元器件老化条件速查表
元器件老化条件速查表
反向耐压：
IN4004>400V,IN4007>1000V,
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<1.1V,(IO=1A),IR=50uA＠
100℃
稳态功率
48h
环境温度控制在常温25℃；
IO=1A,VC=0.85*N+R0
20
IN5408
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝800V，
电流上限，250uA；温度设定125℃
稳态功率
48h
调节水压及流量，壳温控制75℃；
IC＝0.3*ICM＝8.1A,RE=5/4Ω；
VC=VCE+IC*RE=20.8V
4
IRFP250N
栅偏
24h
电压上限，80％VGSS＝16V；
电流上限，IG=1uA；温度设定125℃
阀值电压：2.0-4.0V
击穿电压：>200V
电流上限，ICBO=50uA；
温度设定125℃
反向耐压：
IN4007>1000V
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<1.1V,(IO=3A) ,IR=50uA＠
100℃
稳态功率
48h
环境温度控制在常温25℃；
IO=3A,VC=0.85*N+3R0
元器件老化筛选条件速查表（五）
序号
元器件型号
老化项目
老化
时间
老化板型号
老化系统设定参数
测试参数及限值
21
IN4148
MM4148
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝60V，
电流上限，50uA；温度设定125℃
ic元器件老化筛选
ic元器件老化筛选IC元器件老化筛选是电子元器件生产过程中的一项重要环节，旨在筛选出老化严重的元器件，确保产品的可靠性和稳定性。
本文将从老化筛选的定义、目的、方法和影响因素等方面进行阐述。
一、老化筛选的定义IC元器件老化筛选是指在元器件生产过程中，通过对元器件进行一定时间的老化处理，模拟实际使用环境下的使用情况，通过筛选出老化程度较轻的元器件，确保产品的可靠性和稳定性。
二、老化筛选的目的老化筛选的主要目的是提前筛选出老化严重的元器件，避免这些元器件在使用过程中出现故障，从而保证产品的可靠性。
通过老化筛选，可以排除那些容易出现性能衰减或失效的元器件，提高产品的质量和可靠性。
三、老化筛选的方法1. 温度老化筛选：将元器件放置在恒定温度下进行老化处理，时间可根据产品要求确定。
常用的温度老化筛选有高温老化、低温老化和温循老化等。
2. 电压老化筛选：将元器件加以一定电压的载荷进行老化处理，以模拟实际工作环境下的电压应力。
常用的电压老化筛选有高电压老化、低电压老化和电压循环老化等。
3. 电流老化筛选：将元器件加以一定电流的载荷进行老化处理，以模拟实际工作环境下的电流应力。
常用的电流老化筛选有高电流老化、低电流老化和电流循环老化等。
4. 其他老化筛选：根据具体产品的要求，也可以进行其他类型的老化筛选，如振动老化、湿热老化等。
四、影响老化筛选的因素1. 元器件的材料：不同材料的元器件老化特性不同，有些材料老化速度较快，而有些材料老化速度较慢。
2. 元器件的结构：不同结构的元器件老化特性也不同，有些结构容易受到外界环境的影响，老化速度较快。
3. 外界环境条件：元器件的老化速度受到温度、湿度、振动等外界环境条件的影响，不同环境条件下元器件的老化速度也不同。
五、老化筛选的意义IC元器件老化筛选对于保证产品的可靠性和稳定性具有重要意义。
通过老化筛选，可以排除那些容易出现故障的元器件，提高产品的质量和可靠性。
同时，老化筛选还可以提供关于元器件老化特性的数据，为产品设计和生产提供参考依据。
电子元器件老化标准
一、外观质量检查拿到一个电子元器件之后，应看其外观有无明显损坏。
比如变压器，要看其所有引线有否折断，外表有无锈蚀，线包、骨架有无破损等。
又如三极管，要看其外表有无破损，引脚有无折断或锈蚀，还要检查一下器件上的型号是否清晰可辨。
对于电位器、可变电容器之类的可调元件，还要检查在调节范围内，其活动是否平滑、灵活，松紧是否合适，无机械噪声，手感好，并保证各触点接触良好。
各种不同的电子元器件都有自身的特点和要求，爱好者平时应多了解一些有关各元件的性能和参数、特点，积累经验。
二、电气性能的筛选要保证试制的电子装置能够长期稳定地通电工作，并且经得起应用环境和其他可能因素的考验，这是对电子元器件的筛选必不可少的一道工序。
所谓筛选，就是对电子元器件施加一种应力或多种应力试验，暴露元器件的固有缺陷而不破坏它的完整性。
筛选的理论是：如果试验及应力等级选择适当，劣质品会失效，而优良品则会通过。
人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件，在刚投入使用的时候，一般失效率较高，叫做早期失效，经过早期失效后，电子元器件便进入了正常的使用期阶段，一般来说，在这一阶段中，电子元器件的失效率会大大降低。
过了正常使用阶段，电子元器件便进入了耗损老化期阶段，那将意味着寿终正寝。
这个规律，恰似一条浴盆曲线，人们称它为电子元器件的效能曲线。
电子元器件失效，是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺措施不当而引起的。
元器件的早期失效十分有害，但又不可避免。
因此，人们只能人为地创造早期工作条件，从而在制成产品前就将劣质品剔除，让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段，减少失效，增加其可靠性。
在正规的电子工厂里，采用的老化筛选项目一般有：高温存储老化；高低温循环老化；高低温冲击老化和高温功率老化等。
其中高温功率老化是给试验的电子元器件通电，模拟实际工作条件，再加上＋80℃～＋180℃的高温经历几个小时，它是一种对元器件多种潜在故障都有检验作用的有效措施，也是目前采用得最多的一种方法。
电子元器件老化测试项目及注意事项
电子元器件老化测试项目及注意事项电子产品在加工过程中，由于经历了复杂的加工和元器件物料的大量使用，无论是加工缺陷还是元器件缺陷，都可分为明显缺陷和潜在缺陷，明显缺陷指那些导致产品不能正常工作的缺陷，例如短路/断路。
而潜在缺陷导致产品暂时可以使用，但在使用中缺陷会很快暴露出来，产品不能正常工作。
潜在缺陷则无法用常规检验手段发现，而是运用老化的方法来剔除。
如果老化方法效果不好，则未被剔除的潜在缺陷将最终在产品运行期间以早期失效（或故障）的形式表现出来，从而导致产品返修率上升，维修成本增加。
一、概念老化（Burn in）是指在一定的环境温度下、较长的时间内对元器件连续施加环境应力，而环境应力筛选（ESS：Environment Stress Screen ）则不仅包括高温应力，还包括其他很多应力，例如温度循环、随机振动等，通过电-热应力的综合作用来加速元器件内部的各种物理、化学反应过程，促使隐藏于元器件内部的各种潜在缺陷及早暴露，从而达到剔除早期失效产品的目的。
老化是属于环境应力筛选的一种。
二、作用1.对于工艺制造过程中可能存在的一系列缺陷，如表面沾污、引线焊接不良、沟道漏电、硅片裂纹、氧化层缺陷和局部发热点等都有较好的筛选效果。
2.对于无缺陷的元器件，老化也可促使其电参数稳定。
三、老化测试项目主要的老化试验项目是：1、光老化测试：光老化是户外使用材料受到的主要老化破坏，对于室内使用材料，也会受到一定程度的光老化。
模拟光老化主要的三种灯源各有优异，碳弧灯最早发明使用，建立的测量体系较早、很多日本标准和纤维材料方面的标准都使用碳弧灯，但由于碳弧灯价格较高、性能不够稳定（灯管使用90小时后需要更换），已经逐渐被氙弧灯、紫外灯代替。
氙灯在模拟自然光方面有较大优势，价格也相对较低，适合多数产品的使用。
紫外灯产生的是400nm以下的光，能较好地加速模拟自然光中紫外线对材料的破坏作用，加速因子比氙灯要高，光源稳定性也比氙灯要好，但容易产生非自然光产出的破坏（尤其是UVB灯）。
电子元器件可靠性老化筛选规定
电子产品及元器件可靠性老化筛选规定1范围为了规范电子产品及元器件可靠性老化筛选符合产品设计要求特制订本企业标准。
本标准规定了电子产品高温老化试验及外购电子元器件进厂后，进行可靠性老化筛选的项目、条件及筛选后的检查、处理。
剔除早期失效的器件，提高产品的可靠性。
本标准适用于所有装有电子元器件的产品，除非产品另有规定。
2规范性引用文件下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范。
然而鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
GB/T 2828-87 抽样检验标准3老化筛选项目及条件3.1 半导体器件、集成电路低温贮存：非工作状态下，将器件贮存在温度－25±3℃的低温箱中，保持4h，常温下测试电参数。
高温贮存：非工作状态下，将器件贮存在温度＋125±3℃的高温箱中，保持4h，常温下测试电参数。
3.2 继电器低温运行：将继电器置于温度－25±3℃的低温箱中，保持1h，通电工作后测量低温下的释放电压，然后在此低温下，触点回路中加阻性负载，以(2～5)次/s的速率动作200次后，检测每对触点的接触电压或接触电阻。
高温运行。
将继电器置于温度＋70±3℃的高温箱中，保持1h，通电工作后测量高温下的释放电压，然后在此温度下触点回路中加阻性负载，以(2～5)次/s的速率动作200次后，检测每对触点的接触电压或接触电阻。
注: 以上筛选设备条件如暂时不具备时，可由工艺人员根据现有设备条件实施。
4筛选检查4.1 文件编制元器件老化筛选由工艺人员编制筛选工艺，规定老化筛选程序、使用设备、测量仪器、工艺装置及操作、检测方法和要求。
4.2 检验种类对进行老化的元器件实行全检。
4.3 检验电性能的项目4.3.1 电阻器4.3.1.1 电阻器的额定功率电阻器的额定功率系指电阻器在直流或交流电路中，当大气压力为750±30mmHg ，在产品标准中规定的温度下，长期连续负荷所允许消耗的最大功率。
元器件可靠性老化实验总结
可靠性老化评估测试一、从生产线上抽取合格的产品作为测试样品样品规格：2N60,3N60,4N60,4N65,7N60,8N60抽样标准：GB2828样品数量：各200Pcs测试时间：2011.7.20—9.19二、可靠性老化测试1，测试项目：高、低温存储试验测试名称 低温存储试验环境温度 25℃+/-1%℃环境湿度 34%H判定标准 外观，性能参数是否正常测试条件 低温-55℃保持72小时测试结果 合格测试名称 高温存储试验环境温度 25℃+/-1%℃环境湿度 34%H判定标准 外观，性能参数是否正常测试条件 高温150℃保持72小时测试结果 合格2，测试项目：高、低温循环试验测试名称 高低温循环试验环境温度 25℃+/-1%℃环境湿度 34%H判定标准 外观，性能参数是否正常测试条件 高温150℃，低温-40℃，循环测试10次，共60小时 测试结果 合格3，测试项目：高低温冲击试验测试名称 高低温冲击环境温度 25℃+/-1%℃环境湿度 34%H判定标准 外观，性能参数是否正常测试条件 高温160℃，低温-50℃，循环测试15次，共24小时 测试结果 合格4，测试项目：恒温恒湿试验测试名称 恒温恒湿环境温度 25℃+/-1%℃环境湿度 34%H判定标准 外观，性能参数是否正常测试条件 温度85℃，湿度85%，共72小时测试结果 合格5，测试项目：高温高压蒸煮试验测试名称 高温高压蒸煮环境温度 25℃+/-1%℃环境湿度 34%H判定标准 外观，性能参数是否正常测试条件 温度120℃，压力0.2Mpa，共96小时测试结果 合格三、配合整机试验1、2N601）、冲击短路试验样品规格：2N60抽样标准：GB2828样品数量：50Pcs测试项目 冲击试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=25W,冲击次数20次判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格测试项目 短路试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=25W,输出空载、带载、短路循环测试2minute 判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格2）、温升试验测试项目 温升试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC90V,Pin=20W，测试时间30minute/pcs样本数 3PCS环境温度 25℃判定标准 温升不高于35℃温升测试数据 1# 30℃ 2# 31℃ 3# 32℃试验结果 合格2、3N601）、冲击短路试验样品规格：3N60抽样标准：GB2828样品数量：50Pcs测试项目 冲击试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=25W,冲击次数20次判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格测试项目 短路试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=25W,输出空载、带载、短路循环测试2minute 判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格2）、温升试验测试项目 温升试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC90V,Pin=20W，测试时间30minute/pcs样本数 3PCS环境温度 25℃判定标准 温升不高于32℃温升测试数据 1# 28℃ 2# 27℃ 3# 28℃试验结果 合格3、 4N601）、冲击短路试验样品规格：4N60抽样标准：GB2828样品数量：50Pcs测试项目 冲击试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=30W,冲击次数20次判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格测试项目 短路试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=30W,输出空载、带载、短路循环测试2minute 判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格2）、温升试验测试项目 温升试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC90V,Pin=25W，测试时间30minute/pcs样本数 3PCS环境温度 25℃判定标准 温升不高于35℃温升测试数据 1# 32℃ 2# 32℃ 3# 33℃试验结果 合格4、 4N651）、冲击短路试验样品规格：4N65抽样标准：GB2828样品数量：50Pcs测试项目 冲击试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=30W,冲击次数20次判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格测试项目 短路试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=30W,输出空载、带载、短路循环测试2minute 判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格2）、温升试验测试项目 温升试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC90V,Pin=30W，测试时间30minute/pcs样本数 3PCS环境温度 25℃判定标准 温升不高于37℃温升测试数据 1# 33℃ 2# 34℃ 3# 34℃试验结果 合格5、 7N601）、冲击短路试验样品规格：7N60抽样标准：GB2828样品数量：50Pcs测试项目 冲击试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=50W,冲击次数20次判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格测试项目 短路试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=50W,输出空载、带载、短路循环测试2minute 判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格2）、温升试验测试项目 温升试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC90V,Pin=50W，测试时间30minute/pcs样本数 3PCS环境温度 25℃判定标准 温升不高于82℃温升测试数据 1# 77℃ 2# 76℃ 3# 77℃试验结果 合格6、 8N601）、冲击短路试验样品规格：8N60抽样标准：GB2828样品数量：50Pcs测试项目 冲击试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=50W,冲击次数20次判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格测试项目 短路试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=50W,输出空载、带载、短路循环测试2minute 判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格2）、温升试验测试项目 温升试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC90V,Pin=50W，测试时间30minute/pcs样本数 3PCS环境温度 25℃判定标准 温升不高于77℃温升测试数据 1# 73℃ 2# 72℃ 3# 73℃ 试验结果 合格。
IC_测试报表(包括ESD、老化测试以及所对应的适用标准_Excel格式)Process_reliability
77DUTs/lot
3
1.Test points at 0, 100, 200, 500 cycles. 2.Test points at 0, 100, 500, 1000 cycles.
1/77
2/231
JESD22-A104； JEDEC22-A113； MIL-STD-883E,M1010
PCT
MIL-STD-883E 美国军用标准
Test Structure 标准 Appropriate technology qualification vehicle (TQV) 个人理解
Vehicle
Plastic package or other appropriate package. Plastic package or other appropriate package. Plastic package or other appropriate package. Plastic Package or other appropriate package.
Plastic package or other appropriate package.
Full Functional Test and IDDQ and Leakage Tests.
应用
An appropriate technology qualification vehicle (TQV) is to be used to get a first view on the expected infant mortality rate of the process The HTOL test is typically applied on logic and memory devices. The LTOL test is intended to look for failures caused by hot carriers, and is typically applied on memory devices or devices with submicron device dimensions.
电子元器件老化标准修订稿
电子元器件老化标准 WEIHUA system office room 【WEIHUA 16H-WEIHUA WEIHUA8Q8-一、外观质量检查拿到一个电子元器件之后，应看其外观有无明显损坏。
比如变压器，要看其所有引线有否折断，外表有无锈蚀，线包、骨架有无破损等。
又如三极管，要看其外表有无破损，引脚有无折断或锈蚀，还要检查一下器件上的型号是否清晰可辨。
对于电位器、可变电容器之类的可调元件，还要检查在调节范围内，其活动是否平滑、灵活，松紧是否合适，无机械噪声，手感好，并保证各触点接触良好。
各种不同的电子元器件都有自身的特点和要求，爱好者平时应多了解一些有关各元件的性能和参数、特点，积累经验。
二、电气性能的筛选要保证试制的电子装置能够长期稳定地通电工作，并且经得起应用环境和其他可能因素的考验，这是对电子元器件的筛选必不可少的一道工序。
所谓筛选，就是对电子元器件施加一种应力或多种应力试验，暴露元器件的固有缺陷而不破坏它的完整性。
筛选的理论是：如果试验及应力等级选择适当，劣质品会失效，而优良品则会通过。
人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件，在刚投入使用的时候，一般失效率较高，叫做早期失效，经过早期失效后，电子元器件便进入了正常的使用期阶段，一般来说，在这一阶段中，电子元器件的失效率会大大降低。
过了正常使用阶段，电子元器件便进入了耗损老化期阶段，那将意味着寿终正寝。
这个规律，恰似一条浴盆曲线，人们称它为电子元器件的效能曲线。
电子元器件失效，是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺措施不当而引起的。
元器件的早期失效十分有害，但又不可避免。
因此，人们只能人为地创造早期工作条件，从而在制成产品前就将劣质品剔除，让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段，减少失效，增加其可靠性。
在正规的电子工厂里，采用的老化筛选项目一般有：高温存储老化；高低温循环老化；高低温冲击老化和高温功率老化等。
其中高温功率老化是给试验的电子元器件通电，模拟实际工作条件，再加上＋80℃～＋180℃的高温经历几个小时，它是一种对元器件多种潜在故障都有检验作用的有效措施，也是目前采用得最多的一种方法。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
48h
/
调节水压及流量，壳温控制90℃；
PCM=80W，IC＝4.0A,RE=5/2Ω；
VC=VCE+IC*RE≈31V
2
IRG4PC30F
（N）
管脚排列：
G﹑C﹑E
反偏
24h
电压上限，80％VCES＝480V；
电流上限，1mA；温度设定85℃
阀值电压：3.0-6.0V
击穿电压：>600V
击穿曲线符合要求
稳态功率
48h
/
调节水压及流量，壳温控制90℃；
PCM=90W，IC＝7.0A,RE=5/3Ω；
VC=VCE+IC*RE≈25.5V
5
IRFP460
（N）
管脚排列：
G﹑D﹑S
反偏
24h
电压上限，80％VDSS＝400V；
电流上限，100uA；温度设定85℃
阀值电压：2.0-4.0V
击穿电压：>500V
稳态功率
48h
环境温度控制在常温50℃；
PCM=400mW，Vce＝0.75Vceo＝37.5V,IC＝11mA，
VC=37.5+10.67 mA (Re+Rc)≈40V
14
S9014
（N）
管脚排列：
E﹑B﹑C
反偏
24h
电压上限，80％VCBO＝40V；
电流上限，3uA；温度设定85℃
C-E击穿电压>45V
击穿曲线符合要求
跨导：gfs>13,测试时VDS=50V,ID=12A。
(电流上限，IDSS=25uA＠25℃,IDSS=250uA＠125℃)
稳态功率
48h
/
调节水压及流量，壳温控制90℃；
PCM=130W，IC＝0.4*ICM＝6A,RE=5/3Ω；
VC=VCE+IC*RE≈37V
6
BD238
（P）
电流上限，ICBO=50uA；
温度设定85℃
反向耐压(VRRM)：
IN4007>1000V
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<1.1V,(IO=3A) ,IR=50uA＠100℃
稳态功率
48h
环境温度控制在常温50℃；
IO=3A ,VC=0.85*N+3R0
21
IN4148
MM4148
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝60V，
PCM=400mW，Vce＝0.75Vceo＝37.5V,IC＝11mA，
VC=37.5V+11mA *(Re+Rc)≈40V
12
S8550
（P）
管脚排列：
E﹑B﹑C
反偏
24h
电压上限，80％VCBO＝32V；
电流上限，3uA；温度设定85℃
C-E击穿电压>25V
C-B击穿电压>40V
击穿曲线符合要求
VC=48+16.67mA *(Re+Rc)≈50V
9
TIP32C
（P）
管脚排列：
B﹑C﹑E
反偏
24h
电压上限，80％VCBO＝80V；
电流上限，4 mA；温度设定85℃
C-E击穿电压>100V
C-B击穿电压>100V
击穿曲线符合要求
ICM：3A
直流增益（hFE）>25
(电流上限，ICBO=0.2mA＠25℃)
管脚排列：
E﹑C﹑B
反偏
24h
电压上限，80％VCBO＝80V；
电流上限，3 uA；温度设定85℃
C-E击穿电压>80V
C-B击穿电压>100V
击穿曲线符合要求
ICM：2A
直流增益（hFE）>40
(电流上限，ICBO=100nA＠25℃,ICEO=250uA＠85℃)
稳态功率
48h
/
调节水压及流量，壳温控制50℃；
ICM：0.5A
直流增益（hFE）>85
(电流上限，ICBO=0.1uA＠25℃,ICEO=0.1uA＠25℃)
稳态功率
48h
环境温度控制在常温50℃；
PCM=625mW，Vce＝0.75Vceo＝18.75V,
IC＝34mA，
VC=18.75+34mA *(Re+Rc)≈21V
续表（5）
序号
元器件型号
电流上限，5uA；温度设定85℃
C-E击穿电压>80V
C-B击穿电压>100V
击穿曲线符合要求
ICM：2A
直流增益（hFE）>40
(电流上限，ICBO=200nA＠25℃)
稳态功率
48h
环境温度控制在常温50℃；
PCM=2W，Vce＝0.5Vceo＝50V,IC＝40mA，
VC=50+40mA *(Re+Rc)≈52V
反向耐压(VRRM)：>800V,
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<1.2V,(IO=1A),
IR=1mA＠85℃
26
KBJ1006
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝480V，
电流上限，IR=1mA；温度设定85℃
反向耐压(VRRM)：>600V,
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<1.2V,(IO=1A)
时间
老化板型号
老化系统设定参数
测试参数及限值
4
IRFP250N
（N）
管脚排列：
G﹑D﹑S
反偏
24h
电压上限，80％VDSS＝160V；
电流上限，ID=100uA；温度设定85℃
阀值电压：2.0-4.0V
击穿电压：>200V
击穿曲线符合要求
跨导：gfs>17,测试时VDS=50V,ID=18A。
(电流上限，IDSS=25uA＠25℃，IDSS=250uA＠150℃，)
27
桥堆BR606L
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝480V，
电流上限，IR=200uA；温度设定85℃
反向耐压(VRRM)：>600V,
IO=1A ,VC=0.5*N+ R0
24
2W10
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝800V，
电流上限，IR=1mA；温度设定85℃
反向耐压(VRRM)：>1000V,
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<1.0V,(IO=2A)
25
KBPC3510
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝640V，
电流上限，IR=1mA；温度设定85℃
(电流上限，ICES=1000uA＠150℃)
稳态功率
48h
/
调节水压及流量，壳温控制90℃；
PCM=50W，IC＝4.5A,RE=5/2Ω;
VC=VCE+IC*RE≈23V
3
IRF540N
（N）
管脚排列：
G﹑D﹑S
反偏
24h
电压上限，80％VDSS＝80V；
电流上限，250uA；温度设定85℃
阀值电压：2.0-4.0V
击穿电压：>100V
击穿曲线符合要求
跨导：gfs>21,测试时VDS=50V,ID=16A。
(电流上限，IDSS=1000uA＠150℃)
稳态功率
48h
/
调节水压及流量，壳温控制90℃；
PCM=50W，IC＝4A,RE=5/2Ω；
VC=VCE+IC*RE≈24.5V
续表（2）
序号
元器件型号
老化项目
老化
电流上限，50uA；温度设定85℃
反向耐压(VRRM)：
IN4004>400V,IN4007>1000V,
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<1.1V,(IO=1A),IR=50uA＠
100℃
稳态功率
48h
环境温度控制在常温50℃；
IO=1A ,VC=0.85*N+ R0
20
IN5408
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝800V，
PCM=20W，IC＝0.75*ICM＝1.5A,RE=5Ω；
VC=VCE+IC*RE≈21V
续表（3）
序号
元器件型号
老化项目
老化
时间
老化板型号
老化系统设定参数
测试参数及限值
7
A1015
（P）
管脚排列：
E﹑C﹑B
反偏
24h
电压上限，80％VCBO＝40V；
电流上限，3 uA；温度设定85℃
C-E击穿电压>50V
老化系统设定参数
测试参数及限值
17
LM7815
稳态功率
48h
环境温度控制在常温50℃；（RL=2Ω）
Vb＝VIN－VOUT+IL*RL=20V,
Vc＝VOUT－IL*RL=14V, IL＝0.5A
输入17.5V≤VIN≤30V时，14.25 V≤VOUT≤15.75V，IOMAX=1A。
18
TL431
老化项目
老化
时间
老化板型号
老化系统设定参数
测试参数及限值
13
C1815
（N）
管脚排列：
E﹑C﹑B
反偏
24h
电压上限，80％VCBO＝48V；
电流上限，3uA；温度设定85℃
C-E击穿电压>50V