套管介损测试
变压器套管介损c2铭牌大实测小
变压器套管介损c2铭牌大实测小
变压器套管介损c2铭牌大实测小是一种常见的问题,通常发生在实际测试与铭牌标注不符的情况下。
本文将介绍变压器套管介损c2的铭牌标识和实测值之间的差异,并探讨可能导致这种情况发生的原因。
变压器套管的介损是指变压器套管在运行时所消耗的电能与输入电能之间的比率。
介损c2是变压器套管介损的一种常见形式,其值通常在铭牌上标识。
然而,在实际测试中,由于受到各种因素的影响,例如套管的材料、尺寸、温度、负载等,介损c2的实际值可能会与铭牌标识的值有所不同。
这种差异可能会导致一些问题,例如:
1. 降低变压器的效率和性能。
如果变压器套管的介损实测值比铭牌标识的值低,则变压器的效率和性能可能会受到降低的影响。
2. 增加变压器套管的损耗和成本。
如果变压器套管的介损实测值比铭牌标识的值低,则变压器套管可能需要进行额外的维护和修理,以弥补这种差异。
这可能会导致变压器套管的损耗和成本增加。
因此,了解变压器套管介损c2的铭牌标识和实测值之间的差异是非常重要的。
如果实测值比铭牌标识的值低,则需要采取适当的措施来解决问题,以确保变压器的效率、性能和成本得到最大化的保护。
此外,还需要考虑其他因素,例如套管材料、尺寸、负载等因素,这些因素也可能影响变压器套管的介损值。
因此,在进行变压器套管的测试时,需要考虑到这些因素,并使用适当的方法和工具进行测试,以确保测试结果的准确性和可靠性。
变压器套管介损c2的铭牌标识和实测值之间的差异可能是由多种因素导致的。
了解这些因素以及采取措施来解决问题是非常重要的,以确保变压器套管的
性能得到最佳的保护。
套管介损测试
介质损耗高压套管的测试试验接线及试验设备介质损耗因数的定义绝缘介质在交流电压作用下的等值回路及相量图如图3-1所示。
图3-1绝缘介质在交流电压作用下的等值回路及相量图众所周知，在某一确定的频率下，介质可用确定的电阻与一确定的电容并联来等效，流过介质的电流由两部分组成，I CX 为电容性电流的无功分量，I RX 为电阻性电流的有功分量，介质的有功损耗将引起绝缘的发热，同时介质也存在着散热，而发热、散热跟表面积等有关，为此应测试与体积相对无关的量来判断绝缘状况，为此测试有功损耗除以无功损耗的值，此比值即为介质损耗因数。
Q=U ·I CXP=U ·I RX则Q P =CX RX I I =tg δ (3-1)从公式（3-1）可以看到图3-1中介质损耗因数即为介质损失角δ的正切值tg δ。
试验目的高压套管大量采用油纸电容型绝缘结构，这类绝缘结构具有经济实用的优点。
但当绝缘中的纸纤维吸收水分后，纤维中的β氢氧根之间的相互作用变弱，导电性能增加，机械性能变差，这是造成绝缘破坏的重要原因。
受潮的纸纤维中的水分，可能来自绝缘油，也可能来自绝缘中原先存在的局部受潮部分，这类设备受潮后，介质损耗因数会增加。
液体绝缘材料如变压器油，受到污染或劣化后，极性物质增加，介质损耗因数也会从清洁状态下的0.05%左右上升到0.5%以上。
除了用介质损耗因数的大小及变化趋势判断设备的绝缘状况外，电容量的变化也可以发现电容型设备的绝缘的损坏。
如一个或几个电容屏发生击穿短路，电容量会明显增加。
由此可见，测量绝缘介质的介质损耗因数及电容量可以有效地发现绝缘的老化、受潮、开裂、污染等不良状况。
典型介损测试仪的原理接线图从20年代即开始使用西林电桥测量tgδ，目前介损测试电桥已向全自动、高精度、良好抗干扰性能方向发展，比较经典的有三种原理即西林型电桥、电流比较型电桥及M型电桥。
下面分别作简要的介绍：（1）西林电桥的原理图3-2所示图3-2西林电桥的原理图图中当电桥平衡时，G显示为零，此时3RZx=4ZZx根据实部虚部各相等可得：tgδ=ωR4C4C≈RRCn34（当tgδ＜＜1时）根据R3、C4、R4的值可计算得出tgδ、C的值。
变压器油纸电容式套管介损试验及分析
变压器油纸电容式套管介损试验及分析摘要：介绍了500kV主变220kV中压侧三只油纸电容式套管主绝缘的介损试验，分析了其介损测量值一个远小于交接值、一个为负值的异常现象。
分析表明：套管主绝缘介损测量值远小于真实值的原因是由于瓷套表面潮湿、污秽严重带来的杂散电容干扰所致。
关键词：油纸电容式套管；介损；杂散电容；污秽；干扰油纸电容式套管由电容分压原理卷制而成，用引线接头将变压器绕组引至外部和接入电网，由高压电缆纸和导电铝箔组成的电容芯子作为内部绝缘结构，瓷套作为外部绝缘，中间注入合格的变压器油以起到绝缘和散热作用，接地套管用于末屏接地。
其主绝缘是电容芯子，它是在套管的中心导管外包绕铝箔作为电容屏、油浸电缆纸作为屏间介质组成的串联同轴圆柱电容器，一端与中心导管相连，另一端由连接法兰的末屏接地套管测量端子引出。
通常所说的套管tanδ为套管主电容上的介损测量值，而不是末屏对地电容的tanδ。
在测量变压器套管tanδ时，与被试套管相连的所有绕组端连在一起加压，其余绕组端均接地，末屏接电桥，正接线测量。
用正接法测量套管主绝缘tanδ的接线方法如图1所示。
图1 套管主绝缘介损测量的接线方法1.套管介损试验结果2012年7月，广东省电力公司检修公司变电检修中心对所属某500kV主变220kV中压侧油纸电容式套管进行首检例行试验时，出现了套管介损测量值为负值的异常现象。
该500kV主变220kV中压侧油纸电容式套管用正接法及10kV测量电压测得的三相介损例行试验结果如表1所示。
从表1可以看出，中压侧三相套管的电容实测值均为合格。
但C相套管介损测量值为负值，这个测量值显然是异常的。
B相套管介损测量值虽然不是负值，但只有0.06%，远远小于交接试验值的0.19%，说明B相套管的介损测量值与介损实际值之间也有可能出现了极大的误差。
介损测量值为负值的原因可能有[4-9]：电桥标准电容器CN有损耗；电场干扰；空间构架（杂物、墙壁梯子等）构成空间干扰网络；套管法兰与地接触不良；瓷套表面潮湿、污秽严重。
XX变主变套管高压介损措施
变压器套管高电压介损试验措施一、编制说明：变压器是变电所的心脏，对于大型变压器，测量总体的介质损耗往往不容易发现套管的绝缘缺陷，因此变压器安装前应先要进行套管的介质损耗试验。
套管高电压介质损耗试验是集大型高压试验、起重作业为一体、工作强度大、危险性大的试验项目。
为了确保试验安全，提高试验数据的准确性，在总结以往试验的基础上，特编制本试验措施，在变压器套管高电压介损测试过程中，所有参加试验的人员应遵照执行。
二、编制依据1.〈〈电力建设安全工作规程〉〉-----------DL5009.3-19972.〈〈现场绝缘试验实施导则〉〉--------------DL560-953.〈〈电气装置安装工程电气设备交接试验标准〉〉-------GB50150-20064.〈〈仪器使用说明书、工程相关厂家资料〉〉三、变压器试验概况本工程新建110kV变压器两台，为江苏华鹏变压器公司生产，容量均为50MVA，三侧电压等级为110kV、35kV和10kV。
其中35kV、10kV侧为纯瓷套管，110kV侧油浸纸电容式套管，由南京智达公司生产，高电压介损试验只对110kV侧套管进行。
电容式套管为真空注油全密封式，110kV电压等级6只，110kV侧中性点套管2只。
110kV 套管长约3米。
由于GIS变电所内空间较小，且施工人员交叉作业较多，因此安全情况较为复杂。
试验设备放置在主变旁边的马路干道上，四周设安全围栏，并全过程安排人员监护，防止外来人员误入。
套管起吊后应特别注意与试验设备与起吊设备以及周围物体的安全距离，并且应保证有足够的空间放置其他的试验设备。
特别进行220kV套管高压介损测试时，电压较高，应特别注意安全距离。
试验时应采取一些抗干扰措施，采用抗干扰的屏蔽线，采用具有抗干扰功能的试验仪器及变频测试都是抗干扰的有效方法。
四、试验方案1、试验方案简述：变压器套管高压介损试验采用专用变压器进行升压，用介损测试仪进行介损测量。
套管介质损耗因数和电容量试验
（3）在拆除套管一次引线时要采用正确方法，选用合适的工具进行，严防工具打滑损坏套管瓷套。拆除套管末屏接地时，注意防止末屏小套管漏油或小套管内接线转动、松脱。试验完毕应可靠恢复末屏接地，防止运行中末屏放电。
（4）油套管试验前要观察其油位是否正常，不得在套管无油的状态下进行试验。
套管介质损耗因数和电容量试验
测试套管介质损耗因数和电容量是判断套管是否受潮的一个重要试验项目。根据套管介质损耗因数和电容量的变化可以较灵敏地反映出套管绝缘劣化、受潮、电容层短路、漏油和其他局部缺陷。
套管介质损耗因数和电容量试验注意事项：
（1）测试应在良好的天气，湿度小于80%，套管本身及环境温度不低于5℃的条件下进行。
（5）测量独立的电容型套管质损耗因数时，由于其电容小，当套管位置放置不同时，因高电压极和测量电极对周围的物体存在杂散阻抗，会对套管的实测结果有很大影响，不同的放置位置测试结果不同。因此，在测量高压电容型套管的介质损耗因数时，要求垂直放置在接地的套管架上，不应把套管水平放置或吊起任意角度进行测量。
（6）在测量变压器套管时，为了安全以及减少线圈电感时，所有变压器线圈都应短路，并且非被试套管的线圈应当接地。各相套管单独试验，非试验相套管的末屏必须可靠接地。
500kV高压套管高压介损测试难点分析及对策
高 压介 损 测量 装置 ，普 遍采 用 串谐调 频 方式 升 与 ｌ０ ｋＶ电压 下 的介 损值相 比 ，增量达 ０．２０７个百分
压 ，整套装置主要 由干式谐振 电抗 器 、励 磁变压器 、高 点 ，一次如表 １所示 ，且 介损 曲线呈上升趋 势 ，在此种
压标准 电容 器 、补偿 电容 器 、变频 电源等组成 ，通过 电 情 形 下 ，运 行 电压 的介 损增 量有 可能 会超 过规 程规
率在 ４５～５５ Ｈｚ，根据 生产 厂家测试 经验 ，只要超 过运 接线 方法 、解压方式 均与 当年 年初一 致 ，只有 升压步
行设 备 ５０％ 的额 定 电压 ，测试结 果 便可 代表 设备 额 由２０ ｋＶ改为 １０ ｋＶ。当时测试 环境 ：温 度 ：２７￣Ｃ，湿
定 电压下的实际值 。
序号 ／压
／ 电
值 Ｈ ｚ ～ ｋＶ Ｏ Ｏ Ｏ ０ Ｏ Ｏ ０ ０ Ｏ Ｏ Ｏ Ｏ Ｏ Ｏ
∞ 钉 升明压 数 据们 １ ５ ７ ８ ９ Ｏ． ９３９ Ｏ ２ ５５２．７ ６ ４ ９５ ２６５ ３．５
２
２０．１ ０
５５．５
度 ：７５％，三相油温 ４５℃左右 ，二次高压介损测试结果
２ 现场测试难点
如表 ２所 示 ，Ｂ相 变 高套 管 １２０ ｋＶ电压 下介 损值 与 １０ ｋＶ电压下 的介 损值 相 比增 幅为 ０．０２２个 百分 点 ，
２．１ 起 始 电 压 难 以 升 压
且升 降压 曲线较为 吻合 ，电容量与 出厂和交接试验值
中 ，高压 介损测试 工作存在起 始 电压难 以升压 、测试 ２．２ 主变本体绝缘油状态对测试结果的影响
结果受 主变本体绝缘 油状态影 响较大 的 问题 。为解
介损检测算法
介损检测算法1研究意义套管介质损耗因数的检测有两种原理：1.测量套管的等效电容和等效电阻，按照串联、并联等效电路模型算出介质损耗因数；2.测量工作过程中，套管的电压和末屏泄漏电流，其相位差和介质损耗角 互余。
按照原理2搭建介损监测平台时，高性能的电流传感器、电压传感器可以保证电流、电压相位和真实值的误差很小；采集卡可以实现套管导电杆电压、末屏电流的同步采集，不会引入相位误差；因此，选用一种高性能的算法显得尤为重要，是决定介质损耗监测系统精度的关键环节。
2常见算法目前检测介质损耗因数的主要算法有正弦波拟合法、相关系数分析法、谐波分析法。
对三种方法进行对比，如错误!未找到引用源。
所示。
正弦波拟合法用基波去逼近电压和电流信号，将基波幅值看成变量，基波频率看成常量，高次谐波看成噪声，根据最小二乘法或三角函数的正交性获得基波正弦和余弦分量的幅值，从而获得介损角。
相关系数分析法利用电压和电流信号的自相关和互相关函数计算电气设备的介损角，该方法对信号中谐波分量十分敏感。
谐波分析法将电力系统的电压和电流信号可以分解为各次谐波，所以可以使用傅立叶算法获得信号基波相角，从而获得电气设备的介损角，该类算法在介损测量中应用最为广泛。
表 1 三种方法的对比综上所述，优选谐波分析法作为介质损耗因数检测算法。
2.1 正弦波拟合法假设流过测试品的电流和电压分别表示如下：m ()sin()i i t I wt ϕ=+ (1)m ()sin()u u t U wt ϕ=+ (2)式中，I m 、U m 分别是电流和电压信号的幅值系数；ϕi 和ϕu 分别是电流和电压信号的相位角；w 是电网角频率。
根据三角函数关系式，电流和电压公式可分别展开为01()sin()cos()i t D wt D wt =+ (3)01()sin()cos()u t C wt C wt =+ (4)式中，0m =cos()i D I ϕ；1m =sin()i D I ϕ；0m =cos()u C U ϕ；1m =sin()u C U ϕ。
穿墙套管介质损耗试验
穿墙套管介质损耗试验一、试验目的介质损耗因数测量是一项灵敏度很高的试验，它可以发现电力设备绝缘整体受潮、劣化变质及小电容试品贯通和未贯通的局部缺陷，但不易发现大电容试品的局部缺陷。
二、试验数据三、实验步骤1、首先拆掉穿墙套管相应接线，用相色带系好做好安全措施。
2、用砂纸将接线部分接触面轻轻打磨，保证接触良好。
3、实验前用摇表测量各穿墙套管末瓶对地绝缘电阻其阻值≥2500兆欧。
4、连接介损测试仪及穿墙套管之间的接线，并且保证接地良好。
5、派专人监护，试验过程中禁止他人接近被测设备，严禁回路开路。
6、合上操作箱电源开关，进入主菜单，选择接线方式。
正接法：（被试设备的低压测量端或二次端对地绝缘）①专用高压电缆从仪器后侧的HV端上引出，接被测设备高压端。
②专用低压电缆从仪器的CX端引出接被试设备低压端；CX的屏蔽层必须通过面板上的接地插孔接地，CX的芯线与屏蔽层严禁短接，否则无取样无法测量。
反接法：（被测设备的低压测量端或二次端对地无法绝缘）①专用高压电缆从仪器后侧的CX端上引出，接被测设备高压端。
注意CX的芯线与屏蔽层严禁短接，否则无取样无法测量，屏蔽层应接被试品的屏蔽极，如被试品没有屏蔽极则屏蔽层悬空。
②HV用专用线连接到地板的接地插孔（HV的芯线及屏蔽层接地）设备低压端已经接地。
7、依次测量各相套管的介损值并记录实验数据。
8、试验结束后，依次测量各套管末屏对地绝缘其绝缘应≥2500兆欧。
9、在所拆线的接触面上涂导电膏，恢复各套管接线。
四、注意事项1、测量前，应将穿墙套管接线处打磨干净，以减少测量误差。
2、实验前，应测量并记录环境温湿度。
3、实验前，应确认电源为AC220V，复查接线准确无误并检查操作箱接地良好，方可进行测量。
4、测量结束后应及时放电，放电完毕后才可拆除试线，以防止开路烧坏仪器。
5、在测量时应注意防止试验线夹或被他人拆掉，造成开路而烧坏仪器。
五、主接线（反接法）。
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介质损耗高压套管的测试试验接线及试验设备介质损耗因数的定义绝缘介质在交流电压作用下的等值回路及相量图如图3-1所示。
图3-1绝缘介质在交流电压作用下的等值回路及相量图众所周知，在某一确定的频率下，介质可用确定的电阻与一确定的电容并联来等效，流过介质的电流由两部分组成，I CX 为电容性电流的无功分量，I RX 为电阻性电流的有功分量，介质的有功损耗将引起绝缘的发热，同时介质也存在着散热，而发热、散热跟表面积等有关，为此应测试与体积相对无关的量来判断绝缘状况，为此测试有功损耗除以无功损耗的值，此比值即为介质损耗因数。
Q=U ·I CXP=U ·I RX则Q P =CX RX I I =tg δ (3-1)从公式（3-1）可以看到图3-1中介质损耗因数即为介质损失角δ的正切值tg δ。
试验目的高压套管大量采用油纸电容型绝缘结构，这类绝缘结构具有经济实用的优点。
但当绝缘中的纸纤维吸收水分后，纤维中的β氢氧根之间的相互作用变弱，导电性能增加，机械性能变差，这是造成绝缘破坏的重要原因。
受潮的纸纤维中的水分，可能来自绝缘油，也可能来自绝缘中原先存在的局部受潮部分，这类设备受潮后，介质损耗因数会增加。
液体绝缘材料如变压器油，受到污染或劣化后，极性物质增加，介质损耗因数也会从清洁状态下的0.05%左右上升到0.5%以上。
除了用介质损耗因数的大小及变化趋势判断设备的绝缘状况外，电容量的变化也可以发现电容型设备的绝缘的损坏。
如一个或几个电容屏发生击穿短路，电容量会明显增加。
由此可见，测量绝缘介质的介质损耗因数及电容量可以有效地发现绝缘的老化、受潮、开裂、污染等不良状况。
典型介损测试仪的原理接线图从20年代即开始使用西林电桥测量tg δ，目前介损测试电桥已向全自动、高精度、良好抗干扰性能方向发展，比较经典的有三种原理即西林型电桥、电流比较型电桥及M 型电桥。
下面分别作简要的介绍：（1）西林电桥的原理图3-2所示图3-2西林电桥的原理图图中当电桥平衡时，G 显示为零，此时3R Z x =4Z Z x根据实部虚部各相等可得：tg δ=ωR 4C 4 C ≈R R Cn 34 （当tg δ＜＜1时）根据R 3、C 4、R 4的值可计算得出tg δ、C 的值。
从原理上讲，西林电桥测介质损耗没有误差，但由于分布电容是无所不在的，尤其是Cn 必须有良好的屏蔽，当反接法时，必须屏蔽掉B 点对地的分布电容，正接法时，必须屏蔽掉C 点与B 点间的分布电容，但由于屏蔽层的采用增加了C4、R4及R3两端的分布电容带来了新的误差，以R3正接法为例，R3最 图3-3大值为1k Ω左右，当分布电容达10000PF 时，对介损的影响为0.3%，为了消除这一分布电容的影响，提高测试精度，试验室采用双屏蔽，如原理图3-3所示。
Us 电位自动跟踪S 点电位，这样R3对地的分布电容电流为零，从原理上消除了杂散电容的影响，但采用这种方式不能用于反接法，因为S 点电位是高压，在现场不可能使用。
目前国内外典型的西林电桥有QS1（现场用）、QS37（试验室用）、瑞士2801（试验室用）。
（2）电流比较型电桥电流比较型电桥的原理图如图3-4所示。
图3-4图中T 为环形互感器，通过调节k1、k2、k3使电桥达到平衡，即G 的指示为零，根据磁路定律：•φ1+•φ2+•φ3=0根据实部虚部相等有：Cx=21K K C N tg δ=13k k 这种电桥因各线圈的等值阻抗较小，对地的分布电容影响很小，测试较为准确，由于T是一互感器，谐波及电晕电流的影响很大，在现场使用与试验室差别较大。
这种电桥国内有QS30等。
（3）M 型电桥M 型电桥的原理图如图3-5所示。
图3-5这种电桥是利用标准臂产生的电容电流与试品的电容电流相抵消，余下的即为阻性分量，从而计算出介损值，具体分析如下：•U A =•I N ·R 4·k (k ≤1，其数值与可调电阻动触头的位置有关)•U B =（•IRX +•I CX ）R 3 •W =•u A -•u B =•I N ·R 4·k-•IRX ·R 3-•I CX ·R 3 =(•I N ·R 4·k-•ICX ·R 3)-•I RX ·R 3 由于•I N 与•I CX 均超前于•u 900，为同相分量。
当I N ·R 4·k=Icx ·R 3 3-2W 有最小值，此时W=I RX ·R 3 3-3通过式（3-2）可得Icx=34R k R I N 3-4 其中，k 与R 4动触头的位置有关，当W 调至最小值时，可以通过特有回路测得K ，这样可测得Icx 值，同时可得到电容量的值。
通过）式（3-3获得I RX =3R W (3-5)那么，tg δ=CXRX I I 可以算出tg δ值。
由于R 3、R 4阻值较小，最大值为100Ω，杂散分布电容的影响仅为西林电桥的1/10，且R 3、R 4的值较为固定，分布电容可以补偿，可以进一步提高精度。
当设备为一端接地时，M 型电桥采用反接法，即在B 点接地，此时如不采取措施，高压变压器及高压电缆对地电容就并联在试品两端，影响了测量精度，为此M 型电桥的高压电缆及高压变压器均采用双重屏蔽，如图3-5中。
Ce 为高压变压器的耦合电容，直接并联在高压线圈两端，对测量没有影响。
电容型套管的介损试验方法电容型套管的最外层有末屏引出，试验时可采用电桥正接法进行一次导杆对末屏的介损及电容量测量。
对于电容型套管末屏的介损测试，可采用电桥反接法测量末屏对地的介损和电容量，试验电压加在末屏与套管油箱底箱之间，并将依次导杆接到电桥的“E ”端屏蔽，试验时所加的电压须根据末屏绝缘水平和电桥的测量灵敏度而定。
一般可取2～3kV 。
电场干扰对介损测试结果的影响现场的干扰主要是电场及磁场干扰，电场干扰主要是外界带电部分通过电桥臂耦合产生电流流入测量臂；另一种干扰是磁场干扰，其主要是对桥体本身的感应，随着电磁屏蔽技术的发展，这一干扰可以利用桥体的磁屏蔽层消除。
下面主要讲述电场的影响电场对测量的影响，对各种电桥来讲，原理上是相同的，现以M 型电桥为例作简要的介绍，对220kV 套管来说，图3-6为干扰对M 型电桥影响的原理图。
图3-6正接法时，当高压变压器初级合闸后，高压变压器次级相对于3200kV的电源来讲处于短路状态（叠加法），可以认为流过Cn 及试品臂的电流为零，也就可以认为干扰电流Ig 对测试没有影响。
当然由于干扰除对试品的顶部有影响，对试品中部亦有耦合，有较小的干扰，所以正接法时，现场干扰很小。
反接法时，高压变压器合上后，高压变压器次级相当于短路，试品或Cn 阻抗很大，Ig 主要通过变压器次级及R 3到地，那么Ig 对测量的影响很大，所以反接法时，测试受外界电场干扰很大。
介质损耗测量时电场干扰的抑制现场进行介质损耗测量时抑制干扰的方法很多，常用有的屏蔽法、移相法、倒相法。
这三种方法，许多文献上有过专门介绍，总的来说各有利弊。
屏蔽法可以抑制外界电场对试验的干扰，缺点是比较麻烦，而且在一定程度上改变了被试品内部的电场分布，因此测量结果与实际值有一定的差异；移相法测量介质损耗，测量值比较准确但需要有专门的移相设备，同时测量也比较复杂；倒相法无需专门设备，操作方便，但当电场干扰较大时，倒相后介质损耗测量值有可能出现负值。
移相法与倒相法，都是在外界电场干扰电流•'I 与被试品电流•I x 幅值不变的情况下，靠改变•I x 的相位，经过简单的数学计算来比较准确地反映被试品的真实介质损耗。
另一类抑制电场干扰的方法是提高介质损耗测量时的信噪比。
由于•'I 可以认为是恒流源，而•I x 的幅值随试验电压的增加而增加，故提高试验电压可以提高信噪比k=••'I Ix，从而起到抑制干扰电流、提高测量精度的作用。
但此种方法受到无损标准电容器耐受电压的限制，现场往往难以实施。
（1） 屏蔽法在设备上方放置一屏蔽罩，屏蔽罩接地，干扰则直接到地，不影响电桥的桥臂，但这一方案实际使用很麻烦。
（2）采用移相电源电桥电源采用移相电源，由于干扰电流•I g 的相位不变，所以调节电源的相位，•I x 相位便相应的变化，当•I x 与•I g 的相位一致时，δ角测试受外界的影响很小。
但这种方法设备较重，较复杂，操作亦十分麻烦，现场使用很不方便。
（3）采用倒相法这是一种比较简单的方法，测量时将电源正、反倒相各测一次。
由于干扰电源Ig 的相位不变，分析时可认为电桥电源相位不变，即•I x 的相位不变，而•I g 作1800的反相，如图3-7所示。
tg δ1=CX RX I I '' tg δ2=CXR I I ''''tg δ=CX RX I I =)"'(2/1"'(2/1)CX CX RX RX I I I I ++=CX CX CX CXt I I tg I g I "'"'21++δδ="'"'212111C C tg C tg C ++δδ由图中可知：Cx=2"'x C x C + 这种方法从原理上可以完全消除干扰，但在干扰很大时，tg δ1、tg δ2可能很大且一正、一负，但tg δ却很小，这样tg δ1、tg δ2的测量误差相对tg δ来讲已很大，对tg δ测量的误差则很大。
（4）50%加压法这是一种无需另加试验设备、操作简便，只需作简单计算就可以比较准确地反映被试品真实介质损耗的方法。
所谓50%加压法，就是在政党介质损耗测试回路不变的情况下，将试验电压升到额定试验电压，调节电桥平衡，测得第一组R3与tg δ的值,即R 31与tg δ1, 然后将试验电压退到50%的额定试验电压，重新调节电桥平衡，测得另一组R3与tg δ的值R 32与tg δ2，进行简单计算，求取被试品真实介质损耗的方法。
现以图3-8为例分析如下：根据电桥平衡原理，可得有干扰电压时的电桥平衡方程为：34R Z Z N －Zx 1=••UZeU '式中：Z 4=（41R +j 4C ω）-1Z N =NC j ω1图3-8Zx=Rx+Cx j ω1 •'U ——干扰电压•U ——外加试验电压Ze ——干扰电压等值耦合阻抗设外施额定试验电压时调节电桥平衡，测得R 31、tg δ1，则电桥平衡方程为： 3141R Z Z N -Zx 1=••UZeU ' （3-6） 式中：Z 41=（41R +j 41C ω）-1式中：Z41=（41R +j 41C ω）-1 然后将试验电压降到50%的额定电压，重新调节电桥平衡，测得R 32、tg δ2，则电桥的平衡方程为：3242R Z Z N -Zx 1=••UZe U 21' （3-7） 式中：Z 42=（41R +j 42C ω）-1 求解式（3-6）、（3-7）得被试品的真实介质损耗为：tg δ=323132312122R R R R tg tg --δδ (3-8)Cx=R 4C N ()123231R R (3-9) 套管的高电压介损试验高电压介损试验指试验电压高于一般试验电压（通常为10 kV ），必须采用电桥正接法，同时必须将套管的下端置于具有足够电气强度的容器中，高压介损测试的原理接线方式与10 kV 电压介损的正接法相同，进行高电压介损测量时必须解决以下几个关键技术问题：1） 确定电源容量；2） 选择防电晕高压引线；高压引线对高压介损测试结果的影响：高压介损测试时对被试品所施加的电压较高，如采用一般的细导线作为高压引线，则导线上就会有较重的电晕产生，电晕损耗通过杂散电容将被计入被试品的损耗值中，从而影响被试品高压介损随电压变化的曲线。