茂捷M5832-15.5V0.45A替换OB2532,SP5610参考资料解析
液晶背光驱动芯片解除保护的实用资料
液晶背光驱动芯片解除保护的实用资料芯片OZ9939GN去保护3脚接地。
芯片OZ9938CN 3或6脚对地短路芯片TL494去保护2到14脚接10K电阻。
或者1和16接地芯片mp1008es去保护，把4脚接地就可以mp1007es把3脚对地mp1009es把5脚对地芯片OZ964GN在①脚的2.2U的电容上并联一个4148二极管BIT3173保护是把15脚吸空芯片型号保护脚说明CTL5001 5 对地短路TL1451 15 对地短路TL5451 15 对地短路BA9741 15 对地短路BA9743 15 对地短路MB3775 15 对地短路AT1741 15 对地短路AT1380 2 对地短路KA7500 1和16 对地短路TL494 1和16 对地短路FA3629 15和16 将外接电容短路LFA3630 7和10 对地短路OZ960 OZ962 2 对地短路OZ965 4 对地短路OZ9RR 8 对地短路BIT3101 2和15 吸空引脚BIT3102 5 吸空引脚BIT3105 4 吸空引脚BIT3106 4和27 吸空引脚BIT3107 4 吸空引脚BIT3193 15 吸空引脚AAT1100 8 对地短路AAT1107 15 对地短路H3435苐18脚对地短路DF6109A苐13脚对地MP1008苐4对地INL837吸空9脚Fp5451苐15脚对地OZ9937第14脚对地SEM2006第2脚接地PM1048EM第1，6脚接地OZ9936第3，7脚接地OZ9966第15脚接地SAQ8818第8脚接地OZ9902CGN第8接地FAN7313第17接地DDA003A第13脚接地BD9882第19脚接地SEM2107第21脚接地OZ9928第27脚接地OB3328第3脚接地AP3041第1脚接地OZ5508GN第3脚接地LX6503第3脚接地OZ9972ASN第19脚接地BD9247F第11脚接地BD9893第10脚接地BD9893F第7脚对地OZ9926第15脚对地OB3350第7脚对地接2.2K电阻OZ9981GN电路把BD9766FV15脚接地。
茂捷M8832的可替换的型号BP2832,SD6702,CL1502,CS7210
概述M8832是一款高精度降压型LED恒流驱动芯片。
芯片工作在电感电流临界连续模式，适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的非隔离降压型LED恒流电源。
M8832芯片内部集成500V功率开关，采用专利的驱动和电流检测方式，芯片的工作电流极低，无需辅助绕组检测和供电，只需要很少的外围元件，即可实现优异的恒流特性，极大的节约了系统成本和体积。
M8832芯片内带有高精度的电流采样电路，同时采用了专利的恒流控制技术，实现高精度的LED 恒流输出和优异的线电压调整率。
芯片工作在电感电流临界模式，输出电流不随电感量和LED工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。
M8832具有多重保护功能，包括LED开路/短路保护，SEN电阻短路保护，欠压保护，芯片温度过热调节等。
M8832采用SOP-8封装。
典型应用特点⏹电感电流临界连续模式⏹内部集成500V功率管⏹无需辅助绕组检测和供电⏹芯片超低工作电流⏹宽输入电压⏹±3%LED输出电流精度⏹LED开路保护⏹LED短路保护⏹SEN电阻短路保护⏹芯片供电欠压保护⏹过热调节功能⏹采用SOP-8封装应用⏹LED蜡烛灯⏹LED球泡灯⏹其它LED照明图1M8832典型应用图M8832管脚封装管脚描述极限参数(注1)注1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。
推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。
电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。
对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。
注2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由T JMAX ,θJA ,和环境温度T A 所决定的。
最大允许功耗为P DMAX =(T JMAX -T A )/θJA 或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。
注3：人体模型，100pF 电容通过1.5K Ω电阻放电。
昂宝与茂捷半导体产品替换表
的T5、T8灯管等中大 元器件少
功率LED电源
④可进模拟与PWM调
光
24W-32W,30W-42W,36W-48W,45W-56W
◆LED驱动 隔离驱动+PFC+内置MOS
芯片简要说明
产品方案特点
应用行业
常用案例
PSR+PFC,内置MOS
高PFC值，PSR系列，省光耦和431，节省 成本空间，安全性高。
GR8830，OB2269(管脚不容）,SD4872(脚 位不兼容)，SP5875(管脚不容），
SP5876(管脚不容），LD7575(管脚不 容），LD7576(管脚不容）
SSR+外置MOS管，各种保护功能
SSR电压电流精度高, M5576最大待机功 耗〔100mW〕 高效率:〔24V5A平均效率
待机功耗<100mW,抖频功能,65KHz,高性 能PWM控制器,欠压保护
1：高要求的手机充 电器
2: 适配器(笔记本适 配器、MID充电器、
显示器电源 3: LCD TV电源。
① 开关频率可调 ② 待机空耗低 ③ 比OB2273 /2263
性价比更高 ④ 容易过EMI ⑤相同变压器的情况 下可以做更大功率
PSR内置MOS有线补功能，各种 保护功能
PSR成本低，节省PCB板上空间，省掉光 耦和431,节省成本
① 输出电压精度
手机，移动电源， 高，OCP保护一致性
MID充电器，理发 好
②
剪，按摩器，适配器
待机空耗低
等
③ 比OB2538性价比
更高
OB2536,CR6236,RM3262 SP5618,SF5926,ME8302 HT2356,PN8326,LY2926
可被茂捷M5576替换的电源驱动芯片GR8830,SD4871,AP3105
概述：M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片，离线式AC-DC反激拓扑结构，具备低待机功耗和低成本优点。
正常工作下，PWM开关频率处于合理的范围内，在空载或轻载条件下，IC工作在“跳周期模式”来减少开关损耗，从而实现低待机功耗和高转换效率，M5576提供完善的保护功能，包括自动恢复保护、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）、VDD的欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）和过电压（固定或可调的）保护（OVP），具备抖频功能，改善系统的EMI性能。
特点：■软启动功能，减少功率MOSFET的VDS应力■跳周期模式控制的改进，提高效率降低待机功耗■抖频功能，改善系统EMI性能■消除音频噪声■65KHz的开关频率■完善的保护功能VDD 欠压保护逐周的过流阈值设置，恒定输出功率自动恢复式过载保护（OLP）自动恢复式过温保护（OTP）锁定型的VDD 过压保护（OVP）锁定型的过温保护（OTP）过压保护点OVP通过外部稳压二极管可调■采用SOT-23-6和DIP-8封装应用：■手机充电器■上网本充电器■笔记本适配器■机顶盒电源■各种开放式开关电源典型应用：图1 M5576SR 应用图SOT-23-6图2 M5576PR 应用图DIP-8 管脚排列图：M5576PR M5576SR 图3 DIP-8(顶部视图) 图4 SOT-23-6(顶部视图)管脚描述：芯片使用时极限参数：注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。
上述参数是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。
器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。
芯片内部框图：图5 M5576内部框图电气参数(Ta=25o C)：应用信息M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片，离线式AC-DC反激拓扑结构，具备低待机功耗和低成本优点。
扩展模式大大降低了待机功耗，方案设计适应国际节能的要求。
间接代换P1014AP10的两种方法
龙源期刊网
间接代换P1014AP10的两种方法
作者：郑秀峰
来源：《卫星电视与宽带多媒体》2012年第06期
间接代换P1014AP10的两种方法
NCP1014是美国安森美半导体公司（ON Semiconductor）研制的电源管理芯片，同系列
的还有NCP1010、NCP1011、NCP1012、NCP1013，在外星人、地球人、诺普斯、Glomax等品牌数字机的开关电源中采用NCP1014。
如NCP1014损坏后可用同系列或TYN264P-268P直接代换，如无元件供直接代换，可考虑用外围电路简捷的其他电源管理芯片间接代换，当然要对原电路进行稍加改动，需改动的电路部分越少越好，有时有可能还需要增加几个元件。
图1、图2分别为用VIPer22A、TOP224Y间接代换NCP1014电路原理图，是在Glomax 5066型数字卫星接收机原开关电源的基础上进行的，“×”处为切断的电路处，虚线为修改的连接线。
代换时，先将损坏的P1014AP10拆下，按照VIPer22A或TOP224Y应用电路改动，重新连线即可。
代换时应注意原电路中其他元件是否有损坏的情况，否则代换后也不能正常工作。
用TOP224Y代换时，需在控制端（C）和源极（S）间增加一个电阻R（10-47Ω）、一个电解电容C（47-220μF/16V），还应根据TOP224Y芯片温升情况决定是否加装散热片。
各类现场总线光纤中继器进口型号对照表
PROFIBUS DP/FMS 总线转光纤：SIEMENS(西门子) OLM系列 VS 易控达YFP系列Repeater(6ES7972-0AA01-0xA0) 两端口总线隔离中继器 YHP3 三端口总线隔离中继器 OBT(6GK1500-3AAxx) 二对单模光纤接口 YFP2-S-STOLM V31系列产品对照OLM P11(6GK1502-2CAxx) 一对塑料纤维光口 可用YFP1代替,需换成玻璃光纤 OLM P12(6GK1502-3CAxx) 二对塑料纤维光口 可用YFP2代替,需换成玻璃光纤 OLM G11(6GK1502-2CBxx) 一对多模光纤接口 YFP1-M-STOLM G12(6GK1502-3CBxx) 二对多模光纤接口 YFP2-M-STOLM G12-EEC(6GK1503-2CDxx) 二对多模光纤接口 YFP2-M-STOLM G11-1300(6GK1502-2CCxx) 一对单模光纤接口 YFP1-S-STOLM G12-1300(6GK1502-3CCxx) 二对单模光纤接口 YFP2-S-STOLM V40系列产品对照OLM P11(6GK1503-2CAxx) 一对塑料纤维光口 可用YFP1代替,需换成玻璃光纤 OLM P12(6GK1503-3CAxx) 二对塑料纤维光口 可用YFP2代替,需换成玻璃光纤 OLM G11(6GK1503-2CBxx) 一对多模光纤接口 YFP1-M-STOLM G12(6GK1503-3CBxx) 二对多模光纤接口 YFP2-M-STOLM G12-EEC(6GK1503-2CDxx) 二对多模光纤接口 YFP2-M-STOLM G11-1300(6GK1503-2CCxx) 一对单模光纤接口 YFP1-S-STOLM G12-1300(6GK1503-3CCxx) 二对单模光纤接口 YFP2-S-STPROFIBUS DP/FMS 总线转光纤：HIRSCHMANN (赫斯曼)的OZD系列 VS 易控达YFP系列OZD Profi 12M P11(943 728-221) 一对塑料纤维光口 可用YFP1代替,需换成玻璃光纤 OZD Profi 12M P12(943 728-321) 二对塑料纤维光口 可用YFP2代替,需换成玻璃光纤 OZD Profi 12M G11(943 727-221) 一对多模光纤接口 YFP1-M-STOZD Profi 12M G12(943 727-321) 二对多模光纤接口 YFP2-M-STOZD Profi 12M G12-EEC(943 730-321) 二对多模光纤接口 YFP2-M-STOZD Profi 12M G11-1300(943 729-221) 一对单模光纤接口 YFP1-S-STOZD Profi 12M G12-1300(943 729-321) 二对单模光纤接口 YFP2-S-STOZD Modbus PLUS G12(943 740-021) 二对多模光纤接口 YFB2-M-ST OZD Modbus PLUS G12-1300(943 821-021) 二对单模光纤接口 YFB2-S-ST OZD Genius G12(933 989-021) 二对多模光纤接 YFG2-M-ST OZD Genius G12-1300(934 233-021) 二对单模光纤接 YFG2-S-ST CONTROLNET总线转光纤:ROCKWELL(罗克韦尔)，AB的1786系列 VS 易控达YFN系列YFN产品型号 1786-产品组合 功 能 描 述YFN1-M-ST 1786-RPA :11786-RPFS:1单光口短距离光纤链路模块,不同的是光纤介质不同,YFN1使用多模光纤YFN1-M-ST 1786-RPA :11786-RPFM:1单光口中距离光纤链路模块,多模光纤,3KMYFN1-S-ST -- 单光口长距离光纤链路模块,单模光纤,20KMYFN2-M-ST -- 具有环环冗余功能的多模光纤链路模块双光口,有自愈保护功能AB的产品中具有环网功能的仅有单模产品YFN2-S-ST 1786-RPA :11786-RPFRL:1具有环环冗余功能的单模光纤链路模块双光口,有自愈保护功能AB的产品传10KM,YFN2传20KMYFN2-S-ST1786-RPA :11786-RPFRXL:1具有环环冗余功能的单模光纤链路模块双光口,有自愈保护功能,传20KMYHN31786-RPT或1786-RPTD两端口协议型隔离中继器YHN31786-RPA:11786-RPCD:1+n多端口协议型隔离中继器YFN1-M-ST +YHN31786-RPA:11786-RPFM:1+n可组成多端口星型结构的光纤链路模块MODBUS PLUS总线转光纤/S908 RIO总线转光纤：Schneider(施耐德)，Modicon(莫迪康)的490系列 VS 易控达YFB/YFS系列YFB/YFS产品型号 Modicon产品 功 能 描 述 YFB1-M-ST 490NRP25300单光口Modbus PLUS(MB+)光纤链路模块,多模光纤,传输3公里YFB1-S-ST --单光口长距离Modbus PLUS(MB+)光纤链路模块,单模光纤,20KMYFB2-M-ST490NRP25400NWFR85D200 具有环环冗余功能的多模光纤链路模块 双光口,有自愈保护功能YFB2-S-ST --具有环环冗余功能的单模光纤链路模块双光口,有自愈保护功能,20KMYFS1-M-ST --单光口S908 TIO总线光纤链路模块,多模光纤,传输3公里YFS1-S-ST --单光口长距离S908 Remote IO光纤链路模块,单模光纤,20KMYFS2-M-ST490NRP95400NWFR89D200 具有环环冗余功能的S908 Remote IO光纤链路模块 多模双光口,有自愈保护功能YFS2-S-ST --具有环环冗余功能的单模光纤链路模块双光口,有自愈保护功能,传20KMYHB3/YHS3NWRR85001(RR85 Repeater)两端口协议型隔离中继器PROFIBUS DP/FMS总线转光纤Phinex(菲尼克斯)的PSI系列 VS 易控达YFP系列YFP产品型号 Modicon产品 功 能 描 述 YFP2-M-ST PSI-MOS-PROFIBUS/FO 850 T 双光口冗余，多模光纤 YFP2-S-ST PSI-MOS-PROFIBUS/FO 1300 T 双光口冗余，单模光纤 YFP1-M-ST PSI-MOS-PROFIBUS/FO 850 E 单光口，多模光纤YFP1-S-ST PSI-MOS-PROFIBUS/FO 1300 E 单光口，单模光纤 YHP3PSI-MOS-DNET CAN/FO 850/BM:27 08 08 3PSI-MOS-DNET CAN/FO 850/EM:27 08 096电缆中继隔离器CC-LINK总线转光纤:Mitsubishi(三菱)的AJ65BT系列 VS 易控达YFK系列NS24产品型号Mitsubishi产品 功 能 描 述 及 备 注YFK1-M-ST AJ65SBT-RPS单光口CC-Link光纤链路模块,多模光纤,传输2公里YFK1-S-ST AJ65SBT-RPG单光口长距离CC-Link光纤链路模块,单模光纤,20KMYFK2-M-ST--具有环环冗余功能的多模光纤链路模块,有自愈保护功能YFK2-S-ST--具有环环冗余功能的单模光纤链路模块双光口,有自愈保护功能,20KMYHK3AJ65BT-RPT两端口协议型隔离中继器。
台湾茂达的产品封装及功能说明
深圳市沛城电子科技有限公司地址：中国广东省深圳市南山区科技园北区清华紫光信息港B座三楼联系人：曾小姐电话：86-755-82990713(直线)总机：86-755-82993060传真: 86-755-82992851E-mail: pcmy2011@MSN：yinhualy@公司网址：阿里旺铺：沛城电子是茂达（ANPEC）授权一级代理商，1、MOSFET(MOS管)APM9435为一颗P-MOSFET，VDS耐压为30V，VGS耐压为25V，提供最大的连续电流为6.2A，在VGS=10V 时，最大导通阻抗为60mΩ，采用无铅的SOP-8封装，主要作为电源的开关和PWM的功率器件的应用，常用在车载电子、LCD、便携DVD等电子产品上. 替代市面上如 CEM9435、AP9435 、AF9435 、GE9435、 GT9435 、TM9435、 MT9435、 SD9435。
APM2300CAC，SOT23封装， N沟道 20V/6A兼容，AO3400,SI2300，ME2314，GN2300，……APM2301CAC，SOT23封装， P沟道 20V/6A， 800MA VIN 2.5-5.5 BUCK PWM，兼容AO3401 ，SI2301，LT3406，RT8008，RT8009，APS1006，MP2104……APM2306，SOT23封装，兼容ME2306，GV2314……APM4412为一颗N-MOSFET，VDS耐压为30V，VGS耐压为20V，提供最大的连续电流为12A，在VGS=10V 时，最大导通阻抗为12mΩ，采用无铅的SOP-8封装，主要作为电源的开关和PWM的功率器件的应用，常用在车载电子、LCD、便携DVD,电子调速器等电子产品上。
APM4953为一颗P-MOSFET，VDS耐压为30V，VGS耐压为25V，提供最大的连续电流为6.2A，在VGS=10V 时，最大导通阻抗为60mΩ，采用无铅的SOP-8封装，主要作为电源的开关和PWM的功率器件的应用，常用在车载电子、LCD、便携DVD等电子产品上.兼容SI4953，AP4953，STM9435，MT9435……APM9926，封装SOP/TSSOP-8，兼容N9926A，应用LED显示屏APM4550：封装SOP8，应用：笔记本，场效应管APM3095：封装SOT252，其他MOSFET(MOS管)：APM4953KC SOP8 双P沟道 30V/5A兼容SI4953,AP4953,STM9435,MT9435……APM2305AC SOT23 沟道 16V/3.5A兼容 SI2305……APM3055LUC TO252 N沟 30V/20A兼容STD1703APM3023NUC TO252 N沟道 30V/30A兼容AOD408,AP40T03…APM3095PUC TO252 N沟道 30V/8AAP2014NUC TO252 N沟道 20V/40A兼容SOD434,AP9T18GAPM9410KC SOP8 N沟通道30V/8A，APM4435KC SOP8 P沟道 30V/8AAPM2506NUC TO252 N沟道 25V50A兼容 06N03,AO472,AP86T02, STD70N02,60N03…APM2509NUC TO252 N沟道 25V50A兼容09N03,AO452,AP72T02,STD90N02,70N03…APM7313KC SOP8 双N沟道 30V/6A兼容IRF7313,AO48002、PWM(DC-DC升/降压IC)：DC-DC升压IC：APW7077AAPW7077A是一颗升压PWM控制器，超低的启动电压（0.9V），工作电压为（0.9V～5.5V），内置软启动和固定的300K频率，APW7077A本身的驱动能力为150mA，SOT-25封装，和AP1624，NCP1450，XC6368兼容。
HA5832E 非隔离替代BP2832A
HA5832E 封装形式
SOP-8 package outline dimensions
-9-
其中：IP 为电感电流峰值；L 为电感值；VIN 为交流输入整流后的直流值；VLED 为 LED 负载的正向压降 当内部 MOS 管关闭后，电感电流将从峰值逐渐降低，直到降低为 0 时，内部 MOS 管 将再次开启，此间的电感关闭时间为：
TOFF
L IP ； VLED VLED (VIN VLED ) ； VIN I P F
由上可知，电感可计算为： L
其中 F 为系统工作频率，在设计系统时，首先确定 ILED，ILED 确定后 RISEN、IP 等也就相 应确定了，此时由上式可知，系统频率与输入电压成正比、与选择之电感 L 成反比：当输 入电压最低（或）电感取值较大时，系统频率较低，当输入电压最高（或）电感取值较小时， 系统频率较高，因此，在系统输入电压范围确定时，电感的取值直接影响到系统频率的范围 以及恒流特性。考虑到系统频率不可过低（例如进入音频范围） ，也不宜过高（导致功率管 损耗过大以及 EMI 影响） ，同时 HA5832E 设定了最小/大退磁时间以及最小/大励磁时间，因 此在设计时，建议系统频率设定在 50KHZ～120KHz 之间
范围 15.8～17.2 ≦135 12.8～14.2 ≦195 8.1～9.1 392～408 198 500 150
单位 V μ A V μ A V mV mV ns ns V Ω uA V us us us ℃
VGS=0V/ IDS=250uA VGS=15V/ IDS=0.5A VGS=0V/ VDS=500V
功能 设置开路保护电压， 外接电阻 空脚 工作电源 内部 MOSFET 的漏端 内部 MOSFET 的漏端 电流采样，外接电阻到地 电流采样，外接电阻到地
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描述
M5832应用于小功率AC/DC
充电器和电源适配器的高性能离线式脉宽调制控制器。
该芯片是一款基于原边检测和调整的控制器，因此在应用时无需TL431和光耦。
芯片内置了恒流/恒压两种控制方式，其典型的控制曲线如图1所示。
在恒流控制时，恒流值和输出功率可以通过SEN 引脚的限流电阻RS 设定。
在恒压控制时，芯片在INV 脚采样辅助绕组的电压，进而调整输出。
在恒压控制时还采用了多种模式的控制方式，这样既保证了芯片的高性能和高精度，又保证了高效率。
此外，通过内置的线损补偿电路保证了较高的输出电压精度。
典型应用图
典型应用图
特征
管脚描述 恒压和恒流精度可达5%
原边控制模式，无需TL431和光耦
非连续模式下的反激拓扑
准谐振开关模式，减小开关损耗
具有软启动功能
内置前沿消隐电路(LEB)
频率抖动
恒压恒流控制
恒流和输出功率可调
内置初级电压采样控制器
可调式线损补偿
基于系统稳定性的保护功能
◆欠压锁定
◆逐周期电流限制
◆峰值电流限制
◆过温保护
◆过压保护和电源箝位
SOT-23-6L无铅封装
应用领域
适用于中小功率AC/DC离线式开关电源
手机/数码摄像机充电器
小功率电源适配器
电脑和电视机的辅助电源
替代线性调节器或RCC
引脚功能描述
极限参数
注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。
上述参数仅仅是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。
器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。
脚位示意图
芯片框图
应用信息
●描述
M5832是一款低成本、高性价比的脉宽调制控制器，适用于离线式小功率AC/DC电池充电器和电源适配器。
它采用原边控制方式，因此不需要TL431和光耦。
M5832应用于工作在非连续模式下的反激式系统中，内置的次级恒压采样电路能够提供高精度恒流/恒压控制，很好地满足大多数电源适配器和充电器的要求。
●启动
M5832供电电源端是VDD。
启动电阻提供了从高压端到VDD旁路电容的直流通路，为芯片提供启动电流。
M5832的启动电流小于20uA，因此VDD能够很快被充到UVLO（off）以上，从而使芯片快速启动并开始工作。
采用较大的启动电阻可以减小整机的待机功耗。
一旦VDD超过UVLO（off），芯片就进入软启动状态，使M5832的峰值电流电压逐渐从0V增加到0.9V，用以减轻
在启动时对电路元件的冲击。
VDD的旁路电容一直为芯片提供供
电直到输出电压足够高以至于能够支撑VDD通过辅助绕组供电
为止。
●恒流工作
M5832的恒压
/恒流特征曲线如图1所示。
M5832被设计应用于工作在非连续模式下的反激式系统中。
在正常工作时，当INV 电压低于内部2.0V 的基准电压好时，系统工作在恒流模式，否则系统工作在恒压模式。
当次级输出电流达到了系统设定的最大电流时，系统就进入恒流模式，并且会引起输出电压的下降。
随着输出电压的下降，反馈电压也跟着下降，芯片内部的VCO 将会调整开关的频率，以使输出功率保持和输出电压成正比，其结果就是使输出电流保持恒定。
这就是恒流的原理。
在恒流模式下，无论输出电压如何变化，输出电流为一常数。
在作为充电器应用时，先是恒流充电直到接近电池充饱的状态，随后再进行恒压充电。
在M5832中,恒流值和最大输出功率可以通过外部的限流电阻RS 来设定。
输出功率的大小随着恒流值的变化而变化。
RS 越大，恒流值就越小，输出功率也越小；RS 越小，恒流值就越大，输出功率也越大。
具体参照图2所示。
● 恒压工作
在恒压控制时，M5832利用辅助绕组通过电阻分压器从INV 采样输出电压，并将采样的输出电压与芯片内部的基准电压通过误差放大器进行比较放大，从而调整输出电压。
当采样电压高于内部基准电压，误差放大器的输出电压COM 减小，从而减小开关占空比；当采样电压低于内部基准电压时，误差放大器的输出电压COM 增加，从而增大开关占空比，通过这种方式稳定输出电压。
在作为AC/DC 电源应用时，正常工作时芯片处于恒压状态。
在恒压模式下，系统输出电压通过原边进行控制。
为了实现M5832的恒流/恒压控制，系统必须工作在反激式系统的非连续模式。
（参照典型应用电路）在非连续模式的反激式转换器中，输出电压能够通过辅助绕组来设定。
当功率MOSFET 导通时，负载电流由输出滤波电容CO 提供，原边电流呈斜坡上升，系统将能量存储在变压器的磁芯中，当功率MOSFET 关断时，存储在变压器磁芯中的能量传递到输出。
此时辅助绕组反射输出电压，具体如图3所示，计算公式如下：
其中∆V 是指整流二极管上的压降
通过一个电阻分压器连接到辅助绕组和INV 之间，这样，通过芯片内部的控制算法，辅助组上的电压在去磁结束时被采样并保持，直至下一次采样。
采样到的电压和内部2.0V 的基准电压比较，将其误差放大。
误差放大器的输出COM 反映负载的状况，控制脉宽调制开关的占空比，进而调整输出电压，这样就实现了恒压控制 ● 线损补偿
随着负载电流的增加，导线上的电压降也会增加，导致输出电压的减小。
M5832内置的线损补偿电路能够补偿导线的损耗压降，从而稳定输出电压。
当引入了导线损耗压降以后，辅
图2
助绕组反射输出电压的计算公式（1）将会被修正为。
其中Vcable为导线上的损耗压降。
为了补偿导线上的损耗压降，一个电压偏移量被叠加到INV上。
这个电压偏移量是由一个内部电流IC流入电阻分压器产生的，具体的控制电路如图4所示。
线损补偿电流IC与误差放大器的输出COM成反比，因此，也与输出负载电流成反比。
基于以上原理，线损补偿得以实现，具体的计算公式如下:
当系统从满载变到空载的过程中，叠加到INV的电压偏移量将会增加。
在应用时可以通过调节电阻分压器中电阻的大小来调整补偿的多少。
在恒压模式下，引入线损补偿提高了输出电压的精度和负载调整率。
●开关工作频率
M5832的开关频率受控于负载状况和工作模式。
内部电路设定最大开关频率为60KHz。
在反激模式的断续工作时，最大输出功率通过以下公式计算：
其中LP是变压器原边电感值，IP是原边峰值电流。
为了系统能够安全的工作，原边采样电路必须工作在非连续模式。
为了防止系统进入连续工作模式，开关频率被内部环路锁定，此时的开关频率为：
由于TDemag与电感的大小成反比，因此，电感LP和FSW的乘积为一定值，从而限制了最大的输出功率，避免了系统进入连续工作模式。
●电流检测和前沿消隐
M5832采样功率MOSFET上的电流是通过SEN来实现的。
M5832不仅设计了逐周期的电流限制，而且设计了峰值电流限制，最大的峰值电流电压为0.9V。
因此，MOSFET上最大的峰值电流为:
M5832在SEN端设计了一个约为540ns的前沿消隐时间用来防止在开关导通时刻错误的过流保护被触发。
因此，不需要在SEN端在增加额外的RC滤波电路。
采样电流的输入信号SEN和误差放大器的输出COM 共同决定开关的占空比，稳定输出.
●EMI特性的改善
为了改善M5832系统的EMI特性，芯片内部采用了两种方式。
其中一种方式是采用频率抖动，即在M5832正常工作频率的基础上叠加一个微小的扰动。
也就是说，内部振荡器的频率被调制用来分散谐波干扰能量，分散的能量能够最小化EMI带宽。
另一种方式是软驱动，即逐渐打开功率MOSFET。
当提供给功率MOSFET
的栅驱动太强时，EMI特性会变差；当提供给功率MOSFET的栅驱动太弱时，开关损耗又会加大，因此需要在EMI特性和开关损耗之间寻求折衷来提供合适的栅驱动。
M5832采用了软驱动和图腾柱输出结构，既获得了很好的EMI特性，又降低了开关损耗。
频率抖动和软驱动的综合应用使系统的EMI特性获得了很大的改善。
保护控制
M5832为了确保系统的正常工作内置了多重保护措施。
当这些保护措施一旦被触发，将会关断MOSFET。
这些保护措施包括逐周期的电流限制、峰值电流限制、过温保护、电源箝位、软启动、欠压锁定等。
芯片的供电电源VDD由辅助绕组提供。
当VDD低于进入欠压锁定的阈值电压时，开关将会被关断，随后系统自动进入重启状态。
M5832每次的重启都具有软启动功能。
电气参数(Ta=25o C,其余情况会做说明)
(如无特殊说明,VIN=12V(注1),TA=25℃)
封装外形尺寸图丝印描述
SOT-23-6封装尺寸。