模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析
模拟电子技术基础习题解答
模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图34解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
试问：(1)R b =50k 时，U o= (2)若T 临界饱和，则R b =解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术(第2版)第一章习题答案.doc
第一章习题答案一、填空题1.增大、增大、下2.浓度差异、电场3.五、三4.自由电子、空穴、空穴、自由电子5. N、自由电子、空穴6.本征半导体、杂质半导体7.高于8.正偏、反偏、单向导电性9.电击穿、热击穿10.高、低、单向导电11.限流电阻12.点接触、面接触13.减小、增大14.大、小15.反向击穿16.正向电流、反向电流17.电、光、正向18.光、电、反向19.反向击穿区、反向击穿区20.阻碍、促进二、单选题1.C2.D3.D4.C5.B6.A7.B8.B9.A10.C三、判断题1.错误2.错误3.错误4.正确5.错误四、计算分析题1.对（a）图，u I > 4V时稳压管稳压，u O1 = u I– 4V；u I≤4V时稳压管截止，u O1 = 0。
对（b）图，u I > 4V时稳压管稳压，u O2 = 4V；u I≤4V时稳压管截止，u O2 = u I。
波形图如下：2. （1）开关S 闭合时发光二极管才能发光。
（2）R 的取值范围Ω=-=-=26715)15(max min mA VI U V R D D DDΩ=-=-=8005)15(min max mAVI U V R D D DD计算的最后结果：Ω≤≤Ω800267R3. 稳压管的最大稳定电流为mA VmWU P I Z ZM ZM 256150===稳压管正常工作时要求ZM DZ Z I I I ≤≤min ，所以mA RVmA 25)612(5≤-≤求得Ω≤≤Ωk R k 2.124.0。
计算的最后结果：Ω≤≤Ωk R k 2.124.04. （1）当开关S 闭合时，Z DZ U V V U <≈+⨯=8.5725230，所以稳压管截止。
电压表读数U V =8.57V ，而mA k VI I A A 4.29)25(3021=Ω+==（2）当开关S 断开时，I A2 = 0，稳压管能工作于稳压区，故得电压表读数U V =12V ，A 1读数为mA k VI A 3.65)1230(1=Ω-=计算的最后结果：（1）U V = 8.57V ，I A1 = I A2 = 4.29mA（2）U V = 12V ，I A1 = 3.6mA ，I A2 = 0mA5. （a ）首先假定稳压管断开，求得U PN = -8V ，绝对值大于U Z 值，所以可以工作于反向击穿区。
模拟电子技术课后习题答案
模拟电子技术课后习题答案(总11页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章题解－1第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管B. 增强型MOS 管C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
电子技术基础习题答案(模拟部分)
精编资料
?电子技术根底?习题答案(模拟局部) 半导体二极管半导体三极管放大电路根底负反应放大电路与根本运算电路线性集成电路的应用集成模拟乘法器及其应用...
技术根底
?电子技术根底?习题答案〔模拟局部〕
第一章半导体二极管
第二章半导体三极管第三章放大电路根底
第四章负反应放大电路与根本运算电路
第五章线性集成电路的应用
第六章集成模拟乘法器及其应用
第七章信号产生电路
第八章直流稳压电源
?电子技术根底?习题〔数字局部〕第一章绪论
第二章逻辑代数根底
第三章逻辑门电路
第四章集成触发器
第五章脉冲信号的产生和整形
第六章组合逻辑电路
第七章时序逻辑电路
第八章数模和模数转换器。
模拟电子技术基础习题答案
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V时，D导通，u o =u i；当u i≤0V时，D截止，u o=0V。
电子技术基础习题答案解析
电子技术基础习题答案解析第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N 沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
模拟电子技术第一章习题
间必须连接 。
14.若两个输入信号电压的大小 ，极性 ，就称为共模输入信号。
15．为消除乙类功放的交越失真，给BJT发射结加一定的 偏压，使Q点上移，摆脱电压的影响。
这时，电路工作在 状态。
16．互补对称功放采用 类型的两个BJT组成推挽输出器，在输入交流信号作用下，两管 工作，为使输出电压波形对称，要求两管的性能 。
17 . 简单的差分放大器双端输出时，对 信号有较强的抑制能力 , 而对 信号有较强的放大作用。
18. 零点漂移产生的因素很多，其中以 变化所引起的漂移最为严重。
19.OCL甲乙类功放电路的最大效率可达_________。
20.某差动放大期电路两输入端的信号为ui1=12mV，ui2=4mV，差模电压放大倍数为Aud=-75，共模电压放大倍数为Auc=-0.5，则输出电压u0为_________。
二、选择题1.晶体二极管具有___________特性。
A.单向导电B.集电极电压饱和C.双向导电D.集电极电流截止2.二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。
锗管为______V伏）。
A.0B.0.3C.0.4D.0.73.二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。
硅管为____V（伏）。
A.0B.0.3C.0.4D.0.74.锗二极管的死区电压为（ ）V。
A.0.5B.0.2C.0.35.PN结外加反向电压时，其内电场（ ）。
A.减弱B.不变 B.增强6.PN结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。
A.不变B.变宽C.变窄7．在检修电子线路时，设管子为NPN型，如果测得U CE=E C V，则说明管子工作在（ ）状态。
A、截止区B、饱和区C、放大区D、过损耗区8．NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是（ ）。
A.VC＞VB＞VEB.VC＜VB＜VEC.VE＜VB＞VCD.VE＞VB＜VC9．PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流（ ）漂移电流。
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1半导体二极管
自我检测题
一．选择和填空
1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺
入五价杂质，其多数载流子是 电子 。
2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度 B 电子
浓度；在P型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。
（A．大于，B．小于，C．等于）
3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关
系十分密切。
（A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度）
4. 当PN结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN结外加反
向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。
（A．大于，B．小于，C．等于，D．变宽，E．变窄，F不变 ）
5．二极管实际就是一个PN结，PN结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于
导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。
6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二
极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。
（A．0.1～0.3V，B．0.6～0.8V，C．小于Aμ1，D．大于Aμ1）
7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为
T
1
时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电
压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T1 小于 25℃。（大于、小于、等于）
/
v
V
0
i
mA
-0.001
50
10
20
30
100
150
0.5
1
T
1
25oC
-0.002
-0.003
图选择题7
8．PN结的特性方程是
)1(
T
V
v
S
eIi
。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳
压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。
二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×）
1．N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ）
2．在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。 （ √ ）
3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （ × ）
4．PN结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ）
5．由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。（ × ）
6．PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特
性。
（ × ）
7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在
正向导通状态（×）。
习题
1.1图题1.1各电路中，
)V(tωSin5
i
v
，忽略D的导通压降和死区电压，画出各电路相
应的输出电压波形。
i
v
t
R
L
i
v
R
L
( a )
( b )
i
v
R
L
( c )
t
o
t
o
o
10V
10V
D
D
D
v
o
v
o
v
o
v
o
v
o
v
o
图题1.1
解：
（a）图中，vi>0时，二极管截止，vo=0；vi<0时，二极管导通，vo= vi。
（b）图中，二极管导通，vo= vi +10。
（c）图中，二极管截止，vo=0。
1.2求图题1.2所示电路中流过二极管的电流ID和A点对地电压VA。设二极管的正向
导通电压为0.7V。
图题1.2
解：（a）
VV
A
3.57.06
mARVRVIAAD3.101021
（b） 3217.0)6(10RVRVRVAAA
得
VV
A
96.4
mARVIAD42.17.03
1.33
电路如图题1.3所示，已知D1为锗二极管，其死区电压Vth＝0.2V，正向导通压降
为0.3V；D2为硅二极管，其死区电压为Vth＝0.5V，正向导通压降为0.7V。求流过D1、D
2
的电流I1和I2。
图题1.3
解：由于D1的死区电压小于D2的死区电压，应该D1先导通。设D1通、D2截止，此
时
mA46.1A10010103.01531I
D2两端电压＝I1×100＋0.3＝0.45V
小于D2的开启电压，所以D2截止，因此
I
2
＝0
1.4
设二极管的正向导通压降可以忽略不计，反向饱和电流为10μA，反向击穿电压为
30V，并假设一旦击穿反向电压保持30V不变，不随反向击穿电流而变化。求图题1.4中各
电路的电流I。
I
5k( a )I5k( c )D1D2D1D210VI5k
( b )
D
1
D
2
40V
I
5k
( d )
D
1
D
2
10V
40V
图题1.4
解：
（a）图中，两个二极管导通，mAI2510
（b）图中，由于D2反向截止，所以电流为反向饱和电流10μA。
（c）图中，D2反向击穿，保持击穿电压30V，所以mAI25)3040(
（d）图中，D1导通，mAI8540
1.5试确定图题1.5（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压V1和V2的值（设
二极管正向导通电压为 0.7V）
图题1.5
解：
（a）图中，D导通，RRI33.113)7.012(
VRRRIV53.7233.1122
V1＝0.7+V
2
=8.23V
（b）D截止，I=0，V1＝12V， V2＝0V
1.6忽略图题1.6中二极管的死区电压，试判断图中二极管是否导通。
10V3k( a )3k2k2k1k20V4k10V3k( b )2k3k2k4k15V1kD1D2AA
BB
图题1.6
解：先将D断开，计算A、B点对地电压
（a）
VV
A
10)4112032310(
VV
B
832320
BA
VV
，所以D
1
导通
（b）
VV
A
8)4141532210(
VV
B
632215
BA
VV
，所以D
2
截止
1.7设图题1.7中二极管的导通压降为 0.7V，判断图中各二极管是否导通，并求出
V
o
的值。
3k
( a )D23V6VD1Vo( b )
D25VD
1
6
V
3k
D
3
D
4
V
o
图题1.7
解：
先假设所有二极管都截止，看哪个二极管的正偏电压高，先导通。
（a）图中，
VV
D6)6(01
VVD9)6(32
所以， D2先导通，导通后 VO＝3-0.7=2.3V，VVD3.23.201 D1截止。
（b）图中，
VV
D1)6(51
VVVV
DDD6432
所以，D2D4先导通，则VVD9.2)1.2(51，D1截止，
V
O
＝－1.4V
1.8设图题1.8中二极管的导通压降为0.7V，求二极管上流过的电流ID的值。
图题1.8
解：将二极管以外的电路进行戴维宁等效
kReq62.1]332[3
6
V
D
2k
I
D
2
V
3k
3k
3k
D
I
D
eq
R
eq
V