SCR专利白皮书
ADuM3160_cn
GND2
图1.
1
受美国专利5,952,849号、6,873,065号、7,075,329号和8,432,812号保护。 Document Feedback
Rev. C
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概述
ADuM31601是一款采用 ADI公司 iCoupler®技术的 USB端口 隔离器，它将高速CMOS工艺与单片空芯变压器技术相结 合，可提供优异的工作性能，并且很容易与低速和全速 USB兼容外设集成。 许多微控制器实施的 USB 只向外部引脚提供 D+ 和 D− 线 路。这在许多情况下都符合需求，因为它仅需极少的外部 器件，并简化了设计；不过，当需要隔离时，这会带来难 题。由于USB线路必须在主动驱动D+/D−与允许外部电阻 设置总线状态之间切换，因此ADuM3160结构既可以检测 数据流向，也能够控制输出缓冲的状态。数据流向根据逐 包处理确定。 ADuM3160将基于边沿检测的 iCoupler技术与内部逻辑结 合使用，实现透明、易于配置、面对上游的端口隔离器。 隔离上游端口具有电路简单、电源管理和操作稳健等多种 优势。 这款隔离器的传播延迟与标准集线器和电缆的传播延迟相 当。它可以采用任一侧的4.5 V至5.5 V总线电压供电，并能 在内部将该电压调节至信号电平，从而与VBUSx直接相连。 ADuM3160对上拉电阻进行隔离控制，以便外设能控制连 接时序。该器件在空闲状态下消耗的电流非常低，因此不 需要挂起状态。也可提供5 kV强化隔离版本ADuM4160。
TRIPS协议下我国中药专利发展战略研究
从保 护本 国利益 的角 度 出发 ， 从立 法 中的 拟定 特 别
条款到司法中的合理运用 自由裁量权 ， 充分体现 出
全球 化背景 下各 国政府 制定 知识产 权促进 本 国发展
的基 本立 场 。这是 因 为 ， Ｒ Ｐ Ｔ ＩＳ协 议 及 相 关 政 策 本
身是 利益 协调 和妥协 的产 物 ， 因此在 其 表 面 高竞 争 起 点的强 硬政策 下 ， 仍存 在 一 定 的 弹性 空 间 可供 各 国合 理运 用 。而 我 国知 识产权 政策 及法律 法规 建立 时间较短 ， 对于 ＷＴ Ｏ规 则 也谈 不 上 熟 练 运用 ， 如何 面对这些 严峻 的考验 ， 理 制定专 利 战略 、 用知识 合 利 产 权维护 自身利 益显 得至关 重要 。其 中同样 作为发
国际通行 立法 ， 分 利用 Ｔ ＩＳ协议 相 关 政 策 的弹 充 ＲＰ
行了积极的探索和努力。印度 １７ ９０年《 专利法》 甚
至排 除 了对 药 品专 利 的保 护 ， 直 到 ￣ ｏ４年 专 利 一 ２ｏ
（ 修订 ） 条例》 才规定对药品等产品进行专利保护， 在药物发明的产品专利 中严格 限定范围， 排除跨 国
中药 是 我 国 民族 文化 的瑰 宝 ， 过 制定 中药专 通
利战略、 进行专利保护是促进我 国中药产业发展最
有效、 最重 要 的途径 。 目前 ， 国 尚未 制定合适 的中 我 药 专 利 战略 ， 行 的专 利 法 律制 度 建 立 在对 化 学药 现 品进行 分解 和 量化 的基 础 上 ， 加上 我 国的 中药 有其 自身 的特 点 ， 取 与分析 测试技 术仍 缺乏优 势 ， 提 导致
、
我 国建 立 中药 专 利 战 略 的 国际 背 景
2023版知识产权手册
2023版知识产权手册The 2023 edition of the Intellectual Property Handbook is a comprehensive guide that covers various aspects of intellectual property rights protection. It offers valuable insights into patents, trademarks, copyrights, and trade secrets, helping individuals and businesses navigate the complex legal landscape of intellectual property.2023版知识产权手册是一本全面的指南，涵盖了知识产权保护的各个方面。
它提供了有关专利、商标、版权和商业秘密的宝贵见解，帮助个人和企业在知识产权的复杂法律环境中驾驭方向。
One of the key features of the handbook is its in-depth analysis ofthe latest developments in intellectual property law. With rapid advancements in technology and changes in global markets, it is crucial to stay updated on the latest trends and legal precedents in intellectual property protection.手册的一个关键特点是对知识产权法最新发展的深入分析。
随着技术的快速发展和全球市场的变化，及时了解知识产权保护的最新趋势和法律先例至关重要。
Additionally, the handbook provides practical guidance on how to protect intellectual property rights and enforce them effectively. It outlines strategies for drafting strong patents, registering trademarks, enforcing copyrights, and safeguarding trade secrets, empowering individuals and businesses to safeguard their innovations and creations.此外，手册提供了如何有效地保护和执行知识产权的实用指导。
碳纤维增强聚醚醚酮复合材料的研究及应用
碳纤维增强聚醚醚酮复合材料的研究及应用目录1. 内容概述 (2)1.1 研究背景 (2)1.2 研究意义 (3)1.3 综述目的与范围 (4)1.4 结构与组织 (5)2. 碳纤维增强聚醚醚酮复合材料简介 (7)2.1 聚醚醚酮的基本特性 (8)2.2 碳纤维的材料特性 (9)2.3 纤维增强塑料的制造工艺 (10)3. 碳纤维增强聚醚醚酮复合材料的性能特点 (11)3.1 力学性能 (12)3.2 耐热性能 (13)3.3 电绝缘性能 (15)4. 复合材料的研究进展 (17)4.1 纤维增强方式的探索 (18)4.2 增强机制与界面研究 (20)4.3 复合材料的微观结构与性能 (21)4.4 环境耐受性与防护 (22)5. 复合材料的应用领域 (23)5.1 航空航天 (25)5.2 汽车工业 (26)5.3 体育器材 (27)5.4 电子器件 (28)5.5 能源存储 (29)6. 复合材料的生产与加工 (30)6.1 材料加工工艺 (32)6.2 表面处理与涂层 (33)6.4 质量控制与检测 (36)7. 研发挑战与展望 (37)7.1 材料成本与环境问题 (38)7.2 性能提升与界面处理 (39)7.3 可持续性与发展方向 (41)1. 内容概述本研究报告深入探讨了碳纤维增强聚醚醚酮（PEEK）复合材料的研制、性能及其在各领域的应用潜力。
我们概述了碳纤维和PEEK的基本特性及其在复合材料制备中的优势。
详细阐述了复合材料的制备工艺、结构设计以及性能优化方法。
报告重点分析了复合材料在不同工程领域的应用表现，包括航空航天、汽车制造、医疗器械以及体育器材等。
我们还讨论了复合材料在环境友好性、成本效益和可持续性方面的优势，并对其未来发展前景进行了展望。
通过本研究，旨在为相关领域的研究人员和工程技术人员提供有价值的参考信息，推动碳纤维增强PEEK复合材料技术的进一步发展和广泛应用。
1.1 研究背景随着科技的不断发展，复合材料作为一种具有优异性能的新型材料，在各个领域得到了广泛的应用。
论TRIPS框架内药物的知识产权强制许可和豁免
论TRIPS框架内药物的知识产权强制许可和豁免【摘要】在TRIPS框架内知识产权保护机制是保护药物研发者合法权益的法律制度，也是鼓励人们不断投身于药物创新活动的激励机制，但是基于保护公共健康的原则，TRIPS也构建了药物知识产权的强制许可制度和豁免机制。
知识产权强制许可和豁免，必须在满足法定条件下才可以实施，前者的实施是为了满足国内市场的需要，后者的实施是为了把药物出口到依照知识产权强制许可制度没有能力生产出能够满足国内市场所需药物的发展中国家或者最不发达国家。
豁免请求，本质上是药物知识产权的暂时停权请求，但是发达国家和发展中国对于药物知识产权豁免请求在适用范围和适用期限方面的分歧较大。
关键词：TRIPS 知识产权强制许可豁免引言：依照知识产权保护制度，药物一般是根据专利法进行保护，具体来讲属于专利法保护的产品专利或者方法专利，但是也有可能形成商业秘密或者未公开药物数据。
知识产权是人们就某些智力成果或者区别性工商业标记享有的专有民事权利。
在本质上，知识产权是用法律之上力对私人利益的一种保护，是一种私权。
现有的知识产权国际立法，都在私人利益保护和公众利益维护之间权衡。
知识产权制度一经产生，就一直处于权利限制与保护的法律调整之中。
基于保护公共健康的目旳，在TRIPS框架内对药物知识产权进行限制的，主要是知识产权的强制许可和豁免，且知识产权豁免是在强制许可制度基础上发展出来。
一、知识产权强制许可（一）知识产权强制许可知识产权的强制许可制度，是指在特定情况下某一WTO成员国依法授权第三人未经专利权人的许可，使用受专利法保护的技术，被许可人向专利权人支付一定使用费的制度。
1993年12月，关贸总协定 ( GATT) 经过第八轮谈判(乌拉圭回合)，通过了《与贸易有关的知识产权协定》，它在《保护工业产权巴黎公约》的基础上进一步发展和完善了专利强制许可制度。
WTO成员国在TRIPS协议第一部分总则和基本原则中一致同意并规定，知识产权保护应有助于社会和经济福利，且各成员可采用对保护公共健康等公共利益所必需的措施，这是TRIPS协议规定强制许可制度的法理基础。
西门子 通过知识和知识产权管理 进行创新 白皮书
Siemens PLM Software 通过知识和知识产权管理进行创新扩展创新能力，从知识资产中获取价值。
/plm白皮书通过知识和知识产权管理进行创新目录摘要1企业知识和知识产权管理战略3全球知识存取5知识驱动型自动化9总结11摘要知识：您的主要创新资产“保持持续竞争优势的可靠资源就是知识。
”– Ikujiro Nonaka，The Knowledge-Creating Company业界专家一致认为：知识—“切实可行的信息”[出自管理大师Peter Drucker 的著作：TheComing of the New Organization，1988]和知识产权对长期成功显得日益重要。
调查和咨询公司Collaborative V isions [] 的Dave Burdick 指出，实际上，在恰当的时间获得恰当的知识是“创新的动力”。
很显然，知识是一种值得投入大量时间、精力和资源的战略资产。
在以下方面尤为适用：•集合的产品设计和制造专业经验•研发知识和商业机密•内隐和外显知识，如程序、客户和竞争对手知识•专利、版权、商标和品牌虽然知识毫无疑问是极具价值的，但是它高度分散、难以识别且不容易简单分类。
全球化趋势使得企业更加分散，重要的知识和知识产权也都分布在众多不同的系统中。
如今，OEM 公司由1级和2 级供应商提供服务，这些供应商可能要依靠分布在不同地区的更低级别的零部件、组件或原材料供应商。
尽管IT 和知识管理解决方案不断发展，但关键业务型知识通常只存在于各类专家的头脑中，而他们中多数可能都不会长期在公司任职。
在如今多变的经济环境中，私营公司每年可能会流失高达20%的员工。
更糟糕的是，价值较高的知识员工也最有可能离职。
例如，某些行业在最近5 年内可能会流失60%的工程人员。
很多情况下，极具价值的知识在专业员工离开公司时就永远失去了。
[AMR，Introducing the Active Knowledge Framework，2005]并不是所有信息的价值都相同。
ZXECS EBG2800 技术手册 V1.2
4.1.2 语音补充业务 ...................................................................................................................... 7
4.1.3 语音增值业务 ...................................................................................................................... 9
4.1 语音功能 .................................................................................................................................................. 7 4.1.1 基础语音业务 ...................................................................................................................... 7
4.3.3 防 DDoS 攻击.................................................................................................................... 13
4.3.4 防火墙 ............................................................................................................................... 13
【word】高科技节能环保专利产品——SCRl205柴油乳化剂、CRJ全自动水..
高科技节能环保专利产品——SCRl205柴油乳化剂、CRJ全自动水柴油混合乳化机JiD..技术导购高科技节能环保专利产品一,前言今El世界,节约能源和减少环境污染为世人所关注,亦成为世界各国谋求可持续发展之基本策略,全球范围内多少专家学者都在为减少内燃机油耗和减轻内燃机排放污染的研究而孜孜努力.江泽民总书记高瞻远瞩地要求:”要提高资源利用效益,高度重视节能能源.”李鹏委员长也提出:”能源的开发必须坚持节能与环保并重的方针,各行业都应把节能环保放在突出的地位.”从我国能源利用的导向来看,针对能源消耗年增加的问题,先后制定了节约石油管理条例,能源效率标识管理办法和《能源节约与资源利用”十五”规划》等一系列指导文件,其中柴油掺水乳化SCR1205柴油乳化剂,CRJ全自动水柴油混合乳化机文——周毕华技术已}皮国家经贸委列为“十五”期间国家节能的主要措施.二,产品概述(一)SCR1205柴油乳化剂柴油?L‟fgN是能使柴油和水按一定比例混合燃烧的亲油,亲水性很强的特殊添加剂,它是多种化工原料采用特殊工艺制成的,外观呈棕色透明液体,具有阴离子,阳离子,非离子特征的浓缩混合型表面活性剂.该产品于1997年6月21El获得国家发明专利证书))(专利号ZL94104514.5).柴油乳化剂具有如下主要性能:38SEPTEMBER2002(1)亲油,亲水性.由于它能让水和柴油颗粒表面界力关系在一定程度上得到改变,从而使水和柴油之间产生极强的亲和力,只需0.5份乳化剂就能成功地将33份水,66.5份柴油进入本项目配套产品进行混合.(2)优良的乳化性能和防锈性能,无毒,不易燃,不易爆,能使柴油和水充分乳化,形成可供柴油内燃机燃烧做功的乳化柴油.(3)酸碱度属中性,对内燃机无任何副作用.(4)由它配制的乳化柴油性能稳定,在实际应用中与纯柴油相同.(----)CRJ全自动水柴油混合乳化机全自动水柴油混合乳化机采用机电一体化设计,机器在微电脑控制下,自动精确地按照33份水,0.5份乳化剂, 66.5份柴油在机内进行混合,搅拌,乳化,磁化,剪切,匀化,研磨,并源源不断地把乳化柴油供给柴油内燃机使用,本机工作过程实现了高程度自动化.主控元件采用先进的传感技术,电磁阀,精密流量计和电子泵均采用军工产品.乳化机的控制器面板显示生产过程的各种状态,并设有高灵敏度报警装置,一旦工作异常或发生故障,即有声光报警,使工作人员一目了然.根据柴油机功率大小及油耗不同,乳化机设计成系列产品,以便不同型号柴油机使用.该项目于1997年7月18日获国家实用新型专利证书))(专利号ZL96213549.60).三,乳化柴油的优点(一)节约能源.乳化柴油的性能,作用和纯柴油等同,使用乳化柴油能达到节能之目的.2001年5月经交通部节能检测中心专家携带仪器在苏谢001新型船上对6160柴油机进行乳化柴油和纯柴油节能对比试验,同等工况条件下,其节油率达l1.08%;经该船用户同等负载,同等航程,同等转速的实航对比,节油率达12%.2001年8月经交通部节能检测中心对乳化柴油与纯柴油用90%推进工况在台架上进行对比测试,节油率达7.4%.在船龄较老的江苏省盐城市“华通航运集团”683号拖轮上,实航节油率达20%以上.同时,水温机油温度在同等工况的条件下,比燃用纯柴油时下降5℃左右.(二)减少环境污染.据南京环境监测中心站和国家环保局环境科学研究所,对乳化柴油的工作状况进行监测,其结论是:燃用纯柴油与乳化柴油对比,乳化柴油对柴油黑烟排放有一定净化作用,其净化率在33.3%-40o/0之间. 2002年4月,江苏省科技查新咨询中心经国内公开文献及Internet检索, 确认该项目拥有柴油乳化剂与全自动水柴油混合乳化机两项专利,并经过中交水运行业能源利用监测中心检测,实航节油率达l1.08%,台架检测节油率达7.4%,为国内唯一.另外,2001年8月从连续使用乳化柴油达一年以上的苏射001拖轮上取出润滑油经CCS认可机构上海润凯油液监测有限公司检测,机器磨损正常.目前,柴油乳化剂和全自动水柴油混合乳化机两配套产品已根据中华人民共和国产品质量法)),标准化法》的有关规定,制定了产品标准.该产品的应用范围极广,不仅适用于拖轮,渔轮,而且还适用于燃用轻柴油的远洋货轮, 内燃机车,地矿钻井机,挖泥船以及大型发电机组与众多燃油设备.四,答用户问问:使用乳化柴油时对柴油机本身有无影响?答:第一,纯柴油的PH值为5.5-5.7,乳化柴油的PH值为6,属弱酸性,接近中性,且优于柴油,不存在腐蚀性.第二,乳化油作为燃料油经过柱塞和喷油嘴,这两个精密偶件所需要的条件是燃料油要保证它的润滑和密封,国标对纯柴油的规定要求是:运动粘度不小于3厘沲,因小于3厘沲会导致油头柱塞拉伤;又不可大于8厘沲,因大于8厘沲会给喷油嘴喷射带来困难,使喷人燃烧室的颗粒太大,雾化不良,导致内燃机温度升高,马力下降,积碳增多.同时,由于积碳增多,致使缸桶与活塞环之间的磨损速度加快.而乳化柴油的运动粘度是在4-6厘沲之间,完全符合并能保证精密偶件的润滑和密封条件.所以,使用乳化柴油对柴油对柴油机本身无任何影响.问:使用全自动水柴油混合乳化机对航海安全有无影响?答:全自动水柴油混合乳化机带有高灵敏度的报警装置,如果机器出现异常,即发出声光语音报警.此时,轮机技术导购JihD..人员只需立即打开随机配套的纯柴油供油阀,并闭乳化柴油阀,就可确保内燃机不发生停机现象.待柴油乳化机故障排除后,再打开乳化油供油阀,关闭纯柴油供油阀.所以,使用全自动水柴油混合乳化机可确保航海安全.问:使用乳化柴油和纯柴油的经济效益分析?答:按燃用乳化柴油平均节油率20%计算,如果每肮次燃用10吨,则节省柴油2吨,以每吨3000元计为6000元. 按照乳化剂添加量0.5%计算,燃用10吨乳化柴油需50公斤乳化剂,以每公斤零售价30元计为1500元.那么,使用10吨乳化柴油可降低成本4500元.,一一一一一一一一一一,l江苏妙华高科技发展有限公司ll地址:江苏省江阴市西石桥镇ll电话:0510—66o2888l:眠************:l邮编:2444I…-一………..,2002SEPTEMBER39。
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专利检索白皮书浙江大学微电子研究所2007-4-101. MLSCR类型1)US Patent 5012317, “Electrostatic Discharge Protection Circuit”, Apr.30, 1991.该专利提出了使用PNPN类型的SCR结构进行ESD保护，是最早提出使用SCR结构进行ESD保护的专利。
2) US Patent 4939616, “Circuit Structure with Enhanced Electrostatic Discharge Protection”, Jul. 3, 1990.该专利的在传统SCR结构的N-well和Psub交接区域加入N+层（图中42），减小触发电压，即MLSCR结构。
3) US Patent 5274262, “SCR Protection Structure and Circuit with Reduced TriggerV oltage”, Dec.28, 1993.该专利也提出了MLSCR结构，并说明作为一种保护结构，但是没有明确说明用于ESD保护。
和US Patent 4939616的区别在于中间交接的区域（图中18）是悬空的而US Patent 4939616中的是通过一个电阻接到pad上的。
同时该专利也提出了Zener管触发的MLSCR结构（图中18和19可以构成Zener二极管）。
4) US Patent 6246079, “SCR Circuit with a High Trigger Current”, Jun.12, 2001.该专利在US Patent 4939616的基础上改变了连线方式，将中间的P+接触（图中76）直接和地线连接。
5) US Patent 5856214, “Method of Fabricating a Low V oltage Zener-Triggered SCR for ESD Protection in Integrated Circuits”, Jan.5, 1999.该专利在MLSCR结构中加入了zener二极管（图中39，42所构成的Zener 二极管），减小了触发电压。
6) US Patent 5872379, “Low V oltage Turn-On SCR For ESD Protection”, Feb.16, 1999.该专利页在MLSCR的基础上做了一些改变。
在N-well和Psub交界处的N+（图中20）旁边加入了一个P型的LDD注入（图中38），相当于接入了一个zener 二极管，从而减小了触发电压。
2. LVTSCR类型1) US Patent 5465189, “Low V oltage Triggering Semiconductor Controlled Rectifiers”, Nov. 7, 1995该专利在SCR结构中加入一个类似MOS的结构（图中39，41），利用MOS 结构的雪崩导通开启SCR，降低触发电压，即经典的LVTSCR结构。
2) US Patent 6524893, “Electrostatic Discharge Protection Device for Semiconductor Integrated Circuit, Method for Producing the Same, and Electrostatic Discharge Protection Circuit Using the Same”, Feb.25, 2003.该专利将LVTSCR中的MOS管的栅极悬空，源漏端分别注入P+和N+杂质（图中8和9），将这个P+与N+的结构看成一个diode，通过diode的触发开启SCR结构。
3) US Patent 6921931, “Electrostatic Discharge Protection Element”, Jul.26, 2005.该专利在上面一个专利（US Patent 6524893）的基础上，在Cathode附近加入了一个电阻（图中10a），从而起到了减小触发电压的作用。
4) US Patent 5905288, “Output ESD Protection with High-Current-Triggered Lateral SCR”, May18, 1999.该专利中提出了一种高电流触发的ESD保护电路，其中包含了一种改进后的NMOS Triggered Lateral SCR，以及PMOS Triggered Lateral SCR。
5) US Patent 5982601, “Direct Transient-Triggered SCR for ESD Protection”, Nov.9，1999.该专利在经典的LVTSCR中加入了一个Transient Generator（图中51），提高了LVTSCR结构的触发速度。
触发电路的一个实例是RC和反相器的组合电路。
6) US Patent 6639284 B1, “Compensated-Well Electrostatic Discharge Protection Structure”, Oct. 28, 2003.该专利在先前一些经典的SCR以及BJT ESD保护电路中，使用了回退阱的工艺（图中112，113以及312，313）。
阱的工艺比较特殊。
7) US Patent 5225702, “Silicon Controlled Rectifier Structure For Electrostatic Discharge Protection”, Jul.6, 1993.该专利提出了另一种LVTSCR结构，MOS管中只有一个N+区域（图中226）。
8) US Patent 5907462, “Gate Coupled SCR for ESD Protection Circuits”, May 25, 1999.该专利是在传统LVTSCR结构的基础上，在MOS结构的栅极与地之间加入了一个电阻（图中118），从而形成栅极耦合的SCR结构。
9) US Patent 6081002, “Lateral SCR structure for ESD protection in trench isolated technologies”, Jun. 27, 2000该专利提出了使用双栅结构的LVTSCR，使用多晶硅（图中116）来代替传统LVTSCR结构中的STI隔离。
10) US Patent 6498357 B2, “Lateral SCR Device For On-Chip ESD Protection in Shallow-Trench-Isolation CMOS Process”, Dec.24, 2002.该专利在上面一个双栅LVTSCR（US Patent 6081002）结构中做了一点改变。
使用了双阱结构，并且去掉了P+与N+之间的STI隔离。
该专利的一个实例中栅极可以使用两种不同的掺杂（图中104a，104b）11) US Patent 6765771, “SCR Devices With Deep-N-Well Structure For On-Chip ESD Protection Circuits”, Jul.20, 2004.该专利在LVTSCR的基础上，在原结构的N+ & P+的下面使用了深阱工艺（图中34，36，38，42等），使得电流的分布更加均匀。
12) US Patent 5869873, “Electrostatic Discharge Protection Circuit Having EPROM”, Feb.9, 1999.该专利提出了一种在EPROM工艺中使用SCR作为ESD保护器件的电路和版图。
13) US Patent 5576557, “Complementary LVTSCR ESD Protection Circuit For Sub-Micron CMOS Integrated Circuits”, Nov.19, 1996.该专利将互补的两个LVTSCR结构拼在一起，作为保护器件。
14) US Patent 5400202, “Electrostatic Discharge Protection Circuit For Integrated Circuits”, Mar.21, 1995.该专利使用外部电路来触发SCR结构。
一种是使用inverter, 另一种使用RC 回路，两种电路所用的SCR均为LVTSCR结构。
15) US Patent 5825600, “Fast Turn-on Silicon Controlled Rectifier (SCR) for Electrostatic Discharge (ESD) Protection”, Oct.20, 1998.该专利提出了能够快速开启的ESD保护的总线式电路，其中采用了两种SCR 结构，使用不同的连线方法利用MOSFET触发SCR，和LVTSCR的区别在于连线方法，这种SCR也称为MITSCR。
16) US Patent 6674622, “Dynamic Floating SCR ESD Protection”, Jan.6, 2004.该专利是两个MITSCR结构的镜像组合。
17) US Patent 5932916, “Electrostatic Discharge Protection Circuit”, Aug.3, 1999.该专利在传统LVTSCR结构中使用了双层栅工艺（图中54，55）。
通过调整两个栅间的电容，可以改变MOS管上面的电压，从而调整了SCR结构触发的时间以及触发电压大小。
18) US Patent 5903420, “Electrostatic Discharge Protecting Circuit Having A Plurality of Current Paths In Both Direction”, May 11, 1999.该专利是双向都可以导通的SCR结构，既可以向VSS也可以向VDD泄放电流。
左边结构40，42，44，46和48构成了一个PNPN的SCR，右边结构44，46，48，50，52构成了一个NPNP的SCR。
因此一个器件可以起到双向保护的功能。
3. ESD Implant相关1) US Patent 5559352, “ESD Protection Improvement”, Sep.24, 1996.该专利提出了在ESD保护器件中使用ESD Implantation（图中36）从而降低触发电压。