电子科技大学(成都)考研历年真题之832微电子器件2008--2015年考研真题
(完整版)电子科技大学微电子器件习题
第二章 PN 结填空题1、若某突变 PN 结的 P 型区的掺杂浓度为 N A =1.5 ×1016cm -3 ，则室温下该区的平衡多子 浓度 p p0与平衡少子浓度 n p0分别为（ ）和（ ）。
2、在 PN 结的空间电荷区中， P 区一侧带（ ）电荷， N 区一侧带（ ）电荷。
内建 电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。
3、当采用耗尽近似时， N 型耗尽区中的泊松方程为 （ ）。
由此方程可以看出， 掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。
4、 PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ）， 内建电势 V bi 就越（ ），反向饱和电流 I 0就越（ ），势垒电容 C T 就越（ ），雪崩击穿电 压就越（ ）。
5、硅突变结内建电势 V bi 可表为（），在室温下的典型值为（ ）伏特。
6、当对 PN 结外加正向电压时， 其势垒区宽度会 （ ），势垒区的势垒高度会 （）。
7、当对 PN 结外加反向电压时， 其势垒区宽度会 （ ），势垒区的势垒高度会 （ ）。
8、在 P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度 n p 与外加电压 V 之间的关系可表示为（ ）。
若P 型区的掺杂浓度 N A =1.5 ×1017cm -3，外加电压 V= 0.52V ，则 P 型区与耗尽区边界上的少子浓度 n p 为（ ）。
9、当对 PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子 浓度（ ）；当对 PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡 少子浓度（ ）。
10、 PN 结的正向电流由（ 电流三部分所组成。
11、 PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）； PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（ ）。
12、当对 PN 结外加正向电压时，由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边 （ ）。
电子科技大学832微电子器件17年考研真题
考试科目：832 微电子器件一、填空题（共45分，每空1.5分）1、根据输运方程，载流子的（扩散）电流主要与载流子浓度梯度相关，而（漂移）电流主要与载流子浓度相关。
2、俄歇复合的逆过程是（碰撞电离）。
3、当PN结反偏时候，反向电流由（少子）扩散电流和势垒区（产生）电流构成。
4、在二极管的反向恢复过程中，中性区存储的非少子浓度降低有两个原因，一是（载流子复合），二是（反向电流抽取）。
5、薄基区二极管是指P区和N区中至少有一个区的长度远小于该区的（少子扩散长度）。
在其它条件相同的情况下，薄基区二极管的中性区宽度越（小），扩散电流越大。
6、（热击穿）又称为二次击穿，这种击穿通常是破坏性的。
7、双极型晶体管的基区少子渡越时间是指少子在基区内从发射结渡越到集电结的平均时间，等于（基区非平衡少子电荷）除以基区少子电流。
8、半导体薄层材料的方块电阻与材料的面积无关，而与（掺杂浓度）和（厚度）相关。
（备注：填电阻率和厚度也可以）。
9、双极型晶体管的电流放大系数具有（正）温度系数，双极型晶体管的反向截止电流具有（正）温度系数。
（填”正”，”负”或”零”）10、双极型晶体管用于数字电路时，其工作点设置在（截至）区和（饱和）区；MOSFET用于模拟电路时，其直流工作点设置在（饱和）区。
11、由于短沟道器件的沟道长度非常短，起源于漏区的电力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，造成源漏之间的（势垒高度）降低，从而造成漏极电流的（变大）。
（第二个空填”变大”，”变小”或”不变”）12、高频小信号电压是指信号电压是指信号电压的振幅小于（KT/q）；高频小信号通常是叠加在（直流偏置）上的。
13、MOSFET漏源击穿的机理有两种，一种是（漏极PN结击穿），一种是（沟道穿通）。
14、漏源交流短路的情况下，MOSFET的（沟道载流子）电荷随（栅极）电压的变化，定义为MOSFET的本征栅极电容。
15、长沟道MOSFET的跨导与沟道长度（成反比），与栅源电压（成正比），而发生速度饱和的短沟道MOSFET的跨导与沟道长度（无关）。
电子科技大学2015年《832微电子器件》考研专业课真题试卷
电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。
2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。
例如：（）只存在于正向偏压之下；（）的正负电荷在空间上是分离的；（）能用作变容二极管。
3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（），正向导通压降更（）。
4、碰撞电离率是指每个载流子在（）内由于碰撞电离产生的（）的数目。
电场越（），材料的禁带宽度越（），碰撞电离率将越大。
5、温度升高时，PN结的雪崩击穿电压将（），这是因为温度升高将导致晶格振动加强，因而载流子的平均自由程（）。
6、MOSFET用于数字电路时，其工作点设置在（）区和（）区；双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（）区。
7、双极型晶体管的t b既是基区渡越时间，又是（）电阻与（）电容的乘积。
8、双极型晶体管的跨导代表其（）电流受（）电压变化的影响。
双极型晶体管的直流偏置点电流I E越大，跨导越（）；工作温度越高，跨导越（）。
（第三、四个空填“大”或“小”）9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：I ES（）I CS；I CBO（）I CEO；BV CBO（）BV CEO；BV EBO（）BV CBO（填“>”、“<”或“=”）10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（）零，发射结上的偏压（）零。
（填“>”、“<”或“=”）。
电子科技大学研究生入学考试812历年真题（2007-2016）
电⼦科技⼤学研究⽣⼊学考试812历年真题（2007-2016）电⼦科技⼤学地理信息系统基础历年真题（2007-2016）2007年电⼦科技⼤学攻读硕⼠学位研究⽣⼊学试题考试科⽬：424 地理信息系统基础⼀、名词解释（每⼩题6分，共48分）1.地理信息2.栅格数据结构3.空间索引4.数字⾼程模型5.地图投影6.地理数据互操作7.⽮量数据结构8.空间关系⼆、分析并⽐较⽮量数据结构与栅格数据结构的优缺点。
（16分）三、简述WebGIS的实现技术。
（16分）四、简述格⽹DEM的应⽤领域。
（16分）五、简述什么是3S（GIS、RS、GPS）集成，并举例说明。
（16分）六、地理信息系统软件的体系结构与功能作⽤。
（16分）七、试综合利⽤空间分析⽅法，根据现有Roads（道路图）、Streams（河流图）、Forest（森林图），找出满⾜以下条件的可砍伐林⽊的适宜森林区域范围。
请绘出各步骤结果草图以及流程图，并进⾏简要说明。
条件如下：①在道路300⽶（假定⼤约相当于下图②中0.3厘⽶）范围内的林⽊不能砍伐；②在河流500⽶（假定⼤约相当于图③中0.5厘⽶）范围内的林⽊不能砍伐。
（22分）2008年电⼦科技⼤学攻读硕⼠学位研究⽣⼊学试题考试科⽬：812 地理信息系统基础⼀、名词解释（每⼩题8分，共48分）1.空间叠加分析是指在统⼀空间参照系统条件下，每次将同⼀地区两个地理对象的图层进⾏叠加，以产⽣空间区域的多重属性特征，或建⽴地理对象之间的空间对应关系。
2.游程编码结构是逐⾏将相邻同值的⽹格合并，并记录合并后⽹格的值，以及合并⽹格的长度，其⽬的是压缩栅格数据量，消除数据间的冗余。
3.栅格数据结构基于栅格模型的数据结构简称为栅格数据结构，指将空间分割成有规则的格⽹，在各个格⽹上给出相应属性值来表⽰地理实体的⼀种数据组织形式。
点由⼀个单元格⽹表⽰，其数值与邻近⽹格值明显不同；线段由⼀串有序的相互连接的单元⽹格表⽰，各个格⽹的值⽐较⼀致，但与领域的值差异较⼤；多边形由聚集在⼀起的相互连接的单元⽹格组成，区域内部的格⽹值相同或差异较⼩，但与领域的值差异较⼤。
电子科技大学微电子器件 (习题解答)
s Emax
qND
在
x
xi2 处，E3
Emax
q
s
NA xp
,
由此得：xp
s Emax
qNA
(2) 对于无 I 型区的PN结,
xi1 0,
xi2 0,
E1
q
s
ND (x
xn ),
E3
q
s
NA(x
xp )
在
x
0 处，电场达到最大， Emax
q
s
ND xn
q
s
NA xp
E
Emax
E1
E3
x
0
表面上，两种结构的 Emax 的表达式相同，但由于两种结构 的掺杂相同，因而Vbi 相同（即电场曲线与横轴所围面积相同）， 所以两种结构的 xn、xp与 Emax 并不相同。
WB
dWB dVCE
0 NBdx
IC VA
WB
VA 0 NBdx
N
B
(WB
)
dWB dVCE
对均匀基区，VA
WB dWB dVCE
式中，dWB dxdB , VCE VCB VBE
因
VBE
保持不变，所以 dVCE
dVCB ,
于是：VA
WB dxdB dVCB
1
xdB
2s N
2DB n
,
将n
106 s 及 WB 、DB
之值代入，得： 0.9987。
7、
b
WB2 2DB
2
1
1
1.1251011(s)
8、以 NPN 管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时， 由式（3-33a）和式（3-33b），
电子科技大学考研829 数字 模拟电子本科试卷考研真题
电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案所有资料不重复。
淘宝网：/item.htm?id=9960243831电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期中考试“数字逻辑设计及应用”课程考试题期中卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2006年4月22日课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计一、填空题（每空1分，共15分）1、( 323 )10=( 101000011 ) 22、(0. 4375 )10=( 0.0111 ) 23、(1101．0011) 2 = ( 13.1875 )104、（FD．A）16 = ( 11110000.1010 ) 2= ( 360.50 )85、( 4531 )10 = ( 0100 0101 0011 0001 ) 8421BCD 。
电子科技大学2015年《815电路分析基础》考研专业课真题试卷
i1
t=0
i2
20Ω uC
+ 1- 0V
+ -10µF
4．求下图所示双口网络的电阻参数矩阵。
+ i1 1Ω
u1
4u2
-
1Ω i2 +
u2
-
5．如下图所示正弦稳态电路，已知 us (t ) = 10 2 cos103t V ，求电路中电流 i ( t )。
us(t) i(t) 2Ω
1mH 1Ω
+
4mH 2mH
）。
A、5+j1 C、5+j2
B、5+j5 D、5+j3
5. 下图中所示线圈 L1 和 L2 的同名端为（
）。
A、 a、b B、 a、c C、 a、d
D、无同名端
a
S E
b
M
L1
L2
c
＋ V 反偏
－
d
6. 下图所示电路在开关 S 断开之前电路已达稳态，若在 t=0 时将开关 S 断开，则电路中 L
上通过的电流 iL (0+) 为（
）。
A、2A C、－2A
B、0A D、－1A
＋
10V －S
(t=0)
10mH 5Ω
10μF
7. 如右图所示电路，电容两端电压的零状态响应为 （
A、临界
B、欠阻尼
C、过阻尼
）情况。 2Ω
+ uS(t)
–
1H 1F
8. 如右图所示电路，端口的等效电阻是：（ ）。
A、12Ω
B、6Ω
R
C、 3Ω
D、7Ω
9. 图示电路中开关断开时的电容电压 uc (0+ ) 等于（
成都电子科技大学电力电子技术2007-2016年考研初试真题+答案
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：814 电力电子技术注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、单项选择题(每小题2分，共30分。
从每小题的四个备选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码写在答题纸上。
)1、三相电压型逆变采用°导通方式。
需进行“先下后上”的纵向换流方式。
A. 120B. 90C. 180D. 602、电压型逆变器中间直流环节贮能与缓冲元件是。
A.蓄电池B.电感C. 电容D.电动机3、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来。
A. 分流B. 降压C. 过电压保护D. 过电流保护4、逆导晶闸管是将大功率二极管与B器件集成在一个管芯上而成。
A.大功率三极管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管5、单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ= 。
A.π-αB.π+αC.π-δ-αD.π+δ-α6、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
A. 0ºB.10º-15ºC.0º-10ºD.30º-35º7、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关。
A .α和U2 B. α以及负载电流I dC . α、负载电流I d以及变压器漏抗X B D. α、U2以及变压器漏抗X B8、若想减小SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是。
A.增大三角波幅度B.减小三角波频率C.减小正弦调制波频率D.增大正弦调制波幅度9、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为。
A.减小输出谐波B.增大输出幅值C. 减小输出幅值D.减小输出功率10、晶闸管可控整流电路中直流端的直流电动机应该属于负载。
A. 电阻性B. 阻感反C. 反电动势D. 电感性电力电子技术试题第 1 页共4 页11、请写出电磁兼容性英文缩写。
A.MACB.EMCC.CMED.AMC12、共阳极三相半波可控整流电路的自然换相点是。
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一、填空题（共 48 分，每空 1.5 分） 1、PN 结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（ （ 高而（ ）向偏置的
微电子器件 试题共 6 页，第 1 页
） ，因此τb/τB 可以表示 ） 。 ）的控制能力。 ） 。 （第二个空填 “大” 或 “小” ，
） ， 该控制能力越 （
）单向导电性。 （从以下选项中选择） C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
8、MOSFET 的跨导是（
）特性曲线的斜率，而漏源电导是（
）特性曲
3、防止 PN 结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（ （
）的半导体材料，其热稳定性越好。 （第二个空填“大”或“小” ） ） ，共发射极增量输
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（ 出电阻越（ ） 。 （填“大”或“小” ）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb 和τB，则 1/τB 表示的物理 意义为（ （ 6、MOSFET 的亚阈区摆幅 S 反应了在亚阈区中（ 栅氧化层越厚， 则S越 （ 第三个空填“强”或“弱” ） 7、当金属和 P 型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（ A 电子阻挡层 E 具有 ） ，该结构（ B 电子反阻挡层 F 不具有
2、一个 NPN 双极型晶体管，掺杂浓度为 NE=5×1018cm-3，NB=5×1016cm-3，NC=1×1013cm-3，发 射区和基区宽度为 WE=10µm，WB=2µm。偏置条件为 IB=2mA，VBC=-3V。电子和空穴的扩散 系数分别为 Dn=40cm2/s 和 Dp=20cm2/s，电子和空穴的寿命均为 1µs。求： （1） 器件的共发射极直流短路电流放大系数 β 为多少？ （2） 器件的跨导 gm 为多少？ （10 分）
微电子器件 试题共 6 页，第 3 页
5、下图为测试获得的某 NPN 型双极型晶体管的击穿特性曲线。请问测试时该双极型晶体管 的 E、B、C 三个电极的电位是如何连接的？请解释击穿特性曲线上为什么会有一段负阻区 域？（9 分）
6、下图是在 25℃、75℃和 125℃下测到的 MOSFET 的三条转移特性曲线。请问图中的温度 T1、T2、T3 分别对应哪一个温度？为什么？这样的温度特性对于 MOSFET 在应用中的可 靠性是有利还是有弊？为什么？（10 分）
3、请画出 PNP 缓变基区晶体管工作在放大区的能带图和少子分布图，并标注出必要的物理量 （10 分） 。 4、某 PN+结在一定的外加正向电压下发生了大注入现象。 （1）请问大注入发生在哪个区？ （2）大注入将在中性区引入自建电场，指出该自建电场的方向，并说明自建电场的形成过程。 （3）发生大注入的区域，其中性区与耗尽区交界处的少子浓度是多少？ （10 分）
微电子器件 试题共 6 页，第 2 页
2、下图是一个通过扩散工艺制作的 PN 结，由于横向扩散，在 PN 结终止的地方会形成弯曲 的结面。发现该 PN 结的雪崩击穿电压远小于平行平面结击穿电压的理论计算值，造成该现 象的原因是什么？如果要提高该结构的击穿电压，对扩散工艺的时间应该做怎样的调整？ 为什么？（9 分） 。
IDS
T3
T2 T1
0
VGS
微电子器件 试题共 6 页，第 4 页
四、计算题（共 45 分） 1、图为某突变 PN 结在外加电压下的能带图。求： （1）外加电压为正向电压还是反向电压？ 大小是多少？（2）该 PN 结的内建电势是多少？（3）如果 P 型区和 N 型区掺杂浓度的比 值是 4:1，现在分别有多少电压降在 P 型区和 N 型区的耗尽区上？ （10 分）
线的斜率。在模拟电路中，MOSFET 一般工作在（ 导应为零，但实际上由于（ （
）区，此时理想情况下漏源电 ）和
） ，漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道 MOSFET 中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度， 从而抑制（ ）效应，防止器件电学特性退化。
10、如果以 SiGe 来制作 BJT 的发射区，Si 来制作 BJT 的基区，则与全部采用 Si 材料的双极 型晶体管相比，其共基极电流放大系数α将（ 变” ） 11、根据恒场等比例缩小法则，当 MOSFET 的沟道长度缩小 K 倍时，其阈值电压变为之前的 （ ） ， 总电容变为之前的 （ ） ， 最高工作频率变为之前的 （ ） 。 ） 。 （填“增大” 、 “减小”或“不
13、PMOS 的衬底相对于源端应该接（ 将（ 或“不变” ） ） ，该效应叫做（
Байду номын сангаас
二、简答与作图题 (共 57 分) 1、如图所示，一块掺杂浓度为 ND 的无限长均匀 N 型半导体材料，在 x 的负半轴有一束光稳 定地照射在半导体表面，产生体密度为 G0 的电子-空穴对。 （9 分）
（1）写出该半导体材料在 x 正半轴的少子扩散方程。 （只考虑少子在 x 方向的运动） （2）如果要通过上述扩散方程求解 x 正半轴的少子分布，应该采用什么样的边界条件？ （3）如果该半导体材料在 x 正半轴的长度缩短为 W（W 远小于少子扩散长度） ，又应该采用 什么样的边界条件求解？
12、研究发现硅-二氧化硅系统中，存在四种形式的电荷或能量状态，包括 Na+、K+等可动离 子、 （ ） 、 （ ）以及二氧化硅层中的电离陷阱电荷， ）型 MOSFET 的衬底表面更容易反型。 ）电位。当|VBS|增加时，PMOS 的阈值电压绝对值 ） 。 （第二个空填“增大” 、 “减小”
通常它们都带正电，因此（
）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升 ） 。
2、一个 P+N 型的二极管，电子和空穴的寿命分别为 τn 和 τp，在外加正向直流电压 V1 时电流 为 I1，当外加电压反向为－V2 时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通 时存储在（ （ ）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为 ） 。 ） 。同时，禁带宽带越