拉扎维教材模拟集成电路第三章课后习题的答案解析中文版(纯手写)
华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中文答案

3.1分析:对于PMOS 和NMOS 管二极管连接形式的CS 放大电路,最大的区别在于PMOS 做负载无体效应,所以这里应该考虑g mb 的影响。
同时,由于L=0.5,沟道长度比较短,所以,沟长调制效应也应该考虑进去。
2441401034.11099.31085.8350μμ2V A t C OX sio nOX n ---⨯=⨯⨯⨯⨯=∙=εε 同理 25p 10835.3μV A C OX -⨯=∵ 5.0501=⎪⎪⎭⎫⎝⎛L W 5.0102=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛L W A I I D D m 5.021== ∴ K I r DN o o 201r 21===λ()()22222n 2121DS N TH GS ox D V V V L W C I λμ+-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛= V O = 1.46V V A I LWC D OX m /106.32g 31-⨯==μ VA m /1063.1g 32-⨯=V A V g SBF m m /1038.222g 422b -⨯=+=φγ输出电阻:Ω=++=-508//g 1R 11222o o mb m OUT r r g∴增益 85.1g A 1-=-=OUT m V RM2换为PMOS 管,则可忽略M2的体效应,同理可得Ω=+=-974//g 1R 1122o o m OUT r r∴增益 85.0g A 1-=-=OUT m V R3.2 (a )∵ 5.0501=⎪⎪⎭⎫⎝⎛L W 2502=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛L W A I I D D m 5.021== ∴ K I DN o 201r 1==λ K I DP o 101r 2==λ又 2401034.1μμ2V A t C OXsion OX n -⨯=∙=εε∴ V A I LWC D OX m /106.32g 31-⨯==μ∴增益 ()4.24//r g A 211-=-=o o m V r(b )求输出电压的最大摆幅及求输出电压最大值与最小值之差 分析可知,当M1管处于临界三极管区时输出电压有最小值V omin ,此时有:11TH GS DS OUT V V V V -==()()DS N TH GS ox D V V V L W C I λμ+-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=121211n 有以上两式可推得 V omin =0.27当M2管处于临界三极管区是输出电压有最大值V omax ,同理有:()()SDP TH GS ox D V V V L W C I λμ+-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=121222pV SDMIN = 0.99 ∴ V omax = V DD -V SDMIN = 2V ∴输出电压的最大摆幅为V omax - V omin = 1.73V3.3 (a )∵5.050=⎪⎪⎭⎫⎝⎛L W A I D m 11= Ω=K R D 2∴K I DN o 101r ==λK R D o O U T 66.1//r R 1==V A I LWC D OX m /1018.52g 31-⨯==μ∴ 增益 86.0g A 1-=-=OUT m V R (b )∵M1工作在线性区边缘 ∴ TH GS DS OUT V V V V -==1()DO U TDD THGS ox D R V V V V L W C I -=-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=21n 21μ由以上两式可得 V V GS 13.1= , A I D 3-1028.1⨯= ∴K I DN o 8.71r ==λ∴ 增益 ()34.9//r g A 1-=-=Do m V R(c )各区域主要由DS V 决定,进入线性区50mV 即三极管临界区的DS V 减小50mV ∵ 临界区的V R I V V D D DD DS 44.0=-= 所以进入线性区50mV 时的DS V =0.39V∴A R V V I DDSDD D 3103.1-⨯=-==∴ ()()V V V V V V L W C I GS DS DS TH GS ox D 14.122121n =⇒--⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=μ又∵ 三极管区 19.5g 1n =⎪⎪⎭⎫⎝⎛=DS ox m V L W C μ()K R V V V L W C V I R O DS TH GS ox DS D O28.111n 1=⇒--⎪⎪⎭⎫⎝⎛=∂∂=-μ ∴增益 ()4//R g A -=-=Do m V R3.12分析:已知各支路电流及M1宽长比,可求得M1过驱动电压即out V ,从而由M2的gsV 及电流可求得其宽长比。
拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答案中文共40页文档

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26、要使整个人生都过得舒适、愉快,这是不可能的,因为人类必须具备一种能应付逆境的态度。——卢梭
拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业 答案中文
36、“不可能”这个字(法语是一个字 ),只 在愚人 的字典 中找得 到。--拿 破仑。 37、不要生气要争气,不要看破要突 破,不 要嫉妒 要欣赏 ,不要 托延要 积极, 不要心 动要行 动。 38、勤奋,机会,乐观是成功的三要 素。(注 意:传 统观念 认为勤 奋和机 会是成 功的要 素,但 是经过 统计学 和成功 人士的 分析得 出,乐 观是成 功的第 三要素 。
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27、只有把抱怨环境的心情,化为上进的力量,才是成功的保证。——罗曼·罗兰
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28、知之者不如好之者,好之者不如乐之者。——孔子
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29、勇猛、大胆和坚定的决心能够抵得上武器的精良。——达·芬奇
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30、意志是一个强壮的盲人,倚靠在明眼的跛子肩上。——叔本华
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模拟电子技术教程第3章习题答案

第3章 习题1. 概念题:(1)在放大电路中,三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。
(2)电源的作用是 为能量转换提供能源 ,如果离开电源,放大器可以工作吗?( 不能 )(3)单管放大器的讲解从电容耦合形式开始,这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ,如果信号和负载直接接入,其 工作点 的计算将要复杂的多。
(4)在共射放大器的发射极串接一个小电阻,还能认为是共射放大器吗?( 能 )在共集放大器的集电极串接一个小电阻,还能认为是共集放大器吗?( 能 )(5)在模电中下列一些说法是等同的,(A 、C 、F )另一些说法也是等同的。
(B 、D 、E )A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析(6)PN 结具有单向导电性,信号电压和电流的方向是随时间变化的,而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大,这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。
(7) β大的三极管输入阻抗 也大 ,小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。
(8)画直流通路比画交流通路复杂吗?(不)在画交流通路时直流电压源可认为 短路 ,直流电流源可认为 开路 ,二极管和稳压管只考虑其 动态内阻 即可。
(9)求输出阻抗时负载R L 必须 断开 ,单管放大器输出阻抗最难求的是共 集电极 放大器,其次是共 源 放大器。
(10)对晶体管来说,直流电阻指 晶体管对所加电源呈现的等效电阻 ,交流电阻指 在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻 ,对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗?( 无 )(11)在共射级放大器或共源放大器中,电阻R C 或R D 的作用是 把电流I C 或I D 的变化转换为电压的变化 。
(12)放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真,引起非线性失真的主要原因是 放大器工作点偏离放大区 。
拉扎维模拟CMOS集成电路设计第三章作业答案详解完整版教程解析

拉扎维模拟CMOS集成电路设计第三章作业答案详解完整版教程解析1. 引言在拉扎维模拟CMOS集成电路设计第三章的作业中,涉及了多个内容,包括放大电路、反馈放大电路、功率放大电路等。
本文将对这些内容进行详细的解析和讲解,并给出相应的答案。
2. 放大电路放大电路是电子电路中非常常见且重要的一种电路结构。
在本章的作业中,我们需要设计一个放大电路,并回答一些相关问题。
2.1 放大电路设计根据作业要求,我们需要设计一个放大电路,输入信号为正弦波,放大倍数为10倍。
我们可以选择使用CMOS集成电路来实现这个放大电路。
首先,我们需要根据放大倍数和输入信号的幅度来确定CMOS放大电路的电路参数。
在设计过程中,我们需要考虑一些关键因素,包括电流源、负反馈电阻等。
其次,我们可以选择合适的电路拓扑结构,例如共源共栅放大电路、共源共漏放大电路等。
根据实际情况,我们可以选择合适的电路结构。
最后,我们需要进行电路参数的计算和电路的仿真。
通过计算和仿真,我们可以得到放大电路的性能指标,例如增益、截止频率等。
2.2 放大电路问题解答在作业中,还需要回答一些问题,例如输入电阻、输出电阻、频率响应等。
针对这些问题,我们需要根据放大电路的拓扑结构和电路参数做相应的计算和分析。
例如,输入电阻可以通过计算输入端的电流和电压之比得到;输出电阻可以通过计算输出端的电流和电压之比得到;频率响应可以通过对放大电路进行交流分析得到。
总的来说,放大电路的设计和问题解答需要综合考虑多个因素,包括电路参数、电路结构、输入信号的幅度、负载等。
需要进行一系列的计算和仿真,以得到满足要求的电路性能。
3. 反馈放大电路反馈放大电路是一种常见的电路结构,它可以通过引入反馈回路来改善电路性能,例如增益稳定性、线性度等。
在作业中,我们需要设计一个反馈放大电路,并回答一些相关问题。
3.1 反馈放大电路设计根据作业要求,我们需要设计一个反馈放大电路,输入信号为正弦波,放大倍数为20倍。
模电第三章习题答案

模电第三章习题答案模电第三章习题答案模拟电子技术(模电)是电子工程中的重要学科,它研究的是模拟电路的设计与分析。
模电的第三章主要涉及放大器的基本概念和特性,包括放大器的分类、放大器的增益计算、放大器的频率响应等内容。
在学习模电的过程中,习题是巩固知识和提高解题能力的有效工具。
下面将给出模电第三章习题的详细解答。
1. 问题:计算电压放大倍数Av。
解答:电压放大倍数Av的计算公式为Av = Vout / Vin,其中Vout为输出电压,Vin为输入电压。
根据题目中给出的电路图和元件参数,可以通过欧姆定律和基尔霍夫定律来计算。
2. 问题:计算共模抑制比CMRR。
解答:共模抑制比CMRR的计算公式为CMRR = 20log10(Ad / Ac),其中Ad为差模增益,Ac为共模增益。
根据题目中给出的电路图和元件参数,可以通过电路分析方法来计算。
3. 问题:计算输入阻抗Zin。
解答:输入阻抗Zin的计算公式为Zin = Vin / Iin,其中Vin为输入电压,Iin为输入电流。
根据题目中给出的电路图和元件参数,可以通过电路分析方法来计算。
4. 问题:计算输出阻抗Zout。
解答:输出阻抗Zout的计算公式为Zout = Vout / Iout,其中Vout为输出电压,Iout为输出电流。
根据题目中给出的电路图和元件参数,可以通过电路分析方法来计算。
5. 问题:计算最大输出功率Pmax。
解答:最大输出功率Pmax的计算公式为Pmax = Vout^2 / (4Rl),其中Vout为输出电压,Rl为负载电阻。
根据题目中给出的电路图和元件参数,可以通过电路分析方法来计算。
通过以上习题的解答,我们可以加深对模电第三章内容的理解。
在实际应用中,我们需要熟练掌握放大器的基本概念和特性,以便能够正确设计和分析模拟电路。
同时,通过解题过程,我们也可以培养自己的逻辑思维和问题解决能力。
模电作为电子工程的重要学科,对于电子工程师的培养具有重要意义。
拉扎维教材模拟集成电路第三章课后习题答案中文版纯手写

拉扎维教材第三章答案中文版(纯手写)
PART1
最近重新温习拉扎维,参考英文版答案顺便教材手动整理下教材课后习题,部分习题加入了一些自己的想法和备注。
欢迎各位学弟学妹下载,不过请不要照抄答案!因为没有扫描仪器,用手机照的相片。
这一部分是第三章作业的前一半的题目,也请大家尊重本人劳动成果,可以下载,但请不要随意下载后再上传,谢谢大家!
PART2
另外3.11题目可参考3.10
注明:如有错误之处欢迎指正。
在我的百度账号下留言即可:清风一鹤。
PART3
答案照片在下面
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拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答案中文共40页文档

53、 伟 大 的 事 业,需 要决心 ,能力 ,组织 和责任 感。 ——易 卜 生 54、 唯 书 籍 不 朽。——乔 特
拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答 案中文
1、合法而稳定的权力在使用得当时很 少遇到 抵抗。 ——塞 ·约翰 逊 2、权力会使人渐渐失去温厚善良的美 德。— —伯克
3、最大限度地行使权力总是令人反感 ;权力 不易确 定之处 始终存 在着危 险。— —塞·约翰逊 4、权力会奴化一切。——塔西佗
5、虽然权力是一头固执的熊,可是金 子可以 拉着它 的鼻子 走。— —莎士 比
扎维模拟CMOS集成电路设计第三章习题

9
AV gm1 RD
ID
VDD Vout RD
3 0.437 2 103
1.2815 10 3
gm1
2nCox
W L
1
I
D1
21.34225104 1001.2815103 5.8653103 A /V
AV gm1 RD 5.8653 10 3 2 103 11.73
2023/11/14
AV gm1 roN // rop gm110K // 5K 100 gm1 0.03
2023/11/14
15
gm1
2nCox
W L
1
I
D1
W L
1
g
2 m1
2nCox I D1
0.032 2 1.34225104
103
3352.6
gm1
2I D1 VGS1 VTH 1
2I D1 Vout ,m in
0.5mA
Cox
0 ox
tox
8.851014 F / cm3.9 9109 m
3.835107 F
/ cm2
nCox
350 cm2 3.835 10 7 V s
F cm2
1.34225
10
4
A V2
pCox
100
cm2 V s
3.835 107
F cm2
0.3835
10 4
A V2
10
(3)M1工作在线性区 VDS VDSsat 50 10 3 0.437 0.05 0.387
ID
VDD Vout RD
3 0.387 2 103
1.3065 10 3
ID
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