模拟集成电路 (2)复习课程
模拟CMOS集成电路设计复习提纲PPT课件

共源级
• 电阻负载 • 电流源负载 • 二极管接法的MOSFET负载 • 源级负反馈
Summary #9
共源MOSFET
V gs V 1 V in
R out
V out I out
| V in 0
V in 0 时,
I out
V out ro
R out r o 单管增益
V out V in
Rt ro1 ro2 ( g m2 g mb2 )ro2ro1
Rt
( g m2 g mb2 )ro2ro1
gm2ro2ro1 (忽略衬偏效应)
Rout g m3ro3 Rt
g m3ro3 g m2ro2ro1
Summary # 20
共源共栅级的输出阻抗(3)
Rup g m 3ro3ro 4
华大微电子:模拟集成电路设计
复习提纲
Summary #1
华大微电子:模拟集成电路设计
第二章 器件模型
• MOSFET的I-V特性
– 饱和区电流公式 – 线性区电流公式 – 沟道长度调制效应
• MOSFET的小信号模型
– 低频小信号模型:图2.36
• gm、ro的表达式
– 完整小信号模型:图2.38
g m1 g m2
Summary # 14
带源极负反馈的共源级
Rup Rdown
Gm
gm 1 gmRS
Rup RD
Rdown gm1ro1RS
Rout Rup || Rdown RD (Rdown Rup)
Av0
GmRo
ut
1
gm gmRS
RD
RD RS
(gmRS 1)
Summary # 15
模拟电子技术-集成电路(差分放大,直流偏置)(2)

Rd2 iD2
由 I DQ K n (VGSQ VTN )
可求得 VGSQ
VGS1
T2 g2 + - s2 V - GS2
VDS1 VDS2 VD1 VS1
VDD I DQ Rd1 VGSQ
VO VD1 - VD2 0
9
直流通路
主要指标计算
差模电压增益Avd 、共模电压增益Avc 共模抑制比KCMR 差模输入电阻Rid 、共模输入电阻Ric 输出电阻Ro
则: voc = vo1– vo2 = 0
双端输出的差放只放大差模信号,而完全抑制共模信号。 但若采用单端输出(vo1或vo2 ),共模输出电压不为0,即对共模信 号不能完全抑制。 5
零点漂移(简称零漂)
当放大电路输入信号为零时,输出电压偏离原来的起始
点,且有缓慢变化的现象。
(直接耦合多级放大电路的零漂现象比较严重)
交流 通路
若vod取自T1管漏极 (反相放大)
Rd1 id1 d1 +
o1 vvod1
Rd2 d2 T2 s2 - id2
vod1 vod1 gm ( Rd1 || RL ) Av d 2vi1 vid
vod 2 vod 2 gm ( Rd2 || RL ) 2vi2 vid
主要指标计算
vid vid , vi2 , vi1 vi 2 vid ) (此时只考虑差模分量单独作用, vi1 2 2
双端输出的差模电压增益Avd
交流 通路
’ vi1
Rd1 + id1 g1 + d1 +
vod - RL +
Rd2 d2 id2
’
Av d
vod vod1 vod 2 vid 2vi1
模拟CMOS集成电路设计复习提纲(课堂PPT)

Summary # 20
西电微电子:模拟集成电路设计
共源共栅级的输出阻抗(3)
Rup gm3ro3ro4
Rup
Rdown gm2ro2ro1
Rdown
Rout Rup || Rdown
Av0 g R m1 out
gm1 gm2ro2ro1 || gm3ro3ro4
Summary # 21
gm1 ro2 || ro1
Summary # 13
西电微电子:模拟集成电路设计
二极管接法MOSFET负载的共源级
Rup Rdown
Rup
1 gm2
Rdown ro1
Rout
Rup
|| Rdown
1 gm2
|| ro1
ro1 1 gm2ro1
1 gm2
(
1 gm2
ro1 )
Av0
Vout Vin
Summary #2
西电微电子:模拟集成电路设计 华大微电子:模拟集成电路设计
MOSFET的I-V特性
饱和区:I D
1 2
Cox
W L
VGS
Vth 2
沟长调制:I D
1 2
Cox
W L
VGS
Vth
21
VDS
线性区:I D
Cox
W L
VGS
Vth VDS
1 2
VD2S
深线性区:I D
Rout Rup || Rdown (RD || ro )
Vout Vin
gmRout
gm (RD
|| ro )
gmRD (RD ro )
Summary # 12
西电微电子:模拟集成电路设计
CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计 (2)

CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计一、设计目标本次课程设计目标是:通过对CMOS模拟集成电路设计第二版中的一个电路设计实例进行仿真分析、电路优化及布局设计,深入理解和掌握CMOS模拟集成电路的基本原理及设计方法,培养学生分析和设计模拟集成电路的能力。
二、课程设计内容1.复习:基本模拟电路的分析和设计方法在进行CMOS模拟集成电路设计前,学生需要具备基本模拟电路的分析和设计方法。
本节将对常见的放大电路(比如共射放大电路,共基放大电路和共集放大电路等)的分析和设计方法进行复习。
2.CMOS反相器设计实例讲解本部分将讲解CMOS反相器的结构及原理,并通过具体的例子进行电路设计分析和仿真。
帮助学生了解CMOS反相器的设计方法、电路特性及其影响因素。
3.电路优化与参数选择在本部分,我们将重点介绍电路优化及参数选择的方法。
从电路的性能和稳定性等方面进行优化选择,并通过仿真结果来证明优化参数的效果。
4.布局设计与模拟验证本部分将介绍CMOS模拟集成电路的布局设计及模拟验证方法。
布局设计不仅可以影响电路的性能,也会影响电路的稳定性和可靠性。
通过模拟验证对电路进行分析验证。
三、设计评分方案本次课程设计采用滚动评分的方式,共计100分,具体评分如下:1.复习及设立问题:10分2.设计实例介绍及分析:20分3.参数选择及电路优化:30分4.布局设计及模拟验证:40分四、设计要求1.学生需要独立完成所有实验任务,不允许抄袭2.电路模拟软件使用HSPICE或者Spectre等,本节课程以HSPICE为例3.学生需要提交电路仿真截图、仿真结果以及电路设计原理图等作为实验报告。
五、总结通过本次课程设计的学习,学生可以深入了解CMOS模拟集成电路设计的基本原理及设计方法,并且培养分析和设计模拟集成电路的能力,为以后的研究或工作打下更好的基础。
同时,通过本次课程设计,学生能进一步加深对学过的知识的理解,增强把理论知识转化为实际工程应用的能力,提高实际应用能力和工程素质。
模拟集成电路设计_复习大纲

《模拟集成电路设计》复习大纲一、 概念:1. 密勒定理:如果将图(a )的电路转换成图(b )的电路,则Z 1=Z/(1-A V ),Z 2=Z/(1-A V -1),其中A V =V Y /V X 。
这种现象可总结为密勒定理。
2. 沟道长度调制效应:当栅与漏之间的电压增大时,实际的反型沟道长度逐渐减小,也就是说,L 实际上是V DS 的函数,这种效应称为沟道长度调制。
3. 等效跨导Gm :对于某种具体的电路结构,定义inDV I ∂∂为电路的等效跨导,来表示输入电压转换成输出电流的能力,跨导的表达式4. N 阱:CMOS 工艺中,PMOS 管与NMOS 管必须做在同一衬底上,若衬底为P 型,则PMOS 管要做在一个N 型的“局部衬底”上,这块与衬底掺杂类型相反的N 型“局部衬底”叫做N 阱。
5. 亚阈值导电效应:实际上,V GS =V TH 时,一个“弱”的反型层仍然存在,并有一些源漏电流,甚至当V GS <V TH 时,I D 也并非是无限小,而是与V GS 呈指数关系,这种效应叫亚阈值导电效应。
6. 有源电流镜:像有源器件一样用来处理信号的电流镜结构叫做有源电流镜。
7. 输出摆幅:输出电压最大值与最小值之间的差。
8. 放大应用时,通常使MOS 管工作在饱和区,电流受栅源过驱动电压控制,我们定义跨导来表示电压转换电流的能力。
9. 在模拟集成电路中MOS 晶体管是四端器件 10. 源跟随器主要应用是起到什么作用?11. λ为沟长调制效应系数,λ值与沟道长度成反比,对于较长的沟道,λ值较小。
12. 饱和区NMOS 管的电压条件及其其沟道电流表达式。
13. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗很高,因此可以做成恒定电流源。
14. MOS 管的主要几何参数15. 共模输入电平的变化会引起差动输出发生改变的因素有哪些? 16. MOS 管的电路符号17. 增益小于1的单级放大器 18. N 阱和P 阱的概念19. MOS 管的二级效应的表达式,比如沟道长度调制效应、体效应、亚阈值效应 20. 按比例缩小理论:恒定电场、恒定电压、准恒压21. 采用电阻负载的共源级单级放大器其小信号增益Av 表达式 22. 在差动放大器设计中CMRR23. 带源极负反馈的共源级其小信号增益的表达式 24. 图示电路的小信号增益表达式。
《模拟集成电路》课件

,以便对设计的电路进行全面的测试和评估。
PART 05
模拟集成电路的制造工艺
REPORTING
半导体材料
硅材料
硅是最常用的半导体材料,具有 稳定的物理和化学性质,成熟的 制造工艺以及低成本等优点。
化合物半导体
如砷化镓、磷化铟等化合物半导 体材料,具有高电子迁移率、宽 禁带等特点,常用于高速、高频 和高温电子器件。
《模拟集成电路》课 件
REPORTING
• 模拟集成电路概述 • 模拟集成电路的基本元件 • 模拟集成电路的分析方法 • 模拟集成电路的设计流程 • 模拟集成电路的制造工艺 • 模拟集成电路的优化与改进
目录
PART 01
模拟集成电路概述
REPORTING
定义与特点
定义
模拟集成电路是指由电阻、电容、电 感、晶体管等电子元件按一定电路拓 扑连接在一起,实现模拟信号处理功 能的集成电路。
围和失真。
信号分析方法
01
02
03
04
频域分析
将时域信号转换为频域信号, 分析信号的频率成分和频谱特
性。
时域分析
研究信号的幅度、相位、频率 和时间变化特性,分析信号的
波形和特征参数。
调制解调分析
研究信号的调制与解调过程, 分析信号的调制特性、解调失
真等。
非线性分析
研究电路的非线性效应,分析 信号的非线性失真和互调失真
音频领域
模拟集成电路在音频领域中主要用于 音频信号的放大、滤波、音效处理等 功能,如音响设备、耳机等产品中的 模拟集成电路。
模拟集成电路的发展趋势
集成度不断提高
随着半导体工艺的不断发展,模 拟集成电路的集成度不断提高, 能够实现更加复杂的模拟信号处
6 模拟集成电路 (2) PPT资料共74页

RB ui1
双电源的作用:
RC T1
uo
RC
T2
RE –VEE
(1)使信号变化幅度加大。
(2)IB1、IB2由负电源-VEE提供。
+VCC RB
ui2
2、静态分析:
(1) RE的作用
RB
—— 抑制温
度漂移,稳定 静态工作点。 ui1
设ui1 = ui2 = 0
RC T1uo来自RCT2RE –VEE
E
(a) 放大倍数:
单边差模放大倍数:
Ad 1
=
uod 1 u i1
b b A d1=ib1(R ib1 B R C rb1e )=R B R C rb1e Ad1 =Ad2
RB
B1 C1
ib1
ui1
rbe1
bib1RC
uod1
E
差模电压放大倍数:
Ad
=
u od u id
即:总的差动电 ui1
(很小,<1)
四、差模电压放大倍数Ad
R11
差模输入信号:
RB1
ui1 =- ui2 =uid /2
++ ui1
大小相等,极性相反
uid
-
-
ui2 +
RC1
T1
+VCC
uo
RC2
T2
R12
RB2 + ui2 -
由于uC1 =UC1 +uo1 , uC2 =UC2 +uo2 。
ui1 = -ui2
uo1 =-uo2
VE1= VE2 =-IB×RB-VBE VC1= VC2= VCC-IC×RC
VCE1= VCE2 = VC1-VE1
模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第2章MOS器件物理基础PPT课件

Q d ( x ) W o ( V x G C V S ( x ) V T )H
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
16
I/V特性—推导I(VDS,VGS)
I D W o [ V G x C V S ( x ) V T ] v H
Givv E ea nn E (x d ) d(x V ) dx d(x V )
数字电路设计师一般不需要进入器件内 部,只把它当开关用即可
AIC设计师必须进入器件内部,具备器 件物理知识
❖MOS管是AIC的基本元件 ❖MOS管的电特性与器件内部的物理机制密
切相关,设计时需将两者结合起来考虑
器件级与电路级联系的桥梁?
❖器件的电路模型
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
5
本讲
基本概念
I D n C o W L ( x V G V T S ) V D H , V D S 2 S ( V G V T S )
等效为一个线性电阻
RONnCoxW L(V 1GSVTH)
在AIC设计中会用到
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
深三极管区
19
I/V特性—当VDS>VGS-VTH时?
与电源无关、与温度无关、PTAT电流、 恒Gm、速度与噪声
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
2
上一讲
研究模拟电路的重要性 模拟电路设计的难点 研究AIC的重要性 研究CMOS AIC的重要性 电路设计一般概念
❖抽象级别 ❖健壮性设计 ❖符号
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
3
上一讲
数字电路无法完全取代模拟电路,模拟 电路是现代电路系统中必不可少的一部 分
提供载流子的端口为源,收集载流子的端口为漏
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要求运算放大器的共模抑制比大于120dB
4. 运算放大器的应用
(1)反相比例运算电路 该电路的电压放大倍数
1
2
RF + V cc
Avf
v0 vi
RF R1
输入电阻:RiF=R1
1
2
R1
Vi
输出电阻: R0F=0
RP
平衡电阻:RP=RF//R1
运算放大器的共模输入电压:ViC=0
2
下图是自举式同相交流放大器
(5)精密整流电路
① 半波整流电路 精密整流电路,它可将毫伏级的正弦信号转换成半波输出。
当 Ui 0(正半周)时,D1导通,D2截止,输出电压: U 0 0
当 Ui
(0 负半周)时,D1截止,D2导通,输出电压:
v0
R2 R1
Ui
R2
1
2
D1 1N4148
R1
1
2
VCC_CIRCLE
12
+ -
+ -
(6) 通用窗口比较器
10k
耦合电容C1、C3可根据交流放大器的下限频率fL来确定。一 般取 C1=C3=(3~10)1/(2πRLfL)
反馈支路的隔直电容C2一般取几微法。注意电容在电路中 的极性。
为了提高交流放大器的输入电阻,可采用下图所示的自举式 同相交流放大器。该电路的电压放大倍数仍为1+RF/R2;但 由于反馈电压VA与输入电压VB近似相等,故流过R1的电流近 似为零,从而大大提高了放大器的交流电阻。
一实际测量放大器电路:
V1
3
+
6
2
1
1
10k
1
2
10k
1
2
-
R4
R6
10k R1
R8
21
100k Rw
21
2
6
V0
3
200 R2 10k
22
21
+ -
+ -
2 3 V2
10k 6
2
R1 R9
100k
1
2
R5 10k
1
10k
1
2
R7
(4)交流放大器
① 双电源供电的交流放大器
若只放大交流信号,可采用同相式交流电压放大器 (也可用反相式)。
集成运算放大器可分为如下几类。
A输出 A反相输入 A同相输入
正电源 B同相输入 B反相输入
B输出
负电源 AD518 AD545
LM124/224/324
正电源 输出
调零
7 6
5
18 2
3 4
调零 反相输入
同相输入
调零
空脚
调零
空脚
μA741
LF351 LF356
反相输入
正电源 反相输入
正电源
同相输入
1
7
1
3
OP 07
ห้องสมุดไป่ตู้
Vo
+
6
2 -
8
4
10k1
2
=
RW
-Ve e
该电路的电压放大倍数不宜过大。反馈电阻RF一般小于1MΩ,
RF过大会影响阻值的精度;但RF也不能太小,过小会从信号 源或前级吸取较大的电流。
(2) 同相比例放大器电路
该电路的电压放大倍数
Avf
v0 vi
1RF R1
输入电阻:RiF=∞
Rp
1
1
R
+
C2
2
2
(a)
(b)
2.集成运放的调零问题
由于集成运放的输入失调电压和输入失调电流的影响,当运算放大
器组成的线性电路输入信号为零时,输出往往不等于零。为了提高
电路的运算精度,要求对失调电压和失调电流造成的误差进行补偿
,这就是运算放大器的调零。常用的调零方法有内部调零和外部调
零,而对于没有内部调零端子的集成运放,要采用外部调零方法。
设该放大器的输出端的共模电压为Vocm ,则 Vocm=Vicm . Avc
则将其折合到输入端的共模信号为: Vicm= Vocm/Avc
折合到输入端的误差电压为:
VmVAovcdmAvVdicAmvc
Vicm CMRR
在上例中,若取输入有用信号为干扰信号的两倍,即:
则 运放的共模抑制比
VmV2idm102uV5uV CMRViR cm1V 02160
.
AVD(1
2R1 R2
)
R6 R4
为了提高仪用放大器的共模抑制比(CMRR),要求
R5 和 R4 R7 R6
相差尽可能小,一般选用金属膜或线绕电阻。调节增益时,不要调 节R4~R7这些电阻。如果希望调节增益,必须用改变电阻R2实现, 这样对仪用放大器的CMRR影响不大。
CMRR(12R R12)CMR3 R
1
2
Vi
OP07
3 +
6 V0
2 -
2
1
2
RF
R1
1
输出电阻:R0F=0 平衡电阻:RP =R1//RF
由于运算放大器在该电路中不是“虚地”,其输入端存在着 较大的共模信号,共模输入电压为:ViC=Vi
在应用时,要求运算放大器的最大共模输入电压大于Vi的最 大值。
(3) 由三运放组成的仪表放大器
当传感器工作环境恶劣时,传感器的输出存在着各种噪声, 且共模干扰信号很大,而传感器输出的有用信号又比较小, 输出阻抗又很大,此时,一般运算放大器已不能胜任,这 时可考虑采用仪表放大器(数据放大器、测量放大器)。
2
(b)
3.集成运放的自激振荡问题
运算放大器是一个高放大倍数的多级放大器,在接成深度负反
馈条件下,很容易产生自激振荡。为使放大器能稳定的工作, 就需外加一定的频率补偿网络,以消除自激振荡。图3.2.3是相 位补偿的使用电路。
另外,防止通过电源内阻造成低频振荡或高频振荡的措施是在
集成运放的正、负供电电源的输入端对地一定要分别加入一电
下面以mA741为例,图3.2.2给出了常用调零电路。图3.2.2(a)所示的
是内部调零电路;图(b)是外部调零电路。
R1
1
2
R2
1
2
2 6
3
+ -
2
3 +
2 -
2
1
A
6
Rw
2
10K
1R
+ 10uF
(a)
R3
12
2
-15V
100Ω
V+ 1 51K 2 1
2 1 51K 2V-
2
1
100Ω
100Ω
1
Avd (dB)
Avo
AVF fH
f
fHF
fT
(2) 压摆率(转换速率)SR
压摆率SR表示运放所允许的输出电压Vo对时间变化率的最大值。
S R
d v0 dt max
若输入一正弦波电压,运算放大器输出也应是一正弦波电压。
v0V0msin t
则: SRdd0vt V0m2fV 0m
若已知 V0m,则在输出不失真的情况下,输入信号的最高频率
CA3140
OP07
调零 正电源 输出 空脚
补偿 正电源 输出 调零
1.通用型运算放大器 通用型运算放大器就是以通用为目的而设计的。这类器件的主要特 点是价格低廉、产品量大面广,其性能指标能适合于一般性使用。 例mA741(单运放)、LM358(双运放)、LM324(四运放)及以 场效应管为输入级的LF356都属于此种。它们是目前应用最为广泛 的集成运算放大器。
例如用于对温度、流量、压力等物理量的测量,一般传感 器是利用电阻或电容的变化,用电桥把他们转换成电压的 变化,如图。
R
RX 输出
E
R
R
仪表放大器具有的特征是: • 具有高的输入阻抗,低的偏置电流。 • 平衡差动输入,高的共模抑制比。 • 单端输出,较低的输出电阻。 • 具有较小的失调电压与漂移。 • 改变一只外接电阻阻值或接线,即能改变放大器的增益。 满足以上要求的电路原理图如下。
CMRR20lg Avd Avc
Avd 为开环差模增益,Avc为开环共模增益。共模抑制比这一指 标在微弱信号放大场合非常重要,以为在许多实际场合,存在 着共模干扰信号。
假设某一放大器的差模输入信号Vidm为10uV,而放大器的输入 端存在着10V的共模干扰信号。为了使输出信号的有用信号 (差模分量)能明显的大于干扰信号,这时要求该运放应有多 大的共模抑制比呢?
Vi
+ -
2
A
D2
6
3
V0 VCC_CIRCLE
1N4148
1
Rp
2
② 精密全波整流电路(绝对值电路)
如果需要对小信号进行绝对值运算,可采用图3.2.13所示电路。 在电路中,电阻元件选择R1=R2=R4=R,R5=R/2,R6=nR。
R4 20k
1
2
1
2
U01 1
2
1 20k 2
R2 20k
D1 R5 10k
GBW=Avd . fH
其中 ,Avd为中频开环增益,fH为开环上 限截止频率。
以uA741为例,Avd=100dB即100000倍。fH =10Hz , GBW=10×100000=1MHz 。即该运放的 fT =1MHz 。
Avd (dB) Avo
f
fH
fT
若运放在应用中接成闭环放大电路,其闭环放大电路的上 限频率 fHF=GBW/AVF
R6
D2 1N4148