等离子体刻蚀机常见故障及处理方法
K+P常见异常处理方法
K+P常见异常处理方法1、刻蚀常见异常及处理方法1.1预抽抽不下去（预抽结束时压力大于500Pa或预抽已超过设定时间却不进行下一步）：可能原因1)刻蚀机盖子没有盖紧；2）机械泵传动带松动；3）泵油需要更换；4）管道借口漏气；5）石英缸破裂。
处理方法：通知设备维修。
1.2主抽抽不下去（主抽结束时压力大于15Pa）：可能原因及处理方法同1.1。
1.3送气时气体流量超出允许范围（CF4流量为210±15 sccm，O2流量为21±3 sccm），同时可能附带有报警声音或报警灯闪烁：可能原因1）质量流量计损坏；2）管道堵塞或接口漏气；3）动力供应异常。
处理方法：确认是否是动力供应异常，并通知设备维修，同时将该组片子在其他刻蚀机重刻。
1.4辉光时报警：可能原因1）辉光时功率超出设定范围（500W-600W）2）气体流量超出设定范围。
处理方法：通知设备维修，同时将该组片子在其他刻蚀机重刻后附实验单下传，追踪其电池性能（注意在打开刻蚀机盖前必须抽空反应室内气体）。
1.5辉光时压力或功率超出设定范围（压力100±20 Pa，功率500W-600W，一般要求不低于550W）:可能原因1）泵油需要更换2）气体流量未达到设定范围。
处理方法：通知设备维修，同时将该组片子在其他刻蚀机重刻后附实验单下传，追踪其电池性能（注意在打开刻蚀机盖前必须抽空反应室内气体）。
1.6刻蚀完毕后不能打开盖子：可能原因是充气设定时间过短导致内部压力太低。
处理方法：可手动充气打开刻蚀机盖，若多次出现此种情况，可将充气设定时间适当加长。
1.7刻蚀后硅片边缘发黑：原因尚不明确。
处理方法：若P/N型检测无异常，可附实验单下传，并追踪其电池性能。
2、刻蚀后PN检测异常及处理方法2.1 反面检测呈N型：可能原因1）超净装片时装反；2）双面扩散；3）反面扩散；4）P/N型检测仪不合格或出现故障。
处理方法：1）检查P/N型检测仪，用手触摸热探针是否正常发热，或换其他P/N型检测仪重新检测；2)重新检测并检测该组其他硅片是否异常，若是，则联系超净工艺工程师确认是否为反面扩散或装片装反；3）若装片装反，则返超净重新装片，检测无异常附实验单下传，并追踪其电池性能；若为反面扩散且超净工艺工程师同意下传，则附实验单下传，并追踪其电池性能。
等离子体光谱仪的使用中常见问题
等离子体光谱仪的使用中常见问题近年来，随着科技的发展和应用的广泛，等离子体光谱仪作为一种先进的分析仪器逐渐被广泛应用于各行各业。
然而，在使用过程中常常会遇到一些问题，这不仅影响了仪器的正常使用，也限制了数据的准确性和分析的精度。
本文将介绍在等离子体光谱仪的使用中常见的问题，并提供一些解决方法。
首先，一个常见的问题是仪器的灵敏度不稳定。
在实际使用中，如果发现仪器的灵敏度不稳定，首先需要检查仪器的光源和检测器是否正常工作。
可以通过对光源进行清洁和定期更换，同时保证检测器处于良好的工作状态来保持仪器的稳定性。
此外，还需要定期校准仪器，以确保其恢复到最佳性能状态。
另一个常见问题是背景干扰的存在。
背景干扰是指在分析样品时，由于外部因素的干扰导致测得结果的准确性降低。
解决这个问题的方法之一是在分析前对样品进行预处理，例如使用前处理方法去除背景干扰物。
另外，也可以使用不同的分析方法，选择适当的检测波长，以减少背景干扰带来的影响。
此外，在样品处理和分析过程中，也可能出现元素浓度偏低的问题。
这可能是由于样品制备不当或仪器参数设置不正确导致的。
为了解决这个问题，需要对样品进行合适的预处理和制备。
在使用过程中，应该根据实际情况调整仪器的工作参数，以确保准确测量到所需元素的浓度。
此外，仪器的加热过程中，可能会出现等离子体发射光谱线宽度较宽的问题。
这可能是由于样品的过多或过少导致的。
为了解决这个问题，可以根据实际需求调整样品处理方法，并保证待测样品的浓度处于适当的范围内。
最后，仪器的使用寿命也是一个需要考虑的问题。
在使用过程中，应该保持仪器的良好使用状态，避免长时间不使用或使用不当导致的损坏。
定期对仪器进行维护和保养，清洗光路和器件，及时更换损坏的部件，以延长仪器的使用寿命和提高仪器的可靠性。
综上所述，等离子体光谱仪在使用过程中常会面临一些问题，但只要合理操作和维护，这些问题并不难以解决。
通过定期维护、合理选择分析方法、严格控制样品制备过程等方式，可以有效地提高仪器的使用效果和数据的准确性。
等离子表面处理仪故障维修处理方法
等离子表面处理仪故障维修处理方法等离子表面处理仪故障维修处理方法（上）等离子表面处理仪是一种常用的表面处理设备，用于提高材料表面的物理、化学性能。
然而，由于长时间使用或操作不当等原因，等离子表面处理仪可能出现各种故障。
本文将就几种常见的故障进行探讨，并介绍相应的维修处理方法。
一、电源故障电源故障是等离子表面处理仪常见的故障之一，可能表现为无法开机、电流波动大、电压异常等情况。
在出现电源故障时，首先需要检查设备的电源线是否插好，并确保电源开关处于打开状态。
如果确定电源线正常，可以考虑以下几个方面的原因。
1.电源插座问题：将电源线插入其他可靠的插座进行测试，以确定是否存在插座故障。
2.电源线损坏：检查电源线是否损坏，如有必要，更换电源线。
3.电源过载：排除插座和电源线的问题后，打开设备的机壳，检查电源的配线是否正确，确保电源的额定功率与设备需求匹配。
4.电源模块故障：如果以上步骤都没有解决问题，可能是电源模块损坏。
此时建议联系厂家或专业人士进行检修或更换。
二、气路故障等离子表面处理仪的气路故障通常表现为气体流量不稳定、无气流输出等情况。
在处理这类故障时，需要逐一排查以下几个可能的原因。
1.气源问题：检查气源是否供应充足，并确保气源接头与设备连接良好。
2.气流调节阀问题：检查气流调节阀是否被堵塞或损坏，如果有问题，需要进行修理或更换。
3.气流传感器故障：检查气流传感器是否正常工作，如发现故障，建议联系专业人士进行修理。
4.气路管道漏气：检查气路管道是否有漏气现象，如有漏气，需要修复或更换漏气部分。
5.环境温度和湿度：环境温度和湿度的变化可能会对气路故障造成影响。
在使用等离子表面处理仪时，需要保持环境温度和湿度的稳定，避免对设备造成不良影响。
三、高频发生器故障高频发生器是等离子表面处理仪的核心部件之一，负责产生等离子体。
当高频发生器出现故障时，往往会导致设备无法正常工作。
以下是几种常见的高频发生器故障及其解决方法。
等离子蚀刻机安全操作及保养规程
等离子蚀刻机安全操作及保养规程1. 前言等离子蚀刻机是用于微电子制造和纳米加工领域的一种关键设备，可以在微纳米尺度上加工各种材料。
使用等离子蚀刻机需要严格遵守操作规程和安全提示，避免因不当操作导致人身伤害或设备的损坏，保证生产工艺的连续性和设备的长期稳定工作。
2. 设备基本结构等离子蚀刻机是由真空室、气体阀门、液晶显示屏、高压电源、气体控制系统、等离子源、加热片等组件组成。
其中，真空室是进行等离子蚀刻的主要部件，等离子源是产生等离子体的关键处理单元。
3. 安全操作指南3.1 上机之前的准备工作在使用等离子蚀刻机之前，应先了解设备的使用方法和操作规程，并按以下步骤进行设备的准备工作:•检查设备是否处于正常状态并接通心电图线。
•下降加热片，使其与蚀刻盘接触，排出残留物。
•使用真空泵进行清洁，构建出设备所需的真空环境。
•启动气体和真空泵，将等离子源与室内相隔绝，避免互相影响。
•调整气体流量和压力，使其达到设定值。
3.2 设备的正常使用在设备启动后，应按以下步骤进行操作：•等离子体的产生需要一定时间以达到稳定状态，通常需要等待5-10分钟，请不要急于进行操作。
•将待加工物放入到等离子蚀刻盘中，打开蚀刻盘的干燥程序，保证加工物的表面光洁。
•打开等离子刻蚀程序，进行加工，加工完毕后关闭加热片。
•关闭等离子体源，停止气体流动，关闭设备。
3.3 操作时的安全提示在进行操作时，请注意以下安全提示：•切勿将散热片暴露在有机溶剂和刻蚀气体中。
•不要将手放入等离子体源中。
•切勿在设备运行时拆卸部件，否则会对等离子蚀刻机造成损害或人身伤害。
•使用设备时穿戴防静电作业服，避免静电干扰等离子蚀刻机的正常工作流程。
•监督设备运行过程中的参数和表现，如有异常，应及时关闭设备并联系维修人员进行处理。
4. 设备保养方法为延长等离子蚀刻机的使用周期和性能表现，应定期进行设备保养。
设备保养的具体方法如下：•定期清洁设备，并使用干燥气体擦拭设备表面。
刻蚀常见异常培训
等离子刻蚀的作用：
去除太阳能电池的周边结，扩散工艺中在硅片的上表面和周边都扩散上了N型结，如果不 去除周边的N型结会导致电池片正负极被周边的N型结联接起来，使电池正负极接通，起不到 电池的作用了。
等离子刻蚀机介绍（外观）
捷佳创刻蚀机
七星刻蚀机
等离子刻蚀机介绍（反应室）
捷佳创刻蚀机：
反应室里面是石英缸，外面是线圈， 线圈在高频电的激发下起辉放电，激发石 英缸内的特气进行反应，生成活性离子基。
送工艺气体，当压力稳定在设定值时开高频辉光放电，关高频，关工艺气体，送氮气，充 气开盖，取片，放片，开始新的工艺“（或抽空停机）。
工艺流程框图： 装片 运行开 预抽 尾气 主抽 送气（CF4 O2）稀释
取片
运行关
充气
清洗
高频辉光
等离子刻蚀效果检测：
热探针和N型半导体接触时，传导电子将流 向温度较低的区域，使得热探针处电子缺 少，因而其电势相对于同一材料上的室温 触点而言将是正的；
刻蚀白圈处理方法：
I. 出现刻蚀白圈立即空刻观察刻蚀机仓体是否异常或督查生产操作是否有误，若发现该机台异常
立即通知生产人员空刻2次，无异常情况则复机生产；
II. 对已产生的刻蚀白圈片由生产通知质量部判别是否下传，并对当班出现的刻蚀白圈进行仔细 统计;
刻蚀机的保养和安全保护事项：
1. 使用环境 温度5℃-40℃,湿度<70%，净化等级优于万级。
同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的； 此电势差可以用简单的微伏表测量； 热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙铁；
检查手法见《PN型检测SOP》。
刻蚀异常处理流程：
等离子体刻蚀技术的操作指南与优化要点
等离子体刻蚀技术的操作指南与优化要点介绍：等离子体刻蚀技术是一种常用于半导体制造过程中的重要技术，可以高精度地刻蚀材料表面，用于制作微观结构。
本文将为读者提供一份操作指南与优化要点，帮助他们掌握这一技术的使用方法和参数调节。
一、等离子体刻蚀技术的基本原理等离子体刻蚀技术是通过产生等离子体来刻蚀材料表面。
其中，等离子体由电离的气体分子或原子组成，通过加热或电离方式生成。
刻蚀过程中，高能的等离子体与材料表面的原子或分子发生碰撞，使其脱离表面并被抽走，从而实现刻蚀有序结构的目的。
二、操作指南1. 设定刻蚀参数：在进行等离子体刻蚀前，首先需要设定适当的刻蚀参数。
参数包括刻蚀气体的种类和流量、放电功率、刻蚀时间等。
不同材料和要刻蚀的结构形状需要不同的参数设置，因此需根据实际需要进行调整。
2. 样品处理：在刻蚀之前，样品表面需要进行预处理，例如清洗和除去氧化层等。
这样可以增加刻蚀的精度和均匀性。
3. 选择合适的刻蚀气体：刻蚀气体的选择对刻蚀效果有很大影响。
常用的刻蚀气体有氟化氢、氟气、氧气等。
不同气体对不同材料有不同的作用，应根据材料类型和所需刻蚀效果选择合适的刻蚀气体。
4. 控制刻蚀速率：刻蚀速率对于刻蚀的深度和均匀性有重要影响。
可以通过调整刻蚀时间和刻蚀功率来控制刻蚀速率。
需要注意的是，刻蚀速率过高可能导致刻蚀深度不均匀，而过低则可能无法满足刻蚀需求。
5. 监控刻蚀过程：在刻蚀过程中，应定期监控刻蚀深度和均匀性。
可以使用显微镜、扫描电镜等工具进行观察和测量，以调整刻蚀参数和纠正不均匀的情况。
6. 发现问题时的处理方法：在刻蚀过程中可能会出现一些问题，如表面残留物、刻蚀不均匀等。
处理方法可以是更换刻蚀气体、调整刻蚀参数或对样品进行再处理。
三、优化要点1. 材料选择：材料的选择直接影响刻蚀效果和刻蚀速率。
应根据具体需求选择合适的材料，例如对于硅基材料，可以选择氟化氢作为刻蚀气体。
2. 气体流量控制：气体流量对刻蚀效果和材料去除速率有直接影响。
等离子体刻蚀
等离子体刻蚀I I并联电阻偏小V 正常曲线V预抽和主抽反1应腔内的气压达到工艺要求以实现低气压,下以步送气即输送CF4气体.在这样的条件下辉光使CF4等离子态,辉光是整个刻蚀过程的关键步骤.主要工艺参数是:辉光功率,反射功率,辉光时间.控制好这三个参数,基本整个刻蚀过程就自动按要求完成.辉光功率过大,时间过长的话,会使硅片被刻蚀过度,等离子体中高能电子会轰击硅原子,造成缺陷,影响电池质量,而影响整个硅片的转换效率.刻蚀功率过小时间过长也不好,会使刻蚀不完全,漏电流增大.因此功率过大,过小,时间过长过短都会影响电池的性能.所以必须找到每台机器功率和辉光时间之间平衡点,使刻蚀完全,又不会对电池造成损伤.目前的设备功率设定在500W,辉光时间设定为820S.这是比较合适的一组选择,经过长期实践证明是可行的.当然,在以后的工作要求下,该参数可能被更改,但是有一条原则是在不损伤硅片的情况下使硅片刻蚀完全. 目前的设备情况有几台机器不是很稳定,有时辉光功率显示值与设定值偏差太大,反射功率也很大,这就需要工艺人员在现场时刻关注着,保证功率在工艺要求的范围内.等离子刻蚀工艺段在操作方面要注意的是装片时尽量将硅片的边缘对齐,因为在等离子体中,电子速度要远大于原子速度,因此在界面处,进入界面的电子要多于原子,这样就会在界面处形成电势,在这个电势的影响下,等离子体活化的CF4不能与硅反应而造成刻蚀不足.凸出来的片子,表面N 型层受到损伤,而凹进去的片子边缘刻蚀不到.另外每次一起刻蚀的片子和玻璃夹具接触的一片要求反放以保护正面的N型层,和夹片玻璃一起用弹簧夹具夹起来.弹簧夹具的松 2 紧也很重要,如果太松,会使硅片脱落,即使不脱落,由于缝隙的存在,硅片的表面会受到损伤.太紧有可能夹裂硅片,在以后的工艺流程中,可能会造成硅片的碎裂.以上的各种操作方法都是为了使硅片刻蚀完全,而又不受到损伤,操作工人们应该严格按照规程操作.下一道工序便是清洗了.经过磷扩散的硅片表面有一层含磷的二氧化硅层.它是不导电的,所以必须将其清除,清洗用到的化学反应方程式为: P2O5+Si==SiO2+P (磷硅玻璃生成的化学方程式)SiO2+HF==SiF4+H2O (去处磷硅玻璃的化学方程式,用的是5%浓度的HF 溶液)硅片再HF中浸泡几分钟后放到热水中清洗.清洗不干净的硅片,在干3 燥以后表面会有水痕,PECVD结束后,能在其表面看到很明显的白斑,这影响了电池的外观.水痕控制也就是延长清洗时间,但现在基本都使用甩干机甩干,与烘干相比,水纹片要少痕多,根据当月的产量要求可以稍微减少清洗时间.二PECVDPECVD全称是,既该工段的目的和任务是在硅片表面镀上以成SixNx减反射膜,利用光的干涉原理,将照射在硅片上的光线尽量少的反射出去,以提高电池的转换效率,对于多晶硅来说还起到以种钝化的效果,即产生的H原子与硅片表面的硅原子结合形成共价键,中和硅片的电性,提高电子在电池中的存在时间,即提高少子寿命.有关化学方程式是: 高温,低气压)本设备采用的是德国SINA.PECVD镀膜机,分为进料腔,加热腔,工艺腔,冷却腔,出料腔.首先在石墨框上放上硅片,注意要正面朝下,进料腔充氮气,压强达到和外界一致是,1号门打开,石墨框进入进料腔,关闭1号门,进料腔抽真空,当压强达到与工艺腔一致时开2号门,石墨框进入加热腔,按照设定的带速慢慢驶向工艺腔,镀膜结束,打开3号门,石墨框进入出料腔,关3号门,出料腔充氮气,打开4号门,石墨框进入下料台,由操作工人将硅片用真空吸嘴小心取下.整个工艺自动完成.PECVD主要工艺参数就是8个微波源的发射功率和传送带带速.这两个参数是影响镀膜质量的主要方面.其他一些参数是最基本的参 4 数,一般不会改动.PECVD段在生产中主要出现的问题有如下几个方面:1 镀膜不均.这也分好几种不均匀,要针对不同的情况,采取不同的措施.有:同一框片子,左红(膜太薄)右白(膜太厚)或者左白右红,这时就需要调节两边微波源的功率,以均匀等离子体场.还有的情况就是两边红,中间白,这是就需要同时提高两边微波源的功率,然后在稍微提高传送带的带速就可以.还有就是整框的发红或者发白,这是只需要调节带速就可以.2 卡盘掉片的问题.出现这样的问题首先要看看是不是石墨框的问题,因为石墨框使用时间过长的话,整体变形会很严重,中间都会凹下去,和传送滚轮接触部分磨损也很严重.这就可能与机器发生摩擦阻挡,进而卡住石墨框,使片子掉落.倘若在工艺腔里面掉片子,阻挡了等离子体在硅片表面的沉积,会影响好几框的片子都会镀膜不均.因此,卡盘掉片情况一定要尽量不发生.出现了就立刻检查原因,是石墨框的问题要立即停用,或更换挂钩.3 石英管更换问题由于石英管工作是在其表面会沉积很多的SixNx固体,时间长了变的厚了就会阻挡微波,影响了镀膜的质量.一般国产的石英管工作极限时间是40小时.超过30小时的根据镀膜质量判断是否需要更换.更换石英管时首先要等到加热腔温度降到200度才可以打开工艺腔,因为工艺腔和加热腔时连在一起的.打开以后将石英管取出,用盖子挡住和微波源相连的部分,防止有杂物进入.清理干净U型槽,通好气孔.石英管必须用胶带裹严实,不能有露在外面的.因为 5在工作的时候,会有大量的SixNx沉积在石英管上,若没有用胶带保护,由于石英管的延展性不好很容易破裂.微波天线要擦干净并且要和石英管的铜管连接好.各项工作都按要求完成了才能关盖,开工艺生产.一般每次更换石英管后都要进行测片,其流程如下:首先在石墨框托盘中间放置一片正片(从清洗工艺流下来的清洁硅片)其周围放置假片,淀积氮化硅减反膜.看反射膜颜色是否满足工艺要求(沉积在有绒面的硅片的减反射膜颜色从正面看为深蓝色,侧面看为蓝色)若发白,说明太厚,加快带速.若发红,说明太薄,放慢带速.然后在石墨框托盘一侧放一行正片,其外一侧放置假片,淀积氮化硅减反膜.观察片与片之间的颜色是否一致,如果一侧的硅片膜偏厚,则减少那一侧微波功率,反之增加微波功率.如果中间硅片的颜色有变化,则需同时改变两侧的微波功率,每次调整幅度为100W为宜.且根据系统说明不可超过其取值范围.在整个工段要求操作严格按照操作规程来进行,不按操作规程操作,会造成硅片的损失,污染,不满足工艺要求,进而造成损失. 6。
等离子故障处理
4、确认温度测点安装到位
5、降低等离子体发生器功率
6、技术升级
6.4.
等离子体点火及稳燃期间，等离子体燃烧器壁温应小于400℃
第七章
常见故障及原因：
序号
故障现象
原因分析
解决方法
1
拉弧条件满足拉弧时没有反映（风扇、电机都不动）
通讯不正常
检查整流柜有无报警，如果有请根据报警记录处理、复位。
2
拉弧条件满足拉弧时设定电流没有加上，报警一：阴极前进超时
拉弧电机损坏
检查拉弧电机
更换新的阴极冷却水喷头。
阴极寿命短，阴极没有漏仍频繁断弧
阳极太脏
清理阳极
阳极已到使用寿命
及时更换
载体工质（空气）太高或者太低
调整载体工质（空气）压力为最佳值
载体工质（空气）太脏（含油、水多）
系统加油水分离装置
前旋流环损坏
更换前旋流环
整流柜参数设定有问题
优化参数
拉弧间隙设定的不合理
重新设定拉弧间隙（现场测量电机后退30mm）
就地复位
整流柜环境温度超温，无任何报警显示
控制环境温度
10
通讯故障的现象及原因分析：S7－200与EM277通讯故障，EM277红色指示灯常亮，触摸屏上显示该角通讯故障，触摸屏不能拉弧，但就地可拉弧
S7－200至EM277连线松脱
检查接线情况
S7－300至EM277连线或EM277与邻柜通讯线松脱
检查接线情况
DLZ-200-I/II型发生器线圈外壳接地不良
确认接地良好
8
通讯故障
通讯线松动接触不良
重新接线
感应电，静电干扰，通讯线没走热工线槽受到动力电缆干扰
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等离子体刻蚀机常见故障及处理方法
1。
预抽时压力值无显示或显示值很大，可能是
1）真空泵抽速不够，换泵油或清洗泵体；
2）石英管有破损或没安装好；
3）泵上压差式放气阀漏气，需拆开来清洗；
4）预抽软管漏气，需更换；
5）石英管上盖没盖好；
6）上进气管破损，需更换。
2。
主抽时压力值有显示，但值偏高，可能是
1）真空泵抽速不够，换泵油或清洗泵体；
2）压力传感器零点漂移，漂移较少可自行调整，过大需送厂家重新校准；
3）反应室或气路漏气，需对真空管道和气路进行检漏；
4）执行器模块坏了或过热保护使真空碟阀没动作；
5）执行器与真空碟阀的连接轴松动，执行器有动作，而真空碟阀没有动作。
3。
送气时压力值偏小，达不到设定的要求，可能是
1）执行器模块坏了或过热保护使真空碟阀没动作；
2）执行器与真空碟阀的连接轴松动，执行器有动作，而真空碟阀没有动作。
4。
主抽时压力真空度满足要求，送气时压力过大，达不到设定要求，可能是1）送气时真空泵的抽速不够，换泵油或清洗泵体；
2）质量流量计损坏，流量过大。
5。
送气时压力控制不稳定，可能是
1）压力控制器PID参数不合适，重新调整PID参数；
2）执行器开度太小，调整各工艺参数大小，使执行器开度在15~20之间控制较稳定。
6。
送气时压力稳定，但辉光时压力控制不住，上下波动，可能是
1）辉光时的射频干扰，需要重新调整地线的位置或线圈的接入点；
2）检查各射频接头是否松动，接点是否接触很好。
7。
辉光时反应室不起辉，板压板流正常，反射功率大，调不下来，可能是1）射频输出线接头有短路，拆开接头检查；
2）反应室的射频接头连接线脱落。
8。
辉光时有板压但很小，板流很大，无辉光，可能是
1）RF电源功率调整板坏，需更换；
2）FU100电子管有短路，需更换；
3）RF电源前级推动板坏，需厂家维修；
4）在RF输出线路上有电容短路，需更换。
9。
辉光时有板压，但很大，没板流，不起辉，可能是
1）RF电源的功率调整板坏，需更换；
2）射频功率输出电缆短路。
10。
辉光时调节功率调节旋钮不起作用，没有板压，也没有板流，可能是1）FU100电子管损坏，需更换；
2）环形变压器损坏，需更换；
3）功率调整板损坏，需更换。
11。
辉光时亮度很暗，而且反应室上部亮而下部暗或不亮，匹配难调节，可能是1）压力传感器零点漂移，显示的压力值不是正确的；
2）射频输入线圈的接入点位置需要调整。