第9章 半导体2湿敏资料
半导体压敏材料

半导体压敏材料是一种能将各种非电物理量(如力学量、光学量等)转换成电物理量的半导体材料。
这类材料在受到压力作用时,其电阻值会发生明显的变化,利用这一特性,可以将各种力学量转换为电信号,从而实现对各种物理量的测量和控制。
其中,压敏电阻器就是半导体压敏材料的一种重要应用。
它是一种具有非线性伏安特性的电阻器件,主要用于在电路承受过压时进行电压钳位,吸收多余的电流以保护敏感器件。
压敏电阻器的电阻体材料是半导体,例如大量使用的“氧化锌”压敏电阻器,其主体材料有二价元素锌和六价元素氧所构成,因此氧化锌压敏电阻器是一种Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体。
此外,半导体压敏材料还有其他种类,如力敏半导体材料、光敏半导体材料等。
这些材料在力学量、光学量等非电物理量的测量和控制中发挥着重要作用。
以上信息仅供参考,如有需要,建议咨询新型材料领域的专家。
传感技术第九章 气、湿敏传感器

2、相对湿度和绝对湿度
水蒸气压是指在一定的温度条件下,混合气体中 存在的水蒸气分压(p)。而饱和蒸气压是指在同一温度 下,混合气体中所含水蒸气压的最大值(ps)。温度越 高,饱和水蒸气压越大。在某一温度下,其水蒸气压 同饱和蒸气压的百分比,称为相对湿度
RH p 100 % ps
电解质型:以氯化锂为例,它在绝缘基板上制作一对电极,涂 上氯化锂盐胶膜。氯化锂极易潮解,并产生离子导电,随湿度 升高而电阻减小。 陶瓷型:一般以金属氧化物为原料,通过陶瓷工艺,制成一种 多孔陶瓷。利用多孔陶瓷的阻值对空气中水蒸气的敏感特性而 制成。 高分子型:先在玻璃等绝缘基板上蒸发梳状电极,通过浸渍或涂 覆,使其在基板上附着一层有机高分子感湿膜。有机高分子的材 料种类也很多,工作原理也各不相同。 单晶半导体型:所用材料主要是硅单晶,利用半导体工艺制成。 制成二极管湿敏器件和MOSFET湿度敏感器件等。其特点是易 于和半导体电路集成在一起。
以上三种气敏器件都附有加热器。在实际应用时, 加热器能使附着在控测部分上的油雾,尘埃等烧 掉,同时加速气体的吸附,从而提高了器件的灵 敏度和响应速度,一般加热到200--400℃,具体 温度视所掺杂质不同而异。
这种气敏器件的优点是:工艺简单,价格便宜, 使用方便;对气体浓度变化时的响应快;即使在 低浓度(3000mg/kg)下,灵敏度也很高。其缺点 在于:稳定性差,老化较快,气体识别能力不强, 各器件之间的特性差异大等。
(2)气敏元件的灵敏度 是表征气敏元件对于被测气体的敏感程度的指
标。它表示气体敏感元件的电参量(如电阻型气敏 元件的电阻值)与被测气体浓度之间的依从关系。
(3)气敏元件的响应时间 表示在工作温度下,气敏元件对被测气体的响
半导体敏感元件(热敏元件与温度传感器)

为了提高温度传感器的可靠性,可以采用耐极端环境的材料和制造工艺,优化结构设计,加强品质控制等方法。此外,定期检查和维护也是保持传感器可靠性的重要措施。
要点三
可靠性问题
06
未来展望
利用纳米材料的高敏感性和稳定性,提高热敏元件和温度传感器的精度和可靠性。
纳米材料
复合材料
生物材料
探索新型复合材料,结合不同材料的优点,实现更广泛的温度测量范围和更高的稳定性。
利用生物材料的独特性能,开发具有生物相容性和环保性的热敏元件和温度传感器。
03
02
01
新材料的应用
研究先进的薄膜工艺,降低热敏元件和温度传感器的制造成本,提高生产效率。
薄膜工艺
利用微纳加工技术,实现热敏元件和温度传感器的微型化和集成化,提高其响应速度和灵敏度。
微纳加工技术
开发具有柔性的热敏元件和温度传感器,适应不同应用场景的需求,如可穿戴设备和生物医疗领域。
磁阻元件
磁阻元件是一种利用磁性材料电阻变化的传感器,其电阻值随温度变化而变化。磁阻元件具有测量范围广、精度高、稳定性好等优点,常用于高精度温度测量和控制系统。
热磁效应
04
温度传感器的应用
工业生产过程中需要对温度进行精确控制,以确保产品质量和生产效率。温度传感器可以实时监测生产设备的温度,并将数据反馈给控制系统,实现精确的温度控制。
详细描述
要点三
总结词
可靠性问题是指温度传感器在特定条件下能否正常工作的问题,涉及到传感器的使用寿命和故障率。
要点一
要点二
详细描述
温度传感器的可靠性问题主要与其工作环境和内部结构有关。在高温、低温、高湿、高压等极端环境下,传感器可能会出现故障或性能下降。此外,传感器的结构设计、制造工艺和材料选择也会影响其可靠性。
施敏-课后习题答案2

=3/2kT
Ec
N ( E ) F ( E )dE
14. 一半导体的本征温度为当本征载流子浓度等 于杂质浓度时的温度。找出掺杂 1015 磷原子/立 方厘米的硅样品的本征温度。
解:根据题意有 n i N c N v exp(-E g /2kT),
N D 1015 cm 3
本征温度时,Ni=ND
(b)
a kT E ( x) 1106 0.026 260V / cm q
14. 一n型硅晶样品具有21016砷原子/cm3,21015/cm3的本 体复合中心及1010/cm2的表面复合中心。(a)求在小注入情况 下的本体少数载流子寿命、扩散长度及表面复合速度。p及 s的值分别为510-15及210-16 cm2。(b)若样品照光,且均 匀地吸收光线,而产生1017电子-空穴对/cm2· s,则表面的空 穴浓度为多少?
解:在能量为dE范围内单位体积的电子数N(E)F(E)dE, 而导带中每个电子的动能为E-Ec 所以导带中单位体积电子总动能为
)dE
N ( E ) F ( E )dE
而导带单位体积总的电子数为
Ec
导带中电子平均动能:
Ec
( E Ec ) N ( E ) F ( E )dE
1 1 (2) 从(110)面上看,每个面上有 2 2 4 4 个原子 2 4 4 2 2 14 9 . 6 10 所以,每平方厘米中的原子数= 8 2 2a 2 (5.43 10 )
1 1 (3) 从(111)面上看,每个面上有 3 3 2 个原子 6 2
因为霍耳电压为正的,所以该样品为p型半导体(空穴导电) 多子浓度:
半导体器件物理II必背公式 考点摘要

半二复习笔记1.1MOS结构1.费米势:禁带中心能级(EFi)与费米能级(EF)之差的电势表示2.表面势:半导体表面电势与体内电势之差,体内EFi和表面EFi之差的电势表示3.金半功函数差4.P沟道阈值电压注意faifn是个负值1.3 MOS原理1. MOSFET非饱和区IV公式2. 跨导定义:VDS一定时,漏电流ID随VGS变化率,反映了VGS 对ID 的控制能力3. 提高饱和区跨导途径4.衬底偏置电压VSB>0,其影响5. 背栅定义:衬底能起到栅极的作用。
VSB变化,使耗尽层宽度变化,耗尽层电荷变化;若VGS不变,则反型沟道电荷变化,漏电流变化1.4 频率特性1. MOSFET频率限制因素:①沟道载流子的沟道运输时间(通常不是主要的限制因素)②栅电容充放电需要时间2. 截止频率:器件电流增益为1时的频率高频等效模型如下:栅极总电容CG看题目所给条件。
若为理想,CgdT为0,CgsT约等于Cox,即CG=Cox;非理想情况即栅源、栅漏之间有交叠,产生寄生电容:①CgdT的L为交叠部分长度②CgsT的L为L+交叠部分长度(CgsT=Cgs+Cgsp)。
3. 提高截止频率途径1.5 CMOS1.开关特性2.闩锁效应过程2.1 非理想效应1. MOSFET亚阈特性①亚阈值电流:弱反型态:势垒较低→电子有一定几率越过势垒→形成亚阈值电流②关系式:③注:若VDS>4(kT/e),最后括号部分≈1,IDsub近似与VDS无关④亚阈值摆幅S:漏电流减小一个数量级所需的栅压变化量,S是量化MOS管能否随栅压快速关断的参数。
⑤快速关断:电流降低到Ioff所需VGS变化量小。
因此S越小越好⑥亚阈特性的影响:开关特性变差:VGS=0时不能理想关断;静态功耗增加⑦措施:提高关断/待机状态下器件的阈值电压VT(如通过衬底和源之间加反偏压,使VT增加)、减小亚阈值摆幅2. 沟长调制效应(VDS↑⇒ID↑)①机理理想长沟:L`≈L,导电沟道区的等效电阻近似不变,饱和区电流饱和;实际器件(短沟):L` <L ,导电沟道区的等效电阻减小,ID增加,②夹断区长度③修正后的漏源电流④影响因素衬底掺杂浓度N 越小⇒ΔL的绝对值越大⇒沟道长度调制效应越显著;沟道长度L越小⇒ΔL的相对值越大⇒沟道长度调制效应越显著3. 迁移率变化①概念:MOSFET载流子的迁移率理想情况下:近似为常数;实际受沟道内电场的影响,迁移率非常数。
(施敏)半导体器件物理(详尽版)

实际应用中的
半导体材料
原子并不是静止在具有严格周期性 的晶格的格点位置上,而是在其平 衡位置附近振动
并不是纯净的,而是含有若干杂质, 即在半导体晶格中存在着与组成半 导体的元素不同的其他化学元素的 原子
晶格结构并不是完整无缺的,而存 在着各种形式的缺陷
在晶体中,不但外层价电 子的轨道有交叠,内层电 子的轨道也可能有交叠, 它们都会形成共有化运动;
半导体中的电子是在周期性排列 且固定不动的大量原子核的势场 和其他大量电子的平均势场中运动。 这个平均势场也是周期性变化的, 且周期与晶格周期相同。
但内层电子的轨道交叠较 少,共有化程度弱些,外 层电子轨道交叠较多,共 有化程度强些。
思考
• 既然半导体电子和空穴都能导电,而导 体只有电子导电,为什么半导体的导电 能力比导体差?
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半导体器件物理
●导带底EC 导带电子的最低能量
●价带顶EV 价带电子的最高能量
●禁带宽度 Eg
Eg=Ec-Ev
●本征激发 由于温度,价键上的电子 激发成为准自由电子,亦 即价带电子激发成为导带 电子的过程 。
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半导体器件物理
如图,晶面ACC’A’在 坐标轴上的
截距为1,1,∞,
其倒数为1,1,0,
此平面用密勒指数表示 为(110),
此晶面的晶向(晶列指 数)即为[110];
晶面ABB’A’用密勒指 数表示为( 100 );
晶面D’AC用密勒指数 表示为( 111 )。
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半导体器件物理
图1-7 一定温度下半导体的能带示意图 江西科技师范大学
半导体器件物理
半导体2湿敏

还有一些特殊用途的热电偶,以满 足特殊测温的需要。 测量3800℃超高温的钨镍系列热电偶, 测量2~273K的超低温的镍铬-金 铁热电偶等。
我国已采用IEC标准生产热电偶。
表 15-2 为我国采用的几种热电偶 的主要性能和特点。
标准化热电偶的主要性能和特点
标准化热电偶的主要性能和特点
表15-3 S型(铂铑10-铂)热电偶分度表
表 15-4 B型(铂铑30—铂铑6)热电偶分度表
表15-5 K型(镍铬—镍硅)热电偶分度表
表 15-6 E型(镍铬—铜镍)热电偶分度表
热电动势的大小只与两材料及两接点温
度有关,
与热电偶的大小尺寸、形状及沿电 极各处的温度分布无关。
即如果材料不均匀,当导体上存在
温度梯度时,将会有附加电动势产生。 这条定理说明,热电偶必须由两种
不同性质的均质材料构成。
② 中间导体定律
利用热电偶进行测温,必须在回路 中引入连接导线和仪表,接入导线和仪 表后会不会影响回路中的热电势呢?
NAt 和 NBt 分别为导体A和导体B的 电子密度,是温度的函数。
热电偶回路中产生的总热电势:
eAB(T, T0)=
eAB(T)+eB(T,T0)-eAB(T0)-eA(T,T0)
A T B T0
热电偶回路
在总热电势中,温差电势比接触电
势小很多,可忽略不计,则热电偶的热
电势可表示为
eAB(T,T0)=eAB(T)-eAB(T0)
中间导体定律说明,在热电偶测温 回路内,接入第三种导体时,只要第三 种导体的两端温度相同,则对回路的总 热电势没有影响。
图15-10为接入第三种导体热电偶回 路的两种形式。
A t0 t B t0 C C B t1 A C t0
半导体压敏电阻器资料113页文档

6、纪律是自由的第一条件。——黑格 尔 7、纪律是集体的面貌,集体的声音, 集体的 动作, 集体的 表情, 集体的 信念。 ——马 卡连柯
8、我们现在必须完全保持党的纪律, 否则一 切都会 陷入污 泥中。 ——马 克思 9、学校没有纪律便如磨坊没有水。— —夸美 纽斯
10、一个人应该:活泼而守纪律,天 真而不 幼稚, 勇敢而 鲁莽, 倔强而 有原则 ,热情 而不冲 动,乐 观而不 盲目。 ——马 克思
1、最灵繁的人也看不见自己的背脊。——非洲 2、最困难的事情就是认识自己。——希腊 3、有勇气承担命运这才是英雄好汉。——黑塞 4、与肝胆人共事,无字句处读书。——周恩来 5、阅读使充实,会谈使人敏捷,写作使人精确。——培根
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敏电阻阻值与湿度的关系曲线。
2 20 2 00 1 80
电 阻 /
1 60 1 40 1 20 1 00 80 0 20 40 60 80 相 对 湿 度 / %R H 1 00
Fe3O4半导瓷的正湿敏特性
从图 9-9 与图 9-10 可以看出,当相 对湿度从 0%RH 变化到 100%RH 时,
料混合烧结而成为多孔陶瓷。
这些材料有:
ZnO-LiO2-V2O5系、
Si-Na2O-V2O5系、 TiO2-MgO-Cr2O3系、 Fe3O4等。
前三种材料的电阻率随湿度增加而
下降,称为负特性湿敏半导体陶瓷。
最后一种的电阻率随湿度增加而增 大,称为正特性湿敏半导体陶瓷 (以下简 称半导瓷)。
1. 负特性湿敏半导瓷的导电机理
使湿敏材料受到腐蚀和老化,从而 丧失其原有的性质;
3. 湿信息的传递必须靠水对湿敏器 件直接接触来完成,因此湿敏器件只能 直接暴露于待测环境中,不能密封。
对湿敏器件要求:在各种气体环境 下稳定性好,响应时间短,寿命长,有 互换性,耐污染和受温度影响小等。
微型化、集成化及廉价是湿敏器件 的发展方向。
9.2 湿 敏 传 感 器
湿度是指大气中的水蒸气含量,通
常采用绝对湿度和相对湿度两种表示方 法。 绝对湿度的定义:
在一定温度和压力条件下,每单位
体积的混合气体中所含水蒸气的质量, 单位为g/m3,用符号AH表示。
相对湿度的定义:
气体的绝对湿度与同一温度下达到
饱和状态的绝对湿度之比,用符号%RH
表示。
由于水分子中的氢原子具有很强的 正电场,当水在半导瓷表面吸附时,就
有可能从半导瓷表面俘获电子,使半导
瓷表面带负电。
如果该半导瓷是P型半导体,则由
于水分子吸附使表面电势下降,将吸引
更多的空穴到达其表面,于是,其表面
层的电阻下降。
若该半导瓷为N型,则由于水分子 的附着使表面电势下降,
如果表面电势下降较多,不仅使表 面层的电子耗尽,同时吸引更多的空穴 达到表面层, 有可能使到达表面层的空穴浓度大 于电子浓度,出现所谓表面反型层,这 些空穴称为反型载流子。 它们同样可以在表面迁移而表现出 电导特性。
如果对某一种半导瓷,它的晶粒间 的电阻并不比晶粒内电阻大很多,那么 表面层电阻的加大对总电阻并不起多大 作用。
不过,通常湿敏半导瓷材料都是多 孔的,表面电导占的比例很大,故表面 层电阻的升高,必将引起总电阻值的明
显升高。
但是,由于晶体内部低阻支路仍然
存在,正特性半导瓷的总电阻值的升高
没有负特性材料的阻值下降得那么明显。 图9-10给出了Fe3O4正特性半导瓷湿
9.2.1
氯化锂湿敏电阻
氯化锂湿敏电阻是利用吸湿性盐类
潮解,离子导电率发生变化而制成的测
湿元件。
1 4
2 3 1 —引 线 ; 2 —基 片 ; 3 —感 湿 层 ; 4 —金 电 极
图9-7 湿敏电阻结构示意图
氯化锂通常与聚乙烯醇组成混合体,
在氯化锂(LiCl)溶液中,Li和Cl均以
正负离子的形式存在, 而Li+对水分子的吸引力强,离子
因此,由于水分子的吸附,使N型
半导瓷材料的表面电阻下降。
由此可见,不论是P型还是N型半导 瓷,其电阻率都随湿度的增加而下降。
6 10
5 10
3
2
1
电 阻 /
4 10
3 10
0
2 0 4 0 6 0 8 0 1 00 相对湿度 / %R H
1 —Zn O—LiO 2 —V 2 O5 系; 2 —Si—Na 2 O—V 2 O5 系; 3 —TiO —MgO—Cr O 系 2 2 3
几种半导瓷湿敏负特性
2. 正特性湿敏半导瓷的导电机理 正特性湿敏半导瓷的导电机理的解
释可以认为这类材料的结构、电子能量
状态与负特性材料有所不同。
当水分子附着半导瓷的表面使电势 变负时,导致其表面层电子浓度下降, 但这还不足以使表面层的空穴浓度增加 到出现反型程度,此时仍以电子导电为 主。
于是,表面电阻将由于电子浓度下 降而加大,这类半导瓷材料的表面电阻 将随湿度的增加而加大。
金属 电极 湿敏 陶瓷片 加热 线圈 固定 端子
陶瓷 基片
引线
图9-11 MgCr2O4-TiO2陶瓷
在MgCr2O4-TiO2陶瓷片的两面涂覆 有多孔金电极。 金电极与引出线烧结在一起,
为了减少测量误差,在陶瓷片外设 置由镍铬丝制成的加热线圈,以便对器 件加热清洗,排除恶劣气氛对器件的污 染。
氯化锂湿度—电阻特性曲线
在50%~80%相对湿度范围内,电阻 与湿度的变化成线性关系。 氯化锂湿敏元件的优点是滞后小, 不受测试环境风速影响,检测精度高达 ±5%,
但其耐热性差,不能用于露点以下 测量,器件性能重复性不理想,使用寿 命短。
9.2.2 半导体陶瓷湿敏电阻 用两种以上的金属氧化物半导体材
负特性材料的阻值均下降 3个数量级,
而正特性材料的阻值只增大了约一倍。
3. 典型半导瓷湿敏元件
(1)MgCr2O4-TiO2湿敏元件 氧化镁复合氧化物——二氧化钛湿敏
材料通常制成多孔陶瓷型“湿—电”转 换器件,
它是负特性半导瓷, MgCr2O4 为 P型半导体,它的电阻率低,阻值温 度特性好, 结构如图9-11所示。
水合程度高,其溶液中的离子导电能力
与浓度成正比。
当Hale Waihona Puke 液置于一定温湿场中,若环境相对湿度高,溶液将吸收水分,使浓度
降低,因此,其溶液电阻率增高。
反之,环境相对湿度变低时,则溶 液浓度升高,其电阻率下降,从而实现
对湿度的测量。
7 .0 6 .5
电阻值的对 数 /
吸附 脱附 1 5℃
6 .0 5 .5 5 .0 4 .5 4 .0 40 50 60 70 80 相 对 湿 度 / %R H 90
整个器件安装在陶瓷基片上,电
极引线一般采用铂—铱合金。
8 10
7 10
6 10
电 阻 /
5 10
2 0℃
4 10
相对湿度给出大气的潮湿程度,无
量纲,在实际使用中多使用相对湿度。
湿敏传感器是能够感受外界湿度变
化,并通过器件材料的物理或化学性质
变化,将湿度转化成有用信号的器件。
湿度检测较之其它物理量的检测困难。
1.空气中水蒸气含量要比空气少得 多;
2.液态水会使一些高分子材料和电 解质材料溶解,一部分水分子电离后与 溶入水中的空气中的杂质结合成酸或碱,