2010暨南大学电子技术基础考题
(完整版)电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
电子技术基础与技能考试题(附答案)
电子技术基础与技能考试题（附答案）一、单选题（共46题，每题1分，共46分）1.温度影响了放大电路中()的参数，从而使静态工作点不稳定。
A、三极管B、电阻C、电容D、电源正确答案：A2.要七段共阳数码管要显示字母b，则abcdefg分别为A、1101111B、0110000C、0010000D、1010000正确答案：B3.常用的74××系列是指A、TTL器件B、CMOS器件C、NMOS器件D、PMOS器件正确答案：A4.十进制数126转换为二进制数为A、1111110B、1111010C、1111101D、1101110正确答案：A5.单相整流电路实现整流是利用二极管的A、稳压特性B、光电特性C、单向导电性D、变容特性正确答案：C6.接成二十九进制计数器需要的同步十进制计数器74160的片数为A、1B、2C、3D、4正确答案：B7.在三个输入量只有1个为1或3个全为1时，输出为1，实现这一功能的组合逻辑电路是A、加法器B、数据比较器C、编码器D、奇校验器正确答案：D8.在相同的时钟脉冲作用下，同步计数器与异步计数器比较，前者的工作速度A、较快B、较慢C、一样D、不确定正确答案：A9.下列触发器中，没有克服空翻现象的有A、维持组塞D触发器B、JK触发器C、同步RS触发器D、主从RS触发器正确答案：C10.下列关于电容滤波电路的叙述中，正确的是A、电路的滤波，利用了电容器的B、电路的滤波，利用了电容器的C、电容器充电时，输出电压下降；D、电容量C越大，滤波效果越差。
正确答案：B11.74LS161是()进制加计数器。
A、异步、十六B、同步、十六C、异步、二D、同步、二正确答案：B12.若使主从JK触发器的输出状态由1变为0，则应使A、1→0时，JK=10B、1→0时，JK=01C、0→1时，JK=10D、0→1时，JK=01正确答案：B13.CT74LS194工作时，应在电源VCC和地之间接入A、电阻B、电感C、电容D、无正确答案：C14.以下关于理想集成运放的各种表述中，错误的是A、开环共模电压放大倍数无穷大B、共模抑制比无穷大C、线性应用时，有“虚短”概念D、线性应用时，有“虚断”概念正确答案：A15.在钟控同步RS触发器中，当RS取值不同时，则Q=A、RB、1C、SD、0正确答案：C16.模拟信号是指A、在数值上和时间上均不连续变化的信号B、在数值上和时间上均连续变化的信号C、在数值上连续、时间上不连续变化的信号D、在数值上不连续、时间上连续变化的信号正确答案：B17.下列不属于组合逻辑电路的有A、数据分配器B、计数器C、编码器D、译码器正确答案：B18.二极管正极电位为9V，负极电位为5V，则该管处于A、正偏B、零偏C、击穿D、反偏正确答案：A19.主从JK触发器的初态为0，JK=11时，经过2n+1个触发脉冲后，输出状态为A、在0、1间翻转，最后为1B、在0、1间翻转，最后为0C、一直为1D、一直为0正确答案：A20.下列关于扇出系数描述正确的是A、门电路输出电压由0跳变到1时的传输延迟时间B、门电路的输出电压C、门电路输出电压由1跳变到0时的传输延迟时间D、门电路正常工作时能驱动同类门的数目正确答案：D21.当二极管工作在正向特性区，且所受正向电压大于其死区电压时，则二极管相当于A、大电阻B、断开的开关C、大电容D、接通的开关正确答案：D22.74LS192是()进制可逆计数器。
全国2010年7月自学考试电子技术基础(三)试题
全国2010年7月自学考试电子技术基础（三）试题1全国2010年7月自学考试电子技术基础（三）试题课程代码：04730一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.下列关于理想电压源特性的描述中，正确的是（）A.理想电压源的信号源内阻趋于无穷大B.理想电压源任何时候都可以并联在一起C.理想电压源的输出电压与负载有关D.流过理想电压源的电流与负载有关2.已知流过感抗ωL=2Ω的相量电流为I =102∠30°mA，则其两端的相量电压为（）A.︒∠=0220U （mV） B.︒∠=120220U （mV）C.︒∠=30220U （mV） D.︒-∠=60220U （mV）3.设电容C=1μF，电容两端的电压为cos(100πt)(mV)，则流过该电容的电流为（）A. (A))π100(sinπ101)(6t.ti c-⨯-= B. (A))π100(sinπ101)(6t.ti c-⨯=C. (A))π100(sin101)(6t.ti c-⨯-= D. (A))π100(sin101)(6t.ti c-⨯=4.P型半导体中的多数载流子是（）A.自由电子B.空穴C.三价杂质原子D.三价杂质离子5.已知某晶体三极管的三个电极电位如题5图所示，则该晶体管的类型为（）A.pnp型锗管B.npn型锗管C.pnp型硅管D.npn型硅管全国2010年7月自学考试电子技术基础（三）试题26.理想运放的开环电压放大倍数A ud 和差模输入电阻R id 分别为（ ） A. A ud =0，R id =0 B. A ud =∞，R id =0 C. A ud =0，R id =∞D. A ud =∞，R id =∞7.在同相比例运算电路中，下列说法正确的是（ ） A. u +=u -=0，共模输入信号u ic =0 B. u +=u -=0，共模输入信号u ic =u i C. u +=u -=u i ，共模输入信号u ic =u iD. u +=u -=u i ，共模输入信号u ic =08.下列关于整流电路的说法中，错误．．的是（ ） A.整流电路主要利用二极管的单向导电性来工作 B.整流电路的输出为单向脉动直流电 C.整流电路的输出信号中仍含有交流成分 D.整流电路的输出信号中不含有交流成分9.在带电容滤波的单相桥式整流电路中，如果电源变压器副方电压的有效值为100V ，则输出电压为（ ） A. 120V B. 100V C. 90VD. 45V10.表达式0 A 的值为（ ） A. A B. A C. 1D. 0 11.下列选项中，与十进制数(177)10相等的数是（ ） A. (101110111)2 B. (10100001)2C. (B1)16D. (000101100111)8421BCD12.或非门的逻辑功能为（ ） A.输入有0，输出为0；输入全1，输出为1 B.输入有0，输出为1；输入全1，输出为0 C.输入全0，输出为1；输入有1，输出为0 D.输入全0，输出为0；输入有1，输出为1 13.下列器件中，属于组合电路的是（ ） A.计数器和全加器 B.寄存器和数据比较器 C.全加器和数据比较器D.计数器和数据选择器 14.仅具有“置0”、“置1”功能的触发器称为（ ） A. JK 触发器 B. RS 触发器 C. D 触发器D. T 触发器全国2010年7月自学考试电子技术基础（三）试题315.简单可编程逻辑器件PLA ，其结构特点是（ ） A.可编程与阵列和固定或阵列 B.固定与阵列和可编程或阵列 C.可编程与阵列和可编程或阵列D.固定与阵列和固定或阵列二、填空题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)请在每小题的空格中填上正确答案。
电子技术基础试题库及参考答案
电子技术基础试题库及参考答案试卷一一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题，总计34分)1、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为 ( )。
(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门A2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大，反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。
(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈R-∞＋R4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（）。
(a) O 点(b) A 点(c) B 点(d) C 点U omfm5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示，其振荡频率为（ ）。
(a)f L C C C C o ≈+121212π() (b) f L C C C C o ≈+121212π()(c) f L C C C C o ≈+11212()+U CC6、(本小题2分)整流电路如图所示， 直流电压表V （内阻设为无穷大） 的读数均为90 V ，二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中（ ）。
～～D ()a7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大， 则正向转折电压 （ ）。
(a) 由大变小 (b) 由小变大 (c) 保持不变 8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号（D7 ~ D0），输出为 0~25.5V 的模拟电压。
若数字信号的最低位是“1” 其余各位是“0”， 则输出的模拟电压为( )。
(完整版)电子技术基础试题及答案10套.
电子技术基础试题(八)一、填空题(每题3分，共30分)1、PN结具有单向导电特性性能。
2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_增大_。
3、射极输出器放在中间级是兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。
4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s 相等时，负载获得的功率最大，这种现象称为阻抗匹配。
5、运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。
6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放，乙类功放和甲乙类功放电路。
7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流I BQ，以减少交越失真。
8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和_调整元件_四个部分组成。
9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、_逻辑加和_逻辑非_。
10、主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。
二、选择题(每题3分，共30分)1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( C)。
A.零偏B.反偏C.正偏2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：( A)。
A.集电极电流减小B.集电极与发射极电压V CE上升C.集电极电流增大3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( B )。
A.3A VB.A3VC.A V3/3D.A V4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：( A)。
A.保证电路满足振幅平衡条件B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：( C)。
A.有交越失真B.易产生自激C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( B)。
暨南大学820数字电子技术2010--2015,2017,2019-2020年考研专业课真题
2019年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题********************************************************************************************招生专业与代码：光学工程（080300） 研究方向： 考试科目名称：（820）数字电子技术考生注意：所有答案必须写在答题纸（卷）上，写在本试题上一律不给分。
一、单项选择题（共10小题，每小题3分，共30分）1. 下列几种A/D 转换器中，转换速度最快的是（ ）。
A 、并行A/D 转换器B 、计数型A/D 转换器C 、逐次渐进型A/D 转换器 D 、双积分A/D 转换器2．以下式子中不正确的是（ ）A ．1•A ＝AB ．A ＋A=AC ．B A B A +=+D ．1＋A ＝1 3．已知某触发器的特性表如下（A 、B 为触发器的输入）其输出信号的逻辑表达式为( )。
A B Q n+1 说明 0 0 Q n 保持 0 1 0 置0 1 0 1 置1 11Q n翻转A ． Q n+1 ＝A B. n n 1n Q A Q A Q +=+ C. n n 1n QB Q A Q +=+ D. Q n+1 ＝ B4． 8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当有效输入优先级别最高为I 5时，其输出012Y Y Y ••的值是（ ）。
A ．111 B. 010 C. 000 D. 101考试科目： 数字电子技术 共 4 页，第 1 页5．电路如下图（图中为下降沿Jk触发器），触发器当前状态Q3 Q2 Q1为“011”，请问时钟作用下，触发器下一状态Q3 Q2 Q1为（）A．“110” B．“100” C．“010” D．“000”6．有符号位二进制数的原码为（11101），则对应的十进制为（）。
A、-29B、+29C、-13D、+137．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（）个。
《电子技术基础》期末试题(附答案)
《电子技术基础》期末试题（附答案）一、填空题（每空1分，共100分）1、将交流电变成直流电的过程叫整流。
2、整流器一般由整流变压器、整流电路、滤波电路。
3、常用的单相整流有单相半波整流、单相桥式整流等几种。
4、整流电路按被整流的交流电相数，可分为单相整流与三相整流两种，按整流后输出的电压电流的波形，又可分为半波整流与全波整流两种。
5、在变压器二次侧电压相同的情况下，全波整流的输出电压比半波整流高1倍，而且脉动小。
6、在三相整流电路中，在某时刻，只有正极电位最高和负极电位最低的二极管才能导通。
7、三相桥式整流电路适宜工作在高电压、脉动小场合。
8、所谓滤波，就是保留脉动脉动中的直流成分，尽可能滤除其中的交流成分，把脉动直流变成平滑直流的过程。
9、常用的滤波电路有电容滤波、电感滤波、复式滤波等几种，滤波电路一般接在整流电路的后面。
10、滤波电路中，滤波电容和负载并联，滤波电感和负载串联。
11、电容滤波是利用电路中电容充电速度快，放电速度慢的特点，使脉动直流电压变的平滑，从而实现滤波的。
12、负载电阻的阻值越大，电容C的容量越大，电容滤波的效果越好。
13、电容滤波适用于小负载，电感滤波适用于大负载场合。
14、选用整流二极管时，主要考虑最高反向电压、最大电流。
15、整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。
16、所谓稳压电路，就是当电网电压波动或负载发生变化，能使输出电压稳定的电路。
17、硅稳压管在电路中，它的正极必须接电源的负极，它的负极接电源的正极。
18、电压调整件和负载串联的稳压电路叫串联型稳压电路。
19、串联型稳压电路包括基准电压、取样电压、比较放大电路和调整器件等几部分。
20、常用的稳压电路有三种类型：即串联稳压电路、并联稳压电路、和开关型稳压电路21、硅晶体闸流管简称，俗称。
22、晶闸管有三个电极：、和。
23、晶闸管有个ＰＮ结，单结管有ＰＮ结。
24、电阻性负载单相半波角可控整流电路的最大控制角为，最大导通角为，最大移相范围是。
电子技术基础习题答案
三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数 。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
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2010暨南大学电子技术基础考题.txt 学科、专业名称：081001 通信与信息系统、081002 信号与信息处理、430109 电子与通信工程研究方向：01 光电子与光通信、02 通信网络与信息系统、03 微电子器件与集成电路设计、 04 多媒体技术与信息安全、05 无线通信与传感技术；01 机器人与测控系统、02 量子信息与量子系统、信息技术与智能仪器、通信信号处理及 SoC 设计、图像处理与应用系统； 03 04 05 01 光通信与无线通信、02 网络与多媒体技术、03 微电子技术与集成电路设计、04 测控系统与智能仪器、05 信息系统与信息处理技术考试科目名称：823 电子技术基础考生注意：所有答案必须写在答题纸（卷）上，写在本试题上一律不给分。
错者打“一、判断下列说法是否正确，凡对者打“√”，错者打“×”，判断下列说法是否正确，凡对者打“小题, （答案必须写在答题纸上）。
(共 10 小题,每小题 2 分,共 20 分) 答案必须写在答题纸上） 1．一个理想对称的差分放大电路，既能放大差模输入信号，也有可能．一个理想对称的差分放大电路，能放大差模输入信号，也有可能放大共模输入信号。
放大共模输入信号。
2、场效应管依靠电场控制漏极电流,故不能称为电压控制器件。
场效应管依靠电场控制漏极电流, 不能称为电压控制器件。
电场控制漏极电流称为电压控制器件 3、电流源作为放大电路的有源负载可以取代大直流供电电源。
电流源作为放大电路的有源负载可以取代大直流供电电源。
4、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
5、空间电荷区内的位移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
空间电荷区内的位移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
位移电流是少数载流子在内电场作用下形成的 6、放大电路的输出电阻与负载有关。
放大电路的输出电阻与负载有关。
互补电路不会产生交越失真。
不会产生交越失真 7、由对称晶体管构成的 OCL 互补电路不会产生交越失真。
对称晶体管构成的 8、采用通用型集成运放组成的有源滤波电路常作为高频滤波电路。
、采用通用型集成运放组成的有源滤波电路常作为高频滤波电路。
集成运放组成的有源滤波电路常作为高频滤波电路 9、放大电路级数越多，引入负反馈后就越难产生高频自激振荡。
、放大电路级数越多，引入负反馈后就越难产生高频自激振荡。
10、理想集成运放总是具有虚开路特性。
、理想集成运放总是具有虚开路特性。
考试科目：823 电子技术基础共 8页，第1 页小题, 二、填充（答案须写在答题纸上）(共 5 小题,每小题 2 分,共 10 分) 填充（答案须写在答题纸上）须写在答题纸上 1、由双极型晶体管构成的单级放大器, 如果将发射极与集电极对调, 由双极型晶体管构成的单级放大器, 如果将发射极与集电极对调, 它们的增益会。
它们的增益会。
10kHz～ 12kHz 2 、如果输入信号的频率为 10kHz ～ 12kHz ，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
0.01， 1000， 3、某差分放大器的共模增益为 0.01，差模增益为 1000，其共模抑制比为 dB。
滤4、为了使滤波电路的选频特性不随输出电阻变化，应选用、为了使滤波电路的选频特性不随输出电阻变化，波电路。
5、某电压放大电路，其输出端接 1k 、某电压放大电路，的电阻负载，的电阻负载，输入正弦信号电压和电流的峰-峰值分别为压和电流的峰峰值分别为 10mV 和 10μA，现测量到输出正弦电压信，号的峰-峰值为，号的峰峰值为 2V，则该放大电路的功率增益为 dB。
考试科目：823 电子技术基础页，第2 页小题, 三、单项选择题（答案必须写在答题纸上）(共 5 小题,每小题 2 分, 单项选择题（答案必须写在答题纸上）共 1 0 分) 1、欲得到电压—电流转换电路，应在放大电路中引入。
欲得到电压—电流转换电路，应在放大电路中引入。
A.电压串联负反馈 A.电压串联负反馈 C.电流串联负反馈 C.电流串联负反馈 2、 A.运算电路 A.运算电路 C.电压比较器 C.电压比较器 B.电流并联负反馈 B.电流并联负反馈 D.电压并联负反馈 D.电压并联负反馈中的集成运放一般宜引入负反馈。
中的集成运放一般宜引入负反馈。
B.正弦波振荡器 B.正弦波振荡器 D.以上都不是 D.以上都不是。
3、目前在正弦波振荡器中没有被广泛应用的振荡器是 A.R A.RC 振荡器 C.LC 振荡器4、晶体管工作在 A.甲类 B.乙类 B.RL 振荡器 D.石英晶体振荡器工作状态时的效率最高。
工作状态时的效率最高。
C . 丙类甲乙类 D. 甲乙类。
5．正偏二极管端电压增加 5％，通过二极管的电流．％，通过二极管的电流％， A. 增大约 5％％ C. 增大大于 5％％ B. 增大小于 5％％ D. 基本不变。
基本不变。
考试科目：823 电子技术基础共8页，第 3 页答案须写在答题纸上小题, 四、简答题（答案须写在答题纸上）(共 6 小题,每小题 5 分,共 30 分) 简答题答案须写在答题纸上） 1、图示电路中，低频正弦电压 vS (t ) = 15sin ωt （V）、图示电路中，，Si ），稳压管 VZ 的波形。
试画出稳压管两端的电压 vO 的波形。
= 8 V。
2、电路如图所示。
T1、T2 和 T3 分别构成什么电路？D1 和 D2 在电路、电路如图所示。
分别构成什么电路？中起什么作用？中起什么作用？+V R R R u2 3 CCD DT1 221T T1R3LuoI-VCC考试科目：823 电子技术基础8页，第 4 页画出普通过零比较器电路过零比较器电路， 3、画出普通过零比较器电路，并举例画出输入一正弦信号时输出信号的波形。
号的波形。
4、负反馈可改善放大器的一些什么特性？、负反馈可改善放大器的一些什么特性？， 5．已知 741 型运放的 f0dB＝106 Hz，现用这类运放构成一个带宽至少的放大电路，为 4 kHz、增益为 10000 的放大电路，问：用一级同相电压放大电路、能否达到要求？若不能，说明原因，并给出解决方案。
能否达到要求？若不能，说明原因，并给出解决方案。
6、假定某放大器工作是稳定的，其电压增益函数的幅频特性波特图、假定某放大器工作是稳定的，如图所示，试写它的电压增益频率特性函数如图所示，试写它的电压增益频率特性函数 AV（jf）的表达式。
频率特性）的表达式。
考试科目：823 电子技术基础共 8页，第5 页小题, 五、综合题(答案须写在答题纸上，共 8 小题,每小题 10 分,共 80 分) 综合题(答案须写在答题纸上，须写在答题纸上 1 、以理想运放和模拟乘法器为基本单元，设计一个电路，实现u o = K u I 1 + u I 2 的运算功能。
的运算功能。
2 22、窗口比较器如图所示，URL<URH,试求传输特性曲线。
、窗口比较器如图所示，试求传输特性曲线。
试求传输特性曲线3、、如图电路中, v a = 10 sin( 2π ? 2 k ? t ) + 0.2sin( 2π ? 1k ? t + 90 )(V)，如图电路中v b = 10 sin( 2π ? 2 k ? t ) + 0.1sin( 2π ? 1 k ? t + 90 )(V) ，求 vo，并指主要含有什么频率成分？出 va、vb 和 vo 主要含有什么频率成分？4、在图所示的两个反馈电路中，集成运放都具有理想的特性，判在图所示的两个反馈电路中，集成运放都具有理想的特性，断电路中的反馈是正反馈还是负反馈，并指出是何种反馈组态；断电路中的反馈是正反馈还是负反馈，并指出是何种反馈组态；求出和的大小；写出各电路闭环放大倍数的表达式( 的大小；写出各电路闭环放大倍数的表达式(要求对电压反馈写出表达式，表达式，对电流反馈写出表达式) 表达式)。
共 8 页，第 6 页考试科目：823 电子技术基础（a））(b)5、、正弦波振荡电路如图所示，为理想运放，请标出 A 的同相端“+”的同相端“”正弦波振荡电路如图所示，A 为理想运放，和反本端“为稳幅的需要，和反本端“－”若电路起振，估算振荡频率 f 0 = ? 为稳幅的需要，非；若电路起振，应具有正温度系数还是负温度系数？线性电阻 Rt，应具有正温度系数还是负温度系数？考试科目：823 电子技术基础页，第7 页一共射放大电路如图所示， =150， b1=500kΩ， b2=250kΩ, Re1=100 β R 0kΩ R 250k 0kΩ 100 6．一共射放大电路如图所示， =150， 500k 1.9k =15 Ω， Re2=1.9k Ω ,Rc=2k Ω ,RL=2k Ω ,Vcc=15V,rbe=200( Ω )+ β (mA)。
粗略估算直流工作点（；粗略估算电压放大倍 26(mV)/Ie(mA)。
粗略估算直流工作点（UBE≈0）粗略估算电压放大倍；数 A u。
+V CC Rc Rs vs R b2 Ci R b1N PNCo R e1 R e2 Ce RL vo7、如图所示电路中，已知 NMOS 管的 UGS(th)=2V， IDO=0.2mA。
、如图所示电路中，，。
VDD=20V。
Rg1=8.3M?，Rg2=1.7M?，Rd=100k?。
计算电路的直流工。
? ? ? 作点，作点， Au 和 Ro .+VDD R g1 Rd Co R g2 uoCi uI图示电路中，各晶体管的参数均相同， =100， 10k 8 ．图示电路中，各晶体管的参数均相同，β =100 ， R1 =Rc=10k Ω , 00(Ω)+β (mA)， Vcc=VEE=10V,rbe=200(Ω)+β26(mV)/Ie(mA)，UBE=≈0。
用虚线框标出图中的镜像电流源；粗略估算差模电压增益。
中的镜像电流源；粗略估算 IE 、IC1 、IC2 ；粗略估算差模电压增益。
+VCC RC1 IC1 vo Qa IE R1QR QMIC2RC2vAQb-VEE考试科目：823 电子技术基础共8页，第 8页1忠言逆耳利于行，良药苦口利于病。
但愿人长久，千里共婵娟。