PECVD工序作业操作控制重点4[1]10_2.
PECVD 5S标准作业规范
抹布
交接班时
用蘸酒精的抹布单一方向擦拭干净
点检有无杂物及污垢，机台顶部不允许堆放 任何物品
抹布
交接班时
用蘸酒精的抹布擦拭
表面不允许摆放物品
抹布
交接班时
用蘸酒精的无尘布擦拭
检查电极板是否有氧化，螺丝是否脱落
无尘 布
P/M维护
用吸尘器从左向右沿单一方向吸取氮化硅 清扫时人员要佩戴防护眼镜、口罩、手套等 粉尘
步骤
图视
部位
清扫部位
基准
1
桌面
表面
没有任何的污垢
2
机台顶部
平面
没有任何的污垢
3
作业表面
平面
没有任何的污垢
4
舱盖
表面
没有任何的污垢
5
机台内部
腔体
没有任何的污垢
6
外表面
前、后左右面 没有任何的污垢
7
机台下面
地面
没有任何的污垢
Roth&Rau 5S作业步骤及作业事项
方法 注意事项 工具 时间
用蘸酒精的抹布从左往右单一方向擦拭干 桌面物品按要求摆放，桌面不允许乱涂乱画 净
吸尘 器
P/M维护
用蘸酒精的抹布单一方向擦拭干净
点检有无污垢
抹布
交接班时
用拖把单一方向
点检有无杂物及溶剂污渍
拖把
人员
◎
操机人员
◎
操机人员
◎
操机人员
◎
操机人员
◎
操机人员
◎
操机人员
PECVD操作规程
PECVD操作规程
1 目的：为规范PECVD操作流程，正确的操作设备、高效的进行
生产，特制定本规程。
2 适用范围：PECVD淀积车间。
3 职责：
3.1 操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，
务必仔细阅读本规程。
3.2 熟练掌握每道操作步骤。
4 定义：PECVD操作人员只负责按规程操作，更改数据需技术部授
权。
5 运行程序：
5.1 检查设备外围的水、电、气是否满足设备的运行条件。
5.1.1 水：压力、流入量（大于设定值5）、温度（20 20C）应
同时满足。
(6－8bar左右)、压缩空气（6bar左右）的压力同
5.1.2 气：N
2
时满足。
5.2 打开电源的主开关，开启机器。
5.3 抽真空：顺序为工艺腔→进料腔→出料腔。
5.4 真空小于设定压力2.0×10-2时，点击“加载工艺”→再点击“启
动”→再点“开启传输系统”，待满足设备运行条件时，即可
将装有电池片的载板送入腔体内，系统会自动运行。
5.5在运行过程中，要时刻观察操作界面系统运行是否正常，出腔
后，稍作冷却，然后将电池片在载板上取下。
6 附件：
6.1 插片及取片
6.1.1 用吸笔轻轻的将硅片小心的放入载板内，此时要注意硅
片的正反面，插片时要将硅片扩散面（即正面）冲下。
6.1.2 硅片出腔后，取片时应小心，防止氮化硅薄膜受损。
技术部第一版
2008.7.11。
PECVD培训资料
辉光放电
在辉光放电中，钛烷和氧气发生化 学反应生成氧化钛。
化学反应
钛烷在辉光放电中被氧化，生成氧 化钛。
物理吸附
生成的氧化钛在衬底表面物理吸附 成膜。
PE CVD工艺实例-硅基薄膜制备
反应气体
辉光放电
硅烷、氧气等。
在辉光放电中，硅烷和氧气发生化学反应生 成硅基材料。
化学反应
物理吸附
硅烷在辉光放电中被氧化，生成硅基材料。
进样系统
包括样品瓶、进样阀、进样针等部 件，用于将样品引入到反应腔中。
反应腔
真空密封的反应容器，用于进行化 学反应。
冷却系统
包括制冷剂和冷却水循环系统，用 于控制反应腔的温度。
真空系统
由真空泵和真空测量仪表组成，用 于维持反应腔的真空状态。
PE CVD设备的操作流程
设备检查与准 备
检查设备是否处于良好 状态，准备所需材料和 试剂。
01
化学稳定性
02
热稳定性
03
机械强度
04
耐高温高压
05
成本效益
材料应能够耐受各种化学 试剂和反应条件，以保证 在制备过程中不会出现化 学腐蚀或变质。
材料应能够在制备过程中 承受高温和快速加热/冷却 ，并保持良好的热导性和 热稳定性，以避免因热应 力而导致破裂或变形。
材料应具有足够的强度和 耐久性，以保证在制备和 使用过程中的稳定性和可 靠性。
定期检查设备的密封性能，如发现泄漏应及 时处理。
维护进样系统
检查冷却系统
定期清洗进样针和进样阀，保证进样的准确 性。
定期检查制冷剂和冷却水循环系统的工作状 态，如发现异常应及时维修。
04
PE CVD材料及选择
PECVD工艺操作规程
PECVD 工艺操作规程(暂行)车间:电池车间编制:审核:审定:批准:时间:2010年7月5日为更好地保证PECVD镀膜的生产正常进行,稳定生产工艺,提高PECVD工序产品质量,进一步保证电池产品性能,特制定本作业指导书,以使操作人员的工艺操作有章可循,规范统一,同时,为新员工的上岗培训提供教材参考。
一、工艺目的二、使用范围三、责任四、设备及工具五、材料与工艺气体六、工艺描述1、工艺原理2、工艺条件3、工艺方案七、工艺准备1、工艺洁净准备2、设备准备3、原材料准备4、工装工具准备八、工艺操作1、工艺循环2、装载3、卸载九、测试膜厚及折射率十、安全、规范操作十一、记录及转交附1 椭偏仪操作规程PECVD工艺操作规程一、工艺目的：在硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜二、适用范围电池车间PECVD工序OTB设备三、责任本工艺操作规程由工艺工程师负责四、设备及工具OTB设备、石墨舟、高温隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、不锈钢桌架、椭偏仪、机械手五、材料与工艺气体湿法刻蚀后合格的多晶硅片、硅烷、氨气\氩气、氮气、压缩空气。
六、工艺描述1、工艺原理6.1工艺原理本工艺过程是利用稳定持续的氩气氛围的直流电弧放电，氩轰击硅烷（SiH4)和氨气（NH3）将其激发为等离子体状态，Si原子与N原子以一定的比例沉积到硅片表面形成一层氮化硅（Si3N4）薄膜，起到减反射和钝化的作用。
反应如下：3SiH4+ 4NH3====Si3N4+12H2↑实际上生成物并不是完全的氮化硅（Si3N4），其中还有一定比例的氢原子（H），所以严格的分子式应为SixNyHz2、工艺条件冷却水压强为0.4-0.6MPa，氮气压强为5-7 bar,压缩空气压强4-6 bar，硅烷压强为40psi，氨气压强为40psi，温度400℃。
PSI表示磅每平方英寸。
七、工艺准备1、工艺洁净管理操作时戴洁净的手套、口罩，并且保证每班清理现场及设备卫生，以保证车间的洁净度。
PECVD操作流程
1.打开水箱和氩气：开水箱时，依次打开open，开关1，开关2。
开氩气（起保护作用）时，先旋转逆时针打开主阀，观察压力表检查瓶中是否有气。
注意顺时针打开打开减压阀，气流指示针为0.5.2.开PECVD和磁控电源开关。
3.清洗腔体并装入样本若有真空保护，需要打开空气进气阀使腔体的压强恢复到正常大气压105Pa。
若没有，则打开腔体，然后用纱布擦拭，并用吸尘器吸净。
样本需要先清洗、压平，然后才能放入腔体中。
若样本太轻，需要黏住。
如铜，要粗糙面向上，容易附着，便于薄膜生长。
然后封闭腔体。
4.打开机械泵：先打开机械泵开关和蝶阀开关。
然后先缓慢打开角阀V5，待压强显示数不变时，继续拧角阀V5..直到示数为200Pa 左右。
打开罗茨泵，调节角阀，是腔体内压强为10Pa左右，对腔体起清洗保护作用。
5.打开流量计和射频源开关：射频源提前打开是为了进行预热。
开流量计和气路模拟开关。
6.打开气路阀：抽净管道和流量计。
逐步对各个部分抽气。
7.打开硅烷SiH4，操作和开氩气流程一样，但硅烷主阀开5～20S即够我们实验用的量，随后关闭主阀，并使气流指示针显示到0.2.8.调节流量计，使硅烷和氩气的比例为1:10左右。
实验过程中要使这个比例数尽量保持不变。
调节射频匹配器，起辉。
使板压粗调和微调为 5.记录初始反应压强和时间。
时间约为10分钟。
9.先关硅烷和射频源电源，再通氩气3min，然后打开角阀，抽气5min。
关角阀，蝶阀，罗茨泵，机械泵。
10.缓慢放入空气，使得腔体达到大气压强，拿出实验样本。
打开机械泵，调节角阀，使腔体的压强为200Pa左右，为真空保护。
11.关闭角阀，蝶阀，机械泵。
先关PECVD电源开关，然后关磁控溅射开关。
关闭水箱和氩气。
PECVD培训资料
生产部培训资料PECVD☆保密文件Array PEDVD培训资料生产部东莞南玻光伏科技有限公司编制：统编：审核：目录第一部分生产部简介 (1)第一节生产部组织架构及各职位工作简介 (1)第二部分PECVD工序工艺及设备操作说明 (6)第一节PECVD工序简介 (6)第二节一线PECVD作业指导 (8)第三节二线PECVD作业指导 (14)第四节一线PECVD工艺说明 (23)第五节二线PECVD工艺说明 (24)第六节一线PECVD设备操作说明（暂缺） (25)第七节二线PECVD设备操作说明 (26)第八节一线PECVD设备维护保养说明 (30)第九节二线PECVD设备维护保养说明 (33)第三部分PECVD工序安全注意事项 (35)第一节PECVD工序紧急预案 (35)第二节PECVD用到的危险化学药品简介 (37)第四部分PECVD报表、洁净室管理制度及交接班管理制度 (44)第一节报表管理制度 (44)第二节生产交接班管理制度 (46)第三节洁净室管理制度 (47)第五部分5S管理 (52)第一节5S管理简介 (52)第二节推行5S管理方法的标准 (54)第五部分员工考核 (56)第一节员工考核管理办法 (56)第二节PECVD实操技能等级要求 (59)第三节PECVD笔试试题 (61)附件1：入职基本常识 (66)附件2：进入洁净车间的注意事项 (69)第一部分生产部简介第一节生产部组织架构及各职位工作简介一、生产部组织架构如下图所示二、生产部经理工作简介三、生产部主任工作简介四、电池线主管工作简介六、值班调度工作简介八、工段长工作简介九、主操/操作员工作简介第二部分 PECVD工序工艺及设备操作说明第一节 PECVD工序简介一、PECVD工序在电池片生产流程中的位置二、工序作用在硅片表面沉积一层氮化硅薄膜，达到减反射的作用。
三、工艺流程一线（单晶）：装片→送片→加热→镀膜→冷却→出片→卸片→检验1.装片送片两操作人员分别站于上料台两边，用真空吸笔把硅片依次放入位于上料台的载板里，硅片用挂钩挂住，N型面朝下、P型面向上。
PECVD作业指导
操作规范: 操作规范
一、 操作前准备工作 正确穿戴方法及要求： 正确穿戴方法及要求： 穿戴方法及要求 必须穿戴：工作帽、工作服、布鞋、一次性口罩、 必须穿戴：工作帽、工作服、布鞋、一次性口罩、乳胶手套 二、 操作要求及步骤 工艺流程如下： 工艺流程如下：
从洁净 柜取片
插片
放舟
工艺
卸舟
冷却 卸片
操作步骤： 操作步骤： 1、来料检查 、 、戴上一次性手套 （1） 戴上一次性手套。 ） 戴上一次性手套。 、 、检查流程卡上的信息 （2） 检查流程卡上的信息，看批次、数量等是否正确。 ） 检查流程卡上的信息，看批次、数量等是否正确。 、 、目视检查待镀膜的硅片 （3） 目视检查待镀膜的硅片，将缺角片，裂纹片等不良硅片挑出。 ） 目视检查待镀膜的硅片，将缺角片，裂纹片等不良硅片挑出。 、 、将硅片放到洁净柜等待插片。 （4） 将硅片放到洁净柜等待插片。 ） 将硅片放到洁净柜等待插片 、 2、插片 、 用吸笔吸起硅片，贴着石墨舟的槽壁滑入槽内，由三个工艺点定位， 用吸笔吸起硅片，贴着石墨舟的槽壁滑入槽内，由三个工艺点定位，硅片与槽 吸起硅片
文件名：PECVD 操作规范及注意事项 文件号： 版本号： 编制: 审核:
页数： 发布日期： 批准：
Quality is the conformance to standards.
质量是完全符合相应的标准。 质量是完全符合相应的标准。
When our product meets the requirement of the standard set， set， it is of good quality and our product can be use for it’s it’ intended function.
PECVED基本操作
CBI按钮 按钮
PECVD开机 开机
打开设备冷却水。先打开出水阀，再开进水阀。压力在 打开设备冷却水。先打开出水阀，再开进水阀。压力在3kg /cm2---6kg /cm2 范围内
进水阀
出水阀
PECVD开机 开机
打开并检查气源。打开压缩空气阀， 打开并检查气源。打开压缩空气阀，氮 气阀，氧气阀， 气阀，氧气阀，C2F6阀，NH3阀，SiH4 阀。 机器上压缩空气压力应在6kg /cm2— 机器上压缩空气压力应在 7kg /cm2。其他气体为 其他气体为4kg /cm2— 10kg /cm2范围
石墨舟的清洗
清洗原因： 清洗原因：
当石墨舟运行到一定的次数后， 当石墨舟运行到一定的次数后，表面沉积了很厚的 氮化硅，影响舟壁与硅片的接触， 氮化硅，影响舟壁与硅片的接触，从而影响镀膜的 质量，因此要进行石墨舟的清洗。 质量，因此要进行石墨舟的清洗。
清洗步骤： 清洗步骤：
向清洗机一侧的槽内加入108L氢氟酸，适量加入纯 氢氟酸， 向清洗机一侧的槽内加入 氢氟酸 水使液面高度大约在30—40cm，并向另一侧的槽 水使液面高度大约在 ， 加入纯水。 加入纯水。
舟的刻蚀
当石墨舟工艺运行次数大于130次时，应随时对该舟 次时， 当石墨舟工艺运行次数大于 次时 进行刻蚀；运行工艺超过超过150次，必须对其进行 进行刻蚀；运行工艺超过超过 次 刻蚀。 刻蚀。 调用Etch Boat. PRZ 工艺文件。 工艺文件。 调用 电脑会自动显示运行次数，点击回车，显示刻舟时间， 电脑会自动显示运行次数，点击回车，显示刻舟时间， 再点击回车，执行刻舟命令。 再点击回车，执行刻舟命令。 工艺完成后，观察实际效果，颜色是否均匀一致。 工艺完成后，观察实际效果，颜色是否均匀一致。 色差比较明显的，可以用专用砂纸打磨。 色差比较明显的，可以用专用砂纸打磨。打磨时要轻 打磨后用气枪对其清理，气枪的高于舟10厘米 厘米。 柔，打磨后用气枪对其清理，气枪的高于舟 厘米。 将电极孔泛白的涂层打磨掉。 将电极孔泛白的涂层打磨掉。 清理完毕后，调用AftEtch.PRZ工艺运行六次或者用 清理完毕后，调用 工艺运行六次或者用 AftEtchW.PRZ工艺运行一次，对该舟进行处理。 工艺运行一次， 工艺运行一次 对该舟进行处理。
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低真空
中真空 高真空
105～102
102～10-1 10-1～10-5
760～1
1～10-3 10-3～10-7
粘滞流 viscous flow
中间流（过渡流） intermediate flow 分子流 molecular flow
超高真空
〈10-5
〈10-7
分子流 molecular effusion
真空规 真空计 测量范围/Pa 原理
热偶规管 热偶规 计
4*102~1*10-1
在作为热丝的Pt丝中通过恒定的电流，当达到热平 衡后，电流提供的功率与损耗的功率相等，气体的 热导率随气体压力变化，因而热丝的温度将随着真 空度的不同而呈现有规律的变化
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PECVD工艺操作发展过程及工作原理
2、PECVD的用途：是在镀特殊材料和特殊表面镀 膜。目前使用的材料为导电玻璃（TCO）； 3、PECVD的工作原理：在真空压力下，加在电极 板上的射频电场，使反应室气体发生辉光放电， 在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在 电场的作用下获得充足的能量，其本身温度很 高，它与气体分子相碰撞，使气体分子活化。 它们吸附在衬底上，并发生化学反应生成介质 膜，副产物从衬底上解吸，随主气流由真空泵 抽走。
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PECVD基本结构组织与各个部件的具体作用
简单地描述就是用来抽大气。 1.3、罗茨泵主要作用是：加快抽真空的速度， 提高工作效率为主，在它的前级需要一个前级泵，为 它提供一定的前级真空度。在现场要求开启它的前级 真空约为500Ｐa。 1.4、维持泵主要作用：它位于分子泵的前端， 维持分子泵前端的压力，达到安全使用分子泵的前提 条件。 1.5、分子泵主要作用：让腔体获得本底真空 （高真空），相对减少气体的残留杂质成分。一般使 用分子泵抽底真空的时间约为30分钟，它有自己相对 独立的操作系统，通过分子泵电源界面来体现。
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PECVD基本结构组织与各个部件ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ具体作用
1.6、干泵的主要作用：它是一个组合泵，本身构造是由机 械泵与罗茨泵组成，在工艺过程中它是主要角色，特殊的混合 气体都是通过它来抽排。 1.7、真空知识、真空单位、测量器件 1.7.1、真空区域大致划分及分子运动
真空划分 压 Pa 力 Torr 分子运动状态
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PECVD基本结构组织与各个部件的具体作用
• 机械泵内部构造图示
获得低真空常采用上面的 旋片式机械泵，机械泵是运 用机械方法不断地改变泵内 吸气空腔的体积，使被抽容 器内气体的体积不断膨胀， 从而获得真空的装置。它可 以直接在大气压下开始工作， 极限真空度一般为1.33～ 1.33×10-2Pa，抽气速率与 转速及空腔体积V的大小有关， 一般在每秒几升到每秒几十 升之间。
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PECVD基本结构组织与各个部件的具体作用
1.7.2、真空单位：所谓“真空“，是指在给定的空间内， 压 强低于一个标准大气压强(101325帕斯卡)的气体状态。气 体稀薄的程度叫真空度，通常用气体的压强来表示一个真空容器 中真空度的高低，气体压强越低，真空度越高。到目前我们最经 常用到的真空单位如下：
6.现场停电、水、压缩空气异常处理方法 7. 操作与保养注意点
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PECVD工艺操作发展过程及工作原理
1、建立在设备的基础上PECVD工艺操作发展由原 先全半自动化操作转变成现在全自动化操作。 最初工艺控制过程是由人工手动操作完成， 存在着误操作性、工艺重复性差、生产不稳定 性等不良之处。随着不断改善的脚步，从电池 一车间1号与2号PECVD原有软件升级到目前三 车间PECVD操作软件，生产的数量也由原来的 48片一炉变成现在的72片一炉。也让现场工艺 操作变成自动化，避免了原来存在的问题-人 为操作不当，从工艺操作上确保了工艺重复性， 才有现在这种稳定的生产线。
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PECVD基本结构组织与各个部件的具体作用
1、构造一台PECVD系统我们所需要部件有抽粗真空组 合泵、高真空组合泵、干泵、腔体、腔体与泵组之 间的连接管道、射频电源、控制系统的PLC、装导 电玻璃的夹具（工件架）、为夹具（工件架）提供 一个基础温度的预热炉等等； 1.1、腔体的主要作用是：提供一个置放工件架空 间、维持恒温工作环境。在腔体四壁上布满了加热 丝，除前后门之外，根据热电偶测得温度来控制恒 温。 通过可控硅来控制我们所要恒定温度的数值。 1.2、机械泵主要作用是：机械泵是油封式机械低 真空泵，它是真空技术中最基本的真空获得设备之 一 （可以直接抽大气）。
标准环境条件 气体的标准状态 压力（压强）p 温度为20℃，相对湿度为65%，大气压力为： 1atm 101325Pa=1013.25mbar=760Torr 温度为0℃，压力为：101325Pa 气体分子从某一假想平面通过时，沿该平面的正法线方向的动量改变 率，除以该平面面积或气体分子作用于其容器壁表面上的力的法向分 量，除以该表面面积。注：“压力”这一术语只适用于气体处于静止 状态的压力或稳定流动时的静态压力 国际单位制压力单位，1Pa=1N/m2 压力单位，1Torr=1/760atm
PECVD工序作业操作控制重点
主讲人吴傅佳林—2009年 09月10日
大纲
1 . PECVD工艺操作发展过程及工作原理 2 . PECVD基本结构组织与各个部件 的具体作用 3. PECVD用水系统与用气系统简介 4. PECVD生产供特气系统介绍 5.分解现有双结工艺执行的具体动 作与现场操
作控制重点
帕斯卡Pa 托Torr
顾客导向、科技领航、全面管理、精益求精
PECVD基本结构组织与各个部件的具体作用
1.7.3、测量方法：测量和控制真空容器中气体压力的高低， 对气相沉积技术非常重要，根据真空度和气体压力范围的不同，测 量方法也不同。测量真空度时，使用的测量元件称为真空规，显示 真空度高低的仪器称真空计。目前我们最常用的测量器件如下图示：