为R，这种线圈的特点是有一均匀磁场分布。
这种线圈的磁场大小和磁场分布可以用B=μ0NI/2R来描述。
在测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场时，我们首先需要将线圈从电源中分离出来，然后将线圈的两端连接到一个恒流源。
在保持电流不变的情况下，我们需要确定测量霍尔元件的位置。
霍尔元件应该位于线圈轴线附近，并且应该垂直于轴线方向。
在每个位置上，我们可以测量霍尔元件输出的电势差并计算出磁场强度。
如果我们希望测量圆线圈的磁场分布，我们需要沿着圆线圈的半径方向调整霍尔元件的位置。
在实验中，我们可以使用霍尔元件和数字万用表来测量电势差和电流。
我们还需要一个可调电源来提供恒定的电流。
在实验中，我们需要注意以下几点：1.在测量时需要保持电流稳定，避免产生噪声影响测量结果。
2.在测量磁场分布时，需要多次测量并取平均值，以提高测量精度。
3.在测量位置选择上需要谨慎选择，以保证测量精度。
实验四圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场报告范例
实验四圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场报告范例本实验旨在研究圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场分布，通过实验测量得到磁场强度与位置之间的关系，探究两种线圈的特点和应用。
1.实验原理磁场是物理学的重要分支之一，其产生方式有很多种，其中电流是较常见的一种方式。
利用电流通过导线时会产生磁场，形成磁通量，为了观测和量化磁场的特性，可以通过磁场强度和磁通量密度来描述和表示。
圆线圈：当通过圆线圈时，其磁场强度在中心处最大，随着距离的增加，其值会逐渐减小，符合以下公式：$$B(r)={\mu_0 \over 2} {N I \over R} ({R^2 \over R^2+z^2})^{3/2}$$其中，B为磁场强度，$\mu_0$为磁导率，N为线圈匝数，I为通电电流，R为线圈半径，z为测量点至线圈中心距离。
亥姆霍兹线圈：亥姆霍兹线圈由两个相同半径的环形线圈组成，且距离相等，其磁场强度分布与圆线圈类似，但是其形状更为均匀，符合以下公式：2.实验装置和步骤装置：直流稳压电源，圆线圈，亥姆霍兹线圈，磁场强度计，电流表，多用万用表。
步骤：1）用万用表测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的导线电阻，记录数据。
2）将直流稳压电源接入圆线圈，调节电源电压，使电流表读数为测量电流，记录数据。
3）将磁场强度计放置于不同位置，记录测量值，并计算磁场强度。
4）重复步骤2~3，改变亥姆霍兹线圈距离、线圈电流强度，记录测量值，计算磁场强度。
3.数据处理1）电线电阻$a.圆线圈电阻：0.512 \Omega$；$b.亥姆霍兹线圈电阻：0.205\Omega$。
2）圆线圈磁场测量数据：电流I/A 0.5 1 1.5 2 2.5位置r/cm 磁场B/mT 地磁场B0/mT 磁场B=mT-B0 求数值0 28.54 14.43 14.11 0.4912 20.22 14.43 5.79 0.2003 16.55 14.43 2.12 0.0734 11.73 14.43 -2.70 -0.0935 9.02 14.43 -5.41 -0.1866 5.35 14.43 -9.08 -0.3137 3.72 14.43 -10.71 -0.3708 2.54 14.43 -11.89 -0.410$d = 20$cm，I=1A4.数据分析4.1圆线圈根据公式，将测量数据计算得到图1.图1圆线圈磁场强度分布从图1中可以看出，随着距离的增加，圆线圈的磁场强度值逐渐降低，符合理论预测的规律，且磁场强度与距离的平方成反比关系。
霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场
3、励磁电流大小对磁场强度的影响
此时可以选择单线圈或者亥姆霍兹线圈磁场分布 测量的连线方法之一进行连线，仍然在励磁电流 为零的情况下将磁感应强度清零。 调节磁场测量仪的励磁电流调节电位器，使表头 显示值为100mＡ,将霍尔传感器的位置调节到以 圆电流线圈中心位置或者亥姆霍兹线圈中心位置。 调节励磁电流调节电位器，每增加100mA记下一 磁感应强度B的值，直到励磁电流显示为500mA 记下一磁感应强度B值为止。
4.励磁电流大小与磁场强度的关系
表4 励磁电流大小与磁场强度 测量的数据
励磁电流（mA） B（mT） 100 200 300 400 500
实验内容
1、测量圆电流线圈轴线上磁场的分布
连接好线路，调节励磁电流为零，将磁感应强 度清零。
调节磁场测量仪的励磁电流调节电位器， 使表头显示值为500mＡ,此时毫特计表头 应显示一对应的磁感应强度B值。 以圆电流线圈中心为坐标原点，每隔10.0 mm测一磁感应强度B的值，测量过程中注 意保持励磁电流值不变。
2、测量亥姆霍兹线圈轴线上磁场的分布
按图接线，然后在励磁电流为零的情况下将磁 感应强度清零。 调节磁场测量仪的励磁电流调节电位器，使表头 显示值为500mＡ,此时毫特计表头应显示一对应 的磁感应强度B值。 以亥姆霍兹线圈中心为坐标原点，每隔10.0 mm 测一磁感应强度B的值，测量过程中注意保持励 磁电流值不变。
集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场实验报告
集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场实验报告实验报告一、实验目的本实验旨在通过使用集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场，加深对磁场基本概念及测量方法的理解，掌握霍尔效应原理及应用。
二、实验原理1.霍尔效应原理霍尔效应是指当电流垂直于外磁场方向通过半导体时，在垂直于电流和磁场的方向上会产生电动势的现象。
霍尔效应的原理可由下式表示：V_H = K_H * I * B其中，V_H为霍尔电压，K_H为霍尔系数，I为工作电流，B为磁感应强度。
2.圆线圈磁场分布通电线圈的磁场分布可用毕奥-萨伐尔定律描述。
对于圆线圈，其轴线上的磁感应强度可由下式计算：B = (μ₀I) / (2R) * [cos(θ₁) - cos(θ₂)]其中，μ₀为真空磁导率，I为线圈电流，R为线圈半径，θ₁和θ₂为线圈两端与轴线上某点的连线与线圈平面法线的夹角。
3.亥姆霍兹线圈磁场分布亥姆霍兹线圈是由两个相同线圈平行放置，通以同向电流构成。
在两线圈中心连线上的中点附近，磁场可近似看作均匀。
其磁感应强度可由下式计算：B = (8μ₀NI) / (5√5a)其中，N为线圈匝数，a为两线圈间距。
三、实验步骤与记录1.准备工作（1）将集成霍尔传感器、电流表、电压表、圆线圈、亥姆霍兹线圈、直流电源等连接成实验电路。
（2）检查实验装置连接是否正确，确保电源接地良好。
（3）预热集成霍尔传感器5分钟。
2.测量圆线圈磁场分布（1）将集成霍尔传感器放置在圆线圈轴线上，调整传感器位置，记录传感器与线圈中心的距离。
（2）通入不同大小的电流，记录电流值及对应的霍尔电压值。
（3）改变传感器与线圈中心的距离，重复步骤（2）。
（4）根据实验数据绘制圆线圈轴线上的磁感应强度分布曲线。
3.测量亥姆霍兹线圈磁场分布（1）将集成霍尔传感器放置在亥姆霍兹线圈中心连线上，调整传感器位置，使其位于两线圈中心连线的中点附近。
（2）通入不同大小的电流，记录电流值及对应的霍尔电压值。
[整理]圆线圈与亥姆霍兹线圈轴线上磁场的测量
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圆线圈与亥姆霍兹线圈轴线上磁场的测量加灰色底纹部分是预习报告必写部分圆线圈和亥姆霍兹线圈磁场描绘是一般综合性大学和工科院校物理实验教学大纲中重要实验之一。
通过该实验可以使学生学习并掌握对弱磁场的测量方法，验证磁场的迭加原理，按教学要求描绘出磁场的分布图。
本实验仪器选用先进的玻莫合金磁阻传感器，测量圆线圈和亥姆霍兹线圈磁场。
该传感器与传统使用的探测线圈、霍尔传感器相比，具有灵敏度高、抗干扰性强、可靠性好及便于安装等诸多优点，可用于实验者深入研究弱磁场和地球磁场等，是描绘磁场分布的最佳升级换代产品。
【实验目的】1. 了解和掌握用一种新型高灵敏度的磁阻传感器测定磁场分布的原理；2. 测量和描绘圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布，验证毕—萨定理； 【实验仪器】1．516FB 型磁阻传感器法磁场描绘仪（见图5）套（共2件）：2．仪器技术参数：① 线圈有效半径：cm 0.10R =，单线圈匝数： 匝100N =； ② 数显式恒流源输出电流：mA 0.199~0连续可调；稳定度为字1%2.0±；③ 数显式特斯拉计：μT 1 ,μT 1999~0 2,μT 1.0 ,μT 9.199~0 1分辨率量程分辨率量程；④ 测试平台：mm 160300⨯；⑤ 交流市电输入： Hz 50 %,10V 220AC ±。
【实验原理】 1． 磁阻效应与磁阻传感器：物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。
对于铁、钴、镍及其合金等磁性金属，当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时，电阻几乎不随外加磁场变化；当外加磁场偏离金属的内部磁化方向时，此类金属的电阻减小，这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。
磁阻传感器由长而薄的坡莫合金(铁镍合金)制成一维磁阻微电路集成芯片(二维和三维磁阻传感器可以测量二维或三维磁场)。
它利用通常的半导体工艺，将铁镍合金薄膜附着在硅片上，如图1所示。
薄膜的电阻率)(θρ依赖于磁化强度M 和电流I 方向间的夹角θ，具有以下关系式： θρ-ρ+ρ=θρ⊥⊥2cos )()(∥ （1）其中//ρ、⊥ρ分别是电流I 平行于M 和垂直于M 时的电阻率。
霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场资料
霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场资料1. 实验目的1）了解霍尔效应的基本原理和测量方法；3）掌握常用电子仪器的使用方法。
2. 实验原理霍尔效应是指由于导体中存在外加磁场而引起的横向电场现象。
当一个导体在直流磁场中移动时，电子在导体中受到洛伦兹力的作用，使得电子在导体中运动方向的垂直方向上出现了电场，这个现象就称为霍尔效应。
在磁场中，电子的运动方向与磁场方向垂直，因此在运动方向和磁场方向之间存在着洛伦兹力，即F=q（v×B）=qVBsinθ。
因此，在导电材料中，磁场垂直于电流方向时，就会在导体两侧产生电势差。
这即是霍尔效应。
如果把一个霍尔元件放在磁场中，则输出电压U与外加磁场B、霍尔元件的材料与尺寸有关，可以用下面这个公式描述：U=KIB其中，K是霍尔系数，其表征了所用霍尔元件特征；I是电流强度；B是磁场强度。
圆线圈是一种通电后产生磁场的器件，由于线圈的导线排列方式和电流方向都对电磁场的分布产生决定性的影响，因此需要通过实验来测量和确定磁场的分布。
亥姆霍兹线圈是由两个半径相同、电流方向相同的同心环形线圈组成，这两个线圈之间的距离等于它们的半径，对于它们产生的磁场，中心区域的磁感应强度基本稳定，因此常用作磁场源。
3. 实验仪器与器材磁场强度测量仪（霍尔元件、磁场探头、电流源）4. 实验步骤4.1 测量圆线圈的磁场（1）在圆线圈的中心点放置霍尔元件和磁场探头；（2）将电流源连接到圆线圈上，调整电流大小，记录不同位置的磁场强度和霍尔元件输出电压值，并画出磁场分布图；（3）比较实验得到的磁场分布图和理论分布图，分析其误差原因。
（1）将亥姆霍兹线圈放置在磁场强度测量仪的测量平台上，并将磁场探头放在亥姆霍兹线圈的中心点处；（2）测量电流为$I=1A$时，在不同距离（$d_1=10cm,d_2=12cm,d_3=14cm$）处的磁场强度和霍尔元件输出电压值，并画出磁场分布图；（3）将电流调整为$I=2A$，重复（2）中的步骤；5. 实验注意事项1）测量时尽量选择较低的电流，以防止线圈烧毁；2）在测量线圈磁场分布时，探头须与线圈距离尽量近，以提高精度；3）实验中要注意读表误差及外界干扰等因素的影响。
霍尔法测直流圆线圈与亥姆霍兹线圈磁场
用霍尔法测直流圆线圈与亥姆霍兹线圈磁场【实验目的】1．了解用霍尔效应法测量磁场的原理，掌握511FB 型霍尔法亥姆霍兹线圈磁场实验仪的使用方法。
2．了解载流圆线圈的径向磁场分布情况。
3．测量载流圆线圈和亥姆霍兹线圈的轴线上的磁场分布。
4．两平行线圈的间距改变为R 2d 2/R d ==和时,测定其轴线上的磁场分布。
【实验仪器】霍尔法亥姆霍兹线圈磁场实验仪（包括测试架）。
【实验原理】1．载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场 （1）载流圆线圈磁场一半径为R ，通以直流电流I 的圆线圈，其轴线上离圆线圈中心距离为X 米处的磁感应强度的表达式为:2/322200)X R (2R I N B +∙∙∙∙μ= （1） 式中0N 为圆线圈的匝数，X 为轴上某一点到圆心O '的距离，,m /H 10470-⨯π=μ 磁场的分布图如图1所示，是一条单峰的关于Y 轴对称的曲线。
本实验取,m 100.0R ,A 400.0I ,400N 0===匝在圆心0X O ='处，可算得磁感应强度为 ： T 100053.1B 3-⨯= （2）亥姆霍兹线圈两个完全相同的圆线圈彼此平行且共轴，通以同方向电流I ，线圈间距等于线圈半径R时，从磁感应强度分布曲线可以看出，（理论计算也可以证明）：两线圈合磁场在中心轴线上（两线圈圆心连线）附近较大范围内是均匀的，这样的一对线圈称为亥姆霍兹线圈，如图2所示。
从分布曲线可以看出，在两线圈中心连线一段，出现一个平台，这说明该处是匀强磁场，这种匀强磁场在科学实验中应用十分广泛。
比如，大家熟悉的显像管中的行偏转线圈和场偏转线圈就是根据实际情况经过适当变形的亥姆霍兹线圈。
2．利用霍尔效应测磁场的原理霍尔元件的作用如 图3所示.若电流I 流过厚度为d 的矩形半导体薄片，且磁场B 垂直作用于该半导体 , 由于洛伦兹力作用电流方向会发生改变，这一现象称为霍尔效应，在薄片两个横向面a 、b 之间产生的电势差称为霍尔电势。
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圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场
磁场测量是磁测量中最基本的容，最常用的测量方法有三种；感应法、核磁共振法和霍尔效应法。
本实验要求学生用霍尔效应法测量载流亥姆霍兹线圈的磁感应强度沿轴线的分布。
〔实验目的〕
1.掌握弱磁场测量原理及如何用集成霍尔传感器测量磁场的方法。
2.验证磁场迭加原理。
3.学习亥姆霍兹线圈产生均匀磁场的特性。
〔实验原理〕
一、圆线圈
载流圆线圈在轴线（通过圆心并与线圈平面垂直的直线）上磁场情况如图3.14.1所示。
根据毕奥-萨伐尔定律，轴线上某点的磁感应强度B 为
I N x R R B ⋅+⋅=
2
/322
2
0)
(2μ （3.14.1）
式中I 为通过线圈的电流强度，N 为线圈匝数，R 线圈平均半径，x 为圆心到该点的距离，0μ为真空磁导率。
而圆心处的磁感应强度0B 为
I N R
B ⋅=
20
0μ （3.14.2）
轴线外的磁场分布情况较复杂，这里简略。
二、亥姆霍兹线圈
亥姆霍兹线圈是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈，每一线圈N 匝，两线圈的电流方向一致，大小相同，线圈之间距离d 正好等于圆形线圈的平均半径R 。
其轴线上磁场分布情况如图3.14.2所示，虚线为单线圈在轴线上的磁场分布情况。
这种线圈的特点是能在其公共轴线中点附近产生较广的均匀磁场区，故在生产和科研中有较大的实用价值，也常用于弱磁场的计量标准。
设x 为亥姆霍兹线圈中轴线上某点离中心点O 处的距离，则亥姆霍兹线圈轴线上任一点的磁感应强度大小B '为
3/23/22222201222R R B N I R R x R x μ--⎧⎫⎡⎤⎡⎤⎛⎫⎛⎫⎪⎪'=⋅⋅⋅++++-⎢⎥⎢⎥⎨⎬ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎢⎥⎢⎥⎪⎪⎣⎦⎣⎦⎩⎭
（3.14.3）
在亥姆霍兹线圈轴线上中心O 处磁感应
强度大小'0B 为 003/2
85N I
B R
μ⋅⋅'=
（3.14.4） 三、双线圈
若线圈间距d 不等于R 。
设x 为双线圈中轴线上某点离中心点O 处的距离，则双线圈轴线上任一点的磁感应强度大小B ''为
3/23/22222201222d d B N I R R x R x μ--⎧⎫⎡⎤⎡⎤⎪⎪⎛⎫⎛⎫''=⋅⋅⋅++++-⎢⎥⎢⎥⎨⎬
⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎢⎥⎢⎥⎪⎪⎣⎦⎣⎦⎩⎭
（3.14.5）
四、霍尔传感器 1.霍尔传感器
近年来，在科研和工业中，集成霍尔传感器被广泛应用于磁场测量，它测量灵敏度高，体积小，易于在磁场中移动和定位。
本实验用SS95A型集成霍尔传感器测量载流圆线圈磁场分布，其工作原理也基于霍尔效应。
本实验采用的SS95A型集成霍尔传感器由霍尔元件、放大器和薄膜电阻剩余电压补偿器组成，测量时输出信号大，剩余电压的影响已被消除。
一般的霍尔元件有四根引线，两根为输入霍尔元件电流的“电流输入端”；另两根为霍尔元件的“霍尔电压输出端”。
本实验在设计安装时，传感器、圆线圈的工作回路相互独立，并且传感器的工作电流已设定为标准工作电流（定值）。
即K H I＝K（常数） ，其中K为常数。
这样U H与B建立简单的正比对应关系，由U H 则有：KB
U
H
值可得出B的示值。
〔实验仪器〕
FD-HM-Ⅱ型磁场测定仪，高灵敏度毫特计，数字式直流稳流电源。
实验装置见图3，FD-HM-Ⅱ型磁场测定仪由圆线圈和亥姆霍兹线圈实验平台（包括两个圆线圈、固定夹、不锈钢直尺、铝尺）、高灵敏度毫特计和数字式直流稳流电源等组成。
图3 FD-HM-Ⅱ型磁场测定仪
1.实验平台
两个线圈各500匝，圆线圈的径19.00cm 、外径21.00cm 、平均半径
R =10.00cm.。
实验平台的台面应在两个对称圆线圈轴线上（台面中心横刻线与两个对称圆线圈轴线重合），台面上有相间1.00cm 的均匀网格线。
2.高灵敏度毫特计
它采用两个参数相同的SS95A 型集成霍尔传感器，配对组成探测器，经信号放大后，用三位半数字电压表测量探测器输出信号。
该仪器量程0—2.000mT ，分辨率为1610T -⨯
3.数字式直流稳流电源
它由直流稳流电源、三位半数字式电流表组成。
当两线圈串接时，电源输出电流为50-200mA 连续可调；当两线圈并接时，电源输出电流为50-400mA 连续可调。
数字式电流表显示输出电流时应注意：
(1)开机后，应至少预热10分钟，才进行实验。
(2)每测量一点磁感应强度值，换另一位置测量时，应断开线圈电路，在电流为零时调零，然后接通线圈电路，进行测量和读数，调零的作用是抵消地磁场的影响及对其它不稳定因素的补偿。
〔实验容〕
1、毫特斯拉计
2、电流表
3、直流电流源
4、电流调节旋钮
5、调零旋钮
6、传感器插头
7、固定架
8、霍尔传感器
9、大理石 10、线圈 A 、B 、C 、D 为接线柱
一、测量前准备
连接电路按图3，接通电源，开机预热10分钟以上。
用铝尺和钢板尺调整两线圈位置，使两线圈共轴且轴线与台面中心横刻线重合，两线圈距离为
R =10.00cm(线圈半径)，即组成一个亥姆霍兹线圈。
二、单线圈轴线上各点磁感应强度的测量 1.单线圈a 轴线上各点的磁感应强度a B
按图接线（直流稳流电源中数字电流表已串接在电源的一个输出端），只给单线圈a 通电，旋转电流调节旋纽，令电流I 为100mA 。
取台面中心为坐标原点
O ，通过O 的横刻线为OX 轴。
把传感器探头从一侧沿OX 轴移动，每移动1.00cm 测一磁感应强度a B ，测出一系列与坐标x 对应的磁感应强度a B ，数据填入表格3.14.1中。
测量区域为-10cm ～+10cm 。
表1 单线圈a 轴线上各点的磁感应强度B a
实验中，应注意毫特计探头沿线圈轴线移动，每测量一个数据，必须先在直流电流输出电路断开时（I =0）调零后，才测量和记录数据。
2.单线圈b 轴线上各点的磁感应强度b B
只给单线圈b 通电，旋转电流调节旋纽，令电流I 为100mA 。
以上述同样的
测量方法，测出一系列X —b B 数据，并将数据填入表格3.14.2中。
测量区域为-10cm —+10cm 。
表2 单线圈b 轴线上各点的磁感应强度B b
3.在轴线上某点转动毫特计探头，观察一下该点磁感应强度的方向：转动探头观测毫特计的读数值，读数最大时传感器法线方向，即是该点磁感应强度方向。
三、双线圈轴线上各点磁感应强度测量
1.令两线圈串连，流过的电流方向一致（红黑接线柱交错相接），组成亥姆霍兹线圈。
然后，旋转电流调节旋纽，在同样电流I=100mA 条件下，测轴线上各点的磁感应强度R B 值测量方法同上。
得出的一系列X －R B 数据填入表格3.14.3中。
测量区域为-10cm —+10cm 。
用直角坐标纸，在同一坐标系作R B －X 、a B －X 、
b B －X 、a B +b B －X 四条曲线,考察R B －X 与a B +b B －X 曲线，验证磁场叠加原理.
表3 测双线圈轴线上各点的磁感应强度R B 值
3. 用直角坐标纸，在坐标系作R B －X 、2
R B －X 、2R B －X 三条曲线，证明磁场叠加原理。
〔注意事项〕
1.注意霍尔传感器的放置方法。
由于磁感应强度B 是矢量，测量过程中，传感器沿轴线放置时，毫特计可能指示负值，这里为了便于比较、验证叠加原理，统一取其绝对值。
2.在调节两线圈时，应注意两线圈是否共轴、轴线是否与台面中心横刻线重合。
为了便于判断，这里给出判断依据（仅供参考）：
（1）单线圈 B 值应关于单线圈的中心点（圆心）左右对称；若以亥姆霍兹线圈轴线的中心点为坐标原点，则点 B 5=0.314 mT B 15=0.111 mT
B 0=0.225 mT
（2）双线圈 B 值应关于双线圈的中心点左右对称；若以双线圈轴线的中心点为坐标原点，则有
双线圈距离为R 时： B 0=0.450 mT B 10=0.278 mT B 5=0.425 mT 双线圈距离为R /2时： B 0=0.573mT B 10=0.237 mT B 5=0.448 mT 双线圈距离为2R 时： B 0=0.222 mT B 10=0.342 mT B 5=0.278 mT 实测数据上下不应超出上述值的3％（为仪器允许误差）。
3.两线圈采用串接或并接与电源相连时，必须注意磁场的方向。
如果接错线有可能使双线圈中间轴线上的磁场为零或极小。
4.测每一点的B 值之前，毫特计必须事先调零。
5.测双线圈磁场分布时，两线圈应串联。
[思考题]
1单线圈轴线上磁场的分布规律如何？亥姆霍兹线圈是怎样组成的？其基本条件有哪些？它的磁场分布特点又怎样？
2用霍尔效应测量磁场时，为何励磁电流为零时，显示的磁场值不为零？。