第三代半导体面SiC碳化硅器件及其应用
第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用
第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用作者：王军喜刘喆魏同波，等来源：《新材料产业》 2014年第3期文/ 王军喜刘喆魏同波王国宏中国科学院半导体研究所一、第3代半导体材料概述第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后，近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。
第3代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝（AlN）等宽禁带化合物半导体为代表，其具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射能力等特点，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，在光电子领域和微电子领域相比前2代半导体更具优势。
第1代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率晶体管和探测器中，在未来一段时间，硅半导体材料的主导地位仍不会动摇。
但是硅材料的物理性质限制了其在光电子和高频功率器件上的应用，如其间接带隙的特点决定了它不能获得高的电光转换效率。
且其带隙宽度较窄（1.12eV），饱和电子迁移率较低（1450cm2/V·s）,不耐高温、高频和高辐射。
第2代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表。
砷化镓材料的电子迁移率是硅的6倍，具有直接带隙，故其器件相对硅器件具有高频、高速的光电性能，认为是新一代的通信用材料。
同时，其在军事电子系统中的应用日益广泛且不可替代。
然而，其禁带宽度范围只涵盖了1.35eV（InP）～2.45eV（AlP），只能覆盖波长506～918nm的红色光和更长波长的光，而无法满足中短波长光电器件的需要。
由于第2代半导体材料的禁带宽度不够大，击穿强度较低，极大地限制了其在高温、高频率、高功率器件中的应用。
另外由于GaAs材料的毒性，第2代半导体的应用可能引起环境污染问题，对人类健康产生潜在的威胁。
第3代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝（AlN）等宽禁带化合物半导体材料为代表。
碳化硅材料特性及其应用浅析
碳化硅材料特性及其应用浅析作者：王增泽来源：《新材料产业》2018年第01期一、碳化硅单晶特性以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，被称为第3代半导体材料。
与第1代、第2代半导体材料相比较，SiC具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点[1]。
SiC是目前发展最为成熟的宽禁带半导体材料之一，SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有明显的优势，其良好的性能可以满足现代电子技术的新要求，因此SiC被认为是半导体材料中最具有前途的材料之一[2]。
SiC由于与GaN的晶格常数及热膨胀系数相近（见表1），因此成为制造高端异质外延器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）、激光二极管（LDs）、发光二极管（LEDs）的理想衬底材料。
由于SiC材料拥有这些优异特性，许多国家相继投入了大量的资金对SiC进行了广泛深入的研究。
美国在20世纪末制订的“国防与科学计划”中就提出了关于宽禁带半导体的发展目标。
到2014年，美国联邦和地方政府提出全力支持以SiC半导体为代表的第3代宽禁带半导体，将拨款1.4亿美元用于提升美国在该新兴产业方面的国际竞争力。
近几年日本也有许多的动作，成立了新能源及工业技术发展组织，该组织发布了一系列基于SiC材料与器件的国家计划，主要发展高能量、高速度、高功率的开关器件。
我国在“十一五”重大专项“核高基”中也提出与国际同步开展宽禁带半导体功率器件研究，其中SiC单晶生长技术突破是最关键的。
SiC晶体的基本结构单元是Si-C四面体，如图1所示，原子间通过四面体SP3杂化结合在一起，并且有一定的极化。
目前，已发现的SiC晶型共有200多种，常见的晶型主要有3C、4H、6H及15R-SiC。
其中3C-SiC是立方结构，Si-C双原子层沿着[111]方向按照ABCABC……密堆方式排列；6H和4H-SiC均为六方结构，沿着[0001]方向堆垛，在[1120]投影方向，6H的排列次序为ABCACB……；4H的排列次序为ABCB……。
第三代半导体芯片的原料
第三代半导体芯片主要是指基于宽禁带半导体材料的芯片，这些材料具有较高的击穿电压、热稳定性和电子迁移率。
与传统的硅基半导体相比，第三代半导体在高温、高电压和高功率应用中表现出更好的性能。
第三代半导体芯片的主要原料包括：
1. 碳化硅（SiC）：碳化硅是一种典型的宽禁带半导体材料，具有高击穿电压、高热导率和低电子迁移率的特点。
碳化硅芯片适用于高功率和高温的应用，如电动汽车、可再生能源和工业自动化。
2. 氮化镓（GaN）：氮化镓同样是一种宽禁带半导体材料，具有更高的电子迁移率和更低的电阻率。
氮化镓芯片适用于高效率的电力电子转换和高速通信系统。
3. 氧化镓（Ga2O3）：氧化镓是另一种宽禁带半导体材料，其熔点较高，适用于高功率和高温环境下的应用。
4. 金刚石：虽然金刚石不是宽禁带半导体，但它是一种优秀的导热材料，可以用于散热applications。
这些材料在生产第三代半导体芯片时需要经过严格的加工和处理，包括晶体生长、切割、抛光、蚀刻、掺杂和封装等步骤。
第三代半导体芯片的研究和开发正在不断进展，有望在未来的电子和光电应用中发挥重要作用。
第三代半导体材料
第三代半导体材料
第三代半导体材料是指具有较高电子运动性能和导电性的新型材料，通常用于
替代传统的硅材料在电子器件中的应用。
这些材料在电子器件中具有更高的能带宽度和电子迁移率，因此可以实现更高的频率和功耗效率。
第三代半导体材料主要包括氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和氮化铟（InN）等。
氮化镓（GaN）
氮化镓是一种优良的半导体材料，具有较宽的能隙和高电子迁移率。
它在高功
率电子器件中广泛应用，如射频功率放大器、微波器件和光电子器件等。
氮化镓材料的高电子迁移率和高饱和漂移速度使其成为发展高频率高功率电子器件的理想选择。
碳化硅（SiC）
碳化硅是一种具有优良热导性和耐高温特性的半导体材料。
它被广泛应用于功
率电子器件和光电子器件中，如功率开关、脉冲功率放大器和光伏逆变器等。
碳化硅材料的高击穿电场强度和低导通电阻使其在高功率应用中具有较好的性能表现。
氮化铟（InN）
氮化铟是一种新型的半导体材料，具有较大的载流子迁移率和较高的载流子浓度。
它在光电子器件领域有着广泛的应用，如激光器、光探测器和光伏电池等。
氮化铟材料的优良光电性能使其成为实现高效能源转换和光通信的重要材料之一。
第三代半导体材料的出现为电子器件的性能提升和功能拓展提供了新的可能性，将推动电子科技领域的持续发展和创新。
随着对半导体材料性能要求的不断提高，第三代半导体材料必将在未来的电子设备中发挥越来越重要的作用。
第三代半导体SIC MOSFET 碳化硅MOS管产品应用介绍,国产替换：罗姆 ROHM-科锐 CERR
32A
16A
200～450V
20A
10A
6.6kw
85～265V
3.3kw
95%
300X210X78mm
116X180X295mm
水冷 6.5kg -40℃～+80℃ 5%～95% CAN
15kW特种移动充电机
工作电压 额定输入电流
功率因素 THD
输出电压范围 输出功率 稳定精度 最高效率
本体尺寸（宽X深X高） 工作温度 湿度 冷却方式 通讯方式 保护功能
TO268-7L ASC100N650MB ASC50N650MB ASC30N650MB ASC15N650MB ASC60N900MB ASC30N900MB ASC20N900MB ASC60N1200MB ASC30N1200MB
Bare Chip ASC100N650MB ASC50N650MB ASC30N650MB ASC15N650MB ASC60N900MB ASC30N900MB ASC20N900MB ASC60N1200MB ASC30N1200MB
主要应用：高频/高压/高功率电源 产品特性：
● 新能源车充电：EV Charging
● 塑封品结温175°C ，最高芯片结温高达300°C
● 高压逆变应用： DC/DC Converters ● 优良品质因子FOM，适合高频应用
● 功率因素校正电源：PFC
● 高电压应用下具有低导通损耗
● 电机驱动：Motor Drives
● 导通特性正温度特性，易并联驱动
SiC MOSFET产品系列：
Vds 650V
900V 1200V
Rdson 20mohm 50mohm 100mohm 200mohm 30mohm 60mohm 100mohm 40mohm 80mohm
第三代半导体封装技术
第三代半导体封装技术随着科技的发展，半导体技术在各个领域都得到了广泛的应用。
而半导体封装技术作为半导体产业链的重要环节，也在不断地进行创新和进步。
第三代半导体封装技术作为最新的封装技术，具有独特的优势和前景。
本文将从材料、工艺和应用等方面介绍第三代半导体封装技术的特点和发展趋势。
第三代半导体封装技术使用了新型的材料，如氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等。
与传统的硅材料相比，这些新材料具有更高的热导率和更好的电学特性，能够在更高的温度和功率条件下工作。
而且，这些材料的能带结构和晶格匹配性也更好，可以提高器件的性能和可靠性。
因此，第三代半导体封装技术可以实现更高的功率密度和更小的尺寸，适用于高性能和高可靠性的应用场景。
第三代半导体封装技术采用了先进的工艺方法，如3D封装和多芯片封装等。
3D封装可以将多个芯片垂直堆叠在一起，减小封装的体积和重量，提高系统的集成度和性能。
而多芯片封装则可以将不同功能的芯片集成在一个封装器件中，实现更高的功能密度和更低的功耗。
此外，第三代半导体封装技术还可以提供更好的散热和抗干扰性能，提高系统的可靠性和稳定性。
第三，第三代半导体封装技术在各个领域都有广泛的应用。
在通信领域，第三代半导体封装技术可以实现更高的频率和更快的数据传输速度，支持5G通信和高速光纤通信等应用。
在汽车电子领域，第三代半导体封装技术可以实现更高的功率密度和更好的抗振动性能，适用于电动汽车和自动驾驶等应用。
在工业控制和医疗设备领域，第三代半导体封装技术可以实现更高的可靠性和更小的尺寸，满足高要求的工作环境和医疗设备的需求。
第三代半导体封装技术具有独特的材料、工艺和应用优势，将在未来的半导体封装领域发挥重要作用。
随着半导体技术的不断进步和创新，第三代半导体封装技术将会得到更广泛的应用和推广。
我们期待着第三代半导体封装技术在各个领域的突破和发展，为人类社会的进步和发展做出更大的贡献。
第三代功率半导体器件
第三代功率半导体器件是指采用宽禁带半导体材料制成的高性能电力电子器件，其工作频率高、耐高温、损耗低、开关速度快，具有显著优于传统硅基半导体的优势。
这类半导体材料主要包括碳化硅（Silicon Carbide, SiC）和氮化镓（Gallium Nitride, GaN）。
- 碳化硅（SiC）：拥有3.2 eV以上的禁带宽度，远高于硅的1.1 eV，因此在高温下性能更稳定，能够承受更高的电压和更大的电流密度，并且导通电阻小，开关损耗低，适合用于高压大功率设备，如电动汽车充电系统、光伏逆变器、工业驱动器等。
- 氮化镓（GaN）：禁带宽度为3.4 eV左右，与SiC相似，也属于宽带隙半导体。
GaN器件尤其在高频应用领域表现突出，可实现更高的工作频率和更快的开关速度，适用于电源转换器、射频通信、数据中心电源以及无线充电等领域。
第三代半导体器件的应用极大地提升了电力电子系统的效率和功率密度，对于节能减排和绿色能源的发展起到关键推动作用。
同时，它们还在军事、航空航天等领域有着广阔的应用前景。
第三代半导体材料 集成电路
第三代半导体材料集成电路随着科技的不断进步和应用领域的扩大，半导体材料作为电子工业的基础，被广泛应用于集成电路等领域。
而在半导体材料领域，第三代半导体材料的发展已成为研究的热点之一。
本文将重点介绍第三代半导体材料及其在集成电路领域的应用。
一、第三代半导体材料第三代半导体材料是相对于传统半导体材料而言，替代传统半导体材料的一种新型半导体材料。
第三代半导体材料的出现，一方面是为了解决传统半导体材料在功率、速度等方面的限制，另一方面也为了更好地满足电子器件对绿色环保的要求。
1、化合物半导体材料化合物半导体材料主要包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等。
其中，氮化镓主要应用于高电源和高频率，碳化硅主要应用于高温和高功率领域。
在集成电路方面，化合物半导体材料的高硬度和高反应性，使得在芯片电路的制作中具有更好的耐久性和加工性能。
2、有机半导体材料有机半导体材料主要是指具有半导体性质的有机材料。
常见的有机半导体材料包括聚合物、小分子材料等。
相对于传统半导体材料而言，有机半导体材料具有更低的成本、更高的可塑性和宽广的应用领域。
有机半导体材料主要应用于平面显示器、生物传感器等领域。
3、无机非晶材料无机非晶材料主要是指没有晶体结构的半导体材料。
这类材料除具有传统半导体的性质外，还具有更好的冲击耐性和耐化学腐蚀性能。
同时，无机非晶材料具有较高的光学散射能力，是太阳能电池和LED灯等高性能光电器件的理想材料选择。
二、第三代半导体材料在集成电路领域的应用随着集成电路领域的不断发展，第三代半导体材料也被广泛应用于芯片电路的制作中，以满足电子器件对功率、速度、耐久性等不同方面的需求。
1、高耐受性芯片电路第三代半导体材料在制作高耐受性芯片电路方面有着优异的性能表现。
在高温、高性能条件下，采用化合物半导体材料制造的芯片电路具有更好的耐受性和更强的电学特性，可以用于制作高速电子器件和高功率电子器件等。
2、绿色环保芯片电路传统半导体材料的加工过程会产生大量的污染物和废弃物，对环境造成很大的压力。
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件)器及其应用i三第代半导体面-SC(碳化硅以其优良的物理化学特性和电特性成为制SiC作为一种新型的半导体材料，造短波长光电子器件、高温器件、抗辐照器件和大功率／高额电子器件最重器件的特性要的半导体材料．特别是在极端条件和恶劣条件下应用时，SiC器件和各类传感器已逐步成为SiCGaAs器件．因此，远远超过了Si器件和关键器件之一，发挥着越来超重要的作用．从20世纪80年代起，特别是1989年第一种SiC衬底圆片进入市场以来，SiC器件和电路获得了快速的发展．在某些领域，如发光二极管、高频大功率和高电压器件等，SiC器件已经得到较广泛的商业应用．发展迅速．经过近10年的发展，目前SiC器件工艺已经可以制造商用器件．以Cree为代表的一批公司已经开始提供SiC器件的商业产品．国内的研究所和高校在SiC材料生长和器件制造工艺方面也取得厂可喜的成果．虽然SiC材料具有非常优越的物理化学特性，而且SiC器件工艺也不断成熟，然而目前SiC器件和电路的性能不够优越．除了SiC材料和器件工艺需要不断提高外．更多的努力应该放在如何通过优化S5C器件结构或者提出新型的器件结构以发挥SiC材料的优势方面．1 SiC分立器件的研究现状目前．SiC器件的研究主要以分立器件为主．对于每一种器件结构，共最初的研究部是将相应的Si或者GaAs器件结构简单地移植到SiC 上，而没有进行器件结构的优化．由于SiC的本征氧化层和Si相同，均为SiO2，这意味上制造出来．尽管只是简SiC帕型器件都能够在M 器件特别是Si着大多数．单的移植，可是得到的一些器件已经获得了令人满意的结果，而且部分器件已经进入厂市场．SiC光电器件，尤其是蓝光发光二极管在20世纪90年代初期已经进入市场，它是第一种大批量商业生产的SiC器件．日前高电压SiC肖特基二极管、SiC射频功率晶体管以及SiC MOSFET和MESFET等也已经有商业产品．当然所有这些SiC产品的性能还远没有发挥SiC材料的超强特性，更强功能和性能的SiC器件还有待研究与开发．这种简单的移植往往不能完全发挥SiC材料的优势．即使在SiC器件的一些优势领域．最初制造出来的SiC器件有些还不能和相应的Si或者CaAs器件的性能相比．为了能够更好地将SiC材料特性的优势转化为SiC器件的优势，目前正在研究如何对器件的制造工艺与器件结构进行优化或者开发新结构和新工艺以提高SiC器件的功能和性能．1．1 SiC肖特基二极管肖特基二极管在高速集成电路、微波技术等许多领域有重要的应用．由于肖特基二极管的制造工艺相对比较简单，所以对SiC肖特基二极管的研究较为成熟．普渡大学最近制造出了阻断电压高达4．9kV 的4H-SiC肖特基二极管，特征导通电阻为43mΩ?c㎡，这是目前SiC 肖特基二极管的最高水平．通常限制肖特基二极管阻断电压的主要因素是金—半肖特基接触边沿处的电场集中．所以提高肖特基二极管阻断电压的主要方法就是采用不同的边沿阻断结构以减弱边沿处的电场集中．最常采用的边沿阻断结构有3种：深槽阻断、介质阻断和pn结阻断．普放大学采用的方法是硼注入pn结阻断结构，联合研制Kansai和Cree月4年2000．Ti，Ni所选用的肖特基接触金属有．出一只击穿电压高达12．3kV的SiC整流器，主要采用了新的外延工艺和改进的器件设计．该器件具有很低的导通电阻，正向导通电压只有4.9 V ,电流密度高，可以达到100A／c㎡，是同类Si器件的5倍多.1.2 SiC功率器件由于SIC的击穿电场强度大约为Si的8倍．所以SiC功率器件的特征导通电阻可以做得小到相应Si器件的1/400．常见的功率器件有功率MOSFET、IGBT以及多种MOS控制闸流管等．为了提高器件阻断电压和降低导通电阻，许多优化的器件结构已经被使用．表1给出了已报道的最好的SiC功率MOSFET器件的性能数据Si功率MOSFET的功率优值的理论极限大约为5MW／㎡．除了横向DM0SFET因为特征导通电阻较高而使得优值较小外，其他SiC功率器件的功率优值均大于Si功率MOSFET器件的理论极限，特别是普渡大学制造的UMOS累积型FET的大功率优值是Si极限值的25倍．1．3 SiC开关器件到目前为止，SzC开关器件，无论是MOSFETs还是半导体闸流管，通常都是采用纵向器件结构，用衬底作为阴极．关态时，电压被一个反偏的pn结阻断．为了获得更高阻断电压，该pn的一边即“漂移区”很厚，而且掺杂浓度要低，所以纵向SiC功率开关器件的阻断电压主要依赖于漂移区的掺杂浓度和厚度．漂移区厚度一定时，不管掺杂浓度如何，总存在一个最大可能的阻断电压．然而至今，所能获得的SiC外延层的厚度最大只有10μm这就决定了最大可能的阻断电压大约为1600V．有效克服这一限制的方法就是改变器件的结构，即采用横向器件结构．普渡大学已经采用横向器件结构制造出，然后在外延SiC型n讨底上外延SiC—4H．首先在绝缘DMOSFETs了横向．层上制造器件．显然，横向器件结构的最大阻断电压不受外延层厚度的限制，采用这种结构已经制造出了阻断电压高达2．6kV的LDMOSFETs．然而目前的横向LDMOSFET的特征导通电阻还比较高，这主要是因为当用横向结构代替纵向结构时．所需的器件面积将会增大．如果能够把减小表面电场概念和器件设计结合起来，那么导通电阻能够做得比相应的纵向器件还低．1．4 SiC微波S件SiC的高饱和漂移速度、高击穿场强和高热导率特性使得SiC成为1--10GHz范围的大功率微波放大器的理想材料．短沟道SiC MESFETs 的特征频率已经达到22GHz．最高指荡频率f可以达到50GHz．静电感应晶体管(SITs)在600MHz时功率可以达到470W(功率密度为1．36W／mm)，3GHz时功率为38W(1．2W／mm)．由于SiC的热导率很高(GaAs的]0倍，GaN的3倍)，工作产生的热量可以很快地从衬底散发．通过改进器件结构，SiC SITs的特征频率目前可以达到7GHz．最近普渡大学在半绝缘4H—SiC上制造出了一种亚微米T型栅MESFETs，饱和漏电流为350mA／mm，跨导为20m5／mm，漏击穿电压为120V，最大可获得的射频功率密度为3．2W／mm．1. 5 SiC器件的高温特性SiC器件在300°C以上高温条件下的工作特性也被大量研究，NASA 制造的6H—SiC掩埋栅JE2T在600°C高温下表现出很好的低泄漏开关特性．然而，该器件在此高温下只工作了30个小时，器件发生了很小的退化，退化原因是接触金屑的氧化．但是当SiC器件在惰性气体环境中工作，在600°C高温下寿命要长得多．只要改善工艺控制的精确性并解决好接触金属和封装问题，.器件的高温寿命就会大大提高SiC．2 SiC集成电路的研究现状与S1C分立器件追求高电压、大功率、高频以及高温特性不同，SiC 集成电路的研究目标主要是获得高温数字电路，用于智能功率ICs的控制电路．由于SiC集成电路工作对内部电场很低，所以微管缺陷的影响将大大减弱，这可以从第一片单片SiC集成运算放大器芯片得到验证，实际成品宰远远高于微管缺陷所决定的成品率，因此，基于SiC的成品率模型与Si和CaAs材料是明显不同的．该芯片是基于耗尽型NMOSFET技术．主要是因为反型沟道SiC MOSFETs的有效载流子迁移率太低．为了提高Sic的表面迁移率，就需要对SiC的热氧化工艺进行改进与优化．美国普渡大学在SiC集成电路方面做了大量工作．1992年研制成功厂基于反型沟道6H—SiC NMOSFETs单片数字集成电路．该芯片包含与非门、或非门、同或门、二进制计数器和半加器电路，在25°C 到300°C的温度范围内均可正常工作．1995年采用钒注入隔离技术制造出第一个SiC平面MESFET Ics通过精确控制钒的注入量，可以获得绝缘SiC．在数字逻辑电路中，CMOS电路比NMOS电路具有更大的吸引力．1996年9月制造出第一片6H—SiC CMOS数字集成电路．该器件使用了注入n阶和淀积氧化层，但是由于其他的工艺问题，该芯片中PMOSFETs的阂值电压太高．在1997年3月制造第二代SiC CMOS 电路时．采用了注入p阱和热生长氧化层工艺．通过工艺改进得到的PMOSEFTs的阂值电压大约为-4．5v．该芯片上所有的电路都能在室温到300°C范围内很好地工作，采用单一电源供之间的任意电压．5--15V电，电源电压可以为随着衬底圆片质量的提高，将能制造出功能更强和成品率更高的集成电路．然而，当SiC材料和工艺问题基本解决以后，器件和封装的可靠性问题将上升为影响高温SiC集成电路性能的主要因素.3 SiC器件的应用现状SiC器件在高温、高频、大功率、高电压光电子及抗辐照等方面具有巨大的应用潜力．3．1 SiC器件在高温环境中的应用在航空航天和汽车设备中，电子器件经常要在高温下工作，如飞机发动机、汽车发动机、在太阳附近执行任务的航天器以及卫星中的高温设备等．使用通常的Si或者GaAs器件，因为它们不能在很高的温度下工作，所以必须把这些器件放在低温环境中，这里有两种处理方法：一种是把这些器件放在远离高温的地方，然后通过引线和连接器将它们和所需控制的设备连接起来；另一种是把这些器件放在冷却盒中，然后放在高温环境下．很明显，这两种方法都会增加额外的设备，增加了系统的质量，减小了系统可用的空间，使得系统的可靠性变差．如果直接使用可以在高温下工作的器件，将可以消除这些问题．SIC器件可以直接工作在3M—枷Y，而不用对高温环境进行冷却处理．SiC电子产品和传感器能够被安装在炽热的飞机发动机内部和其表面上，在这种极端工作条件下它们仍然能够正常发挥功能，大大减轻了系统总质量并提高可靠性．基于SiC器件的分布控制系统可以消除在传统的电子屏蔽控制系统中所用引线和连接器的90％．这一点极为重要，因为在当今的商用飞机中、引线和连接器问题是在停工检修时最经常遇到的问题．根据美国空军的评估，在F—16战斗机中使用先进的SiC电子产品，将使该飞机的质量减轻几百公斤，工作性能和燃料效率得到提高，工作可靠性更高，维护费用和停工检修期大大减少．同样，SiC电子器件和传感器也可以提高商用喷气客机的性能，据报测对每架客机附加的经济利润可以达到数百万美元．同样，SiC高温电子传感器和电子设备在汽车发动机上的使用将能做到更好的燃烧监控与控制，可以使汽车的燃烧更清洁、效率更高．而且，SiC发动机电子控制系统在125°C以上也能很好地工作，这就减少了发动机隔箱内的引线和连接器的数量，提高汽车控制系统的长期可靠性．现在的商用卫星需要散热器去驱散航天器电子器件所产生的热量，并且需要防护罩来保护航天器电子器件免受空间辐射的影响．由于SiC 电子器件不但可以在高温下工作，而且具有很强的抗幅照特性，所以SiC电子器件在航天器上的使用能够减少引线和连接器的数量以及辐射防护罩的大小和质量．如果发射卫星到地球轨道的成本是以质量计，那么使用SiC电子器件减轻的质量可以提高卫星工业的经济性和竞争力．使用高温抗辐照SiC器件的航天器可以用来执行太阳系周围的更具挑战性的任务．将来，当人们在太阳周围和太阳系内行星的表面执行任务时，具有优良高温和抗辐射特性的SiC电子器件将发挥关键性的作用、对于在太阳附近工作的航天器来讲，SiC电子器件的使用可以减少航天器的防护和散热设备，于是在每一个运载工具中可以安装更多的科学仪器．3．2 SiC器件的微波应用器件除了可以在高温下工作以外，还具有很多优良的微波特性。