瞬态抑制二极管型号
瞬态抑制二极管参数
1.5KE-瞬态抑制二极管型号
瞬态电压抑制二极管参数（TVS）资料Microsemi公司资料封装：DO-201
瞬态抑制二极管的选型
1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。
若选用的VWM太低，器件可
能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。
串行连接分电压，并行连接分电流。
3、TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
4、在规定的脉冲持续时间内，TVS的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉
冲功率。
在确定最大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
5、对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。
6、根据用途选用TVS的极性及封装结构。
交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用TVS阵
列更为有利。
7、温度考虑。
瞬态电压抑制器可以在－55~+150℃之间工作。
如果需要TVS在一个变化的温度工作，
由于其反向漏电流ID是随增加而增大；功耗随TVS结温增加而下降，从+25℃到+175℃，大约线性下降50％雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。
因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。
P6KE TVS瞬态抑制二极管型号
工作温度范围-55-175℃功率消耗- 最低600W
TVS瞬态电压抑制二极管原理
TVS瞬态抑制二极管封装。
瞬雷电子TVS瞬态抑制二极管SMDJ系列
SMDJ
PART NUMBER
UNI- POLAR BI-POLAR
DEVICE REVERSE BREAKDOWN BREAKDOWN REVERSE MAXIMUM PEAK TEST MARKING STANDVOLTAGE VOLTAGE LEAKAGE CLAMPING PULSE OFF CURRENT CODE VBR(V) VBR(V) VOLTAGE CURRENT @ VRWM VOLTAGE IT (mA) IR(µA) MIN.@IT MAX.@IT @Ipp Vc(V) Ipp (A) UNI BI VRWM(V)
DO-214AB (SMC J-Bend)
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATION For Bidirectional use C or CA Suffix for types SMDJ5.0 thru types SMDJ170 (e.g. SMDJ5.0C , SMDJ170CA) Electrical characteristics apply in both directions MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. RATING SYMBOL VALUE Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000 μs waveform Minimum PPPM (Note 1,2 ,FIG.1) 3000 Peak Pulse Current of on 10/1000µs waveform (Note 1,FIG.3) Peak Forward Surge Current,8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load,(JEDEC Method) (Note2, 3) Operating junction and Storage Temperature Range IPPM IFSM TJ , TSTG SEE TABLE 1 300 -55 to + 150
DO-218AB系列SMD瞬态电压抑制器（TVs）二极管，NextGen Components说明书
CUSTOMER APPROVEDATE:VENDOR APPROVEIssued/Checked/ApprovedDATE: Nov. 15, 2021SPECIFICATION SHEET NO.N1115 -DO218ABM8S36CA DATE Nov. 15, 2021REVISION A0DESCRIPITIONSMD Transient Voltage Suppressor (TVs) Diodes, DO-218AB series, High Temperature Stability and High Reliability Conditions SM8S36CA Type, 2 Pads, Bi-directionalStand-off Voltage 36V . Reverse Surge Current . 114A Max .Operating Temp. Range -55°C ~+175°C Package in Tape/Reel, 750pcs/13” Reel RoHS/RoHS III compliantCUSTOMERCUSTOMER PART NUMBER CROSS REF. PART NUMBER ORIGINAL PART NUMBER MDD SM8S36CA PART CODEDO218ABM8S36CA• Round Chip Produced By Chemical Method• Junction Passivated By Polyimide• T J –175 °C Capability Suitable For High Reliability And Automotive Requirement • Available In both Uni -directional and Bi-directional Polarity • Low Leakage Current • Low Forward Voltage Drop • High Surge Capability• Meet ISO7637-2 Surge Specification (Varied By Test Condition)• Meet MSL Level 1, Per J -STD_020, LF Max. Peak Of 245 °C • AEC –Q101 Quality• Use In Sensitive Electronics Protection Against Voltage Transients Included By Inductive Load Switching And Lighting, Especially For Automotive Load Dump Protection ApplicationMAIN FEATUREAPPLICATIONPART CODE GUIDERFQRequest For QuotationDO218ABM8S36CA121) DO218AB : SMD Transient Voltage Suppressor (TVs) Diodes, DO218AB series 2) M8S36CA : Type code for original part number SM8S36CADIMENSION (Unit: mm)Image for referenceRecommend Pad LayoutMarking: SM8S36CADO-218ABMECHANICAL DATAMAX. RATING & CHARACTERISTICS -Ratings at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.Case Terminals Polarity Mounting PositionUnit Weight JEDEC DO-218AB molded plasticMatte tin plated leads, solderable per J-STD-002 & JESD22-B102Heatsink is AnodeMeets UL 94 V-0 flammability rating baseP/NHE3_X –RoHS Compliant &AEC –Q101 qualified(X: denotes revision code e. g A, B…)2.60 g/pcNote1. Non-repetitive current pulse derated above T A =25 °CParameterSYMBOLSVALUE UNITSMin.Typical Max.Peak Pulse Power Dissipation @10/1000µs Waveform P ppm6600W Peak Pulse Power Dissipation @10/1000µs WaveformP ppm 5200WPower Dissipation On Infinite Heatsink @ T C = 25 °C ( Fig. 1)P D 8.0WPeak Pulse Current On 10/1000μs Waveform (Note 1)I ppm 114APeak Forward Surge Current 8.3 Ms Single Half Sine-WaveI FSM 700AThermal Resistance Junction To Case R ΘJA 0.90°C/W Operating Junction Temperature RangeT J-55+175°CStorage Temperature Range T STG -55+175°CELECTRICALCHARACTERISTICS -Ratings at 25℃Parameter SYMBOLS VALUE UNITSMin.Typical Max. Breakdown Voltage V BR40.042.144.2VTest Current I T 5.0mAReverse Stand-Off V WM36.0VReverse Leakage @V WM I D10.0µAReverse Leakage @ V WM, T J= 175 °C I D150µAPeak Pulse Current @ 10/1000 µs Wave-form I PPM114AClamping Voltage @ I PPM V C58.1V Temp. Coefficient of V BR (Note 1)αT0.091%/ °CNote1. To calculate V BR vs Junction temperature, use the following formula: V BR at T J = V BR at 25 °C x 1+ αT x (T J-25)2. For all type Max. V F = 1.8V at I F= 100 A measured on 8.3ms single half Sine-wave or equivalent square wave,duty cycle = 4 pulses per minute Max.RELIABILITYNumber Experiment Items Experiment Method And Conditions ReferenceDocuments1Solder Resistance Test Test 260°C±5°C for 10 ±2 sec.Immerse body into solder 1/16” ±1/32"MIL-STD-750D METHOD-2031.22Solderability Test 230°C ±5°C for 5 -STD-750DMETHOD-2026.1 0 3Pull Test 1 kg in axial lead direction for 10 -STD-750DMETHOD-2036.44Bend Test 0.5Kg Weight Applied To Each Lead,Bending Arcs 90 °C ±5 °C For 3 TimesMIL-STD-750D METHOD-2036.45High Temperature ReverseBias Test T A=100°C for 1000 Hours at V R=80%Rated V RMIL-STD-750DMETHOD-1038.46Forward Operation Life Test TA=25°C Rated Average RectifiedCurrentMIL-STD-750D METHOD-1027.37Intermittent Operation LifeTest On state: 5 min with rated IRMS PowerOff state: 5 min with Cool Forced Air.On and off for 1000 cycles.MIL-STD-750DMETHOD-1036.38Pressure Cooker Test 15 PSIG, T A=121°C, 4 hours MIL-S-19500APPENOIXC9Temperature Cycling Test -55°C~+125°C; 30 Minutes For DwelledTime 5 minutes for transferred time.Total: 10 cycles.MIL-STD-750D METHOD-1051.710Thermal Shock Test 0°C for 5 minutes., 100°C for 5minutes,Total: 10 cyclesMIL-STD-750D METHOD-1056.711Forward Surge Test 8.3ms Single Sale Sine-wave One -STD-750DMETHOD-4066.4 12Humidity Test T A=65°C, RH=98% for 1000 -STD-750DMETHOD-1021.313High Temperature Storagelife Test 150°C for 1000 Hours MIL-STD-750DMETHOD-1031.5SUGGESTED REFLOW PROFILE (For Reference Only)Profile Feature Pb-Free Assembly Average Ramp-up Rate (Ts Max to Tp)3℃/second Max Preheat Temperature Min (Ts Min.)150℃Temperature Max (Ts Max.)200℃Time (ts Min. to ts Max.)60～180 secondsTemperature (T L)217℃Time maintainedaboveTime (t L)60～150 seconds Peak/Classification Temperature (Tp)260 ℃Time within 5℃of actual Peak Temperature (tp)20～40 seconds Ramp-down rate 6 ℃/Second Max.Time 25 ℃to Peak Temperature 6 minutes Max.Suggest reflow times 3 Times Max.RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (For Reference Only)RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (For Reference Only)RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (For Reference Only)TAPE/REEL (Unit: mm)All Devices are packed in accordance with EIA standard RS-481-A and specifications. 750pcs/ReelItem Symbol Tolerance DO-218AB Carrier width A+/-0.3010.80Carrier Length B+/-0.3016.13Carrier Depth C+/-0.20 6.00Sprocket hole d+/-0.20 1.55 13”Reel outside diameter D+/-0.30330.0013”Reel inner diameter D1-50.0 Min.Feed hole diameter D2-20.2 Min.Sprocket hole position E+/-0.2 1.75Punch hole position F+/-0.2011.50Punch hole pitch P+/-0.2016.0Sprocket hole pitch P0+/-0.20 4.00Embossment center P1+/-0.20 2.00Overall tape thickness T--Tape width W+/-0.2024.00Reel width W1-30.40 Max.11NextGen Component, Inc. reserves the right to make changes to the product(s) and or information contained herein without notice. No liability is assumed as a result of their use or application. No rights under any patent accompany the sale of any such product(s) or information DISCLAIMERPACKAGE for referenceCase Code DO-218ABReel Size 13”Reel Size 330 mm MPQ/Reel 750 pcs Qty. /Box 1500 pcs G.W/Box5.5 kgs12。
SOCAY瞬态电压抑制二极管1.5SMC380A
SOCAY瞬态电压抑制二极管1.5SMC380A硕凯电子（Sylvia）一、产品图二、UL认证三、产品应用TVS器件非常适合保护I/O接口，Vcc总线和其他应用于电信、计算机、工业和消费电子应用的易损电路。
四、英文说明The1.5SMC series is designed specifically to protect sensitive electronic equipment from voltage transients induced by lightning and other transient voltage events.五、选型与应用①TVS管使用时，一般并联在被保护电路上。
为了限制流过TVS管的电流不超过管子允许通过的峰值电流IPP，应在线路上串联限流元件，如电阻、自恢复保险丝、电感等。
②击穿电压VBR的选择：TVS管的击穿电压应根据线路最高工作电压UM按公式：VBRmin ≥1.2UM或VRWM≥1.1UM选择。
交流：UM=1.414Uac,如，对于220V的交流电，其UM=1.414*220=311（V）；直流：UM=Udc。
六、单向I-V曲线特性七、产品特性1、為表麵安裝應用優化電路板空間2、低泄漏3、單向和雙向單元4、玻璃鈍化結5、低電感6、優良的鉗位能力7、1500W的峰值功率能力在10×1000μ波形重複率（占空比）：0.01%8、快速響應時間：從0伏特到最小擊穿電壓通常小於1.0ps9、典型的，在電壓高於12V時，反向漏電流小於5μA10、高溫焊接：終端260°C/40秒11、典型的最大溫度係數△Vbr=0.1%x Vbr@25°C x△T12、塑料包裝有保險商實驗室可燃性94V-013、無鉛鍍霧錫14、無鹵化，符合RoHS15、典型失效模式是在指定的電壓或電流下出現16、晶須測試是基於JEDEC JESD201A每個表4a及4c進行的17、IEC-61000-4-2ESD15kV(空氣)，8kV(接觸)18、數據線的ESD保護符合IEC61000-4-2(IEC801-2)19、數據線的EFT保護符合IEC61000-4-4(IEC801-4)八、最大额定值Notes:1.Non-repetitive current pulse,per Fig.3and derated above TA=25°C per Fig.2.2.Mounted on5.0mm x5.0mm(0.03mm thick)Copper Pads to each terminal.3.8.3ms single half sine-wave,or equivalent square wave,Duty cycle=4pulses per minutes maximum.4.VF<3.5V for VBR<200V and VF<6.5V for VBR>201V.九、功能图十、典型结电容十一、脉冲降额曲线。
瞬态二极管SMF24CA型号说明
瞬态二极管SMF24CA型号说明硕凯电子（Sylvia）一、产品特性1、兼容工业标准的SOD-123封装2、为表面安装应用优化电路板空间3、低泄漏4、单向和双向单元5、玻璃钝化结6、低电感7、优良的钳位能力8、200W的峰值功率能力在10×1000μ波形重复率（占空比）：0.01%9、快速响应时间：从0伏特到最小击穿电压通常小于1.0ps10、高温焊接：终端260°C/40秒11、典型的最大温度系数△Vbr=0.1%x Vbr@25°C x△T12、塑料包装有保险商实验室可燃性94V-013、无铅镀雾锡14、无卤化，符合RoHS15、典型失效模式是在指定的电压或电流下出现16、晶须测试是基于JEDEC JESD201A每个表4a及4c进行的17、IEC-61000-4-2ESD15kV(空气)，8kV(接触)18、数据线的ESD保护符合IEC61000-4-2(IEC801-2)19、数据线的EFT保护符合IEC61000-4-4(IEC801-4)二、产品图三、最大额定值Notes:1.Non-repetitive current pulse,per Fig.3and derated above TA=25°C per Fig.2.2.Mounted on5.0mm x5.0mm(0.03mm thick)Copper Pads to each terminal.3.8.3ms single half sine-wave,or equivalent square wave,Duty cycle=4pulses per minutes maximum.4.VF<3.5V for VBR<200V and VF<6.5V for VBR>201V.四、功能图五、环境说明六、产品结构七、应用中文TVS器件非常适合保护I/O接口，Vcc总线和其他应用于电信、计算机、工业和消费电子应用的易损电路。
P6KE系列瞬态二极管中文资料(TVS管)
SIYURP6KE6.8 ...... P6KE440AW 极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.单位 Unit参数 Parameter符号 Symbols数值 Value 功率消耗P ppmMinimum 600电特性 TA = 25℃ 除非另有规定。
Electrical Characteristics Ratings at 25℃ ambient temperaturePower Dissipation100峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-waveAI FSM3.5V V F最大瞬间正向电压I F = 50A Maximum Instantaneous Forward Voltage20℃/W R θJA 典型热阻Typical Thermal Resistance Junction-to-lead℃Tj, TSTG-55 --- +175工作结温和存储温度Operating Junction And Storage Temperature Range瞬间电压抑制二极管Transient Voltage SuppressorsBreakdown Voltage 6.8 to 440V特征 Features机械数据 Mechanical Data转折电压 6.8 --- 440V·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:265℃/10 秒, 0.375" (9.5mm)引线长度。
265℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,·引线可承受5 磅 (2.3kg) 拉力。
瞬态二极管型号
1
5
56.4
10.6
P6KE39A
P6KE39CA
33.3
37.1
41.0
1
5
53.9
11.1
P6KE43
P6KE43C
34.8
38.7
47.3
1
5
61.9
9.7
P6KE43A
P6KE43CA
36.8
40.9
45.2
1
5
59.3
10.1
P6KE47
P6KE47C
38.1
42.3
51.7
1
5
67.8
10.50
11.60
1
5
15.6
38.5
P6KE12
P6KE12C
9.72
10.80
13.20
1
5
17.3
34.7
P6KE12A
P6KE12CA
10.20
11.40
12.60
1
5
16.7
35.9
P6KE13
P6KE13C
10.5
11.7
14.3
1
5
19.0
31.6
P6KE13A
P6KE13CA
11.1
P6KE27C
21.8
24.3
29.7
1
5
39.1
15.3
P6KE27A
P6KE27CA
23.1
25.7
28.4
1
5
37.5
16.0
P6KE30
P6KE30C
24.3
27.0
33.0
TVS瞬态抑制二极管选型规格书
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 25A for
Unidirectional only (Note 4)
VF
2 20 3.5V/6.5
Watts Amps
V
Operating junction and Storage Temperature Range.
Reverse StandOff Voltage
Breakdown Voltage@IT
VRWM(V)
3.0 5.0 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 8.5 9.0 10.0 11.0 12.0 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 20.0 22.0 24.0 26.0 28.0 30.0 33.0 36.0 40.0 43.0 45.0 48.0 51.0 54.0 58.0 60.0 64.0 70.0 75.0 78.0 85.0 90.0 100.0 110.0 120.0 130.0 150.0 160.0 170.0
Figure 1 - Peak Pulse Power Rating Curve
Figure 2 - Pulse Derating Curve
PPPM - Peak Pulse Power (kW) PPPM-Peak Pulse Power (kW)
瞬态电压抑制二极管参数
瞬态电压抑制二极管参数瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode，TVS）是一种用于抑制电路中瞬态电压峰值的重要电子组件。
在电力系统、通信设备、汽车电子以及各种电子设备中起到了至关重要的保护作用。
瞬态电压抑制二极管参数的合理选择对于电路的可靠性和稳定性具有重要意义。
本文将深入探讨瞬态电压抑制二极管参数的相关内容，希望能够对读者进行全面、深刻和灵活的理解。
一、瞬态电压抑制二极管的概述瞬态电压抑制二极管，又称为TVS二极管，主要用于对电路中的瞬态电压进行保护。
它的主要作用是通过提供一个低阻抗的路径，将瞬态电压引导到地或其他低电压点，以保护电路中的敏感元件不受损坏。
瞬态电压抑制二极管的参数主要包括最大峰值电压（Vc），最大峰值电流（Ipp），保护电压（Vr），响应时间（tr），以及功率耗散能力等。
二、瞬态电压抑制二极管参数的影响因素1. 最大峰值电压（Vc）：Vc是瞬态电压抑制二极管能够承受的最大电压，在选择时应考虑电路中可能出现的最高电压，以确保其能够提供有效的保护。
根据电路的需求，Vc的值应略高于电路中最高电压值。
2. 最大峰值电流（Ipp）：Ipp是瞬态电压抑制二极管能够承受的最大电流，也是保护电路的重要参数。
在电路中发生瞬态电压过冲时，瞬态电流会通过二极管，因此选择具有足够大的Ipp值的二极管可以确保其正常工作。
3. 保护电压（Vr）：Vr是指瞬态电压抑制二极管对于保护电路中敏感元件的保护电压。
当瞬态电压超过Vr时，二极管将开始导通，将瞬态电压引导到地或其他低电压点。
根据电路中敏感元件的额定工作电压，选择合适的Vr值非常重要。
4. 响应时间（tr）：响应时间是瞬态电压抑制二极管从正常工作状态到完全导通所需的时间。
较短的响应时间可以更快地保护电路中的敏感元件，因此在选择二极管时需要注意其响应时间。
5. 功率耗散能力：功率耗散能力是指瞬态电压抑制二极管在正常工作状态下能够耗散的最大功率。
tvs瞬态抑制二极管参数
tvs瞬态抑制二极管参数TVS瞬态抑制二极管的主要参数有：1.最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM：VWM是TVS最大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入TVS 的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。
2.最小击穿电压VBR和击穿电流IR：VBR是TVS最小的雪崩电压。
25℃时，在这个电压之前，TVS是不导通的。
当TVS流过规定的1mA电流(IR)时，加入TVS两极间的电压为其最小击穿电压VBR。
按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把TVS 分为±5%VBR和平共处±10% VBR两种。
3.最大箝拉电压VC和最大峰值脉冲电流IPP：当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两极间出现的最大峰值电压为VC。
它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。
VC 、IPP反映了TVS器件的浪涌抑制能力。
VC与VBR之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。
4.电容量C：电容量C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。
C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C过大将使信号衰减。
因此，C是数据接口电路选用TVS的重要参数。
5.最大峰值脉冲功耗PM：PM是TVS能承受的最大峰值脉冲耗散功率。
其规定的试验脉冲波形和各种TVS的PM值，请查阅有关产品手册。
在给定的最大箝位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗PM下，箝位电压VC越低，其浪涌电流的承受能力越大。
另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。
而且TVS所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01%，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的“累积”，有可能使TVS损坏。
6.箝位时间TC：TC是从零到最小击穿电压VBR的时间。
对单极性TVS小于1×10-12秒；对双极性TVS小于是1×10-11秒。