电子基础知识7
物理电子的基础知识点总结
物理电子的基础知识点总结1. 电子的基本概念电子是原子的基本组成部分之一，是一种带负电荷的基本粒子。
电子的质量很小，约为9.11×10^-31千克，与质子和中子相比，电子质量极轻。
电子的电荷为基本电荷的负一倍，即-1.6×10^-19库仑。
由于电子带有负电荷，它们可以被受正电荷吸引或受负电荷排斥。
2. 电子的结构电子由三个基本属性组成：质量、电荷和自旋。
电子的质量非常小，且几乎可以忽略不计。
电子的电荷使它们与其他带电粒子产生相互作用，并在电场中受到力的作用。
自旋是电子的另一个重要特征，它表征了电子的角运动动量和磁矩。
3. 电子的运动电子在原子轨道中围绕原子核运动，这种运动呈现波动性质。
波恩-布拉赫假说指出，电子在原子轨道中的运动类似于波的运动，即波粒二象性。
电子的波动性质导致了光电效应、康普顿散射等现象的发生。
4. 电子的能级和轨道电子在原子中的能级和轨道描述了其在原子中的位置和能量。
电子的能级是指电子的能量状态，而轨道则描述了电子可能存在的位置。
原子中的电子能级分布是量子力学的主题之一，量子力学规定了能级的取值和排布。
电子轨道根据其能级的不同分为s、p、d和f四种。
5. 带电粒子在电场中的运动当电子处于电场中时，它会受到电场力的作用，从而产生加速或减速运动。
根据电场力的大小和方向，电子的加速度和速度会发生变化。
在均匀电场中，电子的加速度与电场强度成正比，速度与时间成线性关系。
6. 带电粒子在磁场中的运动当电子处于磁场中时，它会受到洛伦兹力的作用，从而产生圆周运动。
洛伦兹力是由磁场力和电场力共同作用产生的，它使电子向垂直于磁场和速度方向的方向上运动。
磁场力对电子的轨道运动有显著的影响，在物理学和工程技术中有广泛应用。
7. 电荷守恒和电场定律电荷守恒是物理学中的基本原理之一，它规定了在任何封闭系统中，电荷的总量始终保持不变。
电场定律描述了电荷之间相互作用的规律，包括库伦定律和电场叠加原理等。
电工电子技术基础知识点详解7-1--思政引例
第7章基本放大电路思政引例黑发不知勤学早，白首方恨读书迟。
——颜真卿在第二次世界大战中却将自己的缺点暴露无遗，体积大、能耗高、寿命短、噪声强，都严重制约着它的实际应用和价值。
因此基于迫切的战时需要，各国科学家都开始更加深入地研究晶体管及其放大电路。
1947年12月23日，美国贝尔电话实验室的巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士发现了晶体管的电流放大作用，这一发现在人类科技史上具有划时代意义。
正是晶体管产生，推动了全球范围内的半导体电子工业发展，集成电路及超大规模集成电路应运而生，使电子技术进入飞速发展时代。
3位杰出科学家因此获得了1956年诺贝尔物理学奖。
晶体管是双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）的简称，又称三极管，它由两个背靠背连接的PN结（发射结和集电结）构成，在两个PN结上加不同的偏置电压，PN结所处状态也会随之改变，从而导致三极管呈现出不同的特性和功能。
在教室里上课，坐在后排同学们能够清楚地听到教师课堂授课的声音，是因为教室里有扩音器，扩音器是如何放大声音的？收音机、电视机都要将接收到电台信号进行放大，才能带动扬声器发出声音。
那么，收音机是如何将接收到微弱电台信号放大的？电视机是如何将电视台发送的信号进行放大的？学完本章的内容之后，你将对这些奥秘不再陌生。
在模拟电路中利用它的放大作用放大微弱信号，而在数字电路中则常把它作为开关元件来使用。
放大电路是将微弱电信号放大到所需数量级，且功率增益大于1的电子电路。
对放大电路的基本要求是：波形尽可能不失真并具有足够的放大倍数。
要使波形不失真，只有建立合适的工作点，使晶体管始终工作在放大区，不进入截止区和饱和区。
从电压放大电路组成和作用出发，介绍放大电路性能要求。
介绍重点介绍放大电路的静态分析和动态分析方法。
首先根据放大电路的直流通路进行静态分析，以保证放大电路具有合适静态工作点；然后，根据交流通路采用微变等效电路分析法进行动态分析，计算电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
电子技术基本知识点新手必备
电子技术基本知识点新手必备1. 介绍电子技术是现代科技的基础，应用广泛，为了帮助新手初步了解电子技术的基本知识点，本文将介绍一些必备的基础概念和技术。
2. 电路基础2.1 电流和电压电流是电子在导体中的流动，单位是安培（A）。
电压是电子的电势差，单位是伏特（V）。
2.2 电阻和电导电阻是阻碍电流流动的特性，单位是欧姆（Ω）。
电导与电阻相反，是导电能力的度量。
2.3 电路图电路图是表示电路元件和连接方式的图示，常用符号有电源、电阻、电容、电感、晶体管等。
3. 电子元件3.1 电阻器电阻器用于控制电流大小，常用于电路中的电流限制、分压器和滤波器等。
3.2 电容器电容器能够储存电荷，在电子技术中用于储存能量、滤波和时序控制等方面。
3.3 电感器电感器用于储存磁场能量，常用于变压器、滤波器和振荡器等。
3.4 二极管二极管是一种半导体元件，具有不导电和导电两种功能，常用于整流、限制电压和开关等。
3.5 晶体管晶体管是一种半导体器件，可用作电流放大器和开关，广泛应用于各类电子设备中。
4. 逻辑门逻辑门是将输入信号转化为输出信号的电子元件，常见的逻辑门有与门、或门、非门等，是数字电路的基本组成单元。
5. 数字与模拟信号数字信号是离散的，只有两个状态，通常用0和1表示。
模拟信号是连续变化的，可以表示多种数值。
5.1 数字信号处理数字信号处理是对数字信号的分析和处理，常用于通信、音频、图像处理等领域。
5.2 模拟信号处理模拟信号处理是对模拟信号的分析和处理，常用于音频、视频等领域。
6. 通信技术6.1 调制和解调调制是将信号转化为适合传输的形式，解调是将传输的信号还原为原始信号。
6.2 编码和解码编码是表示信息的方式，解码是将编码的信息转化为可读信息的过程。
6.3 无线通信无线通信是一种无需有线连接的通信方式，如无线电、移动通信、蓝牙等。
7. 电源和电池电源提供电流和电压，常见的电源有直流电源和交流电源。
电池是一种能够储存和提供电能的装置，常用于移动设备和应急电源等。
电子基础知识
9.注意问题
A不同特性的电容不可随意替换，例如 低频涤纶电容不能用于高频电路。
B有极性的电解电容器不可以接反。
C电容两端的电压（包括脉冲电压）不 大于电容器的额定直流工作电压。
10电感的定义: 电感是导线内通过交流电流时,在导线内部和其 周围产生交变磁通,导线的磁通量与生产此磁通 的电流之比.
11电感的符号与单位 电感的符号:L 电感的单位:亨(H),毫亨(mH),微亨(uH)
1H=1000mH=1000000uH 12电感分类
按电感形式:固定电感,可变电感 按导磁体性质:空芯,铁氧体,铁芯,铜芯线圈
2.电容器的主要作用：通交流隔直流，另外有 旁路、耦合和与电感组成谐振回路、与电阻
组成的滤波电路。
3.电容器的分类 A按照结构分类：固定、可变、微调电容器 B按电解质分类：有机介质、无机介质、电解、
空气价质电容器
C按用途分类：高频旁路、低频旁路、滤波、 调谐、高频耦合、低频耦合。
4.电容的符号
5.电容单位
四、欧姆定律
1定义：在电路上，有电压加上时，即有 电流流动，在这电路上流动的电流和电 压成正比，和电路上的阻抗成反比，称 之为欧姆定律
2 公式：I=U/R 3 电压、电流、电阻单位
3.1电流（I）单位: 安培（A） 3.2电压（V）单位: 伏特（V） 3.3电阻（R）单位: 欧姆（Ω）
五 电阻
1.电阻：对电流起阻碍作用的一种电子 元件 2.电阻的功能：A.限流
4.电阻符号
电子基础必学知识点
电子基础必学知识点
以下是电子基础必学知识点的列表：
1. 电子元件和电路符号：了解常见的电子元件，如电阻、电容、电感、二极管、晶体管等，并理解它们在电路图中的符号。
2. 电流、电压和电阻：理解电流是电子在电路中的流动，电压是电子
的势能差，电阻是电流受阻碍的程度。
掌握欧姆定律，即电流等于电
压除以电阻。
3. 电路分析方法：掌握串联、并联、电压分压和电流分流等电路分析
方法，能够计算出电路中各元件的电压和电流。
4. 电压源和电流源：了解电压源和电流源的概念，能够计算电路中的
电压和电流。
5. 直流电路和交流电路：了解直流电路和交流电路的特点和区别，能
够分析和计算直流电路和简单交流电路中的电压和电流。
6. 二极管和晶体管：了解二极管和晶体管的工作原理和特性，能够分
析和计算二极管和晶体管电路中的电压和电流。
7. 放大器和运算放大器：了解放大器的工作原理和应用，特别是运算
放大器的基本原理和反馈电路。
8. 电容和电感：了解电容和电感的特性和应用，能够分析和计算电容
和电感电路中的电压和电流。
9. 滤波器和振荡器：了解滤波器和振荡器的工作原理和应用，能够设计和分析常见的RC滤波器和振荡器电路。
10. 数字电子基础知识：了解数字电子的基本概念，如二进制、逻辑门、组合逻辑和时序逻辑等，能够分析和设计数字电路。
这些知识点是电子基础的核心内容，掌握了这些知识点，可以为后续学习电子技术打下坚实的基础。
电子技术基础知识
2010
5025
5.00±0.20
2.50±0.20
0.55±0.10
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0.60±0.20
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3.20±0.20
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0.60±0.20
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浙江师范大学
贴片电阻的封装与功率关系如下表：
封装 英制 (mil) 0201 0402 0603 公制 (mm) 0603 1005 1608
25
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3、 电感
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§3.1 定义
电感是用来表示自感应特性的一个量；自感电动势要阻碍线圈中电流 的变化，这种阻碍作用称之为感抗。电感一般有直标法和色标法，色标法 与电阻类似 电感器用符号L表示，它的基本单位是亨利（H），常用毫亨（mH） 为单位。 V S 电感定义公式为L= ，单位为： = A = S = H
R代表小数点位置 1% 82R0 1503 三位有效数 82R0=82.0 150x103 =150000=150k
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§1.5电阻的主要性能指标 1.额定功率：指在规定的大气压和特定的环境 温度下，电阻所允许承受的最大功率。 2.标称阻值：指产品上标示的阻值。 3.允许误差：实际阻值对于标称阻值的最大 允许偏差范围，它表示了产品的精度。
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第一部分、常用电子元器件
1
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电子元器件分为无源器件和有源器件。 无源器件的简单定义：如果电子元器件工作 时，其内部没有任何形式的电源，则这种器 件叫做无源器件。常见的无源器件有电阻、 电容、电感、二极管等。无源器件的基本特 点：只需输入信号，不需要外加电源就能正 常工作。
电子的基础知识入门
电子的基础知识入门电子技术是现代科学技术的重要组成部分，广泛应用于通信、计算机、电力、医疗等领域。
想要深入理解电子技术，首先需要了解电子的基础知识。
本文将为您介绍电子技术的基本概念、电子器件以及电子电路的组成和工作原理。
一、电子技术的基本概念电子技术是利用电子器件和电子电路进行信息处理和控制的技术，是现代科技进步的重要基石。
电子技术的发展离不开对电子的认识和理解。
电子是带负电荷的基本粒子，它们构成了原子的基本结构。
电子具有质量、电荷和自旋等性质，电荷为负，质量很小，但具有很高的运动速度。
二、电子器件电子器件是指利用电子器件制造工艺将电子器件元件与电子器件封装材料等连接起来，形成具有特定功能和性能的器件。
常见的电子器件包括二极管、晶体管、集成电路等。
1. 二极管二极管是最简单的电子器件之一，由P型半导体和N型半导体组成。
它具有单向导电性，可以将电流限制在一个方向上流动。
二极管在电子电路中起到单向导电和开关作用。
2. 晶体管晶体管是一种用半导体材料制成的电子器件，它具有放大、开关和振荡等功能。
晶体管由三个或两个电极组成，分别为发射极、基极和集电极。
晶体管在电子设备中广泛应用，例如在放大器、计算机等电路中扮演重要角色。
3. 集成电路集成电路是电子技术发展的重要里程碑，它将大量的电子元件封装在一个芯片上，实现了电子器件的高度集成和微小化。
集成电路具有体积小、功耗低、性能稳定等优点，广泛应用于计算机、通信等领域。
三、电子电路的组成和工作原理电子电路是由电子器件按照一定的连接方式组成的电路系统，用于实现电子设备的各项功能。
1. 信号源信号源是电子电路中的输入部分，它提供输入信号给电路。
常见的信号源有电池、发生器等。
信号源可以产生直流信号或交流信号，用于驱动电路的工作。
2. 信号处理电路信号处理电路是电子电路中的核心部分，用于对输入的信号进行处理和放大。
例如，放大器用于放大信号的幅度，滤波器用于滤除噪声等。
3. 功率放大电路功率放大电路用于将信号的能量放大到一定的范围，以便驱动其他设备。
电子技术基础知识
电子技术基础知识电子技术是研究和应用电子器件、电路、系统和网络的学科。
它是现代科技的基础，涵盖了广泛的应用领域，如通信、计算机、医疗、能源等。
本文将介绍一些电子技术的基础知识。
首先，电子技术的基础是电路理论。
电路是电子器件的连接和组合，通过电流和电压的传输来实现信号的处理和控制。
了解电路理论可以帮助我们理解电子器件的工作原理和电路的功能。
常见的电路包括放大器、滤波器、稳压器等。
其次，电子器件是电子技术的重要组成部分。
电子器件是用来传输、控制和处理电信号的装置。
常见的电子器件包括二极管、晶体管、集成电路等。
二极管是最简单的电子器件之一，具有单向导电性，常用于整流和信号检测。
晶体管是一种能够放大电流和控制电流的器件，广泛应用于放大电路和开关电路。
集成电路是将多个器件集成到一个芯片中，具有高集成度和稳定性，常用于计算机和通信系统。
此外，信号处理是电子技术的关键技术之一。
信号处理是将输入信号经过一系列处理，得到期望输出信号的过程。
常见的信号处理技术包括滤波、调制和解调、编码和解码等。
滤波可以去除信号中的噪声和干扰，使得信号更清晰和稳定。
调制和解调是将信息信号和载波信号进行合理组合和提取，用于长距离传输和频谱利用。
编码和解码是将数字信息转换为模拟信号和反之，广泛应用于通信和媒体存储。
最后，网络是电子技术的重要应用之一。
网络是由多个设备通过通信线路连接而成的系统。
通过网络，我们可以实现远程通信、数据传输和资源共享。
常见的网络包括局域网、广域网和因特网。
局域网是在局部范围内连接多台计算机和设备的网络，如家庭网络和办公室网络。
广域网是连接多个局域网和城域网的网络，用于跨地区的通信和数据传输。
因特网是全球最大的计算机网络，通过因特网，我们可以访问到丰富的信息资源和实现各种在线服务。
总结起来，电子技术基础包括电路理论、电子器件、信号处理和网络。
了解这些基础知识可以帮助我们理解和应用电子技术。
电子技术的发展对于推动科技进步和社会发展具有重要意义，它在我们的生活中无处不在，如手机、电视、计算机等。
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半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。
测试反向电参数时，给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向（整流）电流。
在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流。
在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值（品质因素）鋠z---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT（AV）---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率。
硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率。
在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF（r）---正向微分电阻。
在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。
在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r _---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数雙---发光峰值波长△_---光谱半宽度_---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF（AV）---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压）VRM---反向峰值电压（最高测试电压）V（BR）---击穿电压Vth---阀电压（门限电压）VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压（稳流二极管）VL ---极限电压[编辑本段]二极管的识别小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极）,也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。
用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。
半导体最重要的两种元素是硅（读“gui”）和锗（读“zhe”）。
我们常听说的美国硅谷，就是因为起先那里有好多家半导体厂商。
. 二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。
很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。
[编辑本段]二极管型号命名方法二极管的型号命名规定由五个部分组成晶体二极管的分类一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。
因为构造简单，所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。
多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。
在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小，适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN 结。
因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。
最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。
初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此，又把这种台面型称为扩散台面型。
对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
6、平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。
因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。
由于半导体表面被制作得平整，故而得名。
并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。
最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。
对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
7、合金扩散型二极管它是合金型的一种。
合金材料是容易被扩散的材料。
把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。
此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
8、外延型二极管用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。
制造时需要非常高超的技术。
因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
9、肖特基二极管基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
二、根据用途分类1、检波用二极管就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。
锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。
类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。
也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。