贴片电容材质
贴片电容材质分类
贴片电容材质分类文稿归稿存档编号：[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II 类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
高容量贴片电容
高容量贴片电容一、概述高容量贴片电容是一种电子元件，用于存储电荷和平稳电路的电压。
它们通常被用于各种应用中，如手机、平板电脑、笔记本电脑、数字相机和其他消费类产品。
这些贴片电容具有小型化、高性能和低成本等优点，因此得到了广泛的应用。
二、分类根据其介质材料不同，高容量贴片电容可以分为铝电解质贴片电容和陶瓷贴片电容两种。
1. 铝电解质贴片电容铝电解质贴片电容是一种基于氧化铝介质的固态电解液性能的元件。
它们通常被用于低频应用中，如直流耦合、滤波器和终端模拟等。
2. 陶瓷贴片电容陶瓷贴片电容是一种基于陶瓷介质的元件。
它们通常被用于高频应用中，如射频耦合、滤波器和功率放大器等。
三、特点高容量贴片电容具有以下特点：1. 小型化：由于采用了SMT技术，使得高容量贴片电容的尺寸变得非常小，可以轻松地嵌入到各种电子设备中。
2. 高性能：高容量贴片电容具有较低的ESR值和较高的Q值，可以提供更好的性能和更低的损耗。
3. 低成本：由于采用了自动化生产技术，使得高容量贴片电容的成本相对较低。
4. 大容量：高容量贴片电容通常具有大于1μF的电容值，可以满足各种应用中对大电容值的需求。
四、应用高容量贴片电容广泛应用于各种消费类产品和工业领域中。
其中一些应用包括：1. 手机、平板电脑和笔记本电脑等消费类产品中的直流耦合、滤波器和终端模拟等。
2. 数字相机、摄像机和其他消费类产品中的直流耦合、滤波器和终端模拟等。
3. 无线通信设备中的射频耦合、滤波器和功率放大器等。
4. 工业控制系统中的各种应用，如传感器接口、数据采集和处理等。
五、结论总之，高容量贴片电容是一种非常重要的电子元件，它们具有小型化、高性能和低成本等优点，因此得到了广泛的应用。
随着技术的不断发展和市场需求的增加，高容量贴片电容将继续在各个领域中发挥重要作用。
cbb电容和贴片电容
CBB电容和贴片电容一、CBB电容和贴片电容概述1.CBB电容和贴片电容的定义CBB电容是一种聚丙烯薄膜电容器，具有良好的绝缘性能、低损耗、高可靠性等特点。
而贴片电容则是一种表面贴装型电容器，具有体积小、重量轻、容量大、可靠性高等优点。
2.CBB电容和贴片电容的特点CBB电容的特点包括：高绝缘性能、低损耗、高可靠性、耐高温、耐高压等。
而贴片电容的特点则包括：体积小、重量轻、容量大、可靠性高、易于安装等。
3.CBB电容和贴片电容的应用领域CBB电容广泛应用于电源滤波、耦合、去耦、旁路等电路中，同时也适用于高频电路和高压电路。
而贴片电容则广泛应用于数字电路、模拟电路、高频电路、低频电路等电路中，特别是表面安装型电子产品中。
二、CBB电容的原理和结构1.CBB电容的工作原理CBB电容是通过聚丙烯薄膜作为介质，在两个金属电极之间夹上绝缘材料，形成一个电容器。
当电压施加到电容器上时，电荷会储存在聚丙烯薄膜中，形成电场。
2.CBB电容的结构特点CBB电容的结构通常由金属电极、聚丙烯薄膜、绝缘材料等组成。
其中，金属电极通常采用铝或铜等材料，聚丙烯薄膜则采用聚丙烯塑料材料，绝缘材料则采用硅橡胶或陶瓷等材料。
3.CBB电容的主要参数和性能指标CBB电容的主要参数包括：容量、电压、损耗角正切值、绝缘电阻等。
其中，容量是指电容器能够储存的电荷量，电压是指电容器能够承受的最大电压，损耗角正切值是指电容器在交流电路中的能量损耗，绝缘电阻是指电容器两极之间的电阻值。
三、贴片电容的原理和结构1.贴片电容的工作原理贴片电容是一种表面贴装型电容器，其工作原理与CBB电容相似。
它是通过在两个金属电极之间夹上绝缘材料来形成电容器。
当电压施加到电容器上时，电荷会储存在绝缘材料中，形成电场。
2.贴片电容的结构特点贴片电容的结构通常由金属电极、绝缘材料等组成。
其中，金属电极通常采用铝或铜等材料，绝缘材料则采用陶瓷或聚合物等材料。
由于其体积小、重量轻等特点，使得贴片电容非常适合用于表面安装型电子产品中。
贴片电容介电材质简介
贴片电容C0G、NPO 、X7R、Y5V、X5R介质区别在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，C0G等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用 以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公 司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
贴片电容材质NP0、X7R、Y5V、Z5U图解及分析
封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
下表给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
X 7R、Z5U 和 Y5V 电容器
Low Temp.
Symbol
High Temp.
Symbol
Max. Cap. change over temp. range (%) ±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10 ±15 ±22 +22 to -33 +22 to -56 +22 to -82
Symbol
+10 -30 -55
Z Y X
+45 +65 +85 +105 +125 +150 +200
2 4 5 6 7 8 9
A B C D E F P R S T U V
Ex. :
X7R X : -55C 7 : +125 C R : 15%
X5R ,or(B) X : -55C ,(-25 C) 5 : +85 C ,(+85 C ) R : 15% ,(10%)
(整理)贴片电容C0G、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别
贴片电容COG、NPO 、X7R、Y5V、X5R介质区别在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一、 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
贴片陶瓷电容材质NPO、C0G、X7R、X5R、Y5V、Z5U区别？
贴片陶瓷电容材质NPO、C0G、X7R、X5R、Y5V、Z5U区别？常见的陶瓷贴片电容材质有分很多种，用户在选用时应该怎么按照具体工艺选择适合自己用的材质呢，从容量，稳定性，温度等多方面分析不同材质的区别。
贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。
英文缩写：MLCC。
常用的有NPO、X7R、Z5U和Y5V四种材质。
NPO填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。
NPO与X7R、X5R、Y5V、Z5U神马的有啥区别？主要是介质材料不同。
不同介质种类由于它的主要极化类型不一样，其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样。
在相同的体积下的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器， NPO属于Ⅰ类陶瓷，而其他的X7R、X5R、Y5V、Z5U等都属于Ⅱ类陶瓷。
X5R、X7R、Y5V、Z5U之间的区别是什么？区别主要还在于温度范围和容值随温度的变化特性上。
以X7R为例。
X 代表电容最低可工作在 -55℃7 代表电容最高可工作在 +125℃R 代表容值随温度的变化为±15%同样的，Y5V正常工作温度范围在-30℃～+85℃, 对应的电容容量变化为+22～-82%；而Z5U 正常工作温度范围在+10℃～+85℃，对应的电容容量变化为+22～-56%。
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如何识别贴片电容是哪种材质
如何识别贴片电容是哪种材质
如何识别各种材质贴片电容?，贴片电容外观识别方法显而易见，比较难识别的是同一类型电容，如贴片叠层电容，各厂家生产的贴片电容颜色、尺寸、形状都有一点区别。
由于贴片叠层电容体积太小无法再表面丝印，所以识别贴片叠层电容容值和厂家是无法从一个单品上看出。
下面容乐电子详解贴片电容材质识别方法。
常见贴片电容主要有：瓷片电容，贴片钽电容，贴片电解电容，贴片叠层电容。
1.瓷片电容，材质是瓷片，表面有丝印，无极性，无厂家标识，圆形，颜色有蓝色、淡黄色、酒红色、黄色、橘橙色。
2.贴片钽电容材质是钽，表面有丝印，有极性，主要有黑色、黄色等。
钽电容表面一般有一条丝印线(白色、黄色等)标记电容的正极，并且丝印有电容值和工作电压。
3.贴片电解电容，一般为圆柱形，表面有丝印，有极性，外观上可见铝制外壳，钽电容表面一般有一条丝印线(黑色)标记电容的负极，并且丝印有电容值和工作电压。
4.贴片叠层电容，一般为长方形或正方形，一般为长方形，表面没有丝印，没有极性，主要有褐色、灰色、淡紫色等。
如何识别各种材质贴片电容?，以上四种贴片电容识别相对较简单，单从外观即可识别出属于什么电容，我们只需记住他们的外形即可，根据上面提供的产品图我相信大家应该可以轻易识别各材质的电容。
今天的内容就到这里，希望能够帮助到大家。
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这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容。
COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
封装 DC=50V DC=100V0805 0.5---1000pF 0.5---820pF1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF1210 560---5600pF 560---2700pF2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF特性：电容范围 1pF～0.1uF (1±0.2V rms 1MHz)环境温度： -55℃～+125℃组别：CG温度特性： 0±30ppm/℃损耗角正切值： 15x10-4绝缘电阻：≥10GΩ抗电强度：2.5倍额定电压 5秒浪涌电流：≤50毫安二 X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；电气性能较稳定，随时间、温度、电压的变化，其特性变化不明显，适用于要求较高的耦合、旁路、源波电路以及10兆周以下的频率场合。
封装 DC=50V DC=100V0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF特性：电容范围 300pF～3.3uF (1.0±0.2V rms 1KHz)环境温度： -55℃～+125℃组别：2X1温度特性：±15%损耗角正切值： 100Volts: 2.5% max 50Volts: 2.5% max 25Volts: 3.0% max16Volts: 3.5% max 10Volts: 5.0% max绝缘电阻：≥4GΩ或≥100S/C (单位：MΩ)抗电强度：2.5倍额定电压5秒浪涌电流：≤50毫安三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。
对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。
但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。
尤其是在退耦电路的应用中。
Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 +10℃ --- +85℃温度特性 +22% ---- -56% 介质损耗最大4%封装 DC=25V DC=50V0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF四 Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
具有很高的介电系数，能较容易做到小体积，大容量，其容量随温度变化比较明显，但成本较低。
广泛应用于对容量，损耗要求不高的场合。
封装 DC=25V DC=50V0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF特性：电容范围 1000pF～22uF (0.3V 1KHz)环境温度： -30℃～+85℃温度特性：±22%～-82%损耗角正切值： 50Volts: 3.5% 25Volts: 5.0% 16Volts: 7.0%绝缘电阻：≥4GΩ或≥100S/C (单位：MΩ)抗电强度： 2.5倍额定电压 5秒浪涌电流：≤50毫安X7R与X5R材质的温度系数不同。
X5R材质所能做出来的电容容值会更高一些，与X7R同样容值电压的电容相比，X5R的价格也要便宜一些。
NPO（C0G）具有温度补偿特性，精度能做到5%，但是不能做到太高的容值。
（1）容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。
一般使用的容量误差有：J级±5%，K级±10%，M级±20%。
精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。
用字母表示：D级—±0.5%；F级—±1%；G级—±2%；J级—±5%；K级—±10%；M级—±20%。
（2）额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压，又称耐压。
对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。
（3）温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。
温度系数越小越好。
（4）绝缘电阻：用来表明漏电大小的。
一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。
电解电容的绝缘电阻一般较小。
相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。
（5）损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。
这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。
通常用损耗角正切值来表示。
（6）频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。
在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。
损耗也随频率的升高而增加。
另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。
所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。
不同品种的电容器，最高使用频率不同。
小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。
测评贴片电容性能，从三个方面进行，首先是贴片电容的四个常规电性能，即容量Cap.损耗DF，绝缘电阻IR和耐电压DBV，一般地，X7R产品的损耗值DF<=2.5%，越小越好，IR*Cap>500欧*法，BDV>2.5Ur.其次是贴片电容的加速寿命性能，在125deg.c环境温度和2.5Ur直流负载条件下，芯片应能耐100小时不击穿，质量好的可耐1000小时不击穿。
再次就是产品的耐热冲击性能，将电容浸入300deg.c锡炉10秒，多做几粒，显微镜下观察是否有表面裂纹，然后可测试容量损耗并与热冲击前对比判别芯片是否内部裂纹。
贴片电容在电路上出现问题，有可能是贴片电容本身质量不良，亦有可能是设计时选取规格欠佳或是在表面贴装机械力热冲击等对贴片电容造成一定的损伤等因素造成。