电子束曝光EBL培训
电子束曝光技术
集成技术中心技术报告电子束曝光技术中国科学院半导体研究所 半导体集成技术工程研究中心韩伟华Email: weihua@提要 设备的组成、性能及相关工艺设备 电子束曝光设备的操作程序 电子束曝光的关键技术¾¾ ¾ ¾ ¾ ¾ ¾曝光模板的设计 电子束光刻胶的厚度控制 电子束的聚焦 坐标系的建立与写场对准 纳米套刻技术 电子束扫描方式与曝光 电子束剂量的比较与技术参数 高分辨率的纳米曝光图形的实现 电子束光刻用户的培训设备的组成与性能德国EBL Raith150主要用途• 量子纳米器件的微结构：如纳米电子器件，AB环 • 集成光学器件：光子晶体, 光栅, 弯曲波导 • NEMS 结构 • 小尺寸的光刻板，如1×1 cm2 • 对应版图进行SEM观察主要特征• 电子枪：高分辨率的热场(Schottky)发射源 (尺寸: 20nm) • 束能量可调：200eV-30keV • 图形直写(<0.5μm) ：最小线宽分辨率20nm • 写场可调： 0.5µm-1000µm • 图形快速生成：10MHz 描写速度 • 晶片支架：1cm2 样片~ 6inch晶片 • 水平控制：三点压电接触(自动)或6”激光干涉平台(手动) • 双PC机控制系统：曝光与SEM测量 • 图形编辑：GDSII格式，剂量可调设备的组成电子束曝光及其相关工艺设备光刻衬底甩胶衬底 电子束曝光 微米工艺 + 纳米工艺电子束套刻 ICP刻蚀衬底显影等离子体衬底 图形转移金属 衬底 衬底金属蒸发去胶 SEM 观察电子束曝光设备的操作程序• 设备启动• 样品传入 • 低倍聚焦 • 定义坐标 • 高倍聚焦100nm• 写场对准 • 测束电流 • 参数设定 • 样品曝光 • 样品取出曝光精度: 10nm曝光模板的设计单层模板 套刻模板Pattern Transfer MetalSemiconductor wafer电子束光刻胶的厚度控制Spin speed vs film thickness for PMMA 950K C resist 2% in Chlorobenzene1400 1300PMMA 950K C2 (n=1.486) Spin time: 30s Sub: Si (n=3.850) Baking: 185°C, 90sResist Film Thickness (Å)1200 1100 1000 900 800 700 600 50010001500200025003000350040004500SUSS Coating SystemSpin Speed (rpm)电子束的聚焦Filament Anode Beam-blanker ApertureV0<2.5keV V0 >2.5keV V0 >20keV坐标系的建立与写场对准坐标系的建立 Global变换:样品(U,V) ⇔ 样品台(x,y)移动和倾角修正Design (u, v) U V y套刻图形坐标系的建立 Local变换: 版图 (u,v) ⇔ 样品(U,V)三点调整rotation shift xVU写场的对准 图形拼接 ⇔ 样品台移动 曝光起点(U,V) ⇔ 写场中心V缩放因子和 倾角的修正write field曝光U写场对准Self-CalibrtionSample (U,V) Beam (zoom, shift, rotation)Beam movement Stage movement by laser interferometer WF Area: 100µm(U,V) particle纳米套刻技术套刻模板图形(u,v)E-Beamv V O U u 整体坐标系 克服电子束套刻的对准误差 1. 样品台移动带来的写场拼接误差； 2. 电子束偏转带来的读取误差； 使电子束准确套刻范围局限在0.04mm2¾ 套刻范围问题的解决 改变写场对准方式，局部套刻 范围提高到4mm2，增大了100 倍，对准误差小于40nm。
6_纳米加工—电子束曝光N
纳米加工
电子束曝光 聚焦离子束加工技术 纳米超精密加工 纳米压印 扫描隧道显微镜 原子力显微镜 …
电子束曝光 EBL (EBM)
纳米测量
透射电子显微镜 扫描电子显微镜 X射线衍射分析 扫描探针显微镜 …
西安交通大学精密工程研究所
Institute of Precision Engineering, Xian Jiaotong University
Nanoparticles
HEL imprinting stamp at Nano Guitar， string width 50nm， fabricated on a SOI wafer micro-nano scale
Institute of Precision Engineering, Xian Jiaotong University
上式表明：电子能量越高，波长越短。
例如，100eV的电子 其波长只有0.12nm。 可见，电子束比光波长短百倍或千倍，具有 极高的分辨率。可在TEM中来观察原子。
在电子束曝光中，限制分辨率的不是电子波长，而是各种 电子像差和电子在抗蚀剂中的散射。电子束曝光系统的极限分辨率通常认
为是3～8nm。
利用电子束曝光制作的高分辨率图形，其最小线宽为8nm。
西安交通大学精密工程研究所
Institute of Precision Engineering, Xian Jiaotong University
MEMS与纳米技术课程之纳米技术VII
电子束曝光的基本流程
(a) 在基体表面涂胶（抗蚀剂）
（b）胶的显影
OR
（1）沉积金属
（2） 用剥离法去除未曝光区域的金属
西安交通大学精密工程研究所 Institute of Precision Engineering, Xian Jiaotong University
电子束曝光培训ppt课件
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
1.电子束曝光概述
1.1ห้องสมุดไป่ตู้电子束曝光是什么？
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
电磁透镜
它与光学聚光透镜的原理相同，能够聚焦电子束的束径，使电子最大 限度的到达曝光表面
限制膜孔 电子探测器
工作台 分子泵
场发射电子枪
电子枪准直系统 电磁透镜 消像散器 偏转器
物镜
样品交换室
机械泵
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
电子束曝光概述 电子束曝光系统的结构与原理 CABL9000C电子束曝光系统及关键参数 电子束曝光的工艺程序 电子束曝光的极限分辨率 多层刻蚀工艺
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
电子束曝光技术的应用与操作步骤
电子束曝光技术的应用与操作步骤在当今高速发展的科技时代，电子束曝光技术被广泛应用于半导体制造、光刻制程、纳米加工等领域。
作为一种精确控制光线的工艺，电子束曝光技术已经成为微纳加工领域的重要工具。
本文将探讨该技术的应用领域及操作步骤。
电子束曝光技术是一种将电子束束缚在细小范围内进行精确控制的技术。
这些电子束具有极高的能量和速度，可以在纳米尺度上进行曝光和刻蚀操作。
因此，电子束曝光技术在半导体制造中具有举足轻重的地位。
利用电子束曝光技术可以制备微小的电子元件、纳米材料和纳米器件，从而实现更高级、更精细的功能。
除了半导体制造领域，电子束曝光技术在光刻制程中也具有重要的应用。
通过电子束的精确控制，可以在光刻胶上形成所需的图案。
这些图案可以用于制造微机械系统（MEMS）、微流控芯片、纳米阵列和光子晶体等微电子器件。
同时，电子束曝光技术的高分辨率和精确度使其能够制造出更加复杂和细致的光学元件，如衍射光栅和反射镜。
在纳米加工领域，电子束曝光技术也起到了重要的作用。
通过控制电子束的位置和强度，可以对纳米材料进行加工和改性。
这种精确的纳米加工技术可以用于制造纳米线、纳米颗粒和纳米传感器等材料和器件。
此外，通过电子束曝光技术还可以改变材料的物理、化学性质，从而实现纳米材料的功能调控和优化。
为了进行电子束曝光技术，需要遵循一系列精确的操作步骤。
首先，需要准备好一台电子束曝光机。
这种机器可以控制电子束的发射和聚焦，以及对材料进行曝光和刻蚀。
然后，需要准备好需要进行曝光加工的样本和掩膜。
样本是需要进行加工的物体，而掩膜则是一个模板，用于控制电子束的形状和位置。
在操作过程中，需要将样本放置在电子束曝光机的台面上，并使用掩膜覆盖样本表面。
接下来，通过调整电子束曝光机的参数，如电子束的能量、聚焦度和曝光时间，来精确控制电子束的形状和位置。
一旦参数设置好，就可以开始进行曝光和刻蚀操作。
电子束在掩膜上形成所需的图案，然后通过曝光和刻蚀的处理，将图案转移到样本上。
EBL原理与工艺
电子束加工原理及其主要应用1．．电子束加工的原理电子束加工的原理[1] 电子束加工是以高能电子束流作为热源，对工件或材料实施特殊的加工，是一种完全不同于传统机械加工的新工艺。
按照电子束加工所产生的效应，可以将其分为两大类：电子束热效应和电子束化学效应[2]。
1.1电子束热效应电子束热效应是将电子束的动能在材料表面转化成热能，以实现对材料的加工。
电子由电子枪的阴极发出，通过聚束极汇聚成电子束，在电子枪的加速电场作用下，电子的速度被提高到接近或达到光速的一半，具有很高的动能。
电子束再经过聚焦线圈和偏转线圈的作用，汇聚成更细的束流。
束斑的直径为数微米至1mm，在特定应用环境，束斑的直径甚至可以小到几十纳米，其能量非常集中。
电子束的功率密度可高达109W/mm2[3]。
当电子束轰击材料时，电子与金属碰撞失去动能，大部分能量转化成热能，使材料局部区域温度急剧上升并且熔化，甚至气化而被去除，从而实现对材料的加工。
1.2电子束化学效应电子束化学效应是利用电子束代替常规的紫外线照射抗蚀剂以实现曝光，其中包括1）扫描电子束曝光，用电子束按所需的图形，以微机控制进行扫描曝光，其特点是图形变换的灵活性好，分辨率高；2）投影电子束曝光，这是一种大面积曝光法，由光电阴极产生大面积平行束进行曝光，其特点是效率高，但分辨率较差；3）软X射线曝光，软X射线由电子束产生，是一种间接利用电子束的投影曝光法。
其应用领域主要是电子束曝光。
电子束曝光原理是先在待加工材料表面，涂上具有高分辨率和高灵敏度的化学抗腐蚀涂层，然后通过计算机控制电子束成像电镜及偏转系统，聚焦形成高能电子束流，轰击涂有化学抗腐蚀涂层的材料表面，形成抗腐蚀剂图形，最后通过离子注入、金属沉淀等后续工艺将图形转移到材料表面。
2. 电子束加工的主要应用电子束加工的主要应用2.1电子束表面改性利用电子束的加热和熔化技术还可以对材料进行表面改性。
例如电子束表面淬火，电子束表面熔凝，电子束表面合金化，电子束表面熔覆和制造表面非晶态层。
电子束光刻基本理论培训课件PPT(54张)
电子束光刻基本理论培训课件PPT(54 张)培训 课件培 训讲义 培训教 材工作 汇报课 件PPT 电子束光刻基本理论培训课件PPT(54 张)培训 课件培 训讲义 培训教 材工作 汇报课 件PPT
电子束光刻基本理论培训课件PPT(54 张)培训 课件培 训讲义 培训教 材工作 汇报课 件PPT
高对比度
• 侧壁更陡 • 工艺宽容度更大 • 分辨率更高（不一定总是） • 对临近效应更不敏感
电子束光刻基本理论培训课件PPT(54 张)培训 课件培 训讲义 培训教 材工作 汇报课 件PPT
电子束光刻基本理论培训课件PPT(54 张)培训 课件培 训讲义 培训教 材工作 汇报课 件PPT
抗蚀剂的分辨率
1. 电子束曝光机 2. 电子束抗蚀剂 3. 电子束曝光方式 4. 电子散射和邻近效应 5. 电子束光刻流程 6. 电子束曝光技术应用
1. 电子束曝光机
电子枪
束闸
电子透镜
电子偏转器
真空系统 温控系统
计算机 激光工件台系统
电子束曝光系统分类
• 按工作方式分
直接曝光 投影式曝光
• 按电子束形状分
高斯圆形束电子束曝光系统 成形束电子束曝光系统（固定、可变）
电子束光刻基本理论培训课件PPT(54 张)培训 课件培 训讲义 培训教 材工作 汇报课 件PPT
PMMA抗蚀剂－多丙稀酸脂聚合物
高分辨率
高对比度
低灵敏度
灵敏度随着相对分子质量减小而增加
灵敏度随着显影液中MIBK（MIBK:IPA）的比 例增加而增加
可以用深紫外或者X射线曝光
抗刻蚀性能差！
电子束光刻基本理论培训课件PPT(54 张)培训 课件培 训讲义 培训教 材工作 汇报课 件PPT
量子芯片的制备方法与工艺流程
量子芯片的制备方法与工艺流程量子芯片被认为是未来计算和通信技术的重要驱动力之一。
它基于量子力学原理，利用量子比特的叠加和纠缠态，实现高效的并行计算和隐私保护。
为了制备高质量的量子芯片，科学家们进行了大量的研究，探索了多种制备方法和工艺流程。
本文将介绍几种常见的量子芯片制备方法和工艺流程，并讨论它们的特点和应用。
一、原子层沉积法(ALD)原子层沉积法(ALD)是一种制备量子芯片的常见方法。
它通过在衬底表面逐层沉积单原子或多原子层薄膜，实现对材料性质的精确控制。
ALD具有高度均匀性和优异的膜层质量，使其在制备量子芯片中得到广泛应用。
ALD的工艺流程通常包括以下几个步骤：1. 衬底准备：将衬底进行表面处理，去除杂质和污染物，使其达到适合ALD 沉积的表面状态。
2. 前体气体进入：将一个前体分子引入反应室，其分子与衬底表面发生反应生成一个单原子或多原子层的薄膜。
3. 反应室清洗：对反应室进行清洗，以确保下一个前体分子的纯净进入。
4. 另一个前体气体进入：重复步骤2和3，直到达到所需的层数。
5. 后处理：进一步处理沉积膜层，例如退火、离子注入等，以改善其性能。
ALD制备量子芯片的优点在于它可以达到原子级别的控制，薄膜厚度和成分的控制精度高，适用于多种材料。
二、分子束外延法(MBE)分子束外延法(MBE)是另一种常用的量子芯片制备方法。
它通过分子束的热蒸发来沉积单原子或多原子层的薄膜。
MBE制备的量子芯片具有高度纯净性、可控性和晶体质量，被广泛用于制备高效的量子比特。
MBE的工艺流程通常包括以下几个步骤：1. 高真空建立：在一个高真空环境下建立实验室，以消除杂质的干扰。
2. 衬底热清洗：将衬底放入高温环境中，去除表面杂质。
3. 衬底预处理：对衬底进行表面处理，以提高薄膜的结晶质量。
4. 分子束沉积：利用热蒸发的方法将分子束瞄准到衬底上，在表面逐层沉积单原子或多原子层薄膜。
5. 后处理：对沉积膜层进行退火、氧化等处理，以进一步改善其质量和性能。
EBL操作规范以及注意事项
DY-2000A纳米通用图形发生器操作规范以及注意事项一、电镜开机，依次打开图形发生器、精密压电陶瓷位移台、计算机。
二、样品准备：开始曝光测试前，应先把样品放到电镜中。
样品通常是表面涂有电子抗蚀剂（如PMMA胶）的硅片。
为了便于定位曝光区域和进行聚焦，建议在样品上作标记。
将样品放入扫描中，抽真空2h。
三、真空抽好后，打开JSM-5600Main Menu软件、DY2000A软件、位移台软件，加速电压设为30KV，打开灯丝，运行到金颗粒位置，利用金颗粒调聚焦和象散，使金颗粒最清楚。
向下运行到棋盘格，Microscope Control窗口设置放大倍数和场尺寸，在棋盘格上聚焦，然后在设置倍数下在设置倍数下校场。
四、校场步骤：1.预备对准区。
找到棋盘格上的方形图案，使用电镜的样品台旋转或者扫描旋转，调整图形和屏幕大致平行。
2.通过图形发生器扫描成像。
将开关控制转到用图形发生器控制电子束扫描，点击文件菜单中的新建图像命令，打开一个空白图像窗口。
多次扫描，调出图像，将Agligwritefield 窗口中增益U改为0.7，点击发送，移动工件台，使方格交接处与窗口中心重合。
3. 由位置列表定义标记区。
点击文件菜单中的新建位置列表命令，打开空白位置列表，在这里将创建标记扫描区。
依次点击滤波器中的Define Mark和Matrix Copy命令得到四个标记区，删除其中一个标记区。
4. 测量实际标记位置。
点击扫描菜单中的全部命令，自动逐一扫描三个标记区。
同时按下<Ctrl>键和鼠标左键，然后拖动鼠标向实际标记位置移动，到达标记中心时释放。
此过程中出现对话框，点击继续扫描下一个标记区并重复上述的测量过程。
最后完成对位置列表的扫描。
5. 曝光场校正。
点击Align Writefield窗口中的获取标记图标。
点击发送，完成矫正。
五、运行到样品，在样品一角聚焦，打点，打点过程：1.模块状态-Beam control-Beam Park Position X（Y）值改为32767，2.放大倍数改为100000，3.点击Beam Blanking，4.运行到打点位置，5. 将开关控制转到用图形发生器控制电子束扫描，6. Beam off，等几分钟打点。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
2.1 电子束曝光系统的结构 电子枪
0.5um
钨丝2700K
六硼化镧1800K
场发射电极 ZrO/W 电场强度:108N/C
电子束曝光的电子能量通常在10~100keV
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。
使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。
紫外光波长:常用200~400nm之间
根据德布罗意的物质波理论，电子是一种波长极短的
波（加速电压为50kV，波长为0.0053nm）。这样，电 子束曝光的精度可以达到纳米量级，从而为制作纳米 结构提供了很有用的工具。
邻近效应的校正
图形尺寸校正：通过改变尺寸来补偿电子散射造成的曝光图形畸变。
缺点：校正的动态范围小
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
5. 电子束曝光的极限分辨率
电子束曝光100nm的微细图形很容易制出，但是小于50nm的图形 却不是轻易能够实现的。电子束的极限分辨率与多个因素有关：
1）稳定的工作环境：温度变化范围±0.2℃，振动2um以下，磁场变
化在0.2uT以下。 2）高的电子束能量：高能量电子束产生的电子散射小，色差与空间电 荷效应抵消，且有利于曝光厚的抗蚀剂层。高档次的电子束曝光机一 般都在100keV。 3）低束流：低束流可以减小空间电荷误差，有利于获得更小的束斑。 束流低会增加曝光时间，会使聚焦标记成像亮度降低，使对焦困难。 4）小扫描场：电子束曝光系统的偏转相差与扫描场大小有关，高分辨 率应尽量使用小扫描场。
绘制曝光图案 样品传入（样品为导体或半导体） 选择束电流 低倍聚焦
选定曝光位置
在Au颗粒处调整像散 高倍聚焦，调节wafer Z=0，激光定位
参数设定（位置、剂量、图案数量等）
样品曝光 样品取出显影（ZEP-N50，1min） 曝光图案观察
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
稀释剂：ZEP-A（苯甲醚）
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
4.2电子束曝光工艺
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
偏转器
偏转器用来实现电子束的偏转扫描。
物镜
将电子束进一步聚焦缩小，形成最后到达曝光表
面的电子束斑。
除以上部分外，电子束曝光系统还包括束流检测 系统、反射电子检测系统、工作台、真空系统、 图形发生器等。 微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
微纳研究中心超净室系列讲座
——电子束曝光系统（EBL）
张亮亮 2011年10月14日 微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
4.电子束曝光的工艺程序
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
多层刻蚀工艺
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
1.电子束曝光概述
1.1 电子束曝光是什么？
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
电子束曝光概述 电子束曝光系统的结构与原理
CABL9000C电子束曝光系统及关键参数
电子束曝光的工艺程序
电子束曝光的极限分辨率
压越高，分辨率越高，邻近效应 越小，同时可曝光较厚的抗蚀剂 层。 30keV
电子束流：束流大，曝光速度快
，但是束斑尺寸大，分辨率低。
日本CRESTEC 公司生产的CABL9000C 常用：25~100pA
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
邻近效应的校正
剂量校正：由于电子束散射，同一图形在同一剂量 下曝光的能量分布式不同的，需要人为的改变曝光 剂量。 将图形进行几何分割，计算每一部分能量的分布 （每一点能量的分布符合双高斯函数），按照不同 的区域分配曝光剂量。
限度的到达曝光表面
消像散器
由于加工误差，电磁透镜的x、y方向的聚焦不一致，造成电子束斑椭圆化。 消像散器由多级透镜组成，能从不同方向对电子束进行校正
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
电子束曝光（electron beam lithography）指利用某些
高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的，是光刻 技术的延伸。
紫外光 电子束
普通光刻
电子束曝光
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
4.1抗蚀剂工艺
PMMA优点：分辨率高（10nm），对比度大，利于剥离技术，价格低
缺点：灵敏度较低，耐刻蚀能力差 HSQ ：负胶，极高的分辨率（<10nm），邻近效应小，灵敏度很低 ZEP-520优点：分辨率高（~20nm），灵敏度较高，耐刻蚀 缺点：去胶较难
缺点：计算复杂，需要CAPROX等专业软件； 计算假设每一图形内部剂量一致，误差存在
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Res机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
邻近效应：如果两个图形离得很近，散射的电子能 量会延伸到相邻的图形中，使图案发生畸变；单个 图形的边界也会由于邻近效应而扩展。
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
小尺寸光刻掩模板
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
2.电子束曝光系统的结构与原理
美国Vistec VB300 100 50 <10 164um~1.2mm 6~9 Million
日本Crestec CABL9000C 30 1 20 60um~600um 1Million
商业用，性能高，价格高 电子束曝光与电镜两用， 价格低
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
1.2 电子束曝光有什么用？
电子束曝光能够在抗蚀剂上写出纳米级的图形，利用最高 级的电子束曝光设备和特殊显影工艺，能够写出10nm以下 的精细结构。 纳米器件的微结构 集成光学器件，如光栅，光子晶体 NEMS结构
离子泵 场发射电子枪 离子泵 电子枪准直系统 电磁透镜 限制膜孔 消像散器 偏转器 电子探测器 物镜 工作台 样品交换室 分子泵
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
机械泵
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室