LED相关知识
LED相关知识
一、LED基础知识1、LED发光原理LED（LightEmittingDiode）是发光二极管的简称。
由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。
磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光。
随着科技的进步，出现了可以发出类似白炽灯光色的LED，这就为现代照明提供了一种寿命长，效率高的照明光源，最为可贵的是，LED器件具有长达5万以至10万小时以上寿命，适合多种场合应用的特点。
2、LED的特点LED发出的光与自然光不同，其频谱不是连续的，缺少红外部分，所以与白炽灯不同，LED产生的热量不是靠辐射散出，而是必须通过传导方式散出，这也是LED被称为冷光源的原因。
LED具有以下优点：高效节能：白光LED是目前已知的最为节能的白光光源器件。
一千小时仅耗几度电（普通60W白炽灯十七小时耗1度电，普通10W节能灯一百小时耗1度电）超长寿命：半导体芯片发光，无灯丝，无玻璃泡，不怕震动，不易破碎，使用寿命可达五万小时以上（普通白炽灯使用寿命仅有数百小时，普通节能灯使用寿命也只有八千小时）绿色环保：不含汞和氙等有害元素，利于回收和利用，而且不会产生电磁干扰（普通灯管中含有汞和铅等元素，节能灯中的电子镇流器会产生电磁干扰，且灯管中照样存在汞元素）保护视力：直流驱动，无频闪（普通灯都是交流驱动，就必然产生频闪）光效率高：发热小:90%的电能转化为可见光（普通白炽灯80%的电能转化为热能，仅有20%电能转化为光能）市场潜力大：低压、直流供电，电池、太阳能供电即可，可用于边远山区及野外照明等缺电、少电场所。
根据国际权威机构预测，半导体发光二极管照明将在未来5-10年内取代现有传统光源，当然这将取决于白光LED更加便宜，科技进步必然造成市场总体容量快速增长。
技术人员经测量发现，在同样亮度下，LED的电能消耗仅为白炽灯的1/10，寿命则是白炽灯的100倍。
《LED灯基础知识》PPT课件
一、什么是LED灯
• LED是英文light emitting diode的缩写,即：光线激发二极 管,属于一种半导体元器件.发光二极管的核心部分是由p型 半导体和n型半导体组成的晶片,在p型半导体和n型半导体 之间有一个过渡层,称为p-n结.在某些半导体材料的PN结 中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能 量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能.PN结 加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光.这种利用注入 式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管,通称LED.当 它处于正向工作状态时<即两端加上正向电压>,电流从 LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同 颜色的光线,光的强弱与电流有关.打个比方,LED就像一个 汉堡,可以发光的材料是夹层中的"肉饼",而上下的电极就是 夹肉的面包.
• 11.发光效率高：发热小,90%的电能转化为可见光〔普通 白炽灯80%的电能转化为热能,仅有20%电能转化为光能〕
二、LED光源的优点
• 12.安全系数高：所需电压、电流较小,发热较小,不产生安 全隐患,于矿场等危险场所.〔LED使用低压直流电即可驱 动,对使用环境要求较低〕
• 13.市场潜力大：低压、直流供电,电池、太阳能供电,于边 远山区及野外照明等缺电、少电场所.
• 2.按发光二极管的结构分：有全环氧包封、金属底座环氧 封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构.
四、LED的分类
• 3.按发光管出光面特征分：圆灯、方灯、矩形、面发光管、 侧向管、表面安装用微型管等.圆形灯按直径分为φ2mm、 φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等.国外通 常把φ3mm的发光二极管记作T-1；把φ5mm的记作T-1 〔3/4〕；把φ4.4mm的记作T-1〔1/4〕.
LED灯基本知识
LED灯的发光原理
当电子和空穴在LED芯片的PN结中复合时，会产生光子，光子的能量取决于能带隙， 即材料吸收光的最大波长。
光子在LED芯片中的传播过程中，会与芯片表面和荧光粉相互作用，产生散射和反 射，最终以特定的角度和波长向外发出光线。
LED灯的发光效率受到多个因素的影响，包括芯片材料、荧光粉涂层、散热性能等。
03
LED灯的优缺点
LED灯的优点
节能环保
长寿命
LED灯的能效高，耗电量仅为传统白炽灯的 十分之一，同时不含汞等有害物质，废弃 后可回收利用，符合环保要求。
LED灯的寿命长达5万小时，减少了频繁更 换灯具的麻烦和废弃物处理问题。
响应速度快
色彩丰富
LED灯的点亮速度极快，可在瞬间达到最大 亮度，适合用于需要快速响应的场合。
LED灯对电压和电流的要求较为严格， 使用不当可能导致灯具损坏或光效降 低。
定向发光
LED灯属于定向发光光源，光束角较 小，照射范围有限。
LED灯与其他光源的比较
01
02
03
与白炽灯比较
LED灯光效高、寿命长、 节能环保，但价格较高。
与荧光灯比较
LED灯光效高、体积小、 环保，但价格较高。
与HID灯比较
LED灯可以发出红、绿、蓝等多种颜色的光 线，具有较高的色彩饱和度和显色指数， 能够满足不同场合的照明需求。
LED灯的缺点
价格较高
目前LED灯的价格相对较高，是传统 白炽灯和荧光灯的几倍甚至十几倍。
对散热要求高
LED灯的亮度与温度有关，散热不良 会导致灯具温度升高，影响其性能和 使用寿命。
对电压和电流要求严格
LED灯的选择标准
照明需求
根据照明需求选择合适的LED灯 ，如亮度、色温、光束角等。
LED基础知识及外延工艺课件
Create the Light, Light the W
MOCVD简介
表面反应原理
Ga(CH3)3 + NH3 = GaN +3CH4
Create the Light, Light the World
3E Semiconductor
MOCVD简介
工艺材料
波长λ（nm)
780～630 630～600 600～570 570～500 500～470 470～420 420～380
代表波长
700 620 580 550 500 450 420
• 光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带 宽度Ｅg有关，即 λ≈1240/Eg（mm）
• 电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量 ，大小为禁带宽度Eg。
在500-600度。
Create the Light, Light the World
3E Semiconductor
典型LED外延结构
2. uGaN
• U1层(Rough)，形成结晶质量较高的晶核 ，并以之为中心形成岛状生长。
• 首先在停止通入TMGa的情况下升至高温 ，在高温高压条件下，Buffer中结晶质量 不好的部分被烤掉，留下结晶质量较高 的晶核。此时反射率将下降至衬底本身 的反射率水平。
发光原理：在外加电场的作用下,n型半导体载流子电子、p型半导体载流子空 穴，这两种载流子进入量子阱中并相互结合，发出不同波长的光。
Create the Light, Light the World
LED基本构造 3E Semiconductor
GaN 简介
六方纤锌矿结构的GaN
GaN是宽禁带直接带隙半导体，禁带宽度约为3.4ev.
LED基本理论知识(配图完整版)
LED基本理论知识半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。
事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用（一）LED发光原理图1 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP Array（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。
因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。
此外，在一定条件下，它还具有发光特性。
在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。
进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。
发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。
由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在*近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。
若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。
比红光波长长的光为红外光。
现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。
（二）LED的特性1．极限参数的意义a.Pm：允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。
超过此值，LED发热、损坏。
b.最大正向直流电流I F m：允许加的最大的正向直流电流。
超过此值可损坏二极管。
c.V R m：所允许加的最大反向电压。
超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
LED及其灯管重要基础知识点
LED及其灯管重要基础知识点一、LED的定义与原理LED（Light Emitting Diode）即发光二极管，是一种半导体器件。
其原理是基于发光材料在电流作用下发生光致发光的现象。
在正向电压作用下，电子从n区向p区注入，与空穴复合时释放出能量，产生可见光。
LED能够转换电能为光能，具有高效、长寿命、低功耗等特点。
二、LED的主要特点与优势1. 高效节能：LED具有较高的光电转化效率，能够将电能转化为可见光，相较传统灯泡，能够实现更低的能耗；2. 长寿命：LED的寿命一般可达数万到数十万小时，远远超过传统光源，减少了更换灯泡的频率；3. 色彩丰富：通过控制不同发光材料的配比和电流，LED能够实现多种颜色的发光，满足不同场景的需求；4. 快速开启与调光：相较于传统光源，LED能够瞬间点亮，不需要预热时间，并且可以通过调节电流实现亮度的调节；5. 环保无污染：LED不含有汞、铅等有害物质，在使用过程中无紫外线和红外线辐射，对环境和人体健康无害。
三、LED灯管的种类与应用1. 直插式LED灯管：通常用于取代传统荧光灯管，可直接替换传统的T5、T8荧光灯管，广泛应用于室内照明，如办公场所、商业建筑等；2. 灯头式LED灯管：其灯体形状与传统灯泡相似，可直接插入灯座使用，适用于家庭照明，如客厅、卧室等；3. 射灯式LED灯管：主要用于照明装饰，可安装在天花板、墙壁等位置，用于商场、酒店、展厅等场所；4. 路灯式LED灯管：用于城市路灯照明，具有高亮度和远距离照明的特点，可提高道路亮度，提供更好的交通安全。
四、选购LED灯管的要点1. 色彩指数（CRI）：高色彩指数表示LED能够还原物体的真实色彩，一般需选择CRI大于80的产品；2. 功率与亮度：根据实际需求选择合适的功率和亮度，注意与传统光源的对比；3. 发光角度：发光角度决定了LED照明范围，根据照明场景选择合适的发光角度；4. 品牌与质量：选购时注意选择品牌知名度高、质量有保证的LED灯管，以确保其性能与使用寿命。
LED基础知识介绍
LED基础知识介绍LED，全称为Light Emitting Diode（发光二极管），是一种半导体器件。
与传统的发光方式不同，LED通过半导体材料发出可见光，其主要原理是电导带和价带之间的电子跃迁。
一、LED的结构LED由四个基础部件组成：1.发光体：由半导体材料构成，其中有N型材料和P型材料，通过电子和空穴再复合从而发出光。
2.引线极：引线极连接发光体和外部电源，起到导电和固定作用。
3.导电板：位于引线极下方，用于分布电流和散发热量。
4.外壳：保护LED内部结构的外部壳体。
二、LED的工作原理当LED两端施加电压时，N型材料中的电子和P型材料中的空穴在P–N结附近会发生复合。
这个过程中，电子跃迁到低能级并释放出能量，即发出可见光。
根据材料的不同，LED可以发出不同的光谱，从红色到紫色。
三、LED的优点1.能效高：LED是一种高效光源，其能量转换效率高，较少能量转化为热能。
2.寿命长：LED寿命可达数万小时，远超其他照明设备。
3.响应速度快：LED瞬间响应，无需预热时间。
4.尺寸小：LED小巧轻便，方便安装和维护。
5.环保节能：LED不含汞等有害物质，使用过程中也不会排放有害气体。
四、LED的缺点1.价格较高：LED的制造成本相对较高，使得其价格相对较高。
2.色彩损失：LED在长期使用过程中，会逐渐发生光衰，颜色会发生变化。
五、LED的应用领域1.照明领域：由于其高效节能的特点，LED已经成为照明行业的主流光源。
2.显示屏：LED显示屏具有高亮度、高对比度和清晰度等优点，在舞台演出、广告宣传等领域得到广泛应用。
3.汽车照明：LED的亮度较高，可以用于汽车前照灯、尾灯和转向灯等。
4.室内装饰：LED可以制造出不同颜色和亮度的光，广泛应用于室内装饰照明中，如楼梯、墙壁和天花板的装饰等。
5.电子产品：LED在电子产品中的应用非常广泛，如电视、手机、电脑等显示屏。
总结：LED作为一种高效节能的光源，具有很多优点，如能效高、寿命长、响应速度快等。
LED基础必学知识点
LED基础必学知识点
1. LED的全称为“Light Emitting Diode”，即发光二极管。
它是一种能够将电能转化为光能的电子元器件。
2. LED具有节能高效的特点，相较于传统的白炽灯泡或荧光灯，LED 的光效更高，能够有效降低能源消耗。
3. LED的发光原理是通过半导体材料中的电子和空穴的复合释放出能量，进而产生光。
4. LED有不同的发光颜色，包括红、绿、蓝和白等。
这是通过控制半导体材料的组分和结构来实现的。
5. LED的亮度可以通过调节电流大小来控制。
较高的电流能够使LED 更亮，但也会增加能耗和发热。
6. LED的寿命较长，通常能够达到数万小时以上。
这是由于LED没有灯丝和荧光粉等易损部件。
7. LED还具有快速开启、抗震动、体积小等优点，适用于各种不同的应用场景。
8. LED可以用作指示灯、照明灯具、显示屏等各种应用。
在数字显示方面，LED数字管和LED点阵屏是常见的应用形式。
9. LED的工作电压一般在1.5-3.5伏之间，具体取决于不同的颜色和型号。
10. 在电路设计中，通常需要驱动电路来驱动LED工作。
这可以通过限流电阻、电流调节电路或专用的LED驱动器来实现。
需要注意的是，以上是LED基础知识的一般内容，具体的知识点还会涉及到LED的驱动方式、电压兼容性、色温等更加详细的相关知识。
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全球八大LED制造商1,CREE著名LED芯片制造商，美国CREE公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(GaN),硅(Si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(LED),近紫外激光,射频(RF)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(SiC)晶圆片2,OSRAMOSRAM 是世界第二大光电半导体制造商，产品有照明，传感器，和影像处理器。
公司总部位于德国，研发和制造基地在马来西亚，约有3400名员工，2004年销售额为45.9亿欧元。
OSRAM最出名的产品是LED，长度仅几个毫米，有多种颜色，低功耗，寿命长3,NICHIA日亚化学，著名LED芯片制造商，日本公司，成立于1956年，开发出世界第一颗蓝色LED(1993年) ,世界第一颗纯绿LED(1995年),在世界各地建有子公司。
4,Toyoda GoseiToyoda Gosei 丰田合成，总部位于日本爱知，生产汽车部件和LED，LED约占收入10%, 丰田合成与东芝所共同开发的白光LED，是采用紫外光LED与萤光体组合的方式，与一般蓝光LED与萤光体组合的方式不同。
5,Agilent作为世界领先的LED供应商，其产品为汽车、电子信息板及交通讯号灯、工业设备、蜂窝电话及消费产品等为数众多的产品提供高效、可靠的光源。
这些元件的高可靠性通常可保证在设备使用寿命期间不用再更换光源。
安捷伦低成本的点阵LED显示器、品种繁多的七段码显示器及安捷伦LED光条系列产品都有多种封装及颜色供选择6,TOSHIBA东芝半导体是汽车用ＬＥＤ的主要供货商，特别是仪表盘背光，车子电台，导航系统，气候控制等单元。
使用的技术是InGaAlP，波长从560nm（pure green）到630nm（red）。
近期，东芝开发了新技术UV+phosphor（紫外+荧光），ＬＥＤ芯片可发出紫外线，激发荧光粉后组合发出各种光，如白光，粉红，青绿等光。
7,LUMILEDSLumileds Lighting是全球大功率LED和固体照明的领导厂商，其产品广泛用于照明，电视，交通信号和通用照明，Luxeon Power Light Sources是其专利产品，结合了传统灯具和LED 的小尺寸，长寿命的特点。
还提供各种LED晶片和LED封装，有红，绿，蓝，琥珀，白等LED.Lumileds Lighting总部在美国，工厂位于荷兰，日本，马来西亚，由安捷伦和飞利浦合资组建于１９９９年，２００５年飞利浦完全收购了该公司。
8,SSC首尔半导体乃韩国最大的LED环保照明技术生产商，并且是全球八大生产商之一(资料来源：Strategies Unlimited--LED市场研究公司)。
首尔半导体的主要业务乃生产全线LED组装及定制模组产品，包括采用交流电驱动的半导体光源产品如：Acriche、侧光LED、顶光LED、切片LED、插件LED及食人鱼(超强光) LED等。
产品已广泛应用于一般照明、显示屏照明、移动电话背光源、电视、手提电脑、汽车照明、家居用品及交通讯号等范畴之中。
led的制作流程全过程!1.LED芯片检验镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整2.LED扩片由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。
我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。
也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。
3.LED点胶在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。
（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。
对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。
）工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。
由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。
4.LED备胶和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上，然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。
备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。
5.LED手工刺片将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。
手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。
6.LED自动装架自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步骤，先在LED支架上点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。
自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。
在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片表面的损伤，特别是蓝、绿色芯片必须用胶木的。
因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。
7.LED烧结烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。
银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间2小时。
根据实际情况可以调整到170℃，1小时。
绝缘胶一般150℃，1小时。
银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时（或1小时）打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。
烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。
8.LED压焊压焊的目的将电极引到LED芯片上，完成产品内外引线的连接工作。
LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。
右图是铝丝压焊的过程，先在LED芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。
金丝球焊过程则在压第一点前先烧个球，其余过程类似。
压焊是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要需要监控的是压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状，拉力。
9.LED封胶LED的封装主要有点胶、灌封、模压三种。
基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。
设计上主要是对材料的选型，选用结合良好的环氧和支架。
（一般的LED无法通过气密性试验）9.1LED点胶：TOP-LED和Side-LED适用点胶封装。
手动点胶封装对操作水平要求很高（特别是白光LED），主要难点是对点胶量的控制，因为环氧在使用过程中会变稠。
白光LED的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。
9.2LED灌胶封装Lamp-LED的封装采用灌封的形式。
灌封的过程是先在LED成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的LED支架，放入烘箱让环氧固化后，将LED从模腔中脱出即成型。
9.3LED模压封装将压焊好的LED支架放入模具中，将上下两副模具用液压机合模并抽真空，将固态环氧放入注胶道的入口加热用液压顶杆压入模具胶道中，环氧顺着胶道进入各个LED成型槽中并固化。
10.LED固化与后固化固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在135℃，1小时。
模压封装一般在150℃，4分钟。
后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老化。
后固化对于提高环氧与支架（PCB）的粘接强度非常重要。
一般条件为120℃，4小时。
11.LED切筋和划片由于LED在生产中是连在一起的（不是单个），Lamp封装LED采用切筋切断LED支架的连筋。
**D-LED则是在一片PCB板上，需要划片机来完成分离工作。
12.LED测试测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对LED产品进行分选。
13.LED包装将成品进行计数包装。
超高亮LED需要防静电包装。
LED相关技术参数符号说明CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF ---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（A V）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IF**---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流光行天下ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（A V）---反向平均电流IR （In）---反向直流电流（反向漏电流）。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IR**---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。
测试反向电参数时，给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向（整流）电流。
在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZ**---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流。
在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值（品质因素）δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT（A V）---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率。