2类瓷介电容
贴片电容材质分类
贴片电容材质分类文稿归稿存档编号：[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II 类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
贴片电容COG、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别-cog与x7r
贴片电容COG、NPO 、X7R、Y5V、X5R介质区别在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一、NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
电容选用资料(2)瓷介电容器(公布)
三、瓷介电容器（一）概述1、电容器用陶瓷的分类方法：适合做电容器的陶瓷很多，为了生产和使用上的规范，将电容器用陶瓷材料按照其性能特点进行分类，分类的主要依据是介电常数ε、损耗角正切tgδ、频率特性、温度特性、电压特性等综合考虑，我国已有完整的电容器用陶瓷材料分类标准，将电容器瓷分成三类（1、2、3类），由此也将陶瓷电容器分成1、2、3类瓷介电容器。
通常将1类瓷称做高频瓷（顺电体陶瓷），2类瓷称为低频瓷（铁电体陶瓷），3类瓷称为半导体瓷。
2、电容器瓷的介电常数并非一个恒定值，是一个与温度有关的电参数，为了描述介电常数这种温度特性，对1类瓷用温度系数TC(也用α表示，单位10-6/℃)来表达，对2、3类瓷用介电常数ε随温度的变化率△ε/ε（%）来表达。
温度特性是各类陶瓷电容器瓷分组的主要依据。
3、陶瓷电容可以有引线，也可以无引线（比如MLCC：贴片陶瓷电容）；其包封材料可以是酚醛树脂（液体涂封）、环氧树脂（粉末涂装，兰色、红色、绿色各种颜色）、釉膜涂装（烧结涂装）。
4、相关词语解释：1）结构类似元件：用相同的工艺和材料制造的电容器，即使它们的外形尺寸和数值可能不同，也可以认为是结构类似的电容器。
2）初始制造阶段：单层电容器的初始制造阶段是形成电极的介质金属化（即被银瓷片生产）。
多层电容器的初始制造阶段是介质-电极叠压后的第一次共同烧结。
3）1类瓷介固定电容器：专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器。
例如，在电路中做温度补偿之用。
该类陶瓷介质是以标称温度系数来确定的。
4）2类瓷介固定电容器：适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。
5）3类瓷介固定电容器：是一种具有半导体特征的瓷介电容器。
该类电容器适于作旁路、耦合之用。
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。
【重磅】贴片电容COG、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别
贴片电容COG、NPO、R7R、R5V、R5R介质区别在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的R5R，R7R，R5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为R7R；能用级（Ⅲ）的介质材料R5V。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：R7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；R5P与R5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，R5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
下面我们仅就常用的NPO、R7R、Z5U和R5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVR公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、R7R、Z5U和R5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一、NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
瓷介电容的组成
瓷介电容是一种常见的电容器类型，它由以下几个主要组成部分构成：
1.瓷质介电材料：瓷介电容的名称中的"瓷"指的就是瓷质介电材料。
瓷质介电材料通常由
陶瓷或氧化物制成，例如二氧化铝(Al2O3)、钛酸锆(ZrTiO4) 等。
这些瓷质材料具有高介电常数和良好的绝缘性能。
2.两个金属电极：瓷介电容器的内部有两个金属电极，通常是以金属箔或金属涂层的方式
存在。
这两个电极分别与瓷质介电材料接触，并用于存储和传导电荷。
3.引线和外壳：瓷介电容器通常还包括引线和外壳。
引线连接在金属电极上，用于将电容
器连接到电路中。
外壳则起到保护内部元件和提供机械支撑的作用。
总的来说，瓷介电容的组成主要包括瓷质介电材料、两个金属电极、引线和外壳。
这些组成部分共同作用，使得瓷介电容器能够存储和释放电荷，实现电容功能。
电容的分类、作用及图解
结构：云母微调电容器由定片和动片构成，定片为固定金属片，其表面贴有一层云母薄片作为介质，动片为具有弹性的铜片或铝片，通过调节动片上的螺钉调节动片与定片之间的距离，来改变电容量。 云母微调电容器有单微调和双微调之分。
用途：应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。
12.瓷介微调电容器（CC）
8.金属化纸介电容器（CJ）
结构：金属化纸介电容器采用真空蒸发技术，在涂有漆膜的
纸上再蒸镀一层金属膜作为电极而成。
优点：与普通纸介电容相比，体积小，容量大，击穿后能自愈能力强。
常见有CJ10、CJ11等系列。
9.铝电解电容器（CD）
结构：有极性铝电解电容器是将附有氧化膜的铝箔（正极）和浸有电解液的衬垫纸，与阴极（负极）箔叠片一起卷绕而成。外型封装有管式、立式。并在铝壳外有蓝色或黑色塑料套。
用途： 一般应用于中、低频电路中。
常用的型号有CL11、CL21等系列。
3.聚苯乙烯电容器（CB）
结构：有箔式和金属化式两种类型。
用途： 一般应用于中、高频电路中。
常用的型号有CB10、CB11（非密封箔式）、CB14~16（精密型）、CB24、CB25（非密封型金属化）、CB80（高压型）、 CB40 （密封型金属化）等系列。
4.聚丙烯电容器（CBB）
结构：用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。有非密封式（常用有色树脂漆封装）和密封式（用金属或塑料外壳封装）两种类型。
用途： 一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容：CBB10、CBB11、CBB60、 CBB61 等；金属化式聚丙烯电容： CBB20、CBB21、CBB401 等系列。
14.空气可变电容器（CB）
质量等级说明
按质量认证标准，经中国电子元器件质量认证委员会认证合格的产品
补充说明：符合QZJ 8406XX“七专”技术条件的产品
工业级
B1
（军筛）
按军用标准的筛选要求进行筛选的B2质量等级的产品
补充说明：按“七九〇五”七专质量控制技术协议组织生产的产品
B2ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
执行国家标准或行业标准的工业级产品
商业级
C
低档产品，其它民用或未知筛选等级的产品
A5
在列入军用电子元器件合格制造厂目录（QML）的生产线生产的符合国军标的产品
混合集成电路
军品级
A6
符合国家标准，质量评定水平为K级产品（详见GB/T11498膜集成电路和混合膜集成电路分规范，用于鉴定批准和质量一致性检验的K级评定水平）；
补充说明：符合QZJ混合集成电路840616“七专”技术条件组织生产的产品
工业级
B1
（军筛）
符合国家标准，质量评定水平为L级产品（详见GB/T11498膜集成电路和混合膜集成电路分规范，用于鉴定批准和质量一致性检验的L级评定水平）；
补充说明：按“七九〇五”七专质量控制技术协议组织生产的产品
B2
符合国家标准，质量评定水平为M级产品（详见GB/T11498膜集成电路和混合膜集成电路分规范，用于鉴定批准和质量一致性检验的M级评定水平）
补充说明：按QZJ840614－840615 “七专”技术条件组织生产的Ⅰ(最高工作温度：125±3℃)、ⅠA类产品(最高工作温度：85±2℃)；符合SJ331的Ⅰ(最高工作温度：125±3℃)、ⅠA类产品(最高工作温度：85±2℃)
工业级
B1
（军筛）
按军用标准的筛选要求进行筛选的B2质量等级的产品；符合国家标准Ⅱ类产品（GB/半导体器件、分立器件和集成电路总规范：该类器件符合A组和B组逐批检验要求以及C组周期检验要求）；
2类陶瓷介质MLCC容量衰减特性
深圳市宇阳科技发展有限公司Ⅱ类陶瓷介质电容器容量衰减特性Ⅱ类陶瓷介质（包括X7R、X5R及Y5V特性类）的电容器使用的是铁电体材料。
当温度低于居里温度时，介质的立方晶体结构转为四方相，其对称性降低，晶体点阵中的离子会连续移动到势能较小的位置，引起电容量按对数规律随时间不断地减小，这一现象称为Ⅱ类陶瓷介质材料的老化现象，一般引用老化常数来表示，X7R/X5R材质的老化常数约-1％～-2％， Y5V材质的老化常数约-3％～-4％。
MLCC老化特性如下图所示：
上述现象是可逆的，在经过去老化（去老化条件：150℃、1h）后容量就可以恢复到初始值。
因此焊接时的高温对产品有去老化的作用，焊接后产品的容量会恢复到初始值。
深圳市宇阳科技发展有限公司。
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2类瓷介电容
瓷介电容是一种常见的电子元器件，广泛应用于各种电路中。
根据其
材料和结构的不同，可以将瓷介电容分为多个类别。
其中比较常见的
有2类，下面将对这两类瓷介电容进行详细介绍。
一、高频陶瓷介电容
高频陶瓷介电容是一种采用高纯度氧化铝等陶瓷材料制成的电容器。
由于其具有良好的高频特性和稳定性，因此广泛应用于各种高频电路中。
1.材料
高频陶瓷介电容主要采用氧化铝等高纯度陶瓷材料制成。
这些材料具
有良好的机械强度、耐腐蚀性和稳定性，可以在各种恶劣环境下使用。
2.结构
高频陶瓷介电容通常采用片式结构。
它由两个金属片夹持一块陶瓷片
组成，金属片上分别涂有导体层和绝缘层，形成两个极板。
当外加电
压时，在两个极板之间就会产生一个带有能量的场强，使得介质中的
电荷分布发生变化，从而形成电容器。
3.特性
高频陶瓷介电容具有良好的高频特性和稳定性。
它的电容值可以在很大范围内调整，而且不受温度和频率的影响。
此外，它还具有较低的损耗因子和较高的工作温度范围。
4.应用
高频陶瓷介电容广泛应用于各种高频电路中，例如射频放大器、滤波器、振荡器等。
由于其良好的高频特性和稳定性，可以保证电路的稳定运行。
二、多层陶瓷介电容
多层陶瓷介电容是一种采用多个薄片陶瓷片层堆叠而成的电容器。
由于其具有小体积、大电容值和优异的温度特性，因此被广泛应用于各种微型电子设备中。
1.材料
多层陶瓷介电容主要采用氧化铝等高纯度陶瓷材料制成。
这些材料具
有良好的机械强度、耐腐蚀性和稳定性，可以在各种恶劣环境下使用。
2.结构
多层陶瓷介电容由多个薄片陶瓷片层堆叠而成，每个薄片上都涂有导
体层和绝缘层。
这些薄片通过金属电极连接在一起，形成一个整体。
当外加电压时，在各个薄片之间就会产生一个带有能量的场强，使得
介质中的电荷分布发生变化，从而形成电容器。
3.特性
多层陶瓷介电容具有小体积、大电容值和优异的温度特性。
它的电容
值可以在很大范围内调整，而且不受温度和频率的影响。
此外，它还
具有较低的损耗因子和较高的工作温度范围。
4.应用
多层陶瓷介电容广泛应用于各种微型电子设备中，例如手机、平板电脑、数码相机等。
由于其小体积、大电容值和优异的温度特性，可以
满足微型设备对高性能元器件的要求。
总之，高频陶瓷介电容和多层陶瓷介电容是两种常见的瓷介电容。
它
们具有不同的材料、结构和特性，适用于不同的电路和设备。
在实际
应用中，需要根据具体情况选择合适的瓷介电容，并且注意其使用条件和限制，以保证电路的稳定运行。