晶体二极管

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晶体二极管的特点

晶体二极管的特点

晶体二极管的特点
1. 晶体二极管单向导电性可强啦!就好比单方向的通道,电流只能从这头往那头流,反方向就不行嘞!比如说在整流电路里,它就能让电流乖乖地只朝着需要的方向跑,厉害吧!
2. 它的伏安特性也很有意思呀!电流和电压之间有着特别的关系,就像人和影子一样,电压一变,电流也会跟着变,你说神奇不神奇!像在一些电子设备里,就是靠着这个特性来实现稳定工作的哟。

3. 晶体二极管的开关特性那叫一个迅速!简直就像闪电一样快!在数字电路中,它能快速地开启和关闭,这速度,简直了!比我眨眼还快呢!
4. 还有呢,它的稳定性那可是杠杠的呀!不管环境怎么变化,它就在那稳稳地工作着,就如同坚定的卫士一样!比如一些恶劣环境下的设备,靠的就是它的稳定呀。

5. 哎呀呀,晶体二极管的耐高温性能也不错哦!就像能在炎热沙漠中顽强生存的仙人掌一样,高温也不怕,照样好好工作嘞!在一些高温设备里就能看到它的身影呢。

6. 晶体二极管体积小但能量大呀!别看它小小的,作用可大着呢,就好像小身材大能量的大力士!许多小巧的电子玩意儿都离不开它哟。

7. 它的成本还低呢,这不就是物廉价美嘛!简直就是我们的好朋友呀!广泛应用在各种地方,真的太实用啦!
8. 晶体二极管真的是电子世界的宝贝呀!有了它,电子设备才能更好地工作,我们的生活也变得更加丰富多彩啦!它真的太重要啦,不可替代呀!。

晶体二极管

晶体二极管

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第四节
稳压管
稳 压管是 我们要 学的 压 管是 第二种管子,它是一 种特殊的二极管,工 作在反向击穿状态下 , 可以稳定电压,在电 子电路中应用广泛。 子电路中应用广泛。
21
一、结构: 一只二极管 结构: 特性: 二、特性:伏安特性等
I +
动态电阻: 动态电阻: ∆U Z Z ∆I Z
曲线越陡, 曲线越陡, 电压越稳 定。 UZ 稳压 误差 ∆ UZ ∆ IZ IZ IZmax
24
二、稳压管的符号及等效电路
1、符号(右上图) 符号(右上图) 2、等效电路(右下图) 等效电路(右下图) D 1 表示稳压管正向偏置以及 反向偏置但未击穿时等效为一 普通二极管。 普通二极管。 D2 rd UZ为称压管工作在反向 击穿下的情况。 击穿下的情况。 D2为理想二极管 为稳压管的动态电阻。 rd为稳压管的动态电阻。 为稳压管的稳定工作电压值。 UZ为稳压管的稳定工作电压值。
13
14
四、晶体二极管电路分析方法
晶体二极管模型不同, 晶体二极管模型不同,采用的分析方法也有所 不同, 不同, 对一般的二极管电路我们可以有以下分析 方法: 方法: 利用伏安特性方程和电路方程联立求解; ① 利用伏安特性方程和电路方程联立求解; 利用伏安特性曲线求解的图解分析法; ② 利用伏安特性曲线求解的图解分析法; 简化分析法: ③ 简化分析法 : 利用二极管简化模型分析电 路; 微变等效电路分析法: ④ 微变等效电路分析法:将电路中的二极管用 微变等效电路模型代替后来分析电路,常用于交流 微变等效电路模型代替后来分析电路, 信号电路中。 信号电路中。
1
一、基本结构
PN 结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。 结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。 点接触型

晶体二极管的知识点总结

晶体二极管的知识点总结

晶体二极管的知识点总结一、晶体二极管的结构晶体二极管是由多个不同类型的半导体材料制成的。

其中,P型半导体材料和N型半导体材料被交替地组合在一起,形成PN结。

当PN结受到外部电压作用时,它就能够控制电流的流动。

晶体二极管通常有三个导电端:阳极(A)、阴极(K)和门极(G)。

阳极和阴极是用来控制电流流动的,而门极是用来控制PN结的导通和截止。

二、晶体二极管的工作原理当晶体二极管处于正向偏置状态时,即阳极连接到P型半导体材料,阴极连接到N型半导体材料时,PN结上的势垒就会被外部电压突破,从而使电流得以流动。

这时,晶体二极管表现出很低的电阻,从而能够导通电流。

相反,当晶体二极管处于反向偏置状态时,即阳极连接到N型半导体材料,阴极连接到P 型半导体材料时,PN结上的势垒就会加大,从而使电流无法流动。

这时,晶体二极管表现出非常高的电阻,从而能够截止电流。

三、晶体二极管的特性1. 峰值反向电压(PRV):晶体二极管能够承受的最大反向电压。

超过这个电压值,晶体二极管就会击穿,从而导致PN结上的势垒被突破,电流得以流动。

2. 正向电压降(VF):当晶体二极管导通时,阳极和阴极间的电压降。

3. 反向饱和电流(IRSM):当晶体二极管反向偏置时,PN结上的反向电流。

4. 导通电流(ITM):当晶体二极管处于正向偏置状态时,PN结能够承受的最大电流。

四、晶体二极管的应用由于其快速开关速度和可靠的性能,晶体二极管在很多领域有着广泛的应用。

它们常常用于电源供应、电动机控制和光电子装置等。

例如,交流电源中的整流电路就是需要使用晶体二极管的。

此外,晶体二极管还被用于电动车的控制系统中,以及用于光电二次发射表面(PMT)等光电子设备。

总之,晶体二极管是一种重要的半导体器件,它能够控制电流的流动,并且有着广泛的应用领域。

通过深入了解其结构、工作原理和特性,我们可以更好地应用晶体二极管,从而更好地服务于社会的发展。

晶体二极管概念

晶体二极管概念

晶体二极管概念什么是晶体二极管?晶体二极管(Diode)是一种半导体器件,由P型半导体和N型半导体组成。

它具有正向导通和反向截止的特性,是电子学中最基本的元件之一。

晶体二极管的主要功能是将电流限制在一个方向上,从而实现电流的整流和开关控制。

晶体二极管的结构晶体二极管的结构由P型半导体和N型半导体的结合构成。

P型半导体具有正电荷载流子(空穴),而N型半导体具有负电荷载流子(电子)。

当P型半导体和N型半导体连接在一起时,形成了PN结。

PN结上的电子会从N区域向P区域扩散,而空穴则从P区域向N区域扩散。

这种扩散会导致PN结上形成一个电势垒,阻止了进一步的扩散。

晶体二极管的工作原理晶体二极管的工作原理可以分为正向偏置和反向偏置两种情况。

正向偏置当晶体二极管的正端连接到正电压,负端连接到负电压时,即为正向偏置。

在这种情况下,电势垒会变窄,使得电子和空穴能够克服电势垒,通过PN结流动。

这时晶体二极管呈现出低电阻状态,称为正向导通。

正向偏置时,电流从P区域注入到N区域,形成电流流动的闭合回路。

反向偏置当晶体二极管的正端连接到负电压,负端连接到正电压时,即为反向偏置。

在这种情况下,电势垒会变宽,阻止电子和空穴通过PN结。

这时晶体二极管呈现出高电阻状态,称为反向截止。

反向偏置时,只有极小的反向漏电流通过晶体二极管。

晶体二极管的应用晶体二极管由于其独特的电流特性,广泛应用于各种电子设备中。

整流器晶体二极管的最基本应用是作为整流器,将交流电转换为直流电。

在正向偏置的情况下,晶体二极管只允许电流在一个方向上流动,实现了电流的单向传输。

信号检测晶体二极管还可以用作信号检测器。

当信号电压超过晶体二极管的正向电压阈值时,晶体二极管开始导通,将信号提取出来。

光电二极管晶体二极管的一种特殊类型是光电二极管。

光电二极管可以将光能转换为电能,常用于光电探测器和光通信中。

晶体二极管的特性晶体二极管具有以下特性:1.正向电压阈值:晶体二极管在正向偏置时需要一定的电压才能开始导通。

晶体二极管的归纳总结

晶体二极管的归纳总结

晶体二极管的归纳总结晶体二极管(Diode)是一种具有非线性电阻特性的电子元器件,广泛应用于电子电路中。

它具有正向导通和反向截止的特性,被广泛用作整流器、开关以及信号调制等电路的基本元件。

本文将对晶体二极管的工作原理、分类、特性以及应用进行归纳总结。

一、晶体二极管的工作原理晶体二极管是一种半导体器件,由P型和N型半导体材料组成。

在P-N结中,P型半导体的掺杂原子与N型半导体的掺杂原子形成势垒,使得P区电子豁免区域中电子浓度较高,N区电子豁免区域中空穴浓度较高。

当外加电压使P区电势相对于N区升高,势垒减小,使得P 区的电子跨越势垒进入N区,形成正向电流。

当外加电压反向时,势垒增大,使得P-N结处形成耗尽区,电流几乎为零。

二、晶体二极管的分类根据材料、结构和用途的不同,晶体二极管可以分为多种类型。

常见的晶体二极管包括硅二极管、锗二极管、肖特基二极管、LED(发光二极管)等。

1. 硅二极管硅二极管是最常见和广泛使用的一种二极管。

它具有较高的工作温度、稳定性和可靠性,被广泛应用于各种电子电路中。

2. 锗二极管锗二极管是晶体二极管的一种,其主要特点是正向导通电压较低,适用于低电压应用电路。

3. 肖特基二极管肖特基二极管是一种利用PN结形成的金属与N型半导体之间的势垒来控制电流流动的二极管。

与普通PN结二极管相比,肖特基二极管具有较低的正向导通电压和快速响应速度。

4. LED(发光二极管)LED是一种能够将电能直接转换为光能的二极管。

它具有高效率、长寿命、低功耗等特点,被广泛应用于指示灯、背光源、室内外照明等领域。

三、晶体二极管的特性晶体二极管具有以下主要特性:1. 非线性特性晶体二极管在正向电压作用下具有较低的电阻,呈现出导通状态,而在反向电压作用下电阻很大,呈现出截止状态,具有明显的非线性特性。

2. 稳压性能晶体二极管具有稳压能力,能够在一定的工作电压范围内稳定输出,被广泛应用于稳压电源电路中。

3. 快速开关特性晶体二极管具有快速开关特性,可以迅速从导通状态切换到截止状态,被广泛应用于高频开关电路中。

晶体二极管的介绍

晶体二极管的介绍

晶体二极管的介绍晶体二极管又称为二极管或晶导二极管,是一种最简单、最常用的半导体元件之一。

晶体二极管是一种具有非线性特性的电子器件,在电子学和电路领域中发挥着重要作用。

一、晶体二极管的结构晶体二极管的结构由两个半导体材料组成,通常为P型半导体和N 型半导体。

在P-N结区域,存在着P型半导体中的多余的空穴和N型半导体中的多余电子。

当形成P-N结后,多余的电子和空穴会发生复合,形成带电离子。

在这个过程中,形成了一个耗尽区,也叫“空隙区”。

二、晶体二极管的原理晶体二极管的工作原理基于P-N结耗尽区的特性,主要包括正向偏置和反向偏置两种情况。

1.正向偏置当正向电压作用于晶体二极管时,P型半导体端的空穴会向N型半导体端移动,而N型半导体端的电子也会向P型半导体端移动。

这样,耗尽区中的带电离子会变少,使得耗尽区变窄,从而减小了阻挡电压。

当正向电压超过阻挡电压时,晶体二极管会处于导通状态,电流能流过。

2.反向偏置当反向电压作用于晶体二极管时,P型半导体端为负电压,N型半导体端为正电压。

这样,P-N结的耗尽区会变宽,形成一个高阻抗区,阻挡电流流过。

如果反向电压过大,会使得结区耗尽区击穿,形成电流突增,此时二极管呈现放大效应。

三、晶体二极管的特性晶体二极管具有许多特性,如整流特性、导通压降、击穿电压等。

1.整流特性晶体二极管具有只允许电流沿一个方向通过的特性,即正向导通,反向截止。

这使得晶体二极管在电路中起到整流作用,将交流信号转换为直流信号。

2.导通压降当晶体二极管处于正向导通时,会产生一定的入侵(正向电流)和热效应(正向电压)。

这是由于耗尽区的宽度和载流子浓度变化导致的。

晶体二极管的导通压降一般在0.6V-0.7V左右。

3.反向截止特性在正向偏置下,晶体二极管会导通,具有一定的电流流过。

但在反向偏置下,晶体二极管不会导通,只有极少量微弱电流通过,具有很高的电阻。

四、晶体二极管的应用晶体二极管由于其简单、可靠、低成本的特点,被广泛应用于各种电子设备和电路中。

晶体二极管概念

晶体二极管概念

晶体二极管概念
晶体二极管是一种半导体电子器件,它具有单向电导性和整流功能。

它有两个引脚,分别为正极和负极。

正极连接带有正电压的电源时能够导通电流,而连接带有负电压的电源时则不能导通电流。

晶体二极管的主要优点是其相对简单的结构和可靠性。

晶体二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体组成的。

在制造过程中,将普通硅材料加入掺杂剂,使其中一部分成为 P 型半导体,另一部分成为 N 型半导体。

当 P 型半导体和 N 型半导体接触时,会形成一个 PN 结。

当 PN 结正极连接正电压时,P 型半导体的电子会流向 N 型半导体,形成电流。

而当PN结正极连接负电压时,N型半导体高浓度的杂质离子会吸收并抵消 P型半导体中的电子,从而阻止电流的流动。

晶体二极管的主要应用是整流。

在直流电源中,晶体二极管可以将正半周期的电流转化为负电压,而将负半周期的电流挡住不传递。

由于晶体二极管的阻抗很小,它可以承受很高的电流。

因此,它也可以用作保护电路中的限流器。

除了整流之外,晶体二极管还可以用于LED、激光二极管、太阳能电池、电子闸和变压器等器件中。

在LED和激光二极管中,晶体二极管将电能转换为光能,从而产生光谱。

在太阳能电池中,晶体二极管可
以将太阳能转换为电能,从而提供电力。

在变压器中,晶体二极管可以作为开关使用,控制电流的流动方向。

总之,晶体二极管在电子领域中具有广泛的应用前景。

它不仅可以用于整流、保护电路、LED、激光二极管、太阳能电池等器件中,还可以作为开关来控制电路中的电流。

随着半导体技术的发展,晶体二极管的应用将会越来越广泛。

晶体二极管

晶体二极管
(2)稳压二极管
主要参数:稳定电压VZ、稳定电流IZ、最大工作电流IZM、 最大耗散功率PZM、动态电阻rZ等。
即二极管正偏导通,反偏截止。这一导电特性称为二 极管的单向导电性。
[例1.1.1] 图1.1.3所示电路中,当开关S闭合后,H1、H2 两个指示灯,哪一个可能发光? 解 由电路图可知,开关S闭合后,只有二极管V1正极电位高 于负极电位,即处于正向导通状态,所以H1指示灯发光。
图1.1.3 [例1.1.1]电路图
图1.1.8 万用表检测二极管
2.判别好坏 万用表测试条件:R×1kΩ。 (1)若正反向电阻均为零,二极管短路; (2)若正反向电阻非常大,二极管开路。 (3)若正向电阻约几千欧姆,反向电阻非常大,二极管正常。
图1.1.8 万用表检测二极管
1.1.5 二极管的分类、型号和参数 1.分类 (1)按材料分:硅管、锗管 (2)按PN结面积:点接触型(电流小,高频应用)、面 接触型(电流大,用于整流) (3)按用途:如图1.1.9所示。
图1.1.9 二极管图形符号
①整流二极管:利用单向导电性把交流电变成直流电的二极管。 ②稳压二极管:利用反向击穿特性进行稳压的二极管。 ③发光二极管:利用磷化镓把电能转变成光能的二极管。 ④光电二极管:将光信号转变为电信号的二极管。 ⑤变容二极管:利用反向偏压改变PN结电容量的二极管。 2.型号举例如下:
L)、变压器(
T)等
1.晶体二极管
(1)外形:由密封的管体和两 条正、负电极引线所组成。管体外 壳的标记通常表示正极。如图1.1.1 (a)所示;
(2)符号:如图。其中: 三角形——正极, 竖杠——负极, V——二极管的文字符号。
图1.1.1 晶体二极管的外形 和符号
2.晶体二极管的单向导电性:
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2015/12/19 26
不同种类二极管如何选用
• 3.检波二极管:一般可选用点接触型锗二极管,例如2AP系 列等。选用时,应根据电路的具体要求来选择工作频率高、 反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。 • 4、开关二极管的选用:主要应用于收录机、电视机、影碟 机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲 整流电路等。中速开关电路和检波电路,可以选用2AK系列 普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系 列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。要根据应用电路 的主要参数(例如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间 等)来选择开关二极管的具体型号。 • 5、变容二极管的选用: 选用变容二极管时,应着重考虑其 工作频率、最高反向工作电压、最大正向电流和零偏压结电 容等参数是否符合应用电路的要求,应选用结电容变化大、 高Q值、反向漏电流小的变容二极管。
2015/12/19 20
二极管部分型号命名 1)1N4000/1N5400/RL系列一般整流二极管 2)FR/1N/BA/BY/RGP系列快恢复二极管 3)HER/UF系列高效整流二极管 4)UF/ SF / MUR系列超快速恢复二极管 5) 1N/SR/SB/ MBR系列肖特基二极管
6) P6KE/1.5KE系列瞬态抑制二极管 7)MTZJ/LLZ/RL系列稳压二极管
第一部分
数字 电极数 2— 二极管
第二部分
字母 材料和极性
第三部分
字母(汉拼) 器件类型
第四部分 第五部分
数字
序号 字母(汉拼) 规格号
A — 锗材料 N 型 B — 锗材料 P 型 C — 硅材料 N 型 D — 硅材料 P 型 A — 锗材料 PNP B — 锗材料 NPN C — 硅材料 PNP D — 硅材料 NPN
2015/12/19 16
色环稳压二极管
国外家电、PDP及液晶电视常见体积小、功率小,稳 压值<10V,易损坏。
色环含义:前两位为有效 数字;最后一位是小数点位数。 通常色环稳压二极管都只 取一位小数,即为棕色。
51x10-1=5.1V
2015/12/19 17
肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称) 是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其 反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅 0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性 是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二 极管大多采用封装形式。
2015/12/19 27
晶体二极管的特性
• 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编 号为5的二极管。 • 作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压 的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极 大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常 把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调 制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分 为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、 肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。
2CP 2AP
普通锗二极管
3— 三极管
P — 普通管 W — 稳压管 Z — 整流管 K — 开关管 U — 光电管 X — 低频小功率管 G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 A — 高频大功率管 2CZ
硅整流二极管
例:
2CW
硅稳压二极管
普通硅二极管
3.4.2 二极管
二极管的符号
稳压二极管
二极管的一般符号 发光二极管

温度效应 二极管
光电二极管

变容二极管 隧道二极管
双向击穿二极管 双向二极管 交流开关二极管 体效应二极管

磁敏二极管
二极管的特性 1. 普通二极管的特性 2. 稳压二极管的特性 3. 发光二极管的特性
4. 光电二极管的特性
5. 变容二极管的特性
iD / mA
iD / mA 锗二极管 的特性
(3) 根据电路要求和电路板安装位置,选好二极
管的外形、尺寸大小和封装形式。如外形有圆形的、
方形的、片状的、小型的、中型的等。封装形式有全
塑封装、金属外壳封装、玻璃封装等。
晶体二极管
整流二极管、开关二极管、 检波二极管、变容二极管、 稳压二极管、阻尼二极管、 发光二极管、光电二极管
2015/12/19
u
工作条件: 反向偏置
Cj
O
变容二极管的特性
u
PN 结势 垒电位差
C j0 Cj u (1 ) UB
变容指数
突变结 1/2 缓变结 1/3 超突变结 1/2 6
工作条件: 反向偏置
二极管的识别和检测
1. 目测判别极性 2. 用万用表检测二极管 (1) 用指针式万用表检测。 (2) 用数字式万用表检测。 3. 用万用表检测稳压二极管
uD / V
iZ /mA
UZ
IZ
UZ
IZminuZ/V IZ IZmax
O
稳压二极管的特性
工作条件:反向击穿
i /mA
O
2
u /V
发光二极管的特性
工作条件:正向偏置 工作电流 : 几毫安 ~几十 毫安 导通电压 : ( 1 2) V
i 暗电流
O
E = 200 lx E = 400 lx 光敏二极管的特性
2015/12/19 19
3、反向电流
反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下, 流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电 性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系, 大约温度每升高10,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极 管,在25时反向电流若为250uA,温度升高到35,反向电流将 上升到500uA,依此类推,在75时,它的反向电流已达8mA, 不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如, 2CP10型硅二极管,25时反向电流仅为5uA,温度升高到75时, 反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有 较好的稳定性。
2015/12/19
21
常见开关二极管型号
常见的有2AK、2DK等系列,主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。 普通开关二极管:国产2AK系列锗开关二极管 高速开关二极管:国产2CK系列;进口1N系列、1SS系列(有引线塑封)和RLS 系列(表面封装) 超高速开关二极管:1SS系列(有引线塑封)和RLS系列(表面安装)
低功耗开关二极管:1SS290~1SS292系列(有引线塑封)和RLS139~RLS141系 列(表面封装)
高反压开关二极管:1SS系列(有引线塑封)和RLS系列(表面封装)
硅电压开关二极管:一种新型半导体器件,单向开关二极管(PNPN四层硅半 导体,正向负阻开关特性,反向稳定特性)/双向电压开关二极管(NPNPN五 层半导体结构,正反向均相同负阻开关特性),主要应用在触发器、过压保 护电路,脉冲发生器及高压输出、延时、电子开关等电路。
2015/12/19 24
国际电子联合会二极管的型号命名方法
2015/12/19
25
不同种类二极管如何选用
• 1.稳压二极管的选用:一般用在稳压电源中作为基准电压源 或用在过电压保护电路中作为保护二极管。选用的稳压二极管, 应满足应用电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值 应与应用电路的基准电压值相同,稳压二极管的最大稳定电流 应高于应用电路的最大负载电流50%左右。 • 2.整流二极管:一般为平面型硅二极管,选用整流二极管时, 主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及 反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率 的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流 电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如, 1N系列、2CZ系列、RLR系列等 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二 极管,应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管 (例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等)或选择快恢 复二极管。
– 50 – 25
硅二极管 的特性
–50 –25
60 40 20 0 0.4 0.8 u / V D
1ห้องสมุดไป่ตู้ 10 5
–0.01 0 0.2 0.4 –0.02
– 0.02 – 0.04
uD / V
iD / mA
温度对二极管 特性的影响
–50 –25 0 0.4 – 0.02 60 40 20
90C 20C
15
限幅元件 二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为 0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅 元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。 续流二极管 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。 开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相 当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大, 处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开 关特性,可以组成各种逻辑电路。
3.4 半导体分立器件
3.4.1 半导体分立器件的型号命名方法
半导体器件的命名由五部分组成,例如,2AP9中“2”表
示二极管,“A”表示N型锗材料,“P”表示普通管,“9”表示
序号。又如3DG6中“3”表示三极管,“D”表示NPN硅材料, “G”表示高频小功率管,“6”表示序号。
半导体器件的命名方式
2015/12/19
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IRF系列 150、250、350、430、440、450、460、530、 534、540、620、630、640、730、740、820、 830、840、2807、9130、9230、9240、9510、 9520、9530、9540、9610、9620、9630、 9640...... N系列 2N60、3N60、3N80、4N60、4N90、5N90、 20N60、40N60、60N06、60N100、70N06、 80N10、90N30、75N75...... k系列 K1217、K1341、K1342、K1358、K1507、 K1512、K1520、K1521、K1723、K1745、 K1796、K1837、K2098、K2333、K2485、 K2608、K2677、K2700、K2850、K413、 K534......
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