瞬态抑制二极管选型
瞬态抑制二极管
瞬态抑制二极管瞬态二极管瞬态二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。
当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
目录瞬态抑制二极管由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。
目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF 耦合/IC 驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。
瞬态抑制二极管主要的型号瞬态抑制二极管主要的型号有；XESD12VT23-3，IC网络超市自主品牌。
性价比很强。
XESD12VT23-3是抑制瞬变电压双向阵列,旨在保护的组分,被连接到数据和传输线路,防静电放电(简称ESD)、电气快瞬变(EFT),和闪电。
所有销子分为能够承受20kv采用IEC 61000-4-2防静电脉冲接触排放的方法。
特点；1、 500瓦峰脉冲电源的60% 8/20μs),2、低夹紧电压3、保护一个双向或两个单向线4、工作电压伏,8V:3V,,12伏,15伏特5、 ESD保护> 40千伏下6、符合；61000-4-2(简称ESD):Air-15kV Contact-8kV,40A-5/50ns 61000-4-4(EFT):61000-4-5(浪涌):24A 8/20⎧s编辑本段三大特点1、将TVS 二极管加在信号及电源线上，能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲，如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。
瞬态抑制二极管的详细介绍和使用指导精品
【关键字】情况、方法、监测、地方、系统、平衡、快速、持续、研究、关键、安全、需要、环境、方式、标准、增量、结构、水平、检验、分析、形成、保护、确保、指导、帮助、支持、方向、适应、提高瞬态抑制二极管的详细介绍和使用指导一、瞬态现象的危害——什么是瞬态现象？瞬态电压是由电能释放的短时高电压，通常在储存的能量突然释放，或有较重的电感负载或雷击等其它诱因时产生。
在电气或电子电路中，可以通过开关控制方法预先释放该能量，也可以将其随机导入外部电源电路中。
反复瞬变现象通常在操作电机、发电机或在开/关反馈电路元件时产生。
而随机瞬变现象则通常在雷击或静电放电（ESD）时产生。
雷击和静电放电的发生是无法预测的，所以需要进行精密的监测以准确测算，尤其在电路板层面可能发生上述情况的时候更需注意。
许多电子标准组使用公认的监测手段或测试方法对瞬变电压的产生进行了分析研究。
下表列举了瞬变现象的一些重要特征。
表1：瞬变源及其量值示例瞬变电压峰值的特性如下图所示，雷击和静电放电形成的瞬变电压峰值通常会形成一条“双指数”波形。
图1：雷击的瞬变波形图2：静电放电的测试波形雷击的指数生成时间在1.2微秒至10微秒之间（基本为10%至90%），持续时间在50微秒至1000微秒之间（峰值的50% ）。
而静电放电持续的时间则相对而言短很多。
生成时间小于1.0毫微秒。
持续总时间约为100纳秒。
为什么瞬变现象越来越多地受到关注？产品的小型化趋势使得产品对电气应力日益敏感。
以微处理器为例，其结构和导电通路无法处理由静电放电瞬变现象产生的强电流。
因为这类产品的操作电压非常低，所以必须控制电压干扰以防设备断路、潜在隐患或灾难性事件的发生。
目前，敏感微处理器广泛应用于各类设备之中。
从家用电器（例如洗碗机）至工业控制设备，甚至玩具都使用微处理器来提高性能和功效。
大部分汽车也使用多重电子系统来控制发动机、空调、刹车系统，部分汽车还将其用于控制转向、牵引和安全系统。
TVS 管性能及选型
TVS 管性能及选型一．TVS管概述TVS（TransientVoltageSuppressor）瞬态电压抑制器。
当两极受到反向瞬态高能量冲击时，能以10的负12次方秒量级的速度，将两极间的高阻抗变为低阻抗，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件。
在浪涌电压作用下，TVS两极间的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，而被击穿，随着击穿电流的出现，流过TVS的电流将达到峰值脉冲电流IPP，同时在其两端的电压被钳位到预定的最大钳位电压VC以下，其后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS两极间的电压也不断下降，最后恢复到初态；TVS管有单向与双向之分，单向TVS管的特性与稳压二极管相似，双向TVS管的特性相当于两个稳压二极管反向串联。
二．其主要特性参数1、反向截止电压VRWM与反向漏电流IR：反向截止电压VRWM表示TVS管不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。
2、击穿电压VBR：TVS管通过规定的测试电流时的电压，这是表示TVS管导通的标志电压。
3、脉冲峰值电流IPP：TVS管允许通过的10/1000μs波的最大峰值电流（8/20μs波的峰值电流约为其5倍左右），超过这个电流值就可能造成永久性损坏。
在同一个系列中，击穿电压越高的管子允许通过的峰值电流越小，一般是几A～几十A。
4、最大箝位电压VC：TVS管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。
5、脉冲峰值功率Pm：脉冲峰值功率Pm是指10/1000μs波的脉冲峰值电流IPP与最大箝位电压VC的乘积，即Pm=IPP*VC；在给定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流承受能力越大，在给定的功耗PM下，钳位电压越低，其浪涌电流的承受能力越大；另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形，持续时间和环境温度有关：典型的脉冲波形持续时间为1ms，当施加到二极管上的脉冲波形持续时间小于TP，则随着TP的减小脉冲峰值功率增加；TVS所能承受的瞬态脉冲式不重复的，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的累积可能损坏TVS。
TVS瞬态抑制二极管选型规格书
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 25A for
Unidirectional only (Note 4)
VF
2 20 3.5V/6.5
Watts Amps
V
Operating junction and Storage Temperature Range.
Reverse StandOff Voltage
Breakdown Voltage@IT
VRWM(V)
3.0 5.0 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 8.5 9.0 10.0 11.0 12.0 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 20.0 22.0 24.0 26.0 28.0 30.0 33.0 36.0 40.0 43.0 45.0 48.0 51.0 54.0 58.0 60.0 64.0 70.0 75.0 78.0 85.0 90.0 100.0 110.0 120.0 130.0 150.0 160.0 170.0
Figure 1 - Peak Pulse Power Rating Curve
Figure 2 - Pulse Derating Curve
PPPM - Peak Pulse Power (kW) PPPM-Peak Pulse Power (kW)
瞬态抑制二极管TVS二极管型号汇总
瞬态抑制二极管TVS管型号汇总硕凯电子（Sylvia）1、瞬态抑制二极管产品简述硕凯瞬态电压抑制器（TransientVoltageSuppressor）简称TVS管，也叫瞬态抑制二极管，TVS管的电气特性是由P-N结面积、掺杂浓度及晶片阻质决定的。
其耐突波电流的能力与其P-N结面积成正比。
TVS广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二级电源和信号电路的保护，以及防静电等。
其特点为反应速度快(为ps级)，体积小，脉冲功率较大，箝位电压低等。
其10/1000μs 波脉冲功率从400W～30KW，脉冲峰值电流从0.52A～544A；击穿电压有从6.8V～550V的系列值，便于各种不同电压的电路使用。
2、各种型号大全（1）名称：SOD-123封装SMF系列功率：200W电压（VRWM）：1.0-400V电流（IPP）：21.7-0.65A封装：SOD-123产品系列：SMF（2）名称：DO-214AC封装SMAJ系列功率：400W工作电压：5.0－440.0V电流（IPP）：43.5-0.6A封装：DO-214AC产品系列：SMAJ（3）名称：DO-214AA封装SMBJ系列功率：600W工作电压：5.0-440.0V电流：65.3-0.9A封装：DO-214AA产品系列：SMBJ（4）名称：DO-214AB封装SMCJ系列功率：1500W工作电压：5.0-440.0V电流：163.0-2.1A封装：DO-214AB产品系列：SMCJ（5）名称：DO-214AB封装SMDJ系列功率：5000W工作电压：5.0-170.0V电流：326.1-10.9A封装：DO-214AB产品系列：SMDJ（6）名称：DO-15封装SA系列功率：500W工作电压：5.0-180.0V电流：55.4-1.7A封装：DO-15产品系列：SA（7）名称：DO-41封装P4KE系列功率：400W工作电压：5.8-495.0V电流：39.0-0.52A封装：DO-41产品系列：P4KE（8）名称：DO-15封装P6KE系列功率：600W工作电压：5.8-512.0电流：0.75-58.1A封装：DO-15产品系列：P6KE（9）名称：DO-201封装 1.5KE系列功率：1500W工作电压：5.8-495.0V电流：144.8-2.0A封装：DO-201产品系列：1.5KE（10）名称：P600封装3KP系列功率：3000W工作电压：5.0-220.0V电流：326.1-8.1A封装：P600产品系列：3KP（11）瞬态抑制二极管TVS二极管余下型号如下：3、小结有关硕凯瞬态抑制二极管TVS二极管的各种型号主要为以上这些，当然，后期还会有新的型号上市，到时再共享。
瞬态抑制二极管的选用
瞬态抑制二极管的选用
瞬态抑制二极管选用技巧
1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。
若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。
串行连接分电压，并行连接分电流。
3、TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
4、在规定的脉冲持续时间内，TVS的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。
在确定最大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
5、对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。
瞬态抑制二极管TVS管的选型
瞬态抑制二极管TVS管的选型瞬态抑制二极管TVS管的选型心得这里总结一些瞬态抑制二极管TVS管的选型心得，供大家参考：1、TVS是用来防护浪涌电流的，如果知道要防护的最大电流Ipp 最好。
首先确定TVS的Ipp。
2、再其次确定待防护电路的直流电压或持续工作电压。
如果是交流电，应计算出最大值，即用有效值*1.414。
3、根据2中已知工作电压，选择TVS的Vrwm，要求Vrwm要大于工作电压，否则工作电压大于Vrwm会导致TVS反向漏电流增大，接近导通，或者雪崩击穿，影响正常电路工作。
4、所选TVS的最大箝位电压Vc不能大于被防护电路可以承受的最大电压。
否则，当TVS钳在Vc时会对电路造成损坏。
5、其中2-4步可以先于1，如果不知Ipp，可以根据信号的功率确定Ipp。
6、单极性还是双极性-常常会出现这样的误解即双向TVS用来抑制反向浪涌脉冲，其实并非如此。
双向TVS用于交流电或来自正负双向脉冲的场合。
TVS有时也用于减少电容。
如果电路只有正向电平信号，那麽单向TVS就足够了。
TVS操作方式如下：正向浪涌时，TVS 处于反向雪崩击穿状态；反向浪涌时，TVS类似正向偏置二极管一样导通并吸收浪涌能量。
这个时候需要参考TVS的正向导通峰值电流，Ifsm。
另外，选型注意事项：1、 TVS 的最大反向钳位电压 VC 应小于被保护电路的损坏电压；2、TVS 的额定反向关断电压 VWM 要大于或等于被保护电路的最大工作电压，若选用的 VWM 太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作；3、交流电压只能用双向 TVS；4、在规定的脉冲持续时间内，TVS 的最大峰值脉冲功率 PM 必须大于被保护电路可能出现的峰值脉冲功率，在确定了最大钳位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流；5、结电容是影响 TVS管在高速线路中使用的关键因素，在这种情况下，一般用一个 TVS 管和一个快恢复二极管以背对背的方式连接，由于快恢复二极管有较小的结电容，因而二者串联的等小电容也较小，可以满足高频使用的要求。
瞬态电压抑制二极管参数
瞬态电压抑制二极管参数瞬态电压抑制二极管（TVS二极管）是一种特殊设计的二极管，用于保护电子电路免受瞬时高压冲击的损害。
它是一种用于限制电路中瞬时高电压的特殊元件，主要用于保护电子元件、器件和系统。
TVS二极管可以快速响应潜在的过压或ESD（静电放电）事件，通过将过压转移到接地，以稳定电路工作。
下面将详细介绍TVS二极管的参数。
一、工作原理TVS二极管是利用其结构特性来实现对瞬态电压的抑制。
当电路中发生瞬态过压时，TVS二极管的电压会迅速上升，形成导通通道，使得过电压的能量通过TVS二极管分流到地。
这样可以将瞬态过压的能量耗散在TVS二极管中，从而保护其他电子器件不受损害。
TVS二极管对于电子电路的保护起着非常重要的作用。
二、参数及性能指标1. 额定工作电压（VRM）额定工作电压是TVS二极管在正常工作条件下允许通过的最大电压。
在选型时需要根据电路的工作电压来选择合适的TVS二极管，通常应该确保额定工作电压大于最大工作电压，以保证TVS二极管的可靠性和稳定性。
一般而言，额定工作电压越高，TVS二极管的耐压能力越强。
2. 峰值脉冲功率（PPM）峰值脉冲功率表示TVS二极管在瞬态电压下能够吸收的能量，通常以瓦特（W）为单位。
PPM越大，表示TVS二极管在瞬态过压时具有更好的能量吸收能力，在保护电路时具有更高的效果。
3. 反向漏电流（IRM）TVS二极管在反向电压下的漏电流，通常以微安（μA）级别计算。
IRM越小，表示TVS 二极管在不导通时的耗散功率较低，可以减小对电路的影响。
4. 反向峰值脉冲电压（VRM）反向峰值脉冲电压表示TVS二极管在正向电压超过额定工作电压时的最大反向电压。
选型时应确保电路的最大反向峰值电压小于TVS二极管的额定反向峰值脉冲电压，以确保TVS二极管能够有效保护电路。
5. 响应时间（RESPONSE TIME）TVS二极管的响应时间是指当工作电压超过额定电压时，TVS二极管开始工作的时间。
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瞬态抑制二极管选型
优恩半导体（UN）
瞬态电压抑制二极管选型必须注意以下几点：
1.最小击穿电压VBR和击穿电流IR。
VBR是瞬态电压抑制二极最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压瞬态电压抑制二极是不会产生雪崩的。
当瞬态电压抑制二极流过规定的1mA电流(IR)时，加于瞬态电压抑制二极两极的电压为其最小击穿电压V BR。
按瞬态电压抑制二极的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5％和10％两种。
对于5％的VBR来说，V WM=0.85VBR；对于10％的VBR来说，V WM=0.81VBR。
为了满足IEC61000-4-2国际标准，瞬态电压抑制二极二极管必须达到可以处理最小8kV(接触)和15kV(空气)的ESD 冲击，部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。
对于某些有特殊要求的可携设备应用，设计者可以依需要挑选元件。
2.最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VWM。
VWM是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在瞬态电压抑制二极工作以前使整个回路面对过压威胁。
当这个额定反向切断电压VWM加于瞬态电压抑制二极的两极间时它处于反向切断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。
3.最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流I PP。
当持续时间为20ms的脉冲峰值电流IPP流过瞬态电压抑制二极时，在其两端出现
的最大峰值电压为VC。
V C、IPP反映了瞬态电压抑制二极的突波抑制能力。
VC与VBR之比称为钳位因子，一般在1.2~1.4之间。
VC 是二极管在截止状态提供的电压，也就是在ESD冲击状态时通过瞬态电压抑制二极的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则元件面临被损伤的危险。
4.Pppm额定脉冲功率，这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。
对于手持设备，一般来说500W的瞬态电压抑制二极就足够了。
最大峰值脉冲功耗PM是瞬态电压抑制二极能承受的最大峰值脉冲功耗值。
在特定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其突波电流的承受能力越大。
在特定的功耗PM下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。
另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。
而且，瞬态电压抑制二极所能承受的瞬态脉冲是不重覆的，元件规定的脉冲重覆频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01％。
如果电路内出现重覆性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏瞬态电压抑制二极。
5.电容器量C。
电容器量C是由瞬态电压抑制二极雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。
C的大小与瞬态电压抑制二极的电流承受能力成正比，C太大将使讯号衰减。
因此，C是数据介面电路选用瞬态电压抑制二极的重要参数。
电容器对于数据/讯号频率越高的回路，二极管的电容器对电路的干扰越大，形成噪音或衰减讯号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。
高频回路一般选择电容器应尽量小(如LC瞬态电压抑制二极、低电容
器瞬态电压抑制二极，电容器不大于3pF)，而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。
瞬态电压抑制二极管的选型技巧：
（1）确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
（2）瞬态电压抑制二极额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。
若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。
串行连接分电压，并行连接分电流。
（3）瞬态电压抑制二极的最大钳位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
（4）在规定的脉冲持续时间内，瞬态电压抑制二极的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。
在确定了最大钳位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
（5）对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的瞬态电压抑制二极器件。
（6）根据用途选用瞬态电压抑制二极的极性及封装结构。
交流电路选用双极性瞬态电压抑制二极较为合理；多线保护选用瞬态电压抑制二极阵列更为有利。
（7）温度考虑。
瞬态电压抑制器可以在－55℃～+150℃之间工作。
如果需要瞬态电压抑制二极在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大；功耗随瞬态电压抑制二极结温增加而下降，从+25℃～+175℃，大约线性下降50％雨击穿电压VBR随温度的增加
按一定的系数增加。
因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。
优恩半导体专业研发、生产和销售ESD静电保护器、瞬态抑制二极管、陶瓷气体放电管、半导体放电管、玻璃放电管、自恢复保险丝等，为客户免费提供瞬态电压抑制二极管选型及技术支持。