集成电路设计基础知识
数字集成电路设计基础
数字集成电路设计基础
1. 数字逻辑
•布尔代数
•组合逻辑电路
•时序逻辑电路
•状态机
2. CMOS 技术
•CMOS 器件的结构和特性•MOS 晶体管的开关特性•CMOS 逻辑门
•CMOS 存储器
3. 数字集成电路设计流程
•系统规范
•架构设计
•逻辑设计
•物理设计
•验证和测试
4. 组合逻辑电路设计
•门级优化
•多级逻辑优化
•可编程逻辑器件 (FPGA)
5. 时序逻辑电路设计
•时钟和复位电路
•触发器和锁存器
•同步和异步时序电路
6. 存储器设计
•静态随机存取存储器 (SRAM) •动态随机存取存储器 (DRAM) •只读存储器 (ROM)
•闪存
7. 芯片设计中的布局和布线
•布局约束和规则•布线算法
•时序和功耗优化8. 验证和测试
•功能验证
•时序验证
•制造测试
9. 数字集成电路应用•微处理器和单片机•数字信号处理•通信系统
•嵌入式系统
其他重要概念：
•数制转换
•可靠性和容错性•EDA 工具
•低功耗设计
•可制造性设计。
集成电路设计基础第11章数字集成vlsi系统设计基础
通过对时序逻辑电路的输入、输出及状态进行分析，了解其工作原理和特性。
时序逻辑电路设计
根据实际需求，选用合适的触发器和组合逻辑电路，设计出满足特定功能的时序逻辑电路。同时 需要考虑时序问题，确保电路的正确性和稳定性。
03
数字集成VLSI系统关键技术
高性能计算技术
并行处理技术
通过多核处理器、GPU加速等技术提高计算能力。
逻辑综合
将HDL代码转换为门级网表，优化电路性能并降低功 耗。
布局布线
根据电路需求和工艺要求，将门级网映射到具体的 芯片上，实现电路的物理实现。
时序分析
对布局布线后的电路进行时序分析，确保电路时序的 正确性和性能。
仿真验证与测试方法
前仿真
在电路设计阶段进行仿真验证， 检查电路功能和性能是否符合设 计要求。
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集成电路设计基础第11章数 字集成vlsi系统设计基础
• 数字集成VLSI系统概述 • 数字集成VLSI系统基本原理 • 数字集成VLSI系统关键技术 • 数字集成VLSI系统实现方法
• 数字集成VLSI系统应用实例 • 数字集成VLSI系统前沿研究动态
01
数字集成VLSI系统概述
定义与发展历程
柔性电子在数字集成VLSI中潜在价值
柔性电子器件
利用柔性基底和可弯曲的电 子材料制造柔性电子器件， 实现可穿戴、可折叠的数字
集成VLSI系统。
生物兼容性
柔性电子具有良好的生物兼 容性，可用于生物医学应用 中与人体紧密接触的电子设
备。
轻量化与便携性
柔性电子器件具有轻量化、 薄型化和可弯曲的特点，便 于携带和集成到各种移动设 备中。
应用领域及市场需求
集成电路设计基础课程简介
集成电路设计基础课程简介集成电路设计基础课程简介集成电路设计基础课程是电子信息类专业中的一门重要课程，它主要介绍了集成电路设计的基本原理、方法和技术。
通过学习这门课程，学生将能够掌握集成电路设计的基本理论知识，了解集成电路设计的流程和方法，培养集成电路设计的能力和创新思维。
本课程主要包括以下几个方面的内容：1. 集成电路设计概述：介绍集成电路设计的基本概念、发展历程和应用领域，让学生对集成电路设计有一个整体的认识。
2. 集成电路设计流程：详细介绍集成电路设计的流程和各个环节，包括需求分析、电路设计、布局布线、仿真验证等，让学生了解整个设计过程的每个环节。
3. 集成电路设计工具：介绍常用的集成电路设计工具，如EDA软件、仿真工具等，让学生掌握使用这些工具进行集成电路设计的能力。
4. 集成电路设计基础知识：介绍集成电路设计中的基础知识，如数字电路、模拟电路、信号处理等，让学生建立起扎实的基础知识。
5. 集成电路设计方法与技术：介绍常用的集成电路设计方法和技术，如逻辑设计、时序设计、布局布线技术等，让学生了解并掌握这些方法和技术。
6. 集成电路设计案例分析：通过分析一些实际的集成电路设计案例，让学生了解集成电路设计在实际应用中的具体情况和问题，并培养学生解决问题的能力。
通过学习这门课程，学生将能够掌握以下能力：1. 掌握集成电路设计的基本理论知识，了解集成电路设计的流程和方法。
2. 掌握常用的集成电路设计工具，能够使用这些工具进行集成电路设计。
3. 建立起扎实的集成电路设计基础知识，能够进行基本的数字电路和模拟电路设计。
4. 掌握常用的集成电路设计方法和技术，能够进行逻辑设计、时序设计等。
5. 具备分析和解决集成电路设计问题的能力，能够应对实际应用中的挑战。
总之，集成电路设计基础课程是电子信息类专业中一门重要的课程，通过学习这门课程，学生将能够掌握集成电路设计的基本理论知识和方法，培养集成电路设计能力和创新思维。
集成电路设计基础
集成电路设计基础集成电路设计是现代电子技术中的重要组成部分，它涉及到电路设计、布局、布线、仿真、验证等多个环节。
本文将从集成电路设计的基础知识入手，介绍一些常用的设计方法和流程。
一、集成电路设计的基本概念集成电路是将多个电子元器件集成在一块芯片上的电路。
它的设计过程主要包括逻辑设计和物理设计两个阶段。
逻辑设计是指根据电路的功能要求，使用逻辑门和触发器等基本逻辑单元，设计出满足特定功能的逻辑电路。
物理设计则是将逻辑电路映射到实际的物理布局上，包括芯片的布局、布线和电路的优化等。
二、集成电路设计的方法1. 逻辑设计方法逻辑设计是集成电路设计的第一步，它决定了电路的功能和性能。
常用的逻辑设计方法包括门级逻辑设计、寄存器传输级（RTL）设计和行为级设计等。
门级逻辑设计是指将逻辑电路表示为逻辑门的组合，可以使用与、或、非等基本逻辑门进行逻辑运算。
寄存器传输级设计则是将逻辑电路表示为寄存器和数据传输器的组合，它可以更直观地描述电路的数据流动。
行为级设计是指使用高级语言（如Verilog、VHDL等）描述电路的功能和行为。
2. 物理设计方法物理设计是将逻辑电路映射到实际的物理布局上，其目标是在满足电路功能和性能要求的前提下，尽可能减小电路的面积和功耗。
物理设计的主要步骤包括芯片的布局、布线和电路的优化。
芯片的布局是指将电路的各个逻辑单元按照一定的规则放置在芯片上，以满足电路的连接要求和良好的电路布局。
布线是指将逻辑单元之间的连线完成，使其能够正常传递信号。
布线的目标是尽量减小连线的长度和延迟，提高电路的运行速度。
电路的优化是指对布局和布线进行进一步的优化，以减小芯片的面积和功耗。
常用的优化方法包括逻辑优化、时钟树优化和功耗优化等。
三、集成电路设计的流程集成电路设计的流程一般包括需求分析、逻辑设计、验证、物理设计和后端流程等多个阶段。
需求分析阶段是确定电路的功能和性能要求，以及电路的输入输出特性等。
逻辑设计阶段是根据需求分析的结果，设计出满足功能和性能要求的逻辑电路。
集成电路设计基础复习
1. 在P 衬底硅片上设计的PMOS 管可以分为n+层、SiO 2层、多晶硅层、金属层和N 井层。
2. 在集成电路设计中，制造厂商所给的工艺中有R □为它成为（方块电阻）。
3. MOS 管元件参数中的C ox 是栅极单位面积所具有的（电容值）。
4. 对于NMOS 而言，工作在饱和区中，其漏电流I D 等于（21()2D P ox GS TH WI C V V Lμ=-），不能使用β或K 来表示。
5. 对于PMOS 而言，工作在饱和区中，其漏电流I D 等于（21(||)2D P ox SG TH WI C V V Lμ=--），不能使用β或K 来表示。
6. 对于工作在饱和区的NMOS 而言，其g m 等于（2Dm GS THI g V V =-），只能有I D 和过驱动电压表示。
7. 对于工作在饱和区的NMOS 而言，其g m等于（m g =），只能有I D 、W 、L 以及工艺参数表示。
8. 根据MOS 管特征曲线划分的四个工作区域，可以作为MOS 电阻的区域为（深度三极管区）。
9. 根据MOS 管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为电流源的区域为（饱和区）。
10. 对于NMOS 而言，导电沟道形成，但没有产生夹断的外部条件为（V DS 小于V GS -V TH ）。
11. 差动信号的优点，能（有效抑制共模噪声），增大输出电压摆幅，偏置电路更简单和输出线性度更高。
12. 分析MOS 共栅放大电路，其电流增益约等于（1）。
13. 差动信号的优点，能有效抑制共模噪声，增大输出电压摆幅，偏置电路更简单和（输出线性度更高）。
14. 共源共栅电流镜如下图所示，当V X 电压源由大变小的过程中，M2和M3管，（M3）先退出饱和区。
1. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为电流源的区域为（ B ）。
A 线性区B 饱和区C 截止区D 三极管区2. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为MOS电阻的区域为（ A ）。
IC设计基本知识
IC设计基本知识IC设计（Integrated Circuit Design）是指利用半导体工艺将电子器件集成在一块硅片上，并通过设计和布局进行电路的实现和优化的过程。
IC设计是电子工程领域的关键技术之一，也是现代电子设备发展和电子产业升级的重要基础。
IC设计的基本知识可以分为以下几个方面：1.电子器件基础知识：了解各种电子器件的基本工作原理和特性是进行IC设计的基础。
例如，了解二极管、晶体管、场效应管等器件的结构、原理和参数。
2. 数字电路设计：数字电路设计是IC设计的重要部分。
了解数字电路的设计原理、逻辑门电路、时序电路、状态机等基本概念和设计方法是必要的。
另外，还需要熟悉可编程器件如FPGA（Field Programmable Gate Array）的原理和应用。
3.模拟电路设计：模拟电路设计是IC设计中的另一个重要部分。
了解模拟电路的设计原理、放大器、滤波器、振荡器等基本电路的设计方法是必要的。
同时，需要了解一些基本的模拟电路设计工具和方法。
4.射频电路设计：射频电路设计是IC设计中的一个特殊领域，用于实现无线通信和射频前端。
了解射频电路的基本原理、调制解调、射频放大器、滤波器等相关概念和设计方法是必要的。
5.数字信号处理：数字信号处理（DSP）是IC设计中的另一个重要方向。
了解数字信号处理的基本原理、滤波器设计、傅里叶变换等概念是必要的。
6.IC制造工艺：了解IC制造工艺是进行IC设计的基本要求之一、了解硅片制造的工艺流程、光刻技术、薄膜沉积、蚀刻等过程是必要的。
7.版图设计：版图设计是实现IC电路的物理布局和连接。
了解版图设计的基本规则、布线技巧、电路布局等是进行IC设计的必备知识。
8.仿真和验证：进行IC设计时，需要进行电路仿真和验证。
了解电路仿真软件如SPICE的基本原理和使用方法，熟悉验证电路设计的方法是必要的。
9.芯片测试和封装：了解芯片测试和封装技术也是进行IC设计的重要环节之一、了解如何进行芯片测试和封装设计，以满足产品质量和可靠性的要求是必要的。
数字集成电路设计
数字集成电路设计数字集成电路设计是现代电子工程领域中至关重要的部分。
随着科技的不断发展，数字集成电路在各种应用中发挥着越来越重要的作用。
本文将介绍数字集成电路设计的基础知识、设计流程和常见应用。
一、基础知识1.1 数字集成电路的概念数字集成电路是由数字逻辑门和存储元件等基本器件组成的集成电路。
它能够进行数字信号的处理和控制，是数字系统的核心组成部分。
1.2 数字集成电路的分类数字集成电路可以分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。
组合逻辑电路的输出只由当前输入决定，而时序逻辑电路的输出还受到时钟信号的控制。
1.3 数字集成电路的优势数字集成电路具有体积小、功耗低、性能稳定等优势，广泛应用于数字信号处理、计算机系统、通信设备等领域。
二、设计流程2.1 确定需求首先需要明确设计的功能和性能需求，包括输入输出规格、时钟频率、功耗要求等。
2.2 逻辑设计根据需求进行逻辑设计，包括功能拆分、逻辑电路设计、逻辑门选型等。
2.3 电路设计在逻辑设计的基础上进行电路设计，包括电路拓扑结构设计、布线规划、电源分配等。
2.4 物理设计最后进行物理设计，确保布局布线符合设计规范，满足信号完整性和功耗要求。
三、常见应用3.1 通信设备数字集成电路在通信设备中广泛应用，如调制解调器、WiFi芯片、基带处理器等。
3.2 汽车电子数字集成电路在汽车电子领域也有重要应用，如车载娱乐系统、车载控制单元等。
3.3 工业控制数字集成电路在工业控制系统中发挥着重要作用，如PLC、传感器接口等。
结语数字集成电路设计是一门复杂而重要的学科，需要工程师具备扎实的电子知识和设计能力。
随着科技不断进步，数字集成电路设计将在未来发挥越来越重要的作用，为各种领域的发展提供技术支持。
以上为数字集成电路设计的基础知识、设计流程和常见应用，希望能为读者对该领域有更深入的了解。
模拟cmos集成电路设计知识点总结
模拟cmos集成电路设计知识点总结模拟CMOS集成电路设计是一个涉及多个学科领域的复杂课题，包括电子工程、物理、材料科学和计算机科学等。
以下是一些关键知识点和概念的总结：1. 基础知识：半导体物理：理解半导体的基本性质，如本征半导体、n型和p型半导体等。
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）工作原理：理解MOSFET的基本构造和如何通过电压控制电流。
2. CMOS工艺：了解基本的CMOS工艺流程，包括晶圆准备、热氧化、扩散、光刻、刻蚀、离子注入和退火等步骤。
理解各种工艺参数对器件性能的影响。
3. CMOS电路设计：了解基本的模拟CMOS电路，如放大器、比较器、振荡器等。
理解如何使用SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）进行电路模拟。
4. 噪声：理解电子器件中的噪声来源，如热噪声、散粒噪声和闪烁噪声等。
了解如何减小这些噪声的影响。
5. 功耗：理解CMOS电路中的功耗来源，如静态功耗和动态功耗。
了解降低功耗的方法，如电源管理技术和低功耗设计技术。
6. 性能优化：理解如何优化CMOS电路的性能，如提高速度、减小失真和提高电源效率等。
7. 可靠性问题：了解CMOS电路中的可靠性问题，如闩锁效应和ESD（静电放电）等。
8. 版图设计：了解基本的版图设计规则和技巧，以及如何使用EDA（Electronic Design Automation）工具进行版图设计和验证。
9. 测试与验证：理解如何测试和验证CMOS集成电路的性能。
10. 发展趋势与挑战：随着技术的进步，模拟CMOS集成电路设计面临许多新的挑战和发展趋势，如缩小工艺尺寸、提高集成度、应对低功耗需求等。
持续关注最新的研究和技术进展是非常重要的。
以上是对模拟CMOS集成电路设计的一些关键知识点的总结，具体内容可能因实际应用需求和技术发展而有所变化。
深入学习这一领域需要广泛的知识基础和持续的研究与实践。
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1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
第一章 集成电路设计概述
1.2 当前国际集成电路 技术发展趋势
1.2 当前国际集成电路技术发展趋势 #1
关心工艺线
12 英 寸 (300mm) 0.09 微 米 是 目 前 量产最先进的 CMOS工艺线 工艺线
GSI >107 >106 2000 P3 CPU
SoC
>5× >5×10
7
10 ~ 102 1966 计数器 加法器
>5×106 × 2003 P4 CPU
DSP
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
集成电路的发展
1990年代以后 工艺从亚微米(0.5到1微米 深亚微米(小于 年代以后, 工艺从亚微米 到 微米)→深亚微米 小于 年代以后 微米 深亚微米 0.5m)→超深亚微米 小于0.25 m ,目前已经到了0.06 m) 超深亚微米(小于 目前已经到了 超深亚微米 小于 发展.其主要特点: 发展.其主要特点: 特征尺寸越来越小(最小的 管栅长或者连线宽度) 特征尺寸越来越小(最小的MOS管栅长或者连线宽度) 管栅长或者连线宽度 芯片尺寸越来越大( 芯片尺寸越来越大(die size) ) 单片上的晶体管数越来越多 时钟速度越来越快 电源电压越来越低 布线层数越来越多 I/O引线越来越多 引线越来越多
2001
0.15 1G~4G 40 385 1400 7 1.2-1.5 300 12吋 吋
2003
0.13 4G 76 430 1600 7 1.2-1.5 300 12吋 吋
2006
0.10 16G 200 520 2000 7～8 ～ 0.9-1.2 300 12吋 吋
2009
0.07 64G 520 620 2500 8～9 ～ 0.6-0.9 450 18吋 吋
集成电路工艺特征尺寸
0.3 特征尺寸( 微米) 特征尺寸 ( 微米 ) 0.25 0.2 0.15 0.1 0.05 0 1997 1999 2001 2003 2006 2009 工艺尺寸
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
单个芯片上的晶体管数
600 500 晶体管数( 晶体管数 ( M) 400 300 200 100 0 1997 1999 2001 2003 2006 2009 晶体管数
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
摩尔定律( 摩尔定律(Moore's Law) )
Min. transistor feature size decreases by 0.7X every three years——True for at least 30 years! (Intel公司前董事长 公司前董事长Gordon Moore首次于 首次于1965提出 提出) 公司前董事长 首次于 提出 后人对摩尔定律加以扩展: 后人对摩尔定律加以扩展: 集成电路的发展每三年 – – – – 工艺升级一代; 工艺升级一代; 集成度翻二番; 集成度翻二番; 特征线宽约缩小30%左右; 特征线宽约缩小 %左右; 逻辑电路( 为代表) 逻辑电路(以CPU为代表)的工作频率提高约 %. 为代表 的工作频率提高约30%
单片集成电路晶体管数
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
特征尺寸
人类头发丝
变形虫 红血球细胞
艾滋病毒
巴克球
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
电源电压
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
平均每个晶体管价格
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
摩尔定律还能维持多久? 摩尔定律还能维持多久?
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
第一块单片集成电路
集成电路发展史上的几个里程碑
1962年Wanlass,C. T. Sah——CMOS技术 年 , 技术 现在集成电路产业中占95%以上 现在集成电路产业中占 以上 1967年Kahng,S. Sze ——非挥发存储器 年 , 非挥发存储器 1968年Dennard——单晶体管 年 单晶体管DRAM 单晶体管 1971年Intel公司生产出第一个微处理器芯片 年 公司生产出第一个微处理器芯片 公司生产出第一个微处理器芯片4004— —计算机的心脏 计算机的心脏 目前全世界微机总量约 亿台,在美国每年由计算 目前全世界微机总量约6亿台, 亿台 机完成的工作量超过4000亿人年工作量.美国欧特 亿人年工作量. 机完成的工作量超过 亿人年工作量 泰克公司认为:微处理器, 泰克公司认为:微处理器,宽带连接和智能软件将 世纪改变人类社会和经济的三大技术创新. 是21世纪改变人类社会和经济的三大技术创新. 世纪改变人类社会和经济的三大技术创新
2012
0.01 256G 1400 750 3000 9 0.5-0.6 450 18吋 吋
DRAM容量 DRAM容量
晶体管数量(M) 晶体管数量 芯片尺寸(mm2) 芯片尺寸 时钟频率(MHz) 时钟频率 金属层数 最低供电电压 (V) 最大硅片直径 (mm)
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
获得1956年Nobel物理奖 获得1956年Nobel物理奖
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
获得1956年Nobel物理奖 获得1956年Nobel物理奖
集成电路的发明
1952年5月,英国科学家 W. A. Dummer第一次 年 月 英国科学家G. 第一次 提出了集成电路的设想. 提出了集成电路的设想. 1958年以德克萨斯仪器公司(TI)的科学家基尔比 年以德克萨斯仪器公司( ) 年以德克萨斯仪器公司 (Clair Kilby)为首的研究小组研制出了世界上第一 为首的研究小组研制出了世界上第一 块集成电路,并于1959年公布了该结果. 年公布了该结果. 块集成电路,并于 年公布了该结果 锗衬底上形成台面双极晶体管和电阻,总共12个器 锗衬底上形成台面双极晶体管和电阻,总共 个器 用超声焊接引线将器件连起来. 件,用超声焊接引线将器件连起来.
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
集成电路芯片面积
700 芯片面积 ( 平方毫米 ) 芯片面积( 平方毫米) 600 500 400 300 200 100 0 1997 1999 2001 2003 2006 2009 芯片面积
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
集成电路的电源电压
集成电路设计基础
第一章 集成电路设计概述
华南理工大学 电子与信息学院 广州集成电路设计中心 殷瑞祥 教授
第一章 集成电路设计概述
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
集成电路( ) 集成电路(IC)的发展
IC——Integrated Circuit; ; 集成电路是电路的单芯片实现; 集成电路是电路的单芯片实现; 集成电路是微电子技术的核心; 集成电路是微电子技术的核心;
经过 多年,集成电路产业的发展证实了摩尔定律的 经过30多年, 多年 正确性,但是摩尔定律还能有多长时间的生命力? 正确性,但是摩尔定律还能有多长时间的生命力? 集成电路的特征尺寸: 集成电路的特征尺寸: 量子效应 130nm→90nm→60nm→45nm→30nm→?量子效应 集成电路光刻 费用急剧增加 数十万甚至上 百万美元! 百万美元!
工艺 元件数 门数 年代 典型 产品 SSI <102 <10 1961 集成 门, 触发 器 MSI 102 2 ~ 103 1971 8bMCU ROM RAM
VLSI 104 ~ 106 103 ~ 105 1980 16-32bit MCU
ULSI 106 ~ 107 105 ~ 106 1990
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
集成电路的发展水平的标志
IC加工工艺的特征尺寸 加工工艺的特征尺寸 (MOS晶体管的最小栅长,最小金属线宽 晶体管的最小栅长, 晶体管的最小栅长 最小金属线宽) 集成度 元件/芯片 芯片) (元件 芯片) 生产IC所用的硅片的直径 生产 所用的硅片的直径 (6,8,12英寸) , , 英寸) 英寸 芯片的速度 (时钟频率 时钟频率) 时钟频率
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
集成电路发展规划(1997) 集成电路发展规划( )
年份
最小线宽 (mm) mm)
1997
0.25 256M 11 300 750 6 1.8-2.5 200 8吋 吋
1999
0.18 1G 21 340 1200 6～7 ～ 1.5-1.8 300 12吋 吋
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
集成电路的发展
小规模集成(SSI)→中规模集成(MSI)→大规 小规模集成( 中规模集成( ) 中规模集成 ) 大规 模集成( 超大规模集成电路(VLSI)→特大 模集成(LSI)→超大规模集成电路 ) 超大规模集成电路 特大 规模集成电路(ULSI)→GSI →SoC . 规模集成电路
获得2000年Nobel物理奖 获得2000年Nobel物理奖
1.1 集成电路(IC)的发展 集成电路( )
获得2000年Nobel物理奖 获得2000年Nobel物理奖
集成电路的发明
平面工艺的发明 1959年7月, 美国 公司的Noyce发明第一 年 月 美国Fairchild 公司的 发明第一 块单片集成电路: 块单片集成电路: 利用二氧化硅膜制成平面晶体管, 利用二氧化硅膜制成平面晶体管, 用淀积在二氧化硅膜上和二氧化硅膜密接在一起的 导电膜作为元器件间的电连接(布线 布线). 导电膜作为元器件间的电连接 布线 . 这是单片集成电路的雏形, 这是单片集成电路的雏形,是与现在的硅集成电路 直接有关的发明.将平面技术, 直接有关的发明.将平面技术,照相腐蚀和布线技 术组合起来,获得大量生产集成电路的可能性. 术组合起来,获得大量生产集成电路的可能性.