RAM工作原理
动态存储器工作原理
动态存储器工作原理
动态存储器（DRAM）是计算机系统中常用的一种主存储器类型，其工作原理如下：
存储单元结构：
DRAM由许多存储单元组成，每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。
电容器用于存储数据位，晶体管用于控制读取和写入操作。
电荷存储：
当电容器充电时，表示存储的是数据位1；电容器放电时，表示存储的是数据位0。
因此，电容器的充电状态表示了存储的数据。
数据读取：
当需要读取数据时，晶体管被打开，电荷从电容器流入读取线，通过放大和解码的过程，将电荷转换为电压信号，以供其他部件使用。
数据刷新：
由于电容器会逐渐失去电荷，需要定期刷新以保持数据的稳定性。
这是动态RAM（DRAM）与静态RAM（SRAM）的主要区别之一。
在刷新周期中，内存控制器会周期性地读取和重新写入所有存储单元，以更新其中的数据。
行选通和列选通：
DRAM中的存储单元被组织成行和列的结构。
在读取或写入特定单元时，首先需要选通相应的行和列。
行选通时，将特定行的数据放大并传递到输出线路上；列选通时，将输出线路上的数据发送给请求的设备。
预充电：
由于电容器的读取会导致电荷损失，需要在读取之前对其进行预充电操作，以确保准确读取数据。
总体而言，DRAM的工作原理是基于电容器的充放电来存储数据，通过晶体管控制数据的读取和写入操作，并通过周期性的刷新来维持数据的稳定性。
存储器的工作原理
存储器的工作原理一、引言存储器是计算机系统中的重要组成部分，用于存储和检索数据。
它的工作原理涉及到数据的存储、访问和传输等方面。
本文将详细介绍存储器的工作原理。
二、存储器的分类存储器按照不同的工作原理和功能可以分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。
其中，RAM又可分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）。
三、静态随机存储器（SRAM）的工作原理SRAM是一种基于触发器的存储器，它的工作原理如下：1. SRAM由一组触发器组成，每个触发器可以存储一个比特（0或1）的数据。
2. 当写入数据时，控制电路将数据传输到指定的触发器中，并将写入信号传递给触发器，使其将数据存储起来。
3. 当读取数据时，控制电路将读取信号传递给指定的触发器，触发器将存储的数据输出给外部设备。
四、动态随机存储器（DRAM）的工作原理DRAM是一种基于电容的存储器，它的工作原理如下：1. DRAM由一组存储单元组成，每个存储单元由一个电容和一个开关（通常是一个MOSFET）组成。
2. 当写入数据时，控制电路将数据传输到指定的存储单元的电容中，并将写入信号传递给开关，使其打开或关闭，以控制电容的充放电状态。
3. 当读取数据时，控制电路将读取信号传递给指定的存储单元的开关，开关的状态决定了电容的充放电状态，从而输出存储的数据。
五、只读存储器（ROM）的工作原理ROM是一种只能读取数据而无法写入数据的存储器，它的工作原理如下：1. ROM中的数据是在制造过程中被编程的，无法在运行时修改。
2. ROM的存储单元通常由一个开关（通常是一个MOSFET）组成，其状态决定了存储的数据。
3. 当读取数据时，控制电路将读取信号传递给指定的存储单元的开关，开关的状态决定了存储的数据输出。
六、存储器的访问速度存储器的访问速度是指从发出读取或写入指令到数据可用的时间间隔。
它受到存储器类型、存储单元数量、控制电路设计等因素的影响。
RAM的工作原理
RAM的工作原理随机存取存储器(RAM)是计算机存储器中最为人熟知的一种。
之所以RAM被称为"随机存储"，是因为您可以直接访问任一个存储单元，只要您知道该单元所在记忆行和记忆列的地址即可。
与RAM形成鲜明对比的是顺序存取存储器(SAM)。
SAM中的数据存储单元按照线性顺序排列，因而只能依顺序访问(类似于盒式录音带)。
如果当前位置不能找到所需数据，就必须依次查找下一个存储单元，直至找到所需数据为止。
SAM非常适合作缓冲存储器之用，一般情况下，缓存中数据的存储顺序与调用顺序相同(显卡中的质素缓存就是个很好的例子)。
而RAM则能以任意的顺序存取数据。
在本文中，您会了解到RAM究竟是什么，您应该购买哪一型的RAM，以及RAM的安装方法。
类似于微处理器，存储器芯片也是一种由数以百万计的晶体管和电容器构成的集成电路(IC)。
计算机存储器中最为常见的一种是动态随机存取存储器(DRAM)，在DRAM中晶体管和电容器合在一起就构成一个存储单元，代表一个数据位元。
电容器保存信息位--0或1(有关位的信息，请参见位和字节)。
晶体管起到了开关的作用，它能让内存芯片上的控制线路读取电容上的数据，或改变其状态。
电容器就像一个能够储存电子的小桶。
要在存储单元中写入1，小桶内就充满电子。
要写入0，小桶就被清空。
电容器桶的问题在于它会泄漏。
只需大约几毫秒的时间，一个充满电子的小桶就会漏得一干二净。
因此，为了确保动态存储器能正常工作，必须由CPU或是由内存控制器对所有电容不断地进行充电，使它们在电子流失殆尽之前能保持1值。
为此，内存控制器会先行读取存储器中的数据，然后再把数据写回去。
这种刷新操作每秒钟要自动进行数千次。
动态RAM正是得名于这种刷新操作。
动态RAM需要不间断地进行刷新，否则就会丢失它所保存的数据。
这一刷新动作的缺点就是费时，并且会降低内存速度。
存储单元由硅晶片蚀刻而成，位于由记忆列(位线)和记忆行(字线)组成的阵列之中。
静态ram的名词解释
静态ram的名词解释静态RAM（Static Random-Access Memory）是一种常用于计算机内存系统的半导体存储器。
它与动态RAM（Dynamic Random-Access Memory）相对，两者之间有着一些重要的差异。
本文将对静态RAM进行详细的名词解释，介绍其结构、工作原理、特点以及应用领域。
一、结构和工作原理静态RAM由一组存储单元组成，每个存储单元通常由一个触发器（flip-flop）构成。
存储单元可存储一个二进制位（0或1），多个存储单元则构成了一个静态RAM单元。
在每个存储单元中，触发器的状态（高电平或低电平）表示着对应二进制位的值。
静态RAM以位（bit）为基本存储单元，不同于动态RAM以字节（byte）为基本存储单元。
每个位都由一个触发器组成，通常由6个晶体管构成。
这些晶体管实现了存储、刷新和读取操作。
在静态RAM中，数据的状态可以被保持，直到被修改或重新写入。
这种保持数据的特性使得静态RAM较为快速，读取速度快，对读写访问速度的限制较小。
然而，静态RAM也需要消耗更多的电力和占用更多的空间。
二、特点1. 高速性：相对于动态RAM而言，静态RAM具有更快的存取速度。
这主要是因为静态RAM存储单元的构造较为简单，不需要刷新操作。
2. 不需要刷新：静态RAM的数据状态可以一直保持，无需定期刷新。
这在某些实时应用中尤其重要，例如高性能计算、图像处理和网络通信等。
3. 较低的功耗：由于静态RAM不需要频繁的刷新操作，相对于动态RAM而言，它对功耗的需求较低。
4. 容量限制：静态RAM存储单元所需的面积较大，因此相对来说其容量限制较为严格。
这也导致静态RAM在成本上相对较高，因此在大容量存储需求下往往采用动态RAM。
5. 稳定性：静态RAM的存储单元可以保持数据状态，因此对于需要保持长时间数据稳定性的应用是一种理想的存储解决方案。
三、应用领域静态RAM广泛应用于各种计算机系统和电子设备，包括个人电脑、服务器、网络路由器、嵌入式系统等。
手机内存工作原理
手机内存工作原理手机内存是指用于存储数据和程序的临时存储器，也是手机正常运行所必需的组成部分。
手机内存工作原理主要包括两个方面，即存储原理和读写原理。
一、存储原理存储原理是指手机内存如何存储数据和程序的机制。
手机内存通常采用的是随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）技术，它具有高速读写的特点。
手机内存由存储单元组成，每个存储单元都有独立的地址，可以通过地址来访问和存储数据。
手机内存采用了固态存储器的技术，其中最常用的是动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。
DRAM内存存储数据时，将数据存储为电荷状态，当读取数据时，通过读取电子状态来获取存储的数据。
DRAM内存需要不断刷新电荷状态，以保证数据的存储稳定性。
二、读写原理读写原理是指手机内存如何进行数据的读写操作。
首先，当手机上的程序需要使用内存中的数据时，将会发起读取请求。
读取请求经过处理器和内存控制器的协调后，内存控制器会通过地址线将读取请求发送到内存的对应地址。
当内存接收到读取请求后，将会根据请求的地址找到对应的存储单元，并将存储单元中的数据读取出来。
读取到的数据通过数据线传输回处理器，供程序使用。
而当需要将数据写入内存时，操作与读取相反。
处理器将写入请求发送给内存控制器，内存控制器将写入请求发送到内存的对应地址。
内存将数据写入对应的存储单元中，并通过刷新机制保证数据的存储稳定性。
三、内存管理手机内存的工作原理还涉及到内存的管理机制。
为了提高内存的使用效率和容量利用率，手机操作系统会对内存进行管理和优化。
首先，内存管理会将手机上正在运行的程序划分为多个进程，并为每个进程分配一定的内存空间。
操作系统会监控内存的使用情况，当某个进程需要更多内存时，会自动回收其他进程占用的内存空间，为该进程腾出足够的内存。
其次，内存管理还涉及到内存的数据交换机制。
为了节省内存空间和提高系统的响应速度，手机操作系统会将不常用的数据和程序暂时存储到闪存等外部存储设备中，只保留当前正在使用的数据和程序在内存中。
ram工作原理
ram工作原理
RAM（随机存取存储器）是计算机中重要的存储设备，其工
作原理是基于电子元件的物理特性来实现数据的临时存储和读写操作。
RAM的基本构成单元是存储单元，每个存储单元可以存储一
个二进制位（0或1）。
这些存储单元按照排列组织成一个二
维矩阵，其中每一行被称为一个“字节”，每一列被称为一个“位”。
RAM使用了电容器和晶体管来实现数据的存储和读写。
每个
存储单元中都有一个电容器，作为信息存储的基本单位。
电容器的充放电状态表示存储的数据，当电容器充电时表示存储的数据为1，未充电时表示存储的数据为0。
RAM的写操作是通过晶体管控制电荷的输入和输出来实现的。
当需要将数据写入RAM时，电荷会被引导输送到目标存储单
元的电容器中，改变其中的电荷状态，从而改变存储的数据。
当需要读取RAM中的数据时，通过晶体管读取目标存储单元
的电容器中的电荷状态，将其转化为电信号输出给计算机其他部件进行处理。
为了提高读写速度，RAM通常会采用分组的方式进行读写操作。
一般来说，一次可以读写多个连续存储单元的数据，这些存储单元对应的地址是连续的。
通过指定起始地址和读写的字节数量，可以快速地进行批量读写操作。
RAM的工作原理可以总结为：通过控制电容器的充放电状态来表示存储的数据，并通过晶体管进行数据的输入和输出。
这种基于电子元件的物理特性的工作原理使得RAM具有了快速读写、易于随机访问的特点，成为计算机中不可或缺的存储设备。
RAM的工作原理
RAM的工作原理
Random Access Memory（随机访问存储器），简称RAM，是计算机的
主存储器，是计算机主要的内存系统。
它是一种电子设备，用于存储程序
代码和数据，以及在计算机系统中执行程序以完成相关的计算任务。
RAM
的工作原理是，它将数据存储在芯片中的晶体管中，并以读写的方式存储，以便在计算机执行任务时访问数据。
其次，如果存取信号的有效期持续一段时间，比如50小时，那么晶
体管驱动电路就会根据此信号存储或恢复数据，并向请求者发出一个数据
就绪的信号。
最后，当计算机需要从RAM中读取或存储数据时，将发出一个控制信号，以激活一些特定的晶体管。
而晶体管驱动电路也会根据存取信号的有
效期持续一段时间，比如50秒，以便将所需的数据传输到晶体管，从而
完成数据的存取。
从硬件结构上看，RAM实际上由一组半导体晶体管组成。
每个晶体管
都具有数据选择，数据存取，数据传输，还有晶体管的控制。
了解电脑内存(RAM)的工作原理与选购建议
了解电脑内存（RAM）的工作原理与选购建议电脑内存（Random Access Memory，RAM）是计算机系统中重要的组件之一。
它承担着临时存储和处理数据的任务，对于计算机的性能和运行速度起着至关重要的作用。
本文将介绍RAM的工作原理，并提供选购RAM的建议。
一、RAM的工作原理RAM是计算机中的主要存储介质之一，它位于计算机主板上，并且是以芯片的形式进行组织。
RAM可以快速读取和写入数据，与计算机的中央处理器（CPU）之间通过内存总线进行通信。
RAM的主要工作原理是根据CPU的指令，将数据从存储介质（如硬盘）中读取到RAM中供CPU处理。
RAM通过内存控制器将数据传递给CPU，并将处理结果写回RAM或其他存储介质中。
RAM的工作速度非常快，它的响应时间一般在纳秒级别，远远快于传统的存储介质。
这使得RAM成为计算机在运行过程中临时存储和处理数据的重要组件。
二、选购RAM的建议1. 确定RAM的容量需求RAM的容量决定了计算机可以同时存储和处理的数据量。
对于一般的办公和网页浏览应用，通常8GB至16GB的RAM已经足够。
而对于需要运行大型软件、进行高性能游戏或进行专业图形设计等需求较高的用户，则可以选择16GB以上的RAM容量。
2. 确定RAM的类型和频率RAM有多种类型，包括DDR3、DDR4等，而每种类型又有不同的频率。
在选择RAM时，需要根据自己计算机主板支持的类型和频率来确定。
一般来说，较新的主板通常支持DDR4，并且更高的频率能够提供更快的数据读取和写入速度。
3. 考虑RAM的时序和延迟RAM的时序和延迟也是选择RAM时需要考虑的因素。
时序和延迟反映了RAM芯片内部数据传输的速度和效率。
通常来说，时序越低、延迟越短，RAM的性能越好。
因此，在选购RAM时，可以选择具有较低时序和延迟的产品。
4. 预留空间用于未来升级在选购RAM时，可以预留一定的空间用于未来的升级。
考虑到计算机技术的不断发展和软件需求的增加，留下一定的扩展余地可以在以后需要升级时避免再次购买新的RAM。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
RAM工作原理实际的存储器结构由许许多多的基本存储单元排列成矩阵形式，并加上地址选择及读写控制等逻辑电路构成。
当CPU要从存储器中读取数据时，就会选择存储器中某一地址，并将该地址上存储单元所存储的内容读走。
早期的DRAM的存储速度很慢，但随着内存技术的飞速发展，随后发展了一种称为快速页面模式(Fast Page Mode)的DRAM技术，称为FPDRAM。
FPM内存的读周期从DRAM阵列中某一行的触发开始，然后移至内存地址所指位置的第一列并触发，该位置即包含所需要的数据。
第一条信息需要被证实是否有效，然后还需要将数据存至系统。
一旦发现第一条正确信息，该列即被变为非触发状态，并为下一个周期作好准备。
这样就引入了“等待状态”，因为在该列为非触发状态时不会发生任何事情(CPU必须等待内存完成一个周期)。
直到下一周期开始或下一条信息被请求时，数据输出缓冲区才被关闭。
在快页模式中，当预测到所需下一条数据所放位置相邻时，就触发数据所在行的下一列。
下一列的触发只有在内存中给定行上进行顺序读操作时才有良好的效果。
从50纳秒FPM内存中进行读操作，理想化的情形是一个以6-3-3-3形式安排的突发式周期(6个时钟周期用于读取第一个数据元素，接下来的每3个时钟周期用于后面3个数据元素)。
第一个阶段包含用于读取触发行列所需要的额外时钟周期。
一旦行列被触发后，内存就可以用每条数据3个时钟周期的速度传送数据了。
FP RAM虽然速度有所提高，但仍然跟不上新型高速的CPU。
很快又出现了EDO RAM和SDRAM等新型高速的内存芯片。
介绍处理器高速缓存的有关知识所谓高速缓存，通常指的是Level 2高速缓存，或外部高速缓存。
L2高速缓存一直都属于速度极快而价格也相当昂贵的一类内存，称为SRAM(静态RAM)，用来存放那些被CPU频繁使用的数据，以便使CPU不必依赖于速度较慢的DRAM。
最简单形式的SRAM采用的是异步设计，即CPU将地址发送给高速缓存，由缓存查找这个地址，然后返回数据。
每次访问的开始都需要额外消耗一个时钟周期用于查找特征位。
这样，异步高速缓存在66MHz总线上所能达到的最快响应时间为3-2-2-2，而通常只能达到4-2-2-2。
同步高速缓存用来缓存传送来的地址，以便把按地址进行查找的过程分配到两个或更多个时钟周期上完成。
SRAM在第一个时钟周期内将被要求的地址存放到一个寄存器中。
在第二个时钟周期内，SRAM把数据传送给CPU。
由于地址已被保存在一个寄存器中，所以接下来同步SRAM就可以在CPU读取前一次请求的数据同时接收下一个数据地址。
这样，同步SRAM 可以不必另花时间来接收和译码来自芯片集的附加地址，就“喷出”连续的数据元素。
优化的响应时间在66MHz总线上可以减小为2-1-1-1。
另一种类型的同步SRAM称为流水线突发式(pipelined burst)。
流水线实际上是增加了一个用来缓存从内存地址读取的数据的输出级，以便能够快速地访问从内存中读取的连续数据，而省去查找内存阵列来获取下一数据元素过程中的延迟。
流水线对于顺序访问模式，如高速缓存的行填充(linefill)最为高效。
什么是ECC内存ECC是Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting的缩写，它代表具有自动纠错功能的内存。
目前的ECC存储器一般只能纠正一位二进制数的错误。
Intel公司的82430HX芯片组可支持ECC内存，所以采用82430HX芯片的主板一般都可以安装使用ECC 内存，由于ECC内存成本比较高，所以它主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业计算机中。
由于实际上存储器出错的情况不会经常发生，所以一般的家用计算机不必采用ECC内存，还有不少控制电路芯片不能支持ECC内存，所以有不少主机是不宜安装ECC内存的，用户应注意对ECC内存不要盲从。
SDRAM能与EDO RAM混用吗SDRAM是新一代的动态存储器，又称为同步动态存储器或同步DRAM。
它可以与CPU总线使用同一个时钟，而EDO和FPM存储器则与CPU总线是异步的。
目前SDRAM存储器的读写周期一般为5-1-1-1。
相比之下，EDO内存器一般为6-2-2-2。
也就是说，SDRAM的读写周期比EDO少4个，大约节省存储器读写时间28%，但实际上由于计算机内其它设备的制约，使用 SDRAM的计算机大约可提高性能5～10%。
虽然有不少主机支持SDRAM与EDO 内存混合安装方式，但是最好不要混用。
原因是多数SDRAM只能在3.3V下工作，而EDO内存则多数在5V下工作。
虽然主机板上对DIMM和SIMM分别供电，但它们的数据线总是要连在一起的，如果SIMM(72线内存)与DIMM(168线SDRAM)混用，尽管开始系统可以正常工作，但可能在使用一段时间后，会造成SDRAM的数据输入端被损坏。
当然，如果你的SDRAM是宽电压(3V～5V)工作的产品，就不会出现这种损坏情况。
目前T1和SUMSUNG的某些SDRAM产品支持宽电压工作方式，可以与EDO内存混用。
高速缓存--Cache 介绍Cache的分级随着CPU的速度的加快，它与动态存储器DRAM配合工作时往往需要插入等待状态，这样难以发挥出CPU的高速度，也难以提高整机的性能。
如果采用静态存储器，虽可以解决该问题，但SRAM价格高。
在同样容量下，SARM的价格是DRAM的4倍。
而且SRAM体积大，集成度低。
为解决这个问题，在386DX以上的主板中采用了高速缓冲存储器--Cache技术。
其基本思想是用少量的SRAM作为CPU与DRAM存储系统之间的缓冲区，即Cache系统。
80486以及更高档微处理器的一个显著特点是处理器芯片内集成了SRAM作为Cache，由于这些Cache装在芯片内，因此称为片内Cache。
486芯片内Cache的容量通常为8K。
高档芯片如Pentium为16KB，PowerPC可达32KB。
Pentium微处理器进一步改进片内Cache，采用数据和双通道Cache技术，相对而言，片内Cache的容量不大，但是非常灵活、方便，极大地提高了微处理器的性能。
片内Cache也称为一级Cache。
由于486，586等高档处理器的时钟频率很高，一旦出现一级Cache未命中的情况，性能将明显恶化。
在这种情况下采用的办法是在处理器芯片之外再加Cache，称为二级Cache。
二级Cache实际上是CPU和主存之间的真正缓冲。
由于系统板上的响应时间远低于CPU的速度，如果没有二级Cache就不可能达到486，586等高档处理器的理想速度。
二级Cache的容量通常应比一级Cache大一个数量级以上。
在系统设置中，常要求用户确定二级Cache是否安装及尺寸大小等。
二级Cache的大小一般为128KB、256KB或512KB。
在486以上档次的微机中，普遍采用256KB或512KB同步Cache。
所谓同步是指Cache和CPU采用了相同的时钟周期，以相同的速度同步工作。
相对于异步Cache，性能可提高30% 以上。
什么是CACHE存储器所谓Cache，即高速缓冲存储器，是位于CPU和主存储器DRAM(Dynamic RAM)之间的规模较小的但速度很高的存储器，通常由SRAM组成。
SRAM(Static RAM)是静态存储器的英文缩写。
由于SRAM采用了与制作CPU相同的半导体工艺，因此与动态存储器DRAM比较，SRAM 的存取速度快，但体积较大，价格很高。
由于动态RAM组成的主存储器的读写速度低于CPU 的速度，而CPU每执行一条指令都要访问一次或多次主存，所以CPU总是要处于等待状态，严重地降低了系统的效率。
采用Cache之后，在Cache中保存着主存储器内容的部分副本，CPU在读写数据时，首先访问Cache。
由于Cache的速度与CPU相当，因此CPU就能在零等待状态下迅速地完成数据的读写。
只有Cache中不含有CPU所需的数据时，CPU才去访问主存。
CPU在访问Cache时找到所需的数据称为命中，否则称为未命中。
因此，访问Cache 的命中率则成了提高效率的关键。
而提高命中率则取决于Cache存储器的映象方式和Cache 内容替换的算法等一系列因素。
对内存扩容时应遵循哪些规则对内存扩充容量时，应遵循下面的一些规则：1.对大多数PC机来说，不能在同一组Bank内(每组包括两到四个插座)将不同大小的SIMM条混合在一起。
很多PC机都可安装不同容量的SIMM，但装在PC机同一组中的所有SIMM必须具有相同的容量，例如，对一个四插槽组来说，PC机一般既可接受1MB的SIMM条，也可接受4MB的SIMM条，可在该组的每个槽内安装1MB SIMM，则这一组共可容纳4MB内存。
也可在该组每个槽内安装4MB SIMM，则这一组共可容纳16MB内存。
但是，不能为了得到10MB内存，在两个槽内插入1MB的SIMM条，而在另两个槽中插入4MB的SIMM条。
2.对于很多PC机来说，若把不同速度的SIMM混合在一起，即使它们的容量相同也会带来麻烦。
例如，计算机中已有运行速度为60纳秒(ns)的4MB内存，而文档中说70ns的SIMM也能工作。
如果在母板的空闲内存槽中再插入速度为70ns的SIMM条，机器会拒绝引导或在启动后不久就陷于崩溃。
对于某些机器来说，若把速度低的SIMM放至第一组，则可解决速度混合问题。
计算机会按最低速度存取，剩余部分不会再有用。
3.对于大多数PC机来说，必须将一组的所有插槽都插满。
或者将一组全部置空(当然第一组不行)。
在一组中不能只装一部分。
4.PC机可接受的SIMM大小有一个上限(最大值可从PC机说明书中找到。
若没有说明书，唯一的方法就是从实践中找到最大值了)。
何谓30线、72线、168线内存条内存条；30线；72线；168线介绍30线、72线、168线内存条的有关知识及相互之间的区别条形存储器是把一些存储器芯片焊在一小条印制电路板上做成的，即称之为内存条，所谓内存条线数即引脚数，按引脚数不同可把内存条分为30线的内存条、72线的内存条(SIMM，即Sigle inline Memory Modale)和168线的内存条(DIMM，即Double inline Memory Module)。
内存条的引脚数必须与主板上内存槽的插脚数相匹配，内存条插槽也有30线、72 线和168线三种。
30线内存条提供8位有效数据位。
常见容量有256KB、1MB和4MB。
72线的内存条体积稍大，提供32位的有效数据位。
常见容量有4MB、8MB、16MB和32MB。
按下按键你可以看到72线内存条的外观形状。
168线的内存条体积较大，提供64位有效数据位。