IGBT逆变式主电路的仿真研究
基于IGBT全桥式逆变焊机主电路的设计与仿真
基于IGBT全桥式逆变焊机主电路的设计与仿真尹路;易吉良;张宝【摘要】Designed the main circuit of inverter welder with a FB-ZVS-PWM full-bridge IGBT inverter work as inverter main circuit topology, which consisted of the input rectifier filter circuit, inverter and output rectifier circuit. Analyzed the main circuit working principle and designed parameters of the components. Based on it, made the MATLAB simulation, and set up a prototype on the theoretical basis and made an experiment. The simulation result and prototype experimental result both demonstrated rationality and feasibility of the proposed circuit design.%设计了一种以FB-ZVS-PWM的IGBT全桥逆变的工作方式为逆变电源主电路拓扑结构的逆变焊机主电路，其结构由输入整流滤波电路、逆变器和输出整流电路3部分构成。
分析了主电路的工作原理，设置了元器件的参数，并在此基础之上进行了MATLAB仿真实验。
在理论基础之上，设计了原型机，并进行实验。
仿真实验结果和原型机实验结果均证明了所提出的电路设计的合理性和可行性。
【期刊名称】《湖南工业大学学报》【年(卷),期】2014(000)001【总页数】6页(P26-31)【关键词】逆变器;绝缘栅双极晶体管;电弧焊;逆变拓扑结构【作者】尹路;易吉良;张宝【作者单位】湖南工业大学电气与信息工程学院，湖南株洲 412007;湖南工业大学电气与信息工程学院，湖南株洲 412007;湖南工业大学电气与信息工程学院，湖南株洲 412007【正文语种】中文【中图分类】TG434.1焊接电源是实现焊接的重要设备。
由IGBT组成的H桥型直流直流变换器的建模及应用仿真
目录1.引言 (2)1.1研究意义 (2)1.2研究内容 (2)2.直流-直流变换器的工作原理 (2)4 H桥DC/DC变换系统的电路仿真模型建立与实现 (6)5 结论 (11)心得体会 (12)1.引言1.1研究意义电能是现代工农业、交通运输、通信和人们日常生活不可缺少的能源。
电能一般分为直流电和交流电两大类，现代科学技术的发展使人们对电能的要求越来越高，不仅需要将将交流电转变为直流电，直流电转变为交流电，以满足供电能源与用电设备之间的匹配关系，还需要通过对电压、电流、频率、功率因数和谐波等的控制和调节，以提高供电的质量和满足各种各样的用电要求，这些要求在电力电子技术出现之前是不可能实现的，随着现代电力电子技术的发展，各种新型电力电子器件的研究、开发和应用，使人们可以用电力电子变流技术为各种各样的用电要求提供高品质的电源，提高产品的质量和性能，提高生产效率，改善人们的生活环境。
所谓变流就是指交流电和直流电之间的转换，对交直流电压、电流的调节，和对交流电的频率、相数、相位的变换和控制。
而电力电子变流电路就是应用电力电子器件实现这些转换的线路，一般这些电路可以分为四大类。
（1）交流—直流变流器。
（2）直流—直流斩波调压器。
（3）直流—交流变流器。
（4）交流—交流变流器。
本课题所要研究的是直流—直流斩波调压。
1.2 研究内容（1）工作原理分析（2）系统建模及参数设置（3）波形分析2.直流-直流变换器的工作原理直流—直流变流电路的功能是将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电，包括直接直流变流电路和间接直流变流电路。
直接直流变流电路也称斩波电路，它的功能是将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电，一般是指直接将直流电变为另一直流电，这种情况下输入与输出之间不隔离。
间接直流变流电路是在直流变流电路中增加了交流环节，在交流环节中通常采用变压器实现输入输出间的隔离，因此也称为带隔离的直流—直流变流电路或直—交—直电路。
IGBT单相桥式无源逆变仿真
图 2-7
6 本系统选择的仿真算法为 ode23tb，仿真 Start time 设为 0，Stop time 设为 0.08s。
三、仿真结果与分析
波形图分别代表输入电压波形、IGBT1.IGBT3 触发脉冲、IGBT2.IGBT4 触 发脉冲、负载输出波形上的电压。下列波形分别是延迟角 a 为 30、40、50 时的 波形变化。
3
Simulink 仿真实验报告
Subsystem 参数设定如下：
IGBT1 增补的触发脉冲：
图 2-4
4 RLC 支路参数设定：
图 2-5
图 2-6
4
Simulink 仿真实验报告
5 示波器相关参数的设定：“Number of axes”设置为 4，“Time range” 设置为 auto，“Tick labels”设置为 bottom axis only，“sampling”设置为 Decimation1。
图 1-2.移向调压理论波形
二、单相桥式无源逆变电路（阻感性负载）建模
1）.单相桥式无源逆变电路（电阻性负载）仿真电路图如图 2-1.所示：
图 2-1.单相桥式无源逆变仿真电路图
2
Simulink 仿真实验报告
2).仿真参数设定 1 IGBT 参数 Rn=0.001Ω，Lon=1e-6H，Vf=1V，Rs=1e5Ω，Cs=250e-6F； 负载参数 R=1Ω，L=1e-3H； 2 直流电压源参数 U=100V；
现代电力电子技术之igbt建模与仿真
现代电力电子技术IGBT建模与仿真一、IGBT结构及工作原理自上世纪80年代绝缘栅双极型晶体管（IGBT）问世以来，逐渐取代了晶闸管和功率MOSFET等器件，在中频、中等功率变流领域获得了广泛的应用。
IGBT 克服了功率MOSFET高通态损耗的特性，同时保持了MOSFET门极电压驱动的优点。
IGBT是一种PNPN四层结构的器件，其结构剖面图和等效电路如图（1）所示。
(a) 剖面图(b) 达林顿等效结构图(1)IGBT结构剖面图及等效电路由图（1）（b）可知，IGBT相当于一个MOSFET和一个BJT的混合电路。
当在其栅极施加一个足够大的正向电压时，MOSFET内部将形成沟道，为晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。
此时由于P+区的空穴注入到N-区产生电导调制效应，能够减小N-区的电阻，从而使IGBT具有较小的通态压降。
二、IGBT工作特性IGBT的工作特性分为静态特性和动态特性两种。
(1)静态特性静态特性描述了稳态情况下IGBT的电流与电压关系，最常用的是其伏安特性和转移特性。
伏安特性指的是在不同的Vge下，Ice与Vce之间的关系，如图（2）左图所示。
转移特性是指集电极电流Ic与栅射电压Uge之间的关系，如图（2）右图所示。
图(2)IGBT的静态特性(2)动态特性动态特性描述了开关过程中IGBT的电压电流随时间变化的关系，分为开通特性和关断特性。
(a)开通过程 (b)关断过程图(3)IGBT的动态特性在开通过程中有两点值得关注：一是电流Ic上升率较快时，快恢复二极管的反向恢复电流将导致Ic出现尖峰，这一尖峰会引起电磁干扰等问题；二是寄生电容Cgc导致Miller效应，使Vge出现Miller平台，增加开通损耗。
在关断过程中，Cgc的分流作用使得在Vce下降过程中同样会出现Miller 平台，增加关断损耗。
此外电流下降过程中，二极管偏置导通将引起电压过冲，导致电磁干扰问题。
由于MOSFET快速关断，PNP双极管中存储的电荷不能及时释放，关断过程中还会有一个较长的拖尾电流，也增加了关断损耗。
IGBT模块热网络模型及电路仿真应用
IGBT模块热网络模型及电路仿真应用IGBT芯片在模块内工作时面临高压大电流环境，每个芯片因位置差异导致其温度各不相同，因此直接精准测量每个芯片的结温基本上是不可能的。
通常使用建立IGBT模块简化模型的方法，通过计算、仿真等方法得到IGBT模块内部芯片的等效结温，称为虚拟结温，用标志Tvj来表示。
广义上来说，谈到IGBT模块结温的时候，大部分情况下其实都是在说虚拟结温Tvj。
图1 IGBT模块内部结构IGBT模块的真实热传导路径应当是三维的，热量从芯片发出，通过横向（X，Y）和纵向（Z）路径传导。
由于模块内部结构复杂，所以模块内每一层材料上不同点的温度不一定相同，热传导形成的等温面可能是不规则的曲面（如图2）。
图2 IGBT模块内部传热路径和等温面半导体器件厂商为了量化半导体器件内部的虚拟结温Tvj，提出了一维分层热结构模型的方法。
该方法基于以下假设：(1)IGBT模块内部的传热路径简化为从内部芯片到外部基板的一维路线热结构模型（实际上其它路径的传热量的确远小于该路径）；(2)热结构模型体现的是模块内部等温面的分布，而不是对IGBT 模块内部物理结构的简单等效。
一、用电路理论分析热模型1.Cauer热网络模型将物体内部按材料进行分层，每一层都有其对应的热阻、热容，这种基于物体内部不同材料的真实物理特性建立的热网络模型叫做Cauer网络模型。
Cauer热网络模型可以用电路模型来等效。
模块外部的导热材料和散热器模型也可以一并加入热网络模型。
热源（W）可以对应电流源（A），热阻（K/W）可以对应电阻（Ω），热容（J/K）可以对应电容（F），温度（K）可以对应电压（V）。
有了这样的对应关系，即可将热模型转化为电路模型。
如图3所示，即为Cauer热网络模型转化成电路模型的情况。
图3 Cauer热网络模型转为电路模型通过电路仿真软件，将模块工作时的损耗用数学模型表示成电流，输入等效电路模型，监测各层的电路节点电压，即可得到各层的仿真温度。
IGBT光伏发电逆变工作原理和电路设计
IGBT光伏发电逆变工作原理和电路设计作者：海飞乐技术时间：2017-07-25 09:53 国内外大多数光伏发电系统是采用功率场效应管MOSFET构成的逆变电路。
然而随着电压的升高，MOSFET的通态电阻也会随着增大，在一些高压大容量的系统中，MOSFET会因其通态电阻过大而导致增加开关损耗的缺点。
相比之下，绝缘栅双极晶体管IGBT通态电流大，正反向组态电压比较高，通过电压来控制导通或关断，这些特点使IGBT在中、高压容量的系统中更具优势，因此采用IGBT构成太阳能光伏发电关键电路的开关器件，有助于减少整个系统不必要的损耗，使其达到最佳工作状态。
1.工作原理与设计思路1.1光伏发电系统结构太阳能光伏发电的实质就是在太阳光的照射下，太阳能电池阵列(即PV组件方阵)将太阳能转换成电能，输出的直流电经由逆变器后转变成用户可以使用的交流电。
原理图如图1所示。
逆变器是太阳能光伏发电系统中的关键部件，因为它是将直流电转化为用户可以使用的交流电的必要过程，是太阳能和用户之间相联系的必经之路盟。
因此要研究太阳能光伏发电的过程，就需要重点研究逆变电路这一部分。
如图2(a)所示，是采用功率场效应管MOSFET构成的比较简单的推挽式逆变电路，其变压器的中性抽头接于电源正极，MOSFET的一端接于电源负极，功率场效应管Q1，Q2。
交替的工作最后输出交流电力，但该电路的缺点是带感性负载的能力差，而且变压器的效率也较低，因此应用起来有一些条件限制。
采用绝缘栅双极晶体管IGBT构成的全桥逆变电路如图2(b)所示。
其中Q1和Q2之间的相位相差180°，其输出交流电压的值随Q1和Q2的输出变化而变化。
Q3和Q4同时导通构成续流回路，所以输出电压的波形不会受感性负载的影响，所以克服了由MOSFET构成的推挽式逆变电路的缺点，因此采用IGBT构成的全桥式逆变电路的应用较为广泛一些。
图1 太阳能光伏发电原理图1.2 IGBT的工作原理绝缘栅双极晶体管IGBT是相当于在MOSFET的漏极下增加了P+区吲，相比MOSFET来说多了一个PN结，当IGBT的集电极与发射极之间加上负电压时，此PN结处于反向偏置状态，其集电极与发射极之间没有电流通过，因此IGBT要比MOSFET具有更高的耐压性。
大容量逆变电源IGBT并联应用的仿真分析
器可为空芯或铁芯的 。
图 5 ( a) 电路为采用空芯电抗器动态均流 ,它的优点是
简单 ,可限制 d i/ d t和 du / d t,故被普遍采用 。
电感参数
LS
=
0. 01DN 2 (μH) L + 0. 44
(5)
D
式中 : D、L —空芯电感螺管的直径 、长度 ;单位 : cm
N —匝数
输出电流的改进型驱动电路 ,用它可驱动 400A /600V模块三
个并联或 300A /1200V 模块的三个并联 IGB T, 外接元件与
EXB851或 EXB841相同 。
图 6 IGBT并联用栅极驱动电路 果 。图 7为图 2电路中 ab两端电压 Vab 的波形及流过负载的 电流 IL 的波形 。图 8为图 3电路中 AB两端电压 VAB 的波形及 流过负载的电流 IL 的波形 。
3) 挑选特性参数尽量一致的器件进行并联 ,在同型号 、
同批次的器件中筛选参数一致或尽可能接近的器件 。
4) IGB T并联时 ,适当降低每只器件的电流定额值 。选择
IGB T的额定电流 :
In
=
( 1. 5 - 2) ILm ( 0. 8 - 0. 9) np
(7)
式中 : 1. 5 ～ 2 :安全裕量 ;
( Southe rn Yangtze U nive rsity,W uxi J iangsu 214036, China)
A BSTRACT:W hen inve rte r power is deve lop ed as a la rge outpu t power, it is usua lly lim ited by the e lectric cu rrent cap ac ity of a single IGB T ( Insu la ted Gate B ipo la r Tran sisto r). Illum inated by the success of MO SFETs app lied in p arallel, this p ape r a im s at to so lve this p roblem by u sing the pa ra lle l m e thod of IGB Ts. B ased on analyzing the IGB Tπs ope ra ting m echanism , this p ape r a lso de scribe s the elec tric circu it and its op era ting p rinc ip le. The reason s led to cu rrent unba lance s of each IGB T in p arallel are ana lyzed, and the co rre sponding so lu tion s and the hybrid IC are p ropo sed. The theo ry analysis and the re sults of the c ircuit sim u la tion show that the h igh cap ac ity inverter powe r w ith the pa ra lle l m e thod of IGB Ts is ava ilable, in this way it can en la rge the elec tric curren t capac ity of the who le m ach ine and inc rease the power of inve rte r. KEYW O RD S: IGB T; Parallel; Inverter powe r; Sim ula tion
IGBT热仿真建模分析
IGBT功率管热仿真工作总结一、【问题描述】：大功率IGBT是我司产品中的常用器件，尤其是在功率模块中，例如风能功率模块，光伏逆变器等。
在这些产品中，IGBT有一个共同特点：功率密度大，工作温度高。
如果不能建立有效的散热途径，将热量散出，IGBT工作温度超过允许值，就会损毁。
在产品设计的初始阶段，如何利用仿真手段准确评估IGBT的结温，建立有效的散热途径就成为热设计工程师急需解决的问题。
二、【原因分析】：IGBT芯片Diode芯片图1 IGBT内部结构图硅凝胶DBC图 2 IGBT内部芯片焊接结构简图IGBT内部结构如图1所示，发热器件由多组芯片组成，每一组芯片由一个IGBT芯片和一个Diode（二极管）芯片组成（视具体情况而定，有些IGBT中，一组芯片中IGBT 芯片数和Diode芯片数不同）。
图1中绿色方框中的为IGBT芯片，黄色方框中的为Diode 芯片。
如图2所示，IGBT芯片和Diode芯片正上方是一层厚度约5mm ，导热系数为0.15W/m.K的透明硅凝胶；芯片直接焊接在DBC层上，DBC层再焊接在铜基板表面。
DBC层由0.38mm厚氧化铝陶瓷片上下紧密贴附0.3mm厚铜皮组成（DBC的具体结构和制造厂家有关，另外相同厂家不同型号的产品具体结构也不相同，本文只介绍一种典型的结构）。
由于芯片上部的硅凝胶导热系数很小，芯片产生的热量主要通过下方的铜基板传到散热器上。
芯片和散热器之间的热阻分布如图3所示，归纳起来可分为两部分：①结壳热阻（芯片到铜基板的热阻）；②壳到散热器的热阻（铜基板和散热器之间的热阻）。
热流方向图3 IGBT热阻网络图IGBT的最高使用温度和热阻数据可以从厂家提供的器件资料中查到。
通常产品中使用的IGBT管子（一个桥臂）实际是将两个IGBT封装在一起，如图4所示。
厂家给定的热阻值可能是其中一个IGBT的值，也可能是整个IGBT管子（一个桥臂）的热阻，根据具体资料确定。
以英飞凌FF1000R17IE4为例，FF1000R17IE4管子内部共有12组芯片（一组芯片包含一个IGBT芯片和一个Diode芯片；一个IGBT有6组芯片）。
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2000年3月 南昌航空工业学院学报March.2000第14卷第1期 Journal of Nanchang Institute of Aeronautical TechnologyVol.14 №1IG B T 逆变式主电路的仿真研究3曾 敏 薛家祥 黄石生 罗卫红 方 平(华南理工大学 机电工程系 广州510640)摘 要 通过对全桥式IG BT 逆变主电路的研究,论述了CAD 技术在电路设计中的应用前景,介绍IG BT 全桥主电路的工作原理及IG BT 、主变压器的数学模型,并对全桥主电路进行了仿真研究。
实验结果表明,仿真波形与实际相符合,吸收参数对电路的影响比较小。
关键词 电路设计 TG BT 逆变 模型 仿真中图分类号TN710;TP291.9前言由于电力电子技术的发展及计算机技术的不断进步,计算机辅助设计技术(CAD )在电力电子技术系统设计中得到了广泛的应用。
由于CAD 技术的出现,使电子工程师的设计效率得到大大提高,同时省略了许多实验过程,降低了设计成本。
目前比较流行的通用电子电路的仿真分析软件都是在美国加州大学伯克利分校开发的SPICE 程序发展起来的,其中以Meta Software 公司的HSPICE 、MicroSim 公司的PSPICE 和Intusoft 公司的ICAP 最为著名。
[1][2]本文不是在Intusoft 公司的ICAP4.0的平台上进行仿真研究的。
ICAP4.0包含4个工具包:Edit Text Files 用于电路文本的编辑:Ispice4.0用于电路分析:Scope 是功能强大的多路示波器,可任意缩放电压电流波形;SpiceNet 用于绘制需仿真的电路,因此,它可以同时以文本和图形两种方式表述需仿真的电路。
此外,ICAP4.0还自带庞大的器件模型库,从而使设计人员可减轻设计工作量。
本文利用ICAP4.0来对IG B T 全桥逆变主电路进行仿真和分析。
1 IG B T 逆变式主电路原理及分析逆变式主电路有单端正激、双单端、半桥、全桥等形式,由于全桥式逆变主电路适于输出大功率,在本研究中采用这种逆变主电路形式。
整个主电路原理图如图1所示。
其工作原理如下:图1 IG B T 逆变主电路原理图 交流380V 经整流滤波后成低纹波的直流电压,然后提供给由IG B T 和变压器T 1组成的逆变器:IG B T 、IG B T 4和IG B T 2、IG B T 3由控制电路提供驱动波形而交替导通,再经变压器T 1后,在变压器T 1的次级得到交变的电压;然后再由D 1、D 2组成的整流电路整流成直流电,经输出电抗器L 2滤波提供3国家自然科学基金资助项目(编号:59875020)收稿日期:1999-11-26 第一作者:曾敏,男,1970年生,博士研究生。
给负载使用。
其中与IG B T 、输出整流二极管并联的电阻和电容起阻容吸收作用,霍尔传感器H1采样输出电流信号后,提供给控制电路进行放大、比较来控制IG B T 的驱动波形,从而控制IG B T 的开关工作。
2 电路模型的建立与仿真要得到与实际相符合的结果,就必须对电路的元器件建立合适的数学模型。
在ICAP4.0中还没有IG B T 等器件的模型,因此需要对电路仿真中IG 2B T 等器件自建模型。
2.1 IG B T 模型的建立IG B T 的全称为绝缘栅双极晶体管,它集场效应管MOSFET 和功率晶体管GTR 二者的优点于一体,具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的特点,同时还具有通态电压低、耐压高和输出电流大的优点。
在开关电源、逆变电源等方面得到了广泛的应用。
对IG B T 模型国内外学者已进行了许多的研究。
并得到了一定的研究成果。
[2][3]在文献[3]中采用PSPICE 的多瞬态分析法来研究IG B T 模型。
通过“组合IG B T 模型”的方式来得到由MOSFET 和GTR 组合而得到的模型,可比较精确的对IG B T 进行仿真。
其仿真模型的等效电路及模型结构如图二所示。
在本文中将采用此模型结构。
(a )IG BT 的等效电路 (b )IG BT 模型结构图2 IG B T 的等效电路及模型结构2.2 主变压器的模型在求出主变压器的模型前,首先假设它满足如下条件:(1)忽略变压器线圈电阻及磁芯在交变磁场作用下的损耗。
(2)忽略变压器的漏磁。
在这两个前提条件下可以得出变压器的理想模型如图三(a )所示,但是在实际情况下,变压器有线圈电阻及变压器线圈的涡流、磁滞损耗,同时还存在漏磁现象。
因此,在理想变压器的模型中还需增加漏电感、电阻等元件才能得到实际变压器的模型如图三(b )所示。
图中Ri 、Ro 分别为次级阻抗,Li 、Lo 为初次级漏抗,L m 为变压器铁芯损耗。
由于图3(b )更能反应变压器的实际情况,因此在仿真中采用此模型。
(a )变压器理想模型 (b )变压器实际模型图3 IG B T 逆变电源主变压器模型第1期 曾敏 等:IG B T 逆变式主电路的仿真研究 73 实验结果及分析图1所示主电路别的元件模型在ICAP4.0中都有现存的模型,将所示图中元件现取相应的值代入(在本仿真中所取的值都与实际采用的数值一致)。
其中IG B T 和主变压器采用上述的模型。
实际中IG B E 采用FUJ I 的2MB1100L -120模块(100A/1200V ),变压器采用铁氧体磁芯(采用U96磁芯由4付组成,磁通密度取0.1T )。
对图1进行仿真,得到的波形如图4所示(图中纵坐标单位一律为50V/div )。
从图4可知,仿真波形与实验波形拟合的很好,可见采用的IG B T 模型和变压器模型是可行的,可以很好地描述其实际工作状况。
图4(c )中是对负载状况下的电路仿真,当有负载的情况下可以看见输出电压波形的脉宽是收缩的,不同的负载状况其脉宽收缩程度不同,负载重则脉宽宽,负载轻则脉宽窄,与实际脉宽调制电路相吻合。
图4(d )为负载状况下的输出电压波形,可见输出电压波形为一有纹波的电压,这与实际情况也是相吻合的,由于逆变电路中的输出电抗值一般为100～200uH ,电感值比较小,不能将输出整流电路整流后的电压完全滤平,输出为一纹波电压。
进一步的仿真实验还表明,对于相同的吸收电路形式,其吸收参数R 、C 的取值不同,对电路输出波形的影响比较小。
图4 IG B T 主电路仿真波形与实测波形4 结论通过对IG B T 逆变电路的仿真及分析,可得到以下一些结果:(1)采用等效电路的方式来描述IG B T 、主变压器的数学模型在电路仿真中是可行的。
说明在电路仿真中很主要的工作是取得合适的器件模型。
(2)电路仿真结果与实际情况很符合,可以很好地描述全桥IG B T 逆变主电路的工作过程。
进一步的分析其参数对电路工作过程的影响,对实际工作起指导作用。
(下转第12页)膜光纤在各个频率段的调制相移量关系,以寻求一较佳的电压材料镀膜光纤相位调制器。
除了对常规的玻璃光纤进行镀膜实验外,目前我们正在对聚合物光纤进行探索。
参考文献〔1〕A.P.G outzoulis and D.R.Pape,Design and Fabrication of Acousto2optic devices.Marcel Dekker,New Y ork,1994;〔2〕B.Y.K im,J.N.Blake,H.E.Engan,and H.J.Shaw,All2fiber a2 cousto2Optic frequency shifter,Opt.Letter,vol,11,no.6,J un 1986;〔3〕W.P.Mason,Electromechanical Transducers and Waves Filters, Van Nostrand,2nd ED.New Y ork,1948;〔4〕A.Roeksabutr and P.L.Chu,Broadband Frequency Response of a Zno Coated Fiber Phase Modulator,IEEE Photon,Technology Let2 ter,vol.9,no.5,May1997。
R esearch on Optical f iber Acousto2Optic Phase ModulatorZHou Li(Dept.of Electronical Engineering,Nanchang Institute of aeronautical Technology,Nanchang,P.R.Chian330034)Xiaogang Li G.D.Peng(University of New Soath wales,Sydney,2052Australia)Abstract:This paper discusses an optical fiber coated with pieaoelectric AnO.,the optical fiber acousto2optic phase modulator.The geometry of op2 tical fiber using ZnO coating is firstly presented.Then,the basic theory of piezoelectric resonator of this geometry is analyzed and also the T2network of electrical equivalent circuit for the optical fiber coated with piezoelectric ZnO been deduced.Finally,the experimental setup for optical phase measure2 ment of the optical fiber acousto2optic phase modulator is given.K eyw ords:Optical fiber;Phase modulator;acousto2optic resonator,ZnO coating.(上接第8页)(3)电路仿真技术在电路设计中有重要的作用,可优化电路参数,节约设计成本,提高工作效率。
参考文献〔1〕高文焕,汪蕙编著,模拟电路的计算机分析与设计———PSPICE 程序应用,清华大学出版社,1999;〔2〕Franc Mihalic,et al,IG BT Spice model,IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRIAL EL ECTRONICS,1995,42(1);〔3〕何湘宁,用PSPICE多瞬态分析法建立电力电子器件的模型特征,电力电力技术。