01晶闸管2011
电力晶体管和晶闸管
随着全球能源危机和环境污染问题的日益严重，高效、节 能、环保的电力电子器件及其应用越来越受到人们的关注。
报告的目的
本报告旨在全面介绍电力晶体管和晶闸管的基本原理、特 性、应用及发展趋势，为相关领域的研究人员、工程师和 技术人员提供有价值的参考。
报告范围
电力晶体管和晶闸管的基本原理和特性
晶闸管具有高耐压、大电流、低导通压降等优点，但开关速度较慢且存在门极触发 电流。
综上所述，电力晶体管和晶闸管在工作原理、结构和性能特点方面存在显著差异。 在实际应用中，应根据具体需求选择合适的器件。
05
电力晶体管与晶闸管的应 用领域
电力晶体管的应用领域
01
02
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电机控制
电力晶体管可用于直流电 机和交流电机的控制，实 现电机的启动、调速、制 动等功能。
01
包括器件结构、工作原理、静态和动态特性等方面的介绍。
控制、电源变换、照明控制、新能源等领域中的应用
实例。
电力晶体管和晶闸管的发展趋势
03
探讨未来电力晶体管和晶闸管的技术创新、应用领域拓展及市
场前景等方面的趋势。
02
电力晶体管概述
定义与工作原理
定义
电力晶体管（Giant Transistor，简称 GTR）是一种耐高电压、大电流的双 极型晶体管，也称为可关断晶闸管。
主要特点
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耐高电压、大电流
能够承受数千伏的电压和数百 安的电流，适用于高压、大电
流的场合。
开关速度快
开通和关断时间短，适用于高 频开关电路。
控制方便
通过门极电流控制晶体管的开 通和关断，控制简单、方便。
晶闸管介绍
晶闸管介绍：晶闸管是一种大功率开关型半导体器件，具有硅整流器件的特性。
1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化。
晶闸管是PNPN 四层半导体结构，有三个极：阳极、阴极和控制极。
它能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制，被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
晶闸管具有硅整流器件的特性，因此能够在高电压、大电流条件下工作。
在实际应用中，晶闸管的导通和截止状态可以通过控制极触发电流来实现控制。
在正向电压条件下，晶闸管内部两个等效三极管均处于截止状态，此时晶闸管是截止的。
当控制极上施加触发电流时，晶闸管内部等效三极管导通，晶闸管进入导通状态。
在导通状态下，控制极失去作用，即使控制极上施加反向电压，晶闸管仍然保持导通状态。
要使晶闸管截止，需要使其阳压为零或为负，或将阳压减小到一定程度，使流过晶闸管的电流小于维持电流，晶闸管才自行关断。
此外，晶闸管具有正向和反向特性。
在正向特性下，只有很小的正向漏电流；在反向特性下，需要施加反向电压才能使晶闸管导通。
因此，在实际应用中需要根据具体电路要求选择合适的晶闸管类型和规格。
半控型器件-晶闸管
3.门极定额
其他参数 额定结温
——在室温下，阳极直流6V时，晶闸管从断到通所需的最小门极电流。
1) 门极触发电流IGT
01
——产生IGT所需的最小门极电压 以上两个值均为下限值，应用时应适当大于这两个值，当不能超过其峰值IFGM和UFGM。且两者之积也不能超过峰值功率PGM,最好在门极平均功率PG之下。 ——器件正常工作时允许的最高PN结结温。在这个温度以下，一切特性均能保证。
试验项目： 只在AK端加正向电压EA 再在GK端加正向电压EG 断开GK端所加正向电压EG 在AK端加反向电压EA
试验结论：
导通条件：在 AK端承受正向电压，GK端也承受正向电压时， 晶闸管导通，而且晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，不论门极电压是正还是负，晶闸管保持导通。所以，在实验中，我们发现，门极控制信号只需要一个脉冲即可。
晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） 1956年美国贝尔实验室（Bell Lab）发明了晶闸管 1957年美国通用电气公司（GE）开发出第一只晶闸管产品 1958年商业化 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代 20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位 晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型——普通晶闸管，广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件
3) 擎住电流 IL
——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2~4倍。
4) 浪涌电流ITSM
——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 。
晶闸管工作原理
晶闸管工作原理晶闸管（Thyristor）是一种半导体器件，也被称为双向可控硅。
它具有单向导通和双向控制的特性，广泛应用于电力电子领域。
晶闸管工作原理是通过控制其门极电压来实现对电流的控制。
晶闸管由四个半导体层构成，分别是P型半导体层（阳极）、N型半导体层（阴极）、P型半导体层（门极）和N型半导体层（阴极）。
当晶闸管的阳极电压大于阴极电压时，晶闸管处于正向偏置状态，即晶闸管导通。
反之，当阳极电压小于阴极电压时，晶闸管处于反向偏置状态，即晶闸管截止。
晶闸管的控制是通过控制门极电压来实现的。
当门极施加正向电压时，晶闸管处于导通状态。
此时，即使去掉门极电压，晶闸管仍然保持导通，直到电流降至零点或者施加反向电压。
而当门极施加反向电压时，晶闸管处于截止状态，无法导通。
晶闸管的导通和截止状态是通过控制门极电压的施加和去除来实现的。
当门极电压施加时，晶闸管进入导通状态；当去掉门极电压时，晶闸管进入截止状态。
这种控制方式使得晶闸管具有了单向导通和双向控制的特性。
晶闸管的主要应用是在交流电路中，用于控制交流电的导通时间。
晶闸管在交流电路中的工作原理是通过施加一个触发脉冲来控制晶闸管的导通。
当晶闸管导通后，只有当交流电通过零点时，晶闸管才会自动截止。
这样就实现了对交流电的控制。
晶闸管还可以用于直流电路中的开关控制。
在直流电路中，晶闸管的工作原理是通过施加一个触发脉冲来控制晶闸管的导通，使其在需要的时间内导通，从而实现对直流电的控制。
总结一下，晶闸管的工作原理是通过控制门极电压来实现对电流的控制。
它具有单向导通和双向控制的特性，广泛应用于电力电子领域。
在交流电路中，晶闸管通过施加触发脉冲来控制导通时间；在直流电路中，晶闸管通过施加触发脉冲来控制导通时间，实现对直流电的控制。
晶闸管的工作原理为电力电子的应用提供了重要的基础。
半控型电力电子器件晶闸管
晶闸管在电力系统中的应用场景
电力系统
• 发电 • 输电 • 变电 • 配电
应用场景
• 断路器：用于控制电路的通断 • 变压器：用于调节电压等级 • 电容器：用于无功补偿和平衡电网 • 电动机：用于变频调速和电气传动 • 整流器：用于交流电到直流电的转换
02
半控型晶闸管的特点及性能
半控型晶闸管的结构特点及性能优势
应用
• 半控型晶闸管作为变频器的开关元件，实现电机的变频 调速 • 通过PWM技术控制晶闸管的导通和关断，实现电机的精 确控制
半控型晶闸管在无功补偿装置中的应用
无功补偿装置
• 用于补偿电力系统的无功功率，提高功率因数 • 通过调节电容器的投切，实现无功功率的补偿
应用
• 半控型晶闸管作为无功补偿装置的开关元件，实现电容 器的投切 • 通过控制算法控制晶闸管的导通和关断，实现无功功率 的精确补偿
晶闸管驱动与控制技 术的发展趋势
• 发展趋势 • 提高驱动器的性能和可靠性，满足电力系统的需求 • 降低驱动器的成本，提高市场竞争力 • 开发新型驱动器和控制方法，拓展应用领域 • 实现驱动器和控制器的集成，提高系统性能
04
半控型晶闸管在电力电子设备中的应用
半控型晶闸管在变频器中的应用
变频器
• 用于交流电机的变频调速 • 通过改变电机的供电频率，实现电机的转速调节
发展趋势
• 提高晶闸管的容量和性能，满足电力系统的需求 • 降低晶闸管的成本，提高市场竞争力 • 开发新型晶闸管，拓展应用领域
03
半控型晶闸管的驱动与控制技术
晶闸管驱动器的分类及特点
特点
• 直接驱动：驱动器直接与晶闸管栅极连接，驱动速度快，但抗干扰能力较弱 • 间接驱动：驱动器通过隔离器件与晶闸管栅极连接，抗干扰能力强，但驱动速度较慢 • 模拟控制：驱动器采用模拟电路进行控制，控制简单，但精度较低 • 数字控制：驱动器采用数字电路进行控制，控制精度高，但成本较高
晶闸管_精品文档
学习目标
1、了解晶闸管的结构和图形符号 2、掌握晶闸管的导电特性
简单了解
• 晶闸管是硅晶体闸流管的简称，俗称可控硅（SCR）。
• 晶闸管相当于一个可以控制的单向导电二极管，广泛应 用于可控整流、交流调压、调速、无触点交、直流开关 等电路中。
1、晶闸管的结构
晶闸管的外形有平板形、螺栓形和小型塑封式等几种
说明：晶闸管控制极的作用仅仅是触发晶闸管 导通，一旦导通后，控制极便失去作用
重新关断：要使已导通的晶闸管重新关断， 必须把阳极电压减小到一定值。
习题训练
关于晶闸管的特性，下列哪些说法正确？哪些说法错误？ 1、晶闸管只要加正向电压就导通，加反向电压就截止， 所以晶闸管具有单向导电性 2、晶闸管控制极不加正向触发电压就永远不会导通 3、晶闸管导通后若要使其关断，只要阳极正向电压过零 或加负电压即可 4、晶闸管导通后，当阳极电流小于维持电流时，晶闸管 就自行关断 5、晶闸管导通后，去掉控制电压，则晶闸管立即关断
晶闸管的结构
晶闸管由4层半导体（P、N、P、N），3个PN结组成，由最 外层的P层和N层分别引出阳极A和阴极K，由中间的P层引出 控制极G。
2、晶闸管的特性
反向阻断性
开关S1闭合于b处，给晶闸管加反向电压，此 时无论开关S2合上与否，指示灯都不亮。
说明：加反向电压不导通，具有反向阻断性
正向阻断性
开关1闭合于a处，给晶闸管加正向电压，此 时若开关S2断开，指示灯不亮
说明：加正向电压不加控制电压不导通，具有正向阻断性
正向触发导通
开关S1闭合于a处，给晶闸管加正向电压，若 此时开关S2闭合，指示灯亮。
说明：晶闸管正向触发导通
持续导通
晶闸管一旦导通，除去触发电压（断开开关 S2），指示灯仍然亮
晶闸管的工作原理
晶闸管的工作原理
晶闸管又称为双向可控硅，是一种电力电子器件，具有双向触发和单
向导电的特点。
它广泛应用于电力电子控制、调节、转换和变换等领域。
首先是关断状态，当晶闸管两个控制极（即阳极和门极）之间的电压
低于它的阻断电压时，晶闸管将处于关断状态。
此时通过门极的控制电流
较小，晶闸管内部的p-n结处于正向偏置状态。
关断状态下，晶闸管不导电，内部不存在主电流。
当通过门极的电流超过晶闸管的触发电流，电压上升到一定程度时，
晶闸管将进入触发和导通状态。
在这个状态下，晶闸管内部的p-n结开始
在阳极和门极之间形成通道，这个过程称为触发。
一旦触发完成，晶闸管
将开始导电，内部主电流开始流动。
接下来是持续导通状态，晶闸管在触发完成之后将一直导通，直到主
电流降到零或改变触发方式。
在持续导通状态下，晶闸管有较低的电压降，表现出较小的功耗。
最后是关断状态，当主电流降到或小于零时，晶闸管将进入关断状态。
此时，电压在晶闸管的结上再次达到阻断电压，因此电流无法继续流动，
晶闸管停止导电。
需要注意的是，即使通过门极的电流消失，晶闸管仍会
处于导通状态，只有当主电流从阳极流过p-n结到达门极时，晶闸管才能
进入关断状态。
综上所述，晶闸管的工作原理是通过门极的控制电流和电压的变化来
控制晶闸管的导通和关断状态。
通过调节门极电流和触发方式，可以实现
晶闸管的灵活控制和应用于各种电力电子系统。
晶闸管介绍
晶闸管1.晶闸管概念 (2)2.晶闸管工作原理 (2)3.晶闸管特性 (3)4.晶闸管参数 (4)5.双向可控硅象限 (6)6.双向可控硅应用 (7)7.DIAC (9)8.SIDAC (10)1.晶闸管概念可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。
可实现用小功率控件控制大功率设备。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。
双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。
双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。
其通断状态由控制极G决定。
在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。
晶闸管的开关时间较长，允许的电流上升率较小，因此工作频率受到限制。
当在较高频率工作时，因开关损耗随频率升高而增加，导致器件发热。
它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N 型半导体引出的电极叫阴极K。
单向可控硅（SCR）：1）单向可控硅承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，单向可控硅都处于反向阻断状态。
2）单向可控硅承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下单向可控硅才导通。
这时单向可控硅处于正向导通状态。
3）单向可控硅在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，单向可控硅保持导通，即单向可控硅导通后，门极失去作用。
门极只起触发作用。
4）单向可控硅在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零（维持电流以下）时，单向可控硅自动关断。
双向可控硅（TRIAC）：2.晶闸管工作原理通过等效电路分析:若T2管的基极电流为i B2，则集电极电流为β2i B2；进一步有i B1=i C2=β2i B2，从而i C1=β1i B1=β1β2i B2，又由于i B2=i C1，再一次进行上述放大过程，形成正反馈。
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第一章晶闸管NUAA第章Thyristors晶Controlled Rectifier——SCR）NUAA19年美国通用电气公司（General Electric Company）开发出1957G l El i C第一只晶闸管产品58年商业化(16A/300V)198(A/)开20能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位，目前在许多工业领域仍在广泛使用2NUAA第一节晶闸管的结构和工作原理一.晶闸管的结构结构符号封装(外形)举例D 2Pak (SMD-220)TO-247ACTO-200AB (A-Puk)TO-118INT-A-PAK/package/pkthyristors.htmlNUAA二.晶闸管的工作原理等效电路A P 1J 1GN 1P 2N 2J 2J 3K a)NUAA导通过程I g→I b2→I c2(I b1 )→I c1I 正反馈,自锁b1I b2关断过程：打破自锁条件令IA ＝0E CI I ≈=发射极注入电流传输到集电极电流α很小。
注入触发电流使晶会急剧上升，晶闸管由正阻断状态转为正向导通状态，电流大小仅8NUAA脉冲触发★三.晶闸管的通断条件断通:1.阳极和阴极之间加正向阳极电压且2.门和阴极之间加适当的正向门极电压维持导通:阳极和阴极之间的电流大于维持电流(此时门极电压不起作用)通断阳极和阴极之间的电流小于维持电流:III象限：反向特性NUAA正向反向阻断反向击穿11正向IANUAA（1）正向伏安特性导通I-IHIG2IG1IG=0URRMURSM漏电流，为正向阻断状态。
正向电压超过正向转折电雪崩O+UAUAUboUDSMUDRM压Ubo，则漏电流急剧增大，击穿器件开通。
(雪崩击穿/非正常导通)-I A12正向I ANUAAIg=0时：导通（1）正向伏安特性U BO ‐‐‐正向转折电压雪崩击穿导通O+U A-U AI H I G2I G1I G =0U bo U DRM U RRMU RSM 雪崩击穿导Ig 增大时：即可导通雪崩U DSM较小的U AK 即可导通，导通压降小（在1V 左右）击穿-导通后I A 取决于外部电路I <I 时关断I AA H 13晶闸管的伏安特性I G2>I G1>I G正向IANUAA导通（2）反向特性类反向阻断状态时只有极小的-IHIG2IG1IG=0URRMURSM，只有极小的反向漏电流流过雪崩O+UAUAUboUDSMUDRM当后可能导致晶闸管雪崩击穿击穿后，可能导致晶闸管雪崩击穿-IA14NUAA二、晶闸管的参数这些参数代表：1）安全工作范围；或2）正常工作时的特性1.电压参数: P11重要额定电压重要：额定电压; 通态平均电压（通态正向压降）2. 电流参数: P132:P13重要：通态平均电流; 维持电流; 掣住电流3.动态参数: P14电流电压变化率；开通关断时间电流电压变化率开通关断时间15NUAA1）电压参数断——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压断——在门极断路而结温为额定值时，允许不重复加在器件上的正向峰值电压向峰值电16NUAA反向重复峰值电压1）电压参数URRM——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
反——在门极断路而结温为额定值时，允许不重复加在器件上向峰值的反向峰值电压。
171NUAAU 通使用注意：）电压参数DSM —断态不重复峰值电压U DRM —断态重复峰值电压U DRM 和U RRM 中较小的标值作为该器件U RSM —反向不重复峰值电压U RRM —反向重复峰值电压的额定电压选用时般取额额定电压：min(U DRM U RRM )取整，一般取额定电压为正常工作通态均电管降时晶闸管所承受峰值电压2~3倍UON—通态平均电压（管压降）：通过正弦半波的额定通态平均电流和额定结温时18额定结温时，A ‐K 电压降平均值2）电流参数NUAA●I Tav —通态平均电流（额定电流）允许通过的工频正弦半波电流的平均值（环境温度+40度和规定的冷却条件下导通角不小于170度阻性负载电路）(之所以通态平均电流来标定是因为整流电路输出端常用平均电流来表征)决定晶闸管的最大电流‐> 管芯半导体结温‐> 流过电流的有效值（相同的电流有效值条件下，其发热情况相同，选取型号相同）192）电流参数NUAA●I Tav —通态平均电流（额定电流）正弦半波的电流平均值与有效值212）电流参数NUAA●I Tav —通态平均电流（额定电流）波形系数K f有效值/平均值22如果额定电流为100A 的晶闸管其允许通过的电流有效值为1.57×100＝157A2）电流参数NUAA●I —通态平均电流（额定电流）Tav 态平均流额定流通过非正弦波形的电流时晶闸管额定电流如何计算？电流有效值相等即发热相同的原则将非正弦半波电流的有效值I T 折合成等效的正弦半波电流平均值去选择晶闸管额定值I T =K f I dI Tav =I T /1.57由于晶闸管元件的热容量小，过载能力低在实际选用时，一般取1．5—2倍的安全裕量232）电流参数NUAA●I —通态平均电流（额定电流）Tav 态平均流额定流以认为额定有效值电流为允许通过的工频正弦半波电流的平均值可以认为，额定有效值电流为1.57I Tav用法一：对于任意波形应用，在知道具体电流大小，求解晶闸管的额定电流取值用法任意波应用给定闸管的额定电流求用法二：对于任意波形应用，给定晶闸管的额定电流后，求解任意波形的平均值最大允许值242）电流参数NUAA●维持电流I H——使晶闸管维持导通所必需的最小电流●擎住电流I L——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流对同一晶闸管来说，通常I L 约为I H 的2~4倍25●浪涌电流I TSM——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流NUAA3）动态参数●du/dt du/dt------断态电压临界上升率条件：额定结温，门极开路SCR 超过会误导通使SC 保持断态所能承受的最大电压上升率：J2结电容效应‐‐‐位移电流限制方法：在SCR A ‐K 两端并RC (防止截止期间误导通)26NUAA3）动态参数di/dt------通态电流临界上升率●di/dt在规定条件下，SCR门极触发开通时，SCR能承受的不会导致损坏的通态电流最大上升率超过会引起过热损坏di/dt超过会引起过热损坏：电流集中！限制方法：在阳极电路串一小电感；快速在阳极电路串小电感快速上升的强触发脉冲可提高di/dt承受能力273NUAA）动态参数---=t ●t ON 门极控制开通时间t ON t d (延时)+t r (上升)283NUAA）动态参数---●t OF 电路换向关断时间t OF =t rr (反向恢复)+t gr (门极恢复)SCR 承受反压时间必须大于T oF29NUAA门极伏安特性：‐‐三、门极伏安特性和参数定额U GK Ig 关系。
与二极管相似三个区：不触发区：0‐‐‐U GD —I GDU GD —不触发电压I GD —不触发电流可靠触发区：ABCGFED GU GT —触发电压I GT —触发电流不可靠触发区：ABCJIH31NUAAU GFM—门极的正向峰值电压I GFM —门极的正向峰值电流—门极的平均功率PGavP—门极的峰值功率GM•可靠触发•不能过功率32NUAA四、晶闸管器件的电压电流定额计算-----根据电路容量选器件NUAA四、晶闸管器件的电压电流定额计算-----根据电路容量选器件器件手册上所给的是（即所求的器件参数）：•额定电压URM•正弦半波条件下的平均电流ITavNUAA1。
电压参数计算器件承受的最大正/反向电压2。
电流参数计算电流过大则过热烧毁，所以要限制电流有效值I T 依据“任何波形下电流有效值依据任何波形下电流有效值相等即发热相同的原则”，将非正弦半波电流的有效值I T 或平均值I d 折合成等效的正弦半波电流平均值------据此计算电流定额NUAA电流定额的计算过程：•确定晶闸管在具体电路条件下（即某种波形下）的电流有效值IT•计算该I T对应的额定电流（即在正弦半波条件下的平均电流）Itav•留裕量；查手册选器件举例：书P13例NUAA•（P13）流经晶闸管的电流波形如图所示，试计算该电流波形的平均值、有效值及波形系数。
若取安全系数为2，问额定电流为100A 的晶闸管，其允许通过的该波形电流平均值和最大值为多少?38NUAANUAA已给额定电流I →指定波形下允许的电流平均值Tav （解释式1-9：确定给定器件的工作范围）额定电流I Tav —是半波整流波形（图1-7）时的平均值157(157对应的有效值I T =1.57 I Tav (1.57: 整流半波的波形系数）/指定波形（波形系数为K f ）下的电流平均值I d *= I T / K f152(152)考虑1.5~2倍裕量后允许的平均值I d = I d */(1.5~2)式1-9NUAA 某一波形下的电流平均值→确定额定电流I Tav(选器件)该波形（其波形系数K f ）下的电流有效值I T =I d •K f额定电流对应的有效值=I T 等效点额定电流(平均值)=I T /1.57(K f =1.57:整流半波的波形系数)考虑1.5~2倍裕量后取额定电流I Tav = (1.5~2) I T /1.5741解掌握晶闸管的NUAA 第一章学习要求了解掌握晶闸管的：电工符号，三个极名称；内部结构构成及工作原理；基本特性；开通和关断条件主要参数；额定电流门极可靠触发区选取选择和使用中应注意的一些问题42NUAA晶闸管的选取方法•主要包括额定电压、额定电流参数两部分。
额定电压参数的选取主要是根据晶闸管所承受的最大电压压参数的选取主要是根据晶闸管所承受的最大电压，再根据要求乘以电压安全裕量系数；•额定电流参数的选取主要是根据晶闸管电流的通态平均值再根据要求乘以电流安全裕量系数即可平均值，再根据要求乘以电流安全裕量系数即可。
•根据计算的电压和电流的数值，及生产厂家提供的根据计算的电压和电流的数值及生产厂家提供的晶闸管的参数表，就可确定所选晶闻管的型号。
43NUAA作业:P17 1, 2, 3, 4, 5(c), 6(c)P1712345(c)6(c)44。