三菱特殊模块

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【ch010】FX3U系列PLC的特殊功能模块及其应用

特殊功能模块的应用实例
硬件电路及分析
01
在本例中，由于变频器的速度控制信号是电压信号，属于模拟量，因此需要使用
FX3U-4DA。由表10-4可以看出，在输出模式0时，数字量0~32000对应模拟量
DCO~10V，同时在变频器中对应频率О~50Hz（使用三菱A700变频器，设置参数
Pr.125=-50)，那么可以列表进行说明，如表10-9所示。验布机的5种工作速度与
模拟量及数字量的对应关系（数字量640对应模拟量0.2VHz）如表10-10所示。
特殊功能模块的应用实例
根据表10-9绘制出验布机控制系统输入/输出接线图，如图10-18所示。
特殊功能模块的应用实例
2.程序设计
02
验布机通过X001~X005分别将数字量6400、12800、19200、25600、32000
4路模拟量输出模块
4路模拟量输出模块
1.BFM及分配
FX3U-4AD和FX2N-4AD是4路模拟量输入模块，两者都可以应用于 FX3U系列PLC，二者的特性对比如表10-1所示。
4路模拟量输出模块
FX3U-4DA的 BFM一览表如表10-5所示。
4路模拟量输出模块
在 BFM#0中写入十六进制4位数字H口口口口使各通道初始化，4位数字中的最低位数控制通道CH1，最高位数控制通道CH4。HD口口口中的每位数值表示的含义如表10-6 所示。其余BFM的内容请参阅模拟量控制手册。
02
PART TWO
特殊功能模块的读写操作
特殊功能模块的读写操作
三菱PLC的CPU在模块内存中为特殊功能模块分配了一个数据缓冲区 BFM，用于特殊功能模块和CPU之间的通信。三菱PLC有两条专门的指令用于对BFM进行读写，即FROM指令和TO指令。对于FX3U系列PLC，也可以采用直接指定方法来读写BFM的数据，这种方法是适用于FX3U-4AD等模块的专用方法。

第章三菱PLC的特殊模块

端口 (地址)
数字信号 0～4095 0～1023 ……
工程化反变换
工程量 0～100％ ……
CPU
软件实现
4．模拟量输出模块FX-2DA
FX-2DA为2通道12位D/A转换模块，每个通道可独立设置电压或电流输出。FX-2DA是一种与F2-6A相比具有高精确度的输出模块。
C O M X 0 X 1 X 2 X 3 X 4 X 5 X 6 C O M 2 Y 2 Y 3 C O M 1 Y 0 Y 1 C O M 1 Y 0 C O M 2 Y 1 C O M 3 Y 2 C O M 4 Y 3
第10章
三菱PLC的特殊模块
一、模拟量控制
模拟量输入/输出单元 A/D转换、D/A转换
二、位置控制
脉冲输出单元运动控制模块
一、模拟量输入/输出单元
入输出单元模块的有关性能： F2-6A是三菱公司F1、F2系列PLC的扩展单元，为8位4通道输入、2通道输出的模拟量输入输出单元模块。 F2-6A模块与F1、F2系列PLC连接示意图如下： B C D B I N
输入信号1 多路转换前置放大采样保持内、外补偿 ADC 光电隔离数据驱动锁存数据总线
输入信号n
控制总线控制单元
A/D转换通常有二种方式：① 逐次比较型 ② 双积分型
1．模拟量输入模块FX-4AD
FX-4AD为4通道12位A/D转换模块，根据外部连接方法及PLC指令，可选择电压输入或电流输入，是一种与F2-6A相比具有高精确度的输入模块。
F2-30GM应用系统方框图
2．脉冲输出模块FX-1PG（FX2、FX2C用）
FX-1PG 脉冲输出模块是一种根据 FROM/TO 指令进行与FX2、FX2C系列PLC数据交换的特殊功能模块。用一台FX-1PG独立进行一轴定位控制，而一台PLC则最多可连8台FX-1PG。

三菱lc特殊继电器

特殊软元件一 PC状态M8000 RUN监控(a触点) M8001 RUN监控(b触点)M8002 初始脉冲(a触点) M8003 初始脉冲(b触点)M8004 发生出错 M8005 电池电压下降M8006 电池电压下降锁存 M8007 电源瞬停检测M8008 停电检测 M8009 DC24V关断D8001 PLC型号及系统版本 D8002 存储器容量D8003 存储器类型 D8004 出错M地址号D8005 电池电压 D8006 电池电压下降检出电平D8007 瞬停次数 D8008 停电检测时间D8009 DC24V关断的单元编号二时钟M8011 震荡周期10ms M8012 震荡周期100msM8013 震荡周期1s M8014 震荡周期1分钟M8015 计时停止及预置 M8016 时间读出时显示停止M8017 ±30秒的修正 M8018 检测RTC卡盒是否插入M8019 实时时钟(RTC)出错 D8010 当前扫描时间D8011 最小扫描时间 D8012 最大扫描时间D8013 秒 D8014 分D8015 时 D8016 日D8017 月 D8018 年D8019 星期(0:星期日~6:星期六)三标志M8020 零(加减运算结果为0时置位) M8021 借位M8022 进位 M8023 小数点运算标志M8024 处于ON状态时执行指令、传送方向翻转M8025 HSC方式 M8026 RAMP方式M8027 PR方式 M8028 FROM./TO指令执行中允许中断标志M8029 指令执行完成 D8028 Z寄存器内容D8029 V寄存器内容四 PLC方式M8030 电池LED灯灭指令M8031 全清非保持存储器M8032 全清保持存储器M8033 停止时存储器保持M8034 禁止所有输出M8035 强制RUN方式M8036 强制RUN信号M8037 强制STOP信号M8038 RAM文件寄存器全清零M8039 恒定扫描方式D8039 恒定M8147 y0发完脉冲，用下降沿M8148 y1发完脉冲，用下降沿M8149 y2发完脉冲，用下降沿。

三菱特殊功能模块

三菱特殊功能模块资料一.FX-4AD1.特性从最靠近基本单元的那个开始顺次编号0～7号.3.缓冲寄存器(BFM)分配FROM:基本单元从FX-4AD/2DA读数据TO:基本单元将数据写入FX-4AD/2DA中=8次处理.(4).BFM＃20置1时,FX-4AD全部复位.(5).BFM＃21中b1, b0=1,0时则零点及增益设定值禁止改动.零点:数字量输出为0时的输入值;增益:数字量输出为+1000时的输入值.(6)器,G,O=1,1时允许传送,设定值受分辨率影响应以5 mV/20μA为步距.(7).BF M＃30为特殊功能模块的识别码,可用FROM指令读入,用于识别特殊功能模块.(8).BFM＃29中b7～b0各bit状态是FX-4AD运行正常与否的信息,用FROM读入,例如:b2=0,表示DC24V电源正常b2=1,表示电源故障二.FX-2DA1.特性H11:CH2=归零,CH1=归零(4). BFM＃20=1时,FX-2DA全部重置(5). BFM＃21中b1, b0=1,0时则零点及增益设定值禁止改动.零点:数字量输入为0时的输出值;增益:数字量输入为+1000时的输出值.(6)BFM＃23、24的设定值能否送入通道零点、增益寄存器,G,O=1,1时允许传送,设定值受分辨率影响应以5 mV/20μA为步距.(7).BF M＃30为特殊功能模块的识别码,可用FROM指令读入,用于识别特殊功能模块.(8).BFM＃29中b3～b0各bit状态是FX-2AD运行正常与否的信息,用FROM读入,例如:b2=0,表示DC24V电源正常b2=1,表示电源故障。

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三菱模块，三菱PLC模块，FX2N-16EYR FX2N-16EYT FX2N-16EX 三菱模块，三菱PLC模块特点：● 小型、集成性● 更高的性价比● 高速化、高精度的控制（基本指令0.08μs/步）● 高性能的内置功能（高速计数器、高速输入/输出等）● 扩大控制点数，最大支持256点I/O● 特殊单元的高性能化和高互换性● 扩展通信端口，轻松地使用模拟量功能● 扩充存储器容量● 标准机种适合国际规格三菱模块，三菱PLC模块型号：三菱输入扩展模块:FX2N-8ER FX2N-8EX FX2N-16EX三菱输出扩展模块:FX2N-8ERY FX2N-8EYT FX2N-16EYR FX2N-16EYTFX2N-16EXFX2N-16EYRFX2N-16EYT三菱模块，三菱PLC模块，FX2N-8ERY FX2N-8EYT 三菱模块，三菱PLC模块特点：● 小型、集成性● 更高的性价比● 高速化、高精度的控制（基本指令0.08μs/步）● 高性能的内置功能（高速计数器、高速输入/输出等）● 扩大控制点数，最大支持256点I/O● 特殊单元的高性能化和高互换性● 扩展通信端口，轻松地使用模拟量功能● 扩充存储器容量● 标准机种适合国际规格三菱模块，三菱PLC模块型号：三菱输入扩展模块:FX2N-8ER FX2N-8EX FX2N-16EX三菱输出扩展模块:FX2N-8ERY FX2N-8EYT FX2N-16EYR FX2N-16EYTFX2N-8ERYFX2N-8EYT三菱模块，三菱PLC模块，FX2N-8ER FX2N-8EX 三菱模块，三菱PLC模块特点：● 小型、集成性● 更高的性价比● 高速化、高精度的控制（基本指令0.08μs/步）● 高性能的内置功能（高速计数器、高速输入/输出等）● 扩大控制点数，最大支持256点I/O● 特殊单元的高性能化和高互换性● 扩展通信端口，轻松地使用模拟量功能● 扩充存储器容量● 标准机种适合国际规格三菱模块，三菱PLC模块型号：三菱输入扩展模块:FX2N-8ER FX2N-8EX FX2N-16EX三菱输出扩展模块:FX2N-8ERY FX2N-8EYT FX2N-16EYR FX2N-16EYTFX2N-8ERFX2N-8EXFX2N-4DA，三菱PLC模块，三菱模块1、FX2N-4DA模拟特殊模块有四个输出通道。

三菱plc特殊继电器

三菱IGBT模块CM100MXA-24S说明书

MITSUBISHI IGBT MODULESCM100MXA-24SHIGH POWER SWITCHING USEINSULATED TYPECM100MXA-24S- 6th Generation NX series -Collector current I C ............................... 100A Collector-emitter voltage V CES .. (1200V)●Flat base Type●Copper base plate (non-plating)●Tin plating pin terminals●RoHS Directive compliantCIB (Converter+Inverter+BrakeCopper ) ●UL Recognized under UL1557, File E323585APPLICATIONAC Motor Control, Motion/Servo Control, Power supply, etc. OUTLINE DRAWING & INTERNAL CONNECTIONTERMINALt=0.8SECTION ATolerance otherwise specified Division of DimensionTolerance 0.5 to 3 ±0.2 over 3 to 6 ±0.3 over 6 to 30 ±0.5 over 30 to 120 ±0.8 over 120 to 400 ±1.2INTERNAL CONNECTIONP1(48~49) N1(44~45)GUP(13)U(14~15)GUN(40)TH1(29)GVP(18)V(19~20)GVN(33)GWP(23)W(24~25)GWN(31)B(52~53)GB(41)N T CClampDiP(54~56) N(59~61) R(1~2) S(5~6) T(9~10)The tolerance of size between terminals is assumed to be ±0.4.INSULATED TYPEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T j =25 °C, unless otherwise specified)Inverter part IGBT/FWDiSymbol Item ConditionsRating Unit V CES Collector-emitter voltage G-E short-circuited 1200 V V GESGate-emitter voltageC-E short-circuited±20VI C DC, T C =119 °C (Note.2, 4)100I CRM Collector current Pulse (Note.3)200 A P t o t Total power dissipationT C =25 °C (Note.2, 4) 750 WI E (Note.1) T C =25 °C (Note.2, 4)100I ERM(Note.1)Emitter currentPulse (Note.3)200 AT j m a xMaximum junction temperature-175°CBrake part IGBT/ClampDiSymbol Item ConditionsRating Unit V CES Collector-emitter voltage G-E short-circuited 1200 V V GESGate-emitter voltageC-E short-circuited±20VI C DC, T C =125 °C (Note.2)50I CRM Collector current Pulse (Note.3)100 A P t o t Total power dissipationT C =25 °C (Note.2, 4)425 WV RRM Repetitive peak reverse voltage G-E short-circuited1200VI F (Note.1)T C =25 °C (Note.2, 4)50I FRM(Note.1)Forward currentPulse (Note.3)100 AT j m a xMaximum junction temperature-175°CConverter part ConvDiSymbol Item ConditionsRating Unit V RRM Repetitive peak reverse voltage - 1600 V E a Recommended AC input voltage RMS440VI O DC output current 3-phase full wave rectifying, T C =125 °C (Note.2)100 AThe sine half wave 1 cycle peak value, I FSM Surge forward current f=60 Hz, non-repetitive1000 A I 2t Current square timeValue for one cycle of surge current 4165 A 2s T j m a xMaximum junction temperature-150°CModuleSymbol Item ConditionsRating Unit T C m a x Maximum case temperature (Note.2)125 °CT j o p Operating junction temperature - -40 ~ +150 T s t g Storage temperature --40 ~ +125 °C V i s o lIsolation voltageTerminals to base plate, RMS, f=60 Hz, AC 1 min2500VMECHANICAL CHARACTERISTICSLimitsSymbol Item Conditions Min. Typ. Max. UnitM sMounting torqueMounting to heat sink M 5 screw2.53.0 3.5 N·m Terminal to terminal6.47 - - d s Creepage distance Terminal to base plate 14.27 - - mm Terminal to terminal 6.47 - - d a Clearance Terminal to base plate 12.33--mmm Weight -- 300 - ge cFlatness of base plateOn the centerline X, Y(Note.5)±0 - +100 μmINSULATED TYPEELECTRICAL CHARACTERISTICS (T j =25 °C, unless otherwise specified) Inverter part IGBT/FWDiLimitsSymbol Item Conditions Min. Typ. Max. UnitI C ES Collector-emitter cut-off current V CE =V CES , G-E short-circuited - - 1 mAI G ES Gate-emitter leakage current V GE =V GES , C-E short-circuited - - 0.5 μAV G E(th) Gate-emitter threshold voltage I C =10 mA, V CE =10 V 5.4 6.0 6.6 VT j =25 °C - 1.80 2.25 T j =125 °C - 2.00 - V C Es at (Terminal) Collector-emitter saturation voltageI C =100 A (Note.6),V GE =15 V T j =150 °C - 2.05 - V T j =25 °C - 1.70 2.15 T j =125 °C - 1.90 - V C Es at (Chip)Collector-emitter saturation voltageI C =100 A (Note.6) ,V GE =15 VT j =150 °C- 1.95-V C i e s Input capacitance - - 10C o e s Output capacitance -- 2.0 C r e s Reverse transfer capacitance V CE =10 V, G-E short-circuited- - 0.17 nFQ G Gate charge V CC =600 V, I C =100 A, V GE =15 V - 233 - nC t d (o n ) Turn-on delay time --300t r Rise time V CC =600 V, I C =100 A, V GE =±15 V, - - 200t d (o f f )Turn-off delay time- - 600 t f Fall time R G =6.2 Ω, Inductive load - - 300 nsT j =25 °C - 1.8 2.25 T j =125 °C - 1.8 - V EC(Note.1)(Terminal) Emitter-collector voltageI E =100 A(Note.6),G-E short-circuited T j =150 °C - 1.8 - VT j =25 °C - 1.7 2.15 T j =125 °C - 1.7 - V EC(Note.1)(Chip) Emitter-collector voltage I E =100 A(Note.6),G-E short-circuitedT j =150 °C- 1.7 - V t r r(Note.1)Reverse recovery timeV CC =600 V, I E =100 A, V GE =±15 V, - - 300 nsQ r r(Note.1)Reverse recovery chargeR G =6.2 Ω, Inductive load - 5.3 - μC E on Turn-on switching energy per pulse V CC =600 V, I C =I E =100 A,- 8.6 - E of f Turn-off switching energy per pulse V GE =±15 V, R G =6.2 Ω, T j =150 °C, - 10.7 - mJ E r r(Note.1)Reverse recovery energy per pulse Inductive load-10.2-mJMain terminals-chip, per switch,R C C '+EE' Internal lead resistance T C =25 °C (Note.2)- - 3.5 m Ω r gInternal gate resistancePer switch--ΩBrake part IGBT/ClampDiLimits Symbol Item Conditions Min. Typ. Max. UnitI C ES Collector-emitter cut-off current V CE =V CES , G-E short-circuited - - 1 mAI G ES Gate-emitter leakage current V GE =V GES , C-E short-circuited - - 0.5 μAV G E(th) Gate-emitter threshold voltage I C =5 mA, V CE =10 V 5.4 6.0 6.6 VT j =25 °C - 1.80 2.25 T j =125 °C - 2.00 - V C Es at (Terminal) Collector-emitter saturation voltageI C =50 A(Note.6),V GE =15 V T j =150 °C - 2.05 - V T j =25 °C - 1.70 2.15 T j =125 °C - 1.90 - V C Es at (Chip)Collector-emitter saturation voltageI C =50 A(Note.6),V GE =15 VT j =150 °C- 1.95-V C i e s Input capacitance - - 5.1C o e s Output capacitance -- 0.45C r e sReverse transfer capacitanceV CE =10 V, G-E short-circuited- - 0.1nFQ G Gate chargeV CC =600 V, I C =50 A, V GE =15V - 117 - nCINSULATED TYPEELECTRICAL CHARACTERISTICS (cont., T j =25 °C, unless otherwise specified)Brake part IGBT/ClampDiLimitsSymbol Item Conditions Min. Typ. Max. Unitt d (o n ) Turn-on delay time --300t r Rise time V CC =600 V, I C =50 A, V GE =±15 V, - - 200t d (o f f ) Turn-off delay time- - 600 t f Fall timeR G =13 Ω, Inductive load - - 300 nsI RRM Repetitive peak reverse current V R =V RRM , G-E short-circuited - - 1 mAT j =25 °C - 1.8 2.25 T j =125 °C - 1.8 - V F(Terminal) Forward voltageI F =50 A(Note.6),G-E short-circuited T j =150 °C - 1.8 - VT j =25 °C - 1.7 2.15 T j =125 °C - 1.7 - V F(Chip) Forward voltage I F =50 A(Note.6),G-E short-circuitedT j =150 °C- 1.7 - V t r r Reverse recovery time V CC =600 V, I F =50 A, V GE =±15 V, - - 300 nsQ r r Reverse recovery chargeR G =13 Ω, Inductive load - 2.7 - μC E on Turn-on switching energy per pulse V CC =600 V, I C =I F =50 A,- 5.5 - E of f Turn-off switching energy per pulse V GE =±15 V, R G =13 Ω, T j =150 °C, - 5.3 - mJ E r r Reverse recovery energy per pulse Inductive load - 4.5 - mJ r gInternal gate resistance---ΩConverter part ConvDiLimitsSymbol Item Conditions Min. Typ. Max. UnitI RRM Repetitive peak reverse currentV R =V RRM , T j =150 °C --20mAV F(Terminal)Forward voltageI F =100 A(Note.6)- 1.28 1.8 VNTC thermistor partLimitsSymbol Item Conditions Min. Typ. Max. UnitR 25 Zero power resistance T C =25 °C(Note.2)4.855.00 5.15 k ΩΔR/R Deviation of resistance T C =100 °C, R 100=493 Ω -7.3 - +7.8 % B (25/50)B constantApproximate by equation (Note.7)- 3375 - KP 25 Power dissipation T C =25 °C(Note.2)- - 10 mWTHERMAL RESISTANCE CHARACTERISTICSLimitsSymbol Item Conditions Min. Typ. Max. UnitR t h (j -c )Q Junction to case, per Inverter IGBT - - 0.20 R t h (j -c )D Junction to case, per Inverter FWDi- - 0.29 K/W R t h (j -c )Q Junction to case, per Brake IGBT - - 0.35 R t h (j -c )D Junction to case, per Brake ClampDi - - 0.63 K/W R t h (j -c )D Thermal resistance(Note. 2)Junction to case, per ConvDi--0.24K/WCase to heat sink, per 1 module,R t h (c -s )Contact thermal resistance(Note. 2)Thermal grease applied(Note.8)- 15 - K/kWINSULATED TYPENote.1: Represent ratings and characteristics of the anti-parallel, emitter-collector free wheeling diode (FWDi).Note.2: Case temperature (T C ) and heat sink temperature (T s ) are defined on the each surface (mounting side) of base plateand heat sink just under the chips. Refer to the figure of chip location.Note.3: Pulse width and repetition rate should be such that the device junction temperature (T j ) dose not exceed T j m a x rating. Note.4: Junction temperature (T j ) should not increase beyond T j m a x rating.Note.5: The base plate (mounting side) flatness measurement points (X, Y) are as follows of the following figure.-:Concavemounting sideNote.6: Pulse width and repetition rate should be such as to cause negligible temperature rise.Refer to the figure of test circuit.Note.7: )T T /()R R ln(B )/(50255025502511-=,R 25: resistance at absolute temperature T 25 [K]; T 25=25 [°C]+273.15=298.15 [K] R 50: resistance at absolute temperature T 50 [K]; T 50=50 [°C]+273.15=323.15 [K]Note.8: Typical value is measured by using thermally conductive grease of λ=0.9 W/(m·K).Note.9: Japan Electronics and Information Technology Industries Association (JEITA) standards,"EIAJ ED-4701/300: Environmental and endurance test methods for semiconductor devices (Stress test I)"Note.10: Use the following screws when mounting the printed circuit board (PCB) on the stand offs."M2.6×10 or M2.6×12 self tapping screw"The length of the screw depends on the thickness of the PCB.RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (T a =25 °C)LimitsSymbol Item Conditions Min. Typ. Max. UnitV C C DC supply voltage Applied across P1-N1 terminals -600850VApplied across GB-Es/V GEon Gate-emitter drive voltage G*P-*/G*N-Es (*=U,V,W) terminals 13.5 15.0 16.5 V Inverter IGBT 6.2 - 62 R G External gate resistancePer switchBrake IGBT13-130ΩINSULATED TYPECHIP LOCATION (top view)Dimension in mm, Tolerance: ±1 mmTr*P/Tr*N/TrBr: IGBT, Di*P/Di*N: FWDi (*=U/V/W), DiBr: ClampDi, CR*P/CR*N: ConvDi (*=R/S/T), Th: NTC thermistorEach mark points the center position of each chip or device.TEST CIRCUIT AND WAVEFORMSCCi Et r r , Q r r test waveformTurn-on / Turn-off switching energy and Reverse recovery energy test waveforms (Integral time instruction drawing)INSULATED TYPE TEST CIRCUITV GEV GEV GEV GEV GEV GEV GEG-Eshort-circuited GVP-V, GVN-Es,GWP-W, GWN-Es,GB-EsG-Eshort-circuitedGUP-U, GUN-Es,GWP-W, GWN-Es,GB-EsG-Eshort-circuitedGUP-U, GUN-Es,GVP-V, GVN-Es,GB-EsG-Eshort-circuitedGUP-U, GUN-Es,GVP-V, GVN-Es,GWP-W, GWN-EsUP / UN IGBT VP / VN IGBT WP / WN IGBT Brake IGBT / ClampDiV CEsat / ClampDi V F test circuitG-Eshort-circuited GVP-V, GVN-Es,GWP-W, GWN-Es,GB-EsG-Eshort-circuitedGUP-U, GUN-Es,GWP-W, GWN-Es,GB-EsG-Eshort-circuitedGUP-U, GUN-Es,GVP-V, GVN-Es,GB-EsUP / UN FWDi VP / VN FWDi WP / WN FWDi ConvDi (ex. phase-R)V EC / ConvDi V F test circuit* In case of the above example, P1/N1/U/V/W should use all each three pin terminals for the external wiring.INSULATED TYPEPERFORMANCE CURVESINVERTER PARTOUTPUT CHARACTERISTICS (TYPICAL) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGECHARACTERISTICS(TYPICAL)T j =25 °C(Chip)V GE =15 V(Chip)C O L L E C T O R C U R R E N T I C (A )C O L L E C T O R -E M I T T E RS A T U R A T I O N V O L T A G E V C E (V )00.511.522.533.550100150200COLLECTOR CURRENT I C (A)FREE WHEELING DIODEFORWARD CHARACTERISTICS(TYPICAL)G-E short-circuited(Chip)C O L L E C T O R -E M I T T E RS A T U R A T I O N V O L T A G E V C E (V )68101214161820E M I T T E R C U R R E N T I E (A )11010010000.511.522.53GATE-EMITTER VOLTAGE V GE (V) EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE V EC (V)INSULATED TYPEHALF-BRIDGE SWITCHING CHARACTERISTICS (TYPICAL) HALF-BRIDGESWITCHING CHARACTERISTICS(TYPICAL)V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =6.2 Ω, ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °CV CC =600 V, V GE =±15 V, I C =100 A, ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C S W I T C H I N G T I M E (n s )S W I T C H I N G T I M E (n s)C GHALF-BRIDGE SWITCHING CHARACTERISTICS (TYPICAL) HALF-BRIDGESWITCHING CHARACTERISTICS(TYPICAL)V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =6.2 Ω, ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °CV CC =600 V, V GE =±15 V, I C =100 A, ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C S W I T C H I N G E N E R G Y (m J )R E V E R S E R E C O V E R Y E N E R G Y (m J )S W I T C H I N G E N E R G Y (m J ) R E V E R S E R E C O V E R Y E N E R G Y (m J )C EMITTER CURRENT I E (A)GINSULATED TYPECAPACITANCE CHARACTERISTICS (TYPICAL) FREE WHEELING DIODEREVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS(TYPICAL)G-E short-circuited, T j =25 °CV CC =600 V, V GE =±15 V, R G =6.2 Ω,---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C C A P A C I T A N C E (n F )0.010.11101000.1110100t r r (n s ), I r r (A )COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V CE (V) EMITTER CURRENT I E (A)GATE CHARGE CHARACTERISTICS (TYPICAL) TRANSIENT THERMAL IMPEDANCECHARACTERISTICS(MAXIMUM)V CC =600 V, I C =100 A, T j =25 °CSingle pulse, T C =25 °CG A T E -E M I T T E R V O L T A G E V G E (V )05101520100200300400N O R M A L I Z E D T R A N S I E N T T H E R M A L R E S I S T A N C EZ t h (j -c )0.0010.010.110.000010.00010.0010.010.1110R th(j-c)Q =0.20 K/W, R th(j-c)D =0.29 K/WGATE CHARGE Q G (nC)TIME (S)INSULATED TYPEBRAKE PARTCOLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS (TYPICAL) CLAMP DIODEFORWARD CHARACTERISTICS(TYPICAL)V GE =15 V(Chip)G-E short-circuited(Chip)C O L L E C T O R -E M I T T E RS A T U R A T I O N V O L T A G E V C E s a t (V )00.511.522.533.520406080100F O R W A R D V O L T AG E V F (V )110100COLLECTOR CURRENT I C (A) FORWARD CURRENT I F (A)HALF-BRIDGE SWITCHING CHARACTERISTICS (TYPICAL) HALF-BRIDGESWITCHING CHARACTERISTICS(TYPICAL)V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =13 Ω, INDUCTIVE LOAD ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °CV CC =600 V, I C =50 A, V GE =±15 V, INDUCTIVE LOAD---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C S W I T C H I N G T I M E (n s )S W I T C H I N G T I M E (n s )COLLECTOR CURRENT I C (A) EXTERNAL GATE RESISTANCE R G (Ω)INSULATED TYPEHALF-BRIDGE SWITCHING CHARACTERISTICS (TYPICAL) HALF-BRIDGESWITCHING CHARACTERISTICS(TYPICAL)V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =13 Ω, INDUCTIVE LOAD, PER PULSE ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °CV CC =600 V, I C /I F =50 A, V GE =±15 V, INDUCTIVE LOAD, PER PULSE ---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C S W I T C H I N G E N E R G Y (m J )R E V E R S E R E C O V E R Y E N E R G Y (m J )S W I T C H I N G EN E R G Y (m J ) R EV E R S E R E C O V E R Y E N E R G Y (m J )COLLECTOR CURRENT I C (A) FORWARD CURRENT I F (A)EXTERNAL GATE RESISTANCE R G (Ω)CLAMP DIODE REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS (TYPICAL) TRANSIENT THERMAL IMPEDANCECHARACTERISTICS(MAXIMUM)V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =13 Ω, INDUCTIVE LOAD---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °CSingle pulse, T C =25 °C t r r (n s ), I r r (A )N O R M A L I Z E D T R A N S I E N T T H E R M A L R E S I S T A N C EZ t h (j -c )0.0010.010.110.000010.00010.0010.010.1110R th(j-c)Q =0.35K/W, R th(j-c)D =0.63 K/WFORWARD CURRENT I F (A)TIME (S)INSULATED TYPECONVERTER PARTCONVERTER DIODE FORWARD CHARACTERISTICS (TYPICAL) TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE CHARACTERISTICS(MAXIMUM)Single pulse, T C =25 °CF O R W A R D C U R R E N T I F (A )10100N O R M A L I Z E D T R A N S I E N T T H E R M A L R E S I S T A N C EZ t h (j -c )0.0010.010.110.000010.00010.0010.010.1110R th(j-c)D =0.24 K/WFORWARD VOLTAGE V F (V)TIME (S)INSULATED TYPEKeep safety first in your circuit designs!•Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble may occur with them. Trouble with semiconductors may lead to personal injury, fire or property damage.Remember to give due consideration to safety when making your circuit designs, with appropriate measures such as (i) placement of substitutive, auxiliary circuits, (ii) use of non-flammable material or (iii) prevention against any malfunction or mishap.Notes regarding these materials•These materials are intended as a reference to assist our customers in the selection of the Mitsubishi semiconductor product best suited to the customer's application; they do not convey any license under any intellectual property rights, or any other rights, belonging to Mitsubishi Electric Corporation or a third party.•Mitsubishi Electric Corporation assumes no responsibility for any damage, or infringement of any third-party's rights, originating in the use of any product data, diagrams, charts, programs, algorithms, or circuit application examples contained in these materials.•All information contained in these materials, including product data, diagrams, charts, programs and algorithms represents information on products at the time of publication of these materials, and are subject to change by Mitsubishi Electric Corporation without notice due to product improvements or other reasons. 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Please contact Mitsubishi Electric Corporation or an authorized Mitsubishi Semiconductor product distributor when considering the use of a product contained herein for any specific purposes, such as apparatus or systems for transportation, vehicular, medical, aerospace, nuclear, or undersea repeater use.•The prior written approval of Mitsubishi Electric Corporation is necessary to reprint or reproduce in whole or in part these materials. •If these products or technologies are subject to the Japanese export control restrictions, they must be exported under a license from the Japanese government and cannot be imported into a country other than the approved destination.Any diversion or reexport contrary to the export control laws and regulations of Japan and/or the country of destination is prohibited. •Please contact Mitsubishi Electric Corporation or an authorized Mitsubishi Semiconductor product distributor for further details on these materials or the products contained therein.。

三菱PLC特殊功能模块教程

PLC• PLC现蓝-感源然•FX-4AD 4 12 A DPLC PLC FROM TO FX-4AD 8-1 8-1现蓝-必源然-智脉•FX-2AD-PT 2 l2 A DPT-l00 FX-2AD-PT FROM TO FX-2AD-PT 8-2现蓝-必然源•现蓝-必然源必度必然源现蓝-必然源紧种点现置精立脉精现蓝-必然源旋-息现蓝-感源然-脉点现蓝•现蓝-感源然-脉点感现置精立脉精现蓝-感源然-脉点旋-感 t踪过首釐～• 现蓝必哦现蓝-感源然现蓝-必然源现蓝-必源然-紧脉器 0 操旋-度哦器哦满现立器 •FX PLC FX-4AD FX-2DAFEOM To FROM FX-4AD FX-2DA TO FX-4AD FX-2DA FX-4AD FX-2DA BFM32 l 6BFM#0 #31 FX-4AD BFM 8-5• 型紧种点脉精型满现立现蓝-感源然～～～～••PLC FROM * BFM• 满现立储0 感界0000 度感•精横0 -度精范增首0范•0横度增感m源增必0m源•0横必 -必0m源增必0m源•0横感• 满现立储0 界息息度0 ～～～～～～～～～～～～～～～～～～点界度 -度0范增度0范～～～～～～～～～～～～～～～～～～点界必增感m源增必0m源～～～～～～～～～～～～～～～～～～点界息点界感•～满现立储智度必满现立储拄旋～～～～• 满现立储度感度-感0智控旋～～～～• 满现立必0 度现蓝-感源然• 满现立必度过度过0 度 0过度过00 首～～～～～～～～～～ 0 ～～～～～～～～～～增首000• 满现立储必息满现立储必感满现立储必必理 0哦 - 器BFM#22 G1 01 1BFM#23 24 l• 满现立储必息储必感 m范 μ源现蓝-感源然拄m范必0μ源• BFM#30 PLC FROM FX-4ADK2010BFM#29 FX-4AD b2 OFF DC24V b2 ON FROM•满现立储息首•FX-2DA BFM 8-6• 8-6 * BFM TO• PLC STOP RUN BFM FX-2DA BFM• 满现立储0 点界度点界必界00 ～～～～0 0 哦-度0范增度0范器～～～～0 度哦增感m源增必0m源器 H1O CH1 CH2• 满现立储度满现立储必～～～～满现立储度点界度哦 0器～～～～满现立储必点界必哦 0器• 紧种点置色管背脉精紧现蓝-必然源满现立储拄～～～～•满现立储拄～～～～～～～界00 点界必点界度～～～～～～～界0度点界必点界度～～～～～～～界度0 点界必点界度～～～～～～～界度度点界必点界度• 满现立必0 首现蓝-必然源～～～～满现立储必度过度过0度 0过度过0 0 度～～～～～～～～～～ 0+1000• BFM#23 BFM#24 BFM 22 G-0( - ) BFM#22 G1 O1 lBFM#23 BFM#24 1• 满现立储必息储必感 m范 μ源现蓝-必然源拄m范必0μ源～～～～• 现蓝-必0然源确息0度0 满现立储息0 ～～～～• 满现立储必智现蓝-必0然源～哦器～• 1 8-l FX-4AD FX-64MR N0 CH1 CH2 4 PLC D0 D1• 2 FX-2DA 2 CH1 CH2 PLC RUN STOP哦器～•现蓝-感源然现蓝-必然源脉精满现立～～• FlF2 PLC FX2 FX2CPLCF2-6A 8 2 1 :•度富～～哦0 拄器范哦0 度0器范哦精必0器m源始哦感必0器m源哦感必0器m源～～•必富～～哦精拄器范哦0 度0器范哦精必0器m源哦感必0器m源•息富～～～～0 必拄0 哦0 拄器范哦0 度0器范哦0 必0器m源哦感必0器m源旋必拄拄•感富哦器～•F2-6A 3～• FX PLC 1现蓝-度紧理•现蓝-度紧理现置精立脉精现蓝必现蓝必那紧种点现蓝-度紧理紧种点旋现蓝-度紧理•FX-1PG• 度00确～～～～• 紧种点现置精立脉0 ～～～～• 紧种点• PLC PLC现蓝-度理立•现蓝-度理立操操现蓝必现蓝必点紧种点旋紧种点现蓝-度理立现置精立脉精～～～～•现蓝-度理立度00确～现蓝-度界点哦现蓝必器～现蓝必点•～紧种点哦必必风界必器现蓝-度界点～～～～• 现置精立脉精～～～～• 现蓝必现蓝必点旋现蓝-度界点•现蓝-度界点旋-智必现蓝-必0理立～•现蓝-必0理立必•现蓝-必0理立必00风哦度00风器必息0•现蓝-必0理立旋旋益精感旋•FX-20GM现必-息必置立-背状脉～••F2-32RM-SET CPU 32 F2-32RM-SET :• 操必0 精管精现现息必哦Y度-Y息必器高旋-感••F2-32RM-SET EEPROM 2•现必-息必置立-背状脉～～～～•现必-息必置立-背状脉度00m•F2-32RM-SET F2 FX PLC• 8-516•F2-32RM ( #1) ( #4) PROG RUN PROGPROG RUN RUN• 哦菱置益脉状器哦源紧紧状管然器哦立精然益现Y器哦状管然器背源范状理精状状紧置精立• ON OFF GO CLR ON OFF• 精管精现现精管精现现精管精现现～～～～• 0富拄～•～现必-息必置立-背状脉 “ ” 旋-控•～满源管确 0增度拄～～～～• 增 - 精色脉 0 增度• 理精增 -•F2-32RM-SET 8-7• 旋-旋息息控0 0富拄• 旋-智旋-旋置背必息必点现蓝-必息必源然紧～•置拄必息必点现蓝-必息必源然紧置拄必息必点现蓝～必现蓝～必那紧种点紧种点现蓝必现蓝必点紧种点～～～•～现蓝-必息必源然紧紧种点然旋度必0 紧种点置背紧种点•FX-232ADP 8-10。

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第十章FX2N FX2N系列系列系列PLC PLC PLC的特殊功能模块及通信的特殊功能模块及通信一模拟量输入模拟量输入//输出模块二高速计数模块高速计数模块FX2N FX2N FX2N--1HC 三其他特殊功能模块四特殊功能模块的应用五PLC PLC通信的基本概念通信的基本概念六PLC PLC与计算机的通信与计算机的通信七PLC PLC与与PLC PLC之间的通信之间的通信八PLC PLC的网络介绍的网络介绍一、模拟量输入模拟量输入//输出模块1 概述FX2n-4AD 是FX2n 系列PLC 的模拟量输入模块的模拟量输入模块，，有CH1~CH4四个通道个通道，，每个通道都可进行AD 转换转换，，分辩率为12位，采集信号电压为-10V~+10V ，分辩率5mV 。

电流输入时电流输入时，，为4~20mA 或-20~20mA ，分辩率20uA 。

FX2n-4AD 内部有32个16位的缓冲寄存器(BMF)，用于与主机交换数据用于与主机交换数据。

FX2n-4AD 占用FX2n 扩展总线的8个点，耗电为5V ，30mA 。

2、FX2n-4AD 的电路接线FX2n-4AD 通过扩展电缆与PLC 主机相连主机相连，，四个通道的外部连接则根据外部输入电压或电流量的不同而不同的外部连接则根据外部输入电压或电流量的不同而不同。

应注意以下几点应注意以下几点：：1. 外部输入为电压量信号,则将信号的+、-极分别与模块V+和VI-相连相连。

2.若外部输入为电流量信号,则需要把V+和I+相连相连。

3.如有过多的干扰信号如有过多的干扰信号，，应将系统机壳的FG 端与FX2n-4AD 的接地端相连的接地端相连。

FX2n-4AD 与外部信号接线图电流信号电压信号FX2n-4AD 的电路接线3 FX2n-4AD的性能指标2.转换特性（１）4个输入点可同时使用个输入点可同时使用。

（２）输入电压为-10V~+10V,如果绝对值超过15V ，则可对单元造成损坏损坏。

（３）12位转换结果以二进制补码形式存放位转换结果以二进制补码形式存放。

最大值2047，最小值-2048。

（４）分辨率电压为1/2000，5mV ，电流为1/1000，20uA 。

（５）总体精度1%。

（６）转换速度6~15ms 。

３．模拟量模块的性能说明:４．BFM 内容含义用于选择AD 转换速度转换速度：：0为正常速度为正常速度，，15ms ；如为1，则选择高速则选择高速，，6ms 。

#15保留#13~#14每个输入通道当前值存放#9~#12存放四个通道的平均输入采样值#5~#8存放通道#1~#4的采样值的采样值，，用于求平均值#1~#4通道初始化通道初始化，，缺省值为H00000#不能使用#31识别码识别码：：K2010#30错误状态#29保留#25~#28增益值增益值，，缺省值为5000。

#24偏移值偏移值，，缺省值为0。

#23偏移偏移、、增益调整增益调整：：G4O4G3O3G2O2G1O1#22禁止调整偏移量禁止调整偏移量、、增益值增益值，，缺省值为0。

#21复位到缺省值预设复位到缺省值预设，，缺省值为0。

#20保留#16~#19●当当BFM#20被设置为1时，FX2n -4AD 模块所有的设置将复位为缺省值位为缺省值。

●如果BFM#21的（b1,b0）被设置为（1，0），则偏移量与增益值被保护增益值被保护，，为了设置偏移量与增益值为了设置偏移量与增益值，，（b1,b0）必须设为（1，0），缺省值为（0，1）。

●BFM#23和BFM#24的偏移量与增益值送入指定单元的偏移量与增益值送入指定单元，，用于指定通道指定通道。

输入通道的偏移量与增益值由BFM#22适当的G-O （增益-偏移偏移））位确定位确定。

●BFM#23和BFM#24中的增益值和偏移量的单位是mV （或µA ）。

FX2n-4AD 分辨率为5mV （或20µA ）,为最小刻度为最小刻度。

５、调整偏移量与增益值６、BFM#29的状态信息设置含义平均值正常数字平均采样值大于4096或小于0b11：平均值错误#21的（b1,b0）（0，1）#21缓冲器的禁止位缓冲器的禁止位（（b1 ，b0）设置为设置为（（1，0）b12：偏移量与增益修正禁止数字输出正常数字输出值小于-2048或大于+2047 b10：数字范围错误硬件正常A/D 或其它硬件错误b3：硬件错误电源正常24VDC 错误b2：电源不正常偏移量与增益值正常偏移量与增益值修正错误b1：偏移量与增益值错误无错误当b1~ b4为ON 时，b0=ON ，如果b2~ b4任意一位为ON ，通道停止b0：错误OFF ON #29缓冲器位6、BFM#30为缓冲器确认码，可用、为缓冲器确认码，为缓冲器确认码可用FROM指令读出特殊功指令读出特殊功能块的认别号。

单元的确认码为K2010。

能块的认别号。

FX2n-4AD单元的确认码为单元的确认码为。

7、增益值与偏移量、增益与偏移是使用FX2n-4AD要设定的两个重要参数，要设定的两个重要参数，增益与偏移是使用要设定的两个重要参数可使用输入终端上的下压按钮开关来调整FX2n-4AD的增益可使用输入终端上的下压按钮开关来调整的增益与偏移，也可通过 P L C 的软件进行调整。

数字量1000 模拟量小零大模拟量数字量负偏移0偏移偏移正偏移FX2n-4AD增益与偏移状态示意图增益与偏移状态示意图4 编程及应用FX2n-4AD的设置步骤的设置步骤校对BFM30中的识别中的识别校对码 K2010 设置通道工作方式设置平均值次数判断转换是否出错输出转换结果高速计数模块FX2N-1HC 二高速计数模块FX2N-1HC高速计数模块可以进行相50 kHz脉冲的计数，其计数速高速计数模块可以进行2相脉冲的计数，高速计数模块可以进行脉冲的计数度比PLC的内置高速计数器（2相30 kHz，1相60 kHz）的计数速度高。

的内置高速计数器（度比的内置高速计数器相，相）的计数速度高。

其特点如下。

1、可以由单相∕双相、50 kHz计数硬件高速输入。

计数硬件高速输入。

、可以由单相∕双相、计数硬件高速输入 2、配备有高速一致输出功能，可通过硬件比较器实现该功能。

、配备有高速一致输出功能，可通过硬件比较器实现该功能。

3、对双计数，可以设置×1、×2、×4乘法模式。

乘法模式。

、对双计数，可以设置× 、、乘法模式 4、通过或外部输入进行计数器复位。

、通过PLC或外部输入进行计数器复位。

或外部输入进行计数器复位 5、可以连接线驱动器输出型编码器。

、可以连接线驱动器输出型编码器。

若用1相或相线驱动器输出型编码器作为FX2N-1HC的输入信号，相或2相线驱动器输出型编码器作为的输入信号，若用相或相线驱动器输出型编码器作为的输入信号初始值设置由指令（初始值设置由指令（PRESET）输入，计数禁止用指令（DISABLE））输入，计数禁止用指令（）输入。

输入。

FX2N-1HC有两个输出端口，当计数值达到预设置时，输出设置为有两个输出端口，有两个输出端口当计数值达到预设置时， ON，输出端采用晶体管隔离。

，输出端采用晶体管隔离。

1、FX2N-1HC的技术性能指标 2、FX2N-1HC的电路接线图 7-11 PNP型编码器与FX2N-1HC的电路连接三、FX2N-1HC的缓冲寄存器表 7-8 BFM编号及意义四、FX2N-1HC的编程及应用的编程及应用 FX2N-1HC的内部系统结构框的内部系统结构框图如图7-20所示。

该模块使用时所示。

如图所示可按图7-21所示程序进行设计所示程序进行设计可按图应用，若需要，在程序中加一应用，若需要，些其他指令可对计数器当前值的状态进行读取。

图7-20 FX2N-1HC的内部系统结构框的内部系统结构框图7-21 FX2N-1HC的应用程序三其他特殊功能模块1、脉冲输出模块脉冲输出模块用于控制运动物体的位置、速度和加速度。

它可以控制直线运动或旋转运动。

脉冲输出模块与PLC构成的运动控制系统，可实现JOG运行、原点回归、1 速定位、2段速度定位、中断1速或2速定位、可变速度运行七种操作模式，广泛应用于速控机床、自动装配生产线上。

2、可编程凸轮开关FX2N-1RM-SET 在机电控制系统中，通常需要通过检测角度位置来接通或断开外部负载，以前是用机械式凸轮开关来完成这种任务的。

机械式凸轮开关要求加工精度高，易于磨损。

可编程凸轮开关FX2N-1RM-SET可实现高精度角度位置检测，它可以与FX2NPLC基本单元连用，也可以单独使用。

使用与它构成一体的数据设定组件（无刷分解器和分解器电缆），可以进行动作角度设定和监视。

它内置有无须电池的EEPROM，可存放8种不同程序。

可用FX-20-E简易编程器和计算机用的软件编程和传送程序，配套的无刷转角传感器的电缆最长可达100m。

FX2N可接3块FX2N-1RM-SET，后者也可以单独使用，在程序中占用可编程序控制器的8个输入输出点。

通过连接晶体管扩展模块，可以得到最多48点的ON / OFF输出。

两个输入点的额定值为DC24V / 7mA，它们用光电耦合器隔离，响应时间为3 ms。

3、通信功能扩展板和通信模块、 RS-232C通信用功能扩展板与通信模块 FX2N-422-BD RS-422通信功能扩展板 FX2N-485PC-IF RS-232C / RS485接口转换模块 RS-485通信用适配器和通信用功能扩展板 4、网络通信特殊功能模块、 FX2N-16CCL-M CC-Link（开放式网络）系统主站模块 FX2N-32CCL CC-Link接口模块 FX2N-16CCL-M MELSEC（三菱数据通信）I / O Link远程I / O连接系统主站模块 FX2N-32DP-IF PROFIBUS（欧洲标准现场总线）接口模块四特殊功能模块的应用1、FX2N-4AD及FX2N-4AD模块在温控系统中的应用利用FX2N-4AD及FX2N-4AD模块进行模/数、数/模转换可以方便地实现工业生产过程的自动化控制。

图7-25 炉温控制系统原理方框图7-27 FX2N-4AD及FX2N-4AD模块控制程序五、数据通信基本概念1、通信系统的基本组成图7-32所示为通信系统的基本组成结构框图，它分别由传送设备、发送器、接收器、传送控制设备（通信软件、通信协议）和通信介质（总线）等部分组成。