晶闸管和双向可控硅应用技术
双向可控硅MAC97A6的电路应用
双向可控硅MAC97A6的电路应用MAC97A6为小功率双向可控硅（双向晶闸管），最多应用于电风扇速度控制或电灯的亮度控制，市场上流行的“电脑风扇”或“电子程控风扇”，不外乎是用集成电路控制器与老式风扇相结合的新一代产品。
这里介绍的电路就是利用一块市售的专用集成电路RY901及MAC97A6，将普通电扇改装为具有多功能的高档电扇，很适宜无线电爱好者制作与改装。
这种新型IC的主要特点是：（1）集开关、定时、调速、模拟自然风为一体，外围元件少、电路简单、易于制作；（2）省掉了体积较大的机械定时器和调速器，采用轻触式开关和电脑控制脉冲触发，因而无机械磨损，使用寿命长。
（3）各种动作电脑程序具备相应的发光管指示，耗电量少，体积小，重量轻，显示直观，便于操作；（4）适合开发或改造成多路家电的定时控制等。
RY901采用双列直插式16脚塑封结构，为低功耗CMOS 集成电路。
其外形、引出脚排列及各脚功能如图1所示。
工作原理点击下载原理图[/url] ）。
市电220V由C1、R1降压VD9稳压，经VD10、C2整流滤波后,提供5V－6V左右的直流电源作为RY901IC组成的控制器电压。
在刚接通电源时，电脑控制器暂处于复位（静止）状态，面板上所有发光二极管VD1－VD8均不亮，电风扇不转。
若这时每按动一次风速选择键SB3，可依次从IC的11－13脚输出控制电平（脉冲信号），经发光管VDl－VD3和限流电阻R2－R4，分别触发双向晶闸管VS1－VS3的G极，用以控制它的导通与截止，再经电抗器L进行阻抗变换，即可按强风、中风、弱风、强风……的顺序来改变其工作状态，并且风速指示管VD1－VD3（红色）对应点亮或熄灭；当按风型选择键SB4，电风扇即按连续风（常风）、阵风（模拟自然风）、连续风……的方式循环改变其工作状态，在连续风状态下，风型指示管VD4（黄色）熄灭，在阵风状态下，VD4闪光；当按动定时时间选择键SB2，定时指示管VD5－VD8依次对应点亮或熄灭，即每按动一次SB2，可选择其中一种定时时间，共有0.5、l、2、4小时和不定时5种工作方式供选择。
可控硅-晶闸管的几种典型应用电路
可控硅-晶闸管的几种典型应用电路描述：ＳＣＲ半波整流稳压电源。
如图４电路，是一种输出电压为＋１２Ｖ的稳压电源。
该电路的特点是变压器Ｂ将２２０Ｖ的电压变换为低压（１６～２０Ｖ），采用单向可控硅ＳＣＲ半波整流。
ＳＣＲ的门极Ｇ从Ｒ１、Ｄ１和Ｄ２的回路中的Ｃ点取出约１３．４Ｖ的电压作为ＳＣＲ门阴间的偏置电压。
电容器Ｃ１起滤波和储能作用。
在输出ＣＤ端可获得约＋１２Ｖ的稳压。
晶闸管，又称可控硅（单向ＳＣＲ、双向ＢＣＲ）是一种４层的（ＰＮＰＮ）三端器件。
在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。
在这里，笔者介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。
１．锁存器电路。
图１是一种由继电器Ｊ、电源（＋１２Ｖ）、开关Ｋ１和微动开关Ｋ２组成的锁存器电路。
当电源开关Ｋ１闭合时，因Ｊ回路中的开关Ｋ２和其触点Ｊ－１是断开的，继电器Ｊ不工作，其触点Ｊ－２也未闭合，所以电珠Ｌ不亮。
一旦人工触动一下Ｋ２，Ｊ得电激活，对应的触点Ｊ－１、Ｊ－２闭合，Ｌ点亮。
此时微动开关Ｋ２不再起作用（已自锁）。
要使电珠Ｌ熄灭，只有断开电源开关Ｋ１使继电器释放，电珠Ｌ才会熄灭。
所以该电路具有锁存器（Ｊ－１自锁）的功能。
图２电路是用单向可控硅ＳＣＲ代替图１中的继电器Ｊ，仍可完成图１的锁存器功能，即开关Ｋ１闭合时，电路不工作，电珠Ｌ不亮。
当触动一下微动开关Ｋ２时，ＳＣＲ因电源电压通过Ｒ１对门极加电而被触发导通且自锁，Ｌ点亮，此时Ｋ２不再起作用，要使Ｌ熄灭，只有断开Ｋ１。
由此可见，图２电路也具有锁存器的功能。
图２与图１虽然都具有锁存器功能，但它们的工作条件仍有区别：（１）图１的锁存功能是利用继电器触点的闭合维持其Ｊ线圈和Ｌ的电流，但图２中，是利用ＳＣＲ自身导通完成锁存功能。
（２）图１的Ｊ与控制器件Ｌ完全处于隔离状态，但图２中的ＳＣＲ与Ｌ不能隔离。
所以在实际应用电路中，常把图１和图２电路混合使用，完成所需的锁存器功能。
２．单向可控硅ＳＣＲ振荡器。
图３电路是利用ＳＣＲ的锁存性制作的低频振荡器电路。
晶闸管和双向可控硅应用规则
晶闸管和双向可控硅应用规则闸流管闸流管是一种可控制的整流管，由门极向阴极送出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。
导通让门极相对阴极成正极性，使产生门极电流，闸流管立即导通。
当门极电压达到阀值电压 VGT，并导致门极电流达到阀值 IGT，经过很短时间tgt（称作门极控制导通时间）负载电流从正极流向阴极。
假如门极电流由很窄的脉冲构成，比方说 1μs，它的峰值应增大，以保证触发。
当负载电流达到闸流管的闩锁电流值 IL 时，即使断开门极电流，负载电流将维持不变。
只要有足够的电流继续流动，闸流管将继续在没有门极电流的条件下导通。
这种状态称作闩锁状态。
注意，VGT，IGT 和 IL 参数的值都是 25℃下的数据。
在低温下这些值将增大，所以驱动电路必须提供足够的电压、电流振幅和持续时间，按可能遇到的、最低的运行温度考虑。
规则 1 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≥IGT ，直至负载电流达到≥IL 。
这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。
灵敏的门极控制闸流管，如BT150，容易在高温下因阳极至阴极的漏电而导通。
假如结温 Tj 高于 Tjmax , 将达到一种状态，此时漏电流足以触发灵敏的闸流管门极。
闸流管将丧失维持截止状态的能力，没有门极电流触发已处于导通。
要避免这种自发导通，可采用下列解决办法中的一种或几种：1. 确保温度不超过 Tjmax。
2. 采用门极灵敏度较低的闸流管，如 BT151，或在门极和阴极间串入 1kΩ或阻值更小的电阻，降低已有闸流管的灵敏度。
3. 若由于电路要求，不能选用低灵敏度的闸流管，可在截止周期采用较小的门极反向偏流。
这措施能增大 IL。
应用负门极电流时，特别要注意降低门极的功率耗散。
截止（换向）要断开闸流管的电流，需把负载电流降到维持电流 IH 之下，并历经必要时间，让所有的载流子撤出结。
在直流电路中可用“强迫换向”，而在交流电路中则在导通半周终点实现。
（负载电路使负载电流降到零，导致闸流管断开，称作强迫换向。
晶闸管的基础知识和在可控整流技术方面的应用
上海交通职业技术学院学生毕业论文毕业论文题目晶闸管的基础知识和在可控整流技术方面的应用专业港口物流设备与自动控制学号0910032姓名指导老师目录目录 (1)摘要 (2)1 绪论 (3)1.1 课题背景及发展方向 (3)1.2 本文主要工作 (3)2 晶闸管元件 (4)2.1晶闸管元件简介 (4)2.1.1.单向晶闸管的工作原理和主要参数 (4)2.1.2 双向晶闸管的工作原理和主要参数 (7)3.晶闸管的应用 (10)3.1 单相半波可控整流电路 (11)3.1.1电阻性负载 (11)3.1.2电感性负载及续流二极管 (13)3.1.3反电动势负载 (17)结束语 (19)参考文献 (20)致谢 (21)晶闸管的基础知识和在可控整流技术方面的应用李坤清摘要：晶闸管是晶体闸流管的简称，俗称可控硅整流器（SCR ,SiliconControlled Rectifier）,简称可控硅，其规范术语是反向阻断三端晶闸管。
晶闸管是一种既具有开关作用，又具有整流作用的大功率半导体器件，应用于可控整流变频、逆变及无触点开关等多种电路。
对它只要提供一个弱点触发信号，就能控制强电输出。
所以说它是半导体器件从弱电领域进入强电领域的桥梁。
目前为止，晶闸管是电子工业中应用最广泛的半导体器件，尽管有各种不同的新型半导体材料不断出现，但半导体材料中98%仍是硅材料，硅材料仍是集成电路产业的基础，其中晶闸管具有体积小、重量轻、功率高、寿命长等优点而得到广泛应用。
晶闸管的作用主要有以下几种，1.变流整流，2.调压，3. 变频，4.开关（无触点开关）。
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。
大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。
如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。
在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。
这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。
双向可控硅控制电路
双向可控硅控制电路引言：双向可控硅（Bidirectional Thyristor），简称BTT，是一种半导体器件，常用于交流电源的开关控制电路。
本文将介绍双向可控硅控制电路的工作原理、应用领域以及设计要点。
一、工作原理双向可控硅是一种四层或五层PNPN晶体管结构，具有双向导电特性。
它通过控制控制极和门极之间的电压，实现对电流的控制。
双向可控硅的工作原理与单向可控硅相似。
当控制极为正向，或门极和控制极间有正向的压力时，双向可控硅将变为正向导通的状态。
当控制极为反向，或门极和控制极间有反向的压力时，双向可控硅将变为反向导通的状态。
双向可控硅在交流电路中的应用较为广泛。
其常见的控制模式有两种：半波控制和全波控制。
在半波控制中，只有交流电的一个半周期通过可控硅；而在全波控制中，交流电的两个半周期均能通过可控硅。
二、应用领域1. 交流电调光双向可控硅在家庭照明和舞台灯光等场合中被广泛应用于交流电调光控制。
通过改变双向可控硅的导通时长和导通角，可以实现对灯光亮度的调整，满足不同场合的照明需求。
2. 交流电机调速由于典型的交流电机是不能直接调速的，因此需要通过双向可控硅控制电路来实现调速。
通过改变双向可控硅的导通和断开时间，可以控制交流电机的转速。
3. 交流电能控制双向可控硅在交流电能控制领域有着广泛应用。
通过双向可控硅控制电路，可以实现对交流电能的开关调节，提高电能的利用效率，并能够实现电网的防护和电能质量控制。
三、设计要点1. 选择适当的双向可控硅根据实际需求和控制要求，选择合适的双向可控硅，包括最大电流、最大电压和最大功率等参数。
2. 控制电路设计双向可控硅的控制电路通常由触发电路、门电流限制电路和保护电路等组成。
触发电路用于控制双向可控硅的导通和断开，门电流限制电路用于限制门极电流的大小，保护电路用于保护双向可控硅免受过流、过热和过压等不利因素的影响。
3. 热管理在设计双向可控硅控制电路时，需要考虑散热问题。
晶闸管可控硅的工作原理与应用
晶闸管可控硅的工作原理与应用1. 前言晶闸管可控硅是一种电子器件，由于其具有可控性和可靠性，被广泛应用于电力电子领域。
本文将介绍晶闸管可控硅的工作原理以及其常见的应用领域。
2. 工作原理晶闸管可控硅基于PN结的整流作用，通过施加控制信号来操控硅芯片上的PN 结，从而控制晶闸管的导通和断开。
其工作原理主要包括以下几个方面：•整流作用：晶闸管可控硅的基本构造是由P型半导体、N型半导体和受控结组成的。
在正向电压作用下，P区和N区发生整流作用，使电流从P 区流向N区，实现整流。
•双向控制：晶闸管可控硅的特殊之处在于，它既可以通过正向电压控制，也可以通过负向电压控制。
在控制信号施加到PN结时，激活PN结的电场，从而控制整流行为。
由于可同时控制正向和负向的PN结，因此晶闸管可控硅具备双向控制的特点。
•开关行为：晶闸管可控硅在不施加控制信号时，处于高阻态（关断状态）。
一旦施加足够的控制信号，晶闸管可控硅由高阻态转变为低阻态（导通状态），实现开关行为。
在导通状态下，可以通过控制信号或电流源来操控电流大小。
3. 应用领域晶闸管可控硅由于其可控性和可靠性，被广泛应用于以下领域：3.1 电力调节晶闸管可控硅在电力调节中发挥重要作用，主要用于调整电力系统的电流和电压。
其具有快速响应、高效率和可控性的优点，可广泛应用于交流电变压器、电机调速、电磁炉等电力调节装置中。
3.2 光控开关由于晶闸管可控硅的特殊控制能力，使其成为光控开关的理想选择。
通过控制光敏电阻和电源电压，可以实现对晶闸管可控硅的导通和断开。
光控开关广泛应用于照明系统、电动窗帘、雷达装置等领域，具有节能、自动化的特点。
3.3 电动车辆晶闸管可控硅在电动车辆的电力控制系统中扮演关键角色。
通过控制晶闸管可控硅的导通和断开，可以操控电动车辆的电机驱动系统，实现加速、制动和行驶状态转换。
晶闸管可控硅的高可控性和可靠性，使得电动车辆具有更好的控制性能和能耗控制能力。
3.4 输电线路晶闸管可控硅在高压输电线路中的应用也非常重要。
双向可控硅mac97a6详解及其的应用电路
双向可控硅mac97a6详解及其的应用电路引言:双向可控硅mac97a6是一种常用的功率半导体器件，它在电力控制和调节中扮演着重要的角色。
它具有双向触发特性，可以用来控制交流电路中的功率开关。
在本文中，我们将深入探讨双向可控硅mac97a6的基本原理、特性及其在电路中的应用。
一、双向可控硅mac97a6的基本原理1. 双向可控硅mac97a6的结构：双向可控硅mac97a6是由两个晶闸管反向并联组成，其结构简单而有效。
它的触发特性使得它能够在正负半周均能进行导通和关断。
2. 双向可控硅mac97a6的工作原理：当双向可控硅mac97a6的控制端处于导通状态时，只有当施加的触发脉冲正负半周达到一定电压时，双向可控硅mac97a6才能导通，实现功率的控制和变换。
3. 双向可控硅mac97a6的特性：双向可控硅mac97a6具有较高的工作频率、耐高压、低功耗等特点，使得它在电路中具有广泛的应用前景。
二、双向可控硅mac97a6的应用电路1. 交流电路中的应用：双向可控硅mac97a6常常被用在交流电路中，如交流调压器、交流调速器等。
它通过对电压进行控制，使得交流电路在不同负载条件下能够自动调节输出电压和频率，实现电力的高效利用。
2. 电磁场中的应用：双向可控硅mac97a6还可以被应用在电磁场控制中，如变压器、感应加热等设备中。
通过对电路的控制，可以实现电磁场的精确调节，保证设备的稳定运行。
三、个人观点和理解双向可控硅mac97a6作为一种重要的功率半导体器件，在电力控制和调节领域具有重要的地位。
它的双向触发特性使得它能够适用于不同的电路和场合，实现精确的功率控制和调节。
在未来，随着电力电子技术的不断发展，双向可控硅mac97a6的应用领域将会进一步拓展，为电力系统的稳定运行和高效利用提供更多可能。
总结本文从双向可控硅mac97a6的基本原理、特性到其在电路中的应用进行了全面的阐述，希望能够为读者提供一个深入了解和掌握这一重要器件的机会。
BTA16-600B双向可控硅晶闸管应用及详细资料
BTA16-600B双向可控硅晶闸管应用及详细资料
BTA16-600B 主要参数
电流-IT(RMS):
电压-VDRM: ≥600V
触发电流: IGT ≤18-25mA
脚位排列: T1-T2-G （A1-A2-G）；A1主电极，A2主电极，G门极BTA16引脚图
附：
双向可控硅的检测
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。
确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。
将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。
随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10
欧姆左右。
互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。
同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。
随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。
符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节干电池，以提高触发电压。
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闸流管和双向可控硅 - 成功应用的十条黄金规则
Application Note AN10121
规则 4.为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返 回线直接连至 MT1（或阴极）。若用硬线，用 螺旋双线或屏蔽线。门极和 MT1 间加电阻 1k Ω或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。 另一解决办法，选用 H 系列低灵敏度双向可控 硅。
AN1012
Author Nick Ham Number of pages : 12 Date: 2002 Jan 11
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还有一些双向可控硅的导通方式是我们不希望发 生的。其中有些不损伤设备，另一些则可能破坏设 备。
（a）电子噪声引发门极信号
在电子噪声充斥的环境中，若干扰电压超过 VGT，并 有足够的门极电流，就会发生假触发，导致双向可控 硅切换。第一条防线是降低临近空间的杂波。门极接 线越短越好，并确保门极驱动电路的共用返回线直接 连接到 MTI 管脚（对闸流管是阴极）。若门极接线是 硬线，可采用螺旋双线，或干脆用屏蔽线，这些必要 的措施都是为了降低杂波的吸收。
（c） 超出最大的切换电流变化率 dICOM/dt 导致高 dICOM/dt 值的因素是，高负载电流、高电
网频率（假设正弦波电流）或者非正弦波负载电流 。 非正弦波负载电流和高 dICOM/dt 的常见原因是整流供 电的电感性负载。常常导致普通双向可控硅切换失
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规则 2.要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负 载电流必须<IH, 并维持足够长的时间，使能 回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必 须满足上述条件。
双向可控硅
双向可控硅可看作为“双向闸流管”，因为它能 双向导通。对标准的双向可控硅，电流能沿任一方向 在主端子 MT1 和 MT2 间流动，用 MT1 和门极端子间 的微小信号电流触发。
(d) 超出最大的断开电压变化率 dVD/dt 若截止的双向可控硅上（或门极灵敏的闸流管）
作用很高的电压变化率，尽管不超过 VDRM（见图 8）， 电容性内部电流能产生足够大的门极电流，并触发器 件导通。门极灵敏度随温度而升高。
假如发生这样的问题，MT1 和 MT2 间（或阳极和 阴极间）应该加上 RC 缓冲电路，以限制 dVD/dt。若用 的是双向可控硅，采用 Hi-Com 型双向可控硅更为有 利。
2. 采用门极灵敏度较低的闸流管，如 BT151，或在 门极和阴极间串入 1kΩ或阻值更小的电阻，降低 已有闸流管的灵敏度。
3. 若由于电路要求，不能选用低灵敏度的闸流管， 可在截止周期采用较小的门极反向偏流。这措施 能增大 IL。应用负门极电流时，特别要注意降低 门极的功率耗散。
截止（换向）
要断开闸流管的电流，需把负载电流降到维持电 流 IH 之下，并历经必要时间，让所有的载流子撤出 结。在直流电路中可用“强迫换向”，而在交流电路 中则在导通半周终点实现。（负载电路使负载电流降 到零，导致闸流管断开，称作强迫换向。）然后，闸 流管将回复至完全截止的状态。
由于超过 VDRM 或 dVD/dt 导致双向可控硅导通， 这不完全威胁设备安全。而是随之而来的 dIT/dt 很可能 造成破坏。原因是，导通扩散至整个结需要时间，此 时允许的 dIT/dt 值低于正常情况下用门极信号导通时的 允许值。假如过程中限制 dIT/dt 到一较低的值，双向可 控硅可能可以幸存。为此，可在负载上串联一个几μH 的不饱和（空心）电感。
(b)超过最大切换电压上升率 dVCOM/dt
驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形 间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双 向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零（见图 6）。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换 电压上升率若超过允许的 dVCOM/dt，会迫使双向可控 硅回复导通状态。因为载流子没有充分的时间自结上 撤出。
规则 3.设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就 要避开 3+象限（WT2-，G+）。
在负载电流过零时，门极用直流或单极脉冲触 发，优先采用负的门极电流，理由如下。若运行在 3+ 象限，由于双向可控硅的内部结构，门极离主载流区 域较远，导致下列后果：
1. 高 IGT -> 需要高峰值 IG。
其它导通方式
Application Note 闸流管和双向可控硅 - 成功应用的十条黄金规则
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闸流管和双向可控硅 - 成功应用的十条黄金规则
Application Note AN10121
Application Note 闸流管和双向可控硅 - 成功应用的十条黄金规则
(e) 超出截止状态下反复电压峰值 VDRM 遇到严重的、异常的电源瞬间过程，MT2 电压可
能超过 VDRM，此时 MT2 和 MT1 间的漏电将达到一定 程度，并使双向可控硅自发导通（见图 9）。
若负载允许高涌入电流通过，在硅片导通的小面 积上可能达到极高的局部电流密度。这可能导致硅片 的烧毁。白炽灯、电容性负载和消弧保护电路都可能 导致强涌入电流。
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闸流管和双向可控硅 - 成功应用的十条黄金规则
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这篇技术文献的目标是提供有趣的、描述性的、 实际的介绍，帮助读者在功率控制方面成功应用闸流 管和双向可控硅，提出指导工作的十条黄金规则。
闸流管
闸流管是一种可控制的整流管，由门极向阴极送 出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。
闸流管和双向可控硅 - 成功应用的十条黄金规则
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规则 5.若 dVD/dt 或 dVCOM/dt 可能引起问题，在 MT1 和 MT2 间加入 RC 缓冲电路。
若高 dICOM/dt 可能引起问题，加入一几 mH 的电 Байду номын сангаас和负载串联。 另一种解决办法,采用 Hi-Com 双向可控硅。
在标准的 AC 相位控制电路中，如灯具调光器和 家用电器转速控制，门极和 MT2 的极性始终不变。这 表明，工况总是在 1+和 3-象限，这里双向可控硅的切 换参数相同。这导致对称的双向可控硅切换，门极此 时最灵敏。
说明：以 1+，1-，3- 和 3+标志四个触发象限，完 全是为了简便，例如用 1+取代“MT2+，G+”等等。这 是从双向可控硅的 V/I 特性图导出的代号。正的 MT2 相应正电流进入 MT2，相反也是（见图 5）。实际 上，工况只能存在 1 和 3 象限中。上标+和-分别表示 门极输入或输出电流。
2. 由 IG 触发到负载电流开始流动，两者之间迟后时 间较长 –> 要求 IG 维持较长时间。
3. 低得多的 dIT/dt 承受能力 —> 若控制负载具有高 dI/dt 值（例如白炽灯的冷灯丝），门极可能发生 强烈退化。
4. 高 IL 值（1-工况亦如此）—>对于很小的负载，若 在电源半周起始点导通，可能需要较长时间的 IG，才能让负载电流达到较高的 IL。
高 dVCOM/dt 承受能力受二个条件影响：
1. dICOM/dt 为切换时负载电流下降率。dICOM/dt 高， 则 dVCOM/dt 承受能力下降。
2. 接面温度 Tj 越高，dVCOM/dt 承受能力越下降。
假如双向可控硅的 dVCOM/dt 的允许值有可能被超 过，为避免发生假触发，可在 MT1 和 MT2 间装置 RC 缓冲电路，以此限制电压上升率。通常选用 100Ω的 能承受浪涌电流的碳膜电阻，100nF 的电容。另一种 选择，采用 Hi-Com 双向可控硅
假如负载电流不能维持在 IH 之下足够长的时间， 在阳极和阴极之间电压再度上升之前，闸流管不能回 复至完全截止的状态。它可能在没有外部门极电流作 用的情况下，回到导通状态。
注意，IH 亦在室温下定义，和 IL 一样，温度高时 其值减小。所以，为保证成功的切换，电路应充许有 足够时间，让负载电流降到 IH 之下，并考虑可能遇到 的最高运行温度。
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导通
和闸流管不同，双向可控硅可以用门极和 MT1 间 的正向或负向电流触发。（VGT，IGT 和 IL 的选择原则 和闸流管相同，见规则 1）因而能在四个“象限”触 发，如图 4 所示。